Bối cảnh và vấn đề nghiên cứu

Đề tài "Hệ thống điện mặt trời phục vụ hộ gia đình" được thực hiện bởi sinh viên Hà Đạo Biên và Nguyễn Công Trường, dưới sự hướng dẫn của TS. Quách Thanh Hải tại Bộ môn Điện tử Công nghiệp – Y sinh, Khoa Điện – Điện tử, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh (khóa 2013, bảo vệ tháng 8/2017).

Bối cảnh thực tiễn của nghiên cứu xuất phát từ nhu cầu tìm kiếm và khai thác các nguồn năng lượng sạch, có khả năng tái tạo như năng lượng gió và năng lượng mặt trời nhằm thay thế các nguồn năng lượng truyền thống (nhiệt điện đốt nhiên liệu hóa thạch gây ô nhiễm khí quyển, điện hạt nhân tiềm ẩn nguy cơ phóng xạ). Năng lượng mặt trời có đặc điểm phụ thuộc chặt chẽ vào điều kiện tự nhiên, thời tiết và khí hậu; đồng thời ngõ ra của pin quang điện là nguồn điện một chiều (DC). Do đó, để vận hành các thiết bị điện sinh hoạt gia đình thông thường, cần phải qua khâu biến đổi trung gian và nghịch lưu để tạo ra nguồn điện xoay chiều (AC) có điện áp và tần số phù hợp (220V – 50 Hz). Khảo sát các nghiên cứu trước đó tại các trường đại học, nhóm tác giả ghi nhận một đề tài năm 2013 tại Đại học Công nghiệp TP. Hồ Chí Minh về hệ thống hòa lưới điện gia đình dùng pin mặt trời, tuy nhiên hệ thống đó tồn tại nhược điểm là dạng sóng ngõ ra chưa chuẩn sin và độ méo hài tổng (THD) còn lớn.

Mục tiêu nghiên cứu của đồ án được xác định gồm 3 nội dung:

  1. Nghiên cứu và phân tích bộ nghịch lưu 1 pha sử dụng bán dẫn công suất.
  2. Thiết kế hệ thống biến đổi điện một chiều từ pin mặt trời thành điện xoay chiều 220V – 50 Hz.
  3. Tiến hành thí nghiệm để phân tích, đánh giá chất lượng thực của hệ thống nhằm tiếp tục phát triển hoàn thiện và hiện thực hóa đề tài.

Nhiệm vụ nghiên cứu cụ thể bao gồm 5 nội dung:

  1. Phân tích bộ nghịch lưu 1 pha PWM sử dụng bán dẫn công suất IGBT FGA25N120ANTD.
  2. Phương pháp điều chế xung PWM.
  3. Thiết kế mạch nghịch lưu 1 pha.
  4. Thiết kế, lập trình card điều khiển DSP TMS320F28335 Experimenter Kit.
  5. Chạy thử nghiệm, đánh giá kết quả và khắc phục sự cố.

Đối tượng và phạm vi nghiên cứu:

  • Đối tượng nghiên cứu: Bộ nghịch lưu áp một pha sử dụng 4 van bán dẫn IGBT FGA25N120ANTD, phương pháp điều chế độ rộng xung sinPWM lập trình trên vi xử lý DSP TMS320F28335, cùng các mạch chức năng phụ trợ (mạch kích DeadTime - Driver, mạch nguồn nuôi cách ly, mạch hồi tiếp điện áp).
  • Phạm vi và giới hạn thực tế:
    • Hệ thống chỉ hoạt động được khi có bức xạ ánh sáng mặt trời.
    • Công suất tối đa của tải đầu ra thiết kế là 100W.
    • Vận hành song song: cần có nguồn điện lưới cấp đồng thời để nuôi các khối điều khiển và mạch kích của hệ thống.
    • Mô hình phần cứng gồm 2 phần cơ khí riêng biệt: giá đỡ hệ thống nghịch lưu bằng sắt 2 tầng kích thước 35 x 35 x 120 cm và giá đỡ 2 tấm pin mặt trời bằng nhôm kích thước 50 x 60 x 120 cm.
    • Do điều kiện kinh phí và công suất thực tế của pin cùng tổn hao lõi biến áp, thử nghiệm trực tiếp với 2 tấm pin quang điện (50W/tấm) chỉ cấp được cho tải công suất 5 – 10W (220VAC). Để chứng minh khả năng ổn định điện áp 220VAC ở các mức tải cao hơn (60W, 45W), nhóm tác giả sử dụng nguồn DC thay thế có dải điều chỉnh 30V – 40V.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp

Cơ sở lý thuyết của đồ án tập trung vào nguyên lý nghịch lưu áp độc lập một pha và kỹ thuật điều chế độ rộng xung:

  • Các cấu hình nghịch lưu áp 1 pha:
    • Nghịch lưu nửa cầu dùng nguồn đôi: Hoạt động dựa trên 2 van đóng cắt $S_1, S_2$ với điều kiện không trùng dẫn ($TS_1 + TS_2 = 1$). Điện áp ngõ ra chỉ có 2 mức ($+U$ và $-U$), hiệu suất lý thuyết dưới 50% và gặp khó khăn trong việc duy trì cân bằng điện áp nguồn đôi.
    • Nghịch lưu đẩy kéo (Push-Pull): Sử dụng máy biến áp có điểm giữa ở cuộn sơ cấp. Nhược điểm của sơ đồ này là hiện tượng hỗ cảm giữa các cuộn dây và từ trễ của lõi thép làm điện áp tải bị méo dạng nhiều, THD cao, thường chỉ áp dụng cho dạng sóng vuông hoặc tam giác.
    • Nghịch lưu toàn cầu (Full-bridge): Sử dụng 4 khóa công suất ($S_1$ đến $S_4$) chia làm 2 nhánh ($TS_1 + TS_4 = 1$ và $TS_2 + TS_3 = 1$). Điện áp trên tải xác định theo công thức $U_t = (TS_1 - TS_2) \cdot U$, tạo ra 3 mức điện áp ($+U, 0, -U$). Cấu hình này giúp triệt tiêu bậc sóng hài bậc thấp, giảm thiểu độ méo hài tổng THD và tối ưu hiệu suất sử dụng nguồn một chiều duy nhất.
  • Kỹ thuật điều chế xung SinPWM: Tạo chuỗi xung kích bằng cách so sánh tín hiệu điện áp điều khiển hình sin ($V_{sin}$) với điện áp sóng mang tam giác ($V_{saw}$) có tần số cao ($f_{sw} = 10\text{ kHz}$). Độ rộng xung đóng van ($t_{on}$) biến thiên theo hàm sin, qua đó tái tạo thành phần sóng hài bậc 1 dạng sin trên tải xoay chiều.
  • So sánh và lựa chọn phần tử bán dẫn công suất: Văn bản phân tích đặc tính của ba dòng linh kiện:
    • BJT: Dòng kích lớn, tần số đóng cắt giới hạn dưới 10 kHz, công suất tổn hao điều khiển cao.
    • MOSFET: Tốc độ đóng cắt rất cao, trở kháng vào lớn nhưng điện trở dẫn ($R_{DS(on)}$) lớn gây tổn hao dẫn cao ở dải điện áp lớn.
    • IGBT: Kết hợp ưu điểm trở kháng vào lớn của MOSFET (điều khiển bằng điện áp) và điện áp rơi khi dẫn bão hòa thấp của BJT ($U_{CE(sat)} \approx 3\text{V}$), dải công suất rộng, tần số đáp ứng đến 20 kHz. Tác giả chọn IGBT mã hiệu FGA25N120ANTD ($1200\text{V}, 50\text{A}$ tại $25^\circ\text{C}$).

Phương pháp nghiên cứu thực hiện:

  • Phương pháp phân tích và mô phỏng mạch: Sử dụng phần mềm PSIM để mô phỏng thuật toán điều chế SinPWM, kiểm tra dạng sóng trước khi thi công mạch thực tế; sử dụng phần mềm Eagle và Proteus để thiết kế sơ đồ nguyên lý và layout mạch in (PCB).
  • Phương pháp thực nghiệm - kiểm chứng: Chế tạo phần cứng hoàn chỉnh, lập trình thời gian thực trên card DSP TMS320F28335 thông qua môi trường Code Composer Studio (CCS). Kiểm tra thông số bằng máy hiện sóng (Oscilloscope) và đồng hồ vạn năng VOM.
  • Nguồn dữ liệu: Dữ liệu kỹ thuật từ datasheet nhà sản xuất (Fairchild Semiconductor, Texas Instruments), các công thức tính toán điện tử công suất chuẩn và dữ liệu đo đạc thực nghiệm tại phòng thí nghiệm D405.

Thiết kế và triển khai hệ thống

Hệ thống được thiết kế theo cấu trúc module phần cứng kết hợp bộ điều khiển kỹ thuật số:

Khối chức năng Phần cứng / Linh kiện chính Thông số kỹ thuật / Chức năng thiết kế
Nguồn cấp sơ cấp 02 tấm pin mặt trời 36 cell ghép nối tiếp Công suất tối đa $50\text{W} \times 2 = 100\text{W}$; $V_{mp} = 18{,}2\text{V} \times 2 = 36{,}4\text{V}$; $I_{mp} = 2{,}74\text{A}$; $V_{oc} = 23{,}27\text{V}$; $I_{sc} = 2{,}94\text{A}$
Mạch nghịch lưu cầu 04 IGBT FGA25N120ANTD Điện áp chịu đựng $V_{CES} = 1200\text{V}$; dòng $I_C = 50\text{A}$ ($25^\circ\text{C}$); công suất tiêu tán cực đại $312\text{W}$
Khối xử lý trung tâm Card DSP TMS320F28335 Delfino Experimenter Kit Nạp và gỡ lỗi qua mạch nạp XDS100 JTAG tích hợp; tạo 2 kênh xung PWM điều chế sin riêng biệt
Mạch DeadTime IC cổng NOT 74HC14, IC cổng OR 74HC32, mạch trễ RC Tạo thời gian trễ chống trùng dẫn $t_{deadtime} = 3,\mu\text{s}$ ($C = 0{,}01,\mu\text{F}$, tính toán $R = 163,\Omega$, chọn thực tế $R = 220,\Omega$)
Mạch lái (Driver) 08 Optocoupler PC817 ($I_{Cmax} = 50\text{mA}$), điện trở phân cực Cách ly quang giữa DSP và khối động lực; cung cấp dòng kích $I_G \approx 30\text{mA}$ ($K_C \approx 3, f_{sw} = 10\text{ kHz}$); điện trở hạn dòng $R_3 = R_4 = 330,\Omega$; trở cực cổng $R_7 = R_{12} = 330,\Omega$, $R_8 = R_9 = R_{10} = R_{11} = 470,\Omega$
Khối nguồn nuôi IC 7805, IC 7815, IC 7915, biến áp $220/15-0-15\text{V}$ (3A) - Nguồn $+5\text{VDC}$ cấp cho logic mạch kích và hồi tiếp (dòng tiêu thụ khảo sát $540\text{mA}$)
- 04 bộ nguồn $\pm 15\text{VDC}$ độc lập (dùng 4 biến áp riêng) cấp điện áp đóng ngắt dứt khoát cho cực G-E của các IGBT
Khối hồi tiếp điện áp Biến áp hạ áp $220\text{V}/3\text{V}$, cầu phân áp, diode Zener 3V Hạ áp và chỉnh dải biên độ về $\le 1\text{V}_{pp}$; nâng điện áp lên bán kỳ dương tạo mức $0 \div 3\text{VDC}$ đưa vào khối ADC của DSP
Khối nâng áp và tải Máy biến áp tăng áp 1 pha Biến đổi điện áp xung ngõ ra của mạch cầu thành điện áp xoay chiều $220\text{VAC} - 50\text{Hz}$ cấp cho phụ tải

Quy trình thi công và thử nghiệm được tiến hành qua các bước: thi công mạch in, hàn linh kiện, kiểm tra nguội từng module nguồn, cấp tín hiệu xung điều khiển từ DSP vào mạch kích để quan sát xung tại cực G-E trên dao động ký, sau đó đấu nối liên động toàn bộ mạch động lực với máy biến áp và tải.

Nội dung chính theo từng chương

Chương 1: Tổng quan

Chương 1 trình bày lý do chọn đề tài dựa trên xu thế chuyển dịch sang năng lượng tái tạo và vai trò trung tâm của bộ nghịch lưu 1 pha dùng linh kiện bán dẫn công suất. Tác giả điểm qua một số công trình liên quan trong và ngoài nước, chỉ ra hạn chế về độ méo sóng hài trong nghiên cứu nghịch lưu hòa lưới trước đây. Đồng thời, chương này xác định 3 mục tiêu nghiên cứu, 5 nhiệm vụ cụ thể, các giới hạn kỹ thuật của mô hình (công suất tải cực đại 100W, phụ thuộc thời tiết, cần nguồn điện lưới nuôi mạch điều khiển) và kết cấu bố cục gồm 6 chương của toàn văn đồ án.

Chương 2: Cơ sở lý thuyết

Chương 2 cung cấp hệ thống lý thuyết về các mạch nghịch lưu áp một pha: sơ đồ nửa cầu dùng nguồn đôi, sơ đồ cầu toàn phần và sơ đồ đẩy kéo. Tác giả phân tích phương pháp điều chế xung SinPWM dựa trên nguyên lý so sánh tín hiệu sin chuẩn với sóng mang tam giác tần số cao. Chương này trình bày quy trình tạo xung mô phỏng trên phần mềm PSIM và nạp chương trình qua Code Composer Studio cho bộ xử lý TMS320F28335. Nội dung chương đi sâu vào khảo sát các linh kiện phần cứng: nguyên lý pin quang điện (loại 36 cell/tấm, công suất cực đại 50W); so sánh đặc tính đóng cắt, dải công suất và tổn hao của BJT, MOSFET, IGBT để chứng minh tính tối ưu của van FGA25N120ANTD; nguyên lý cách ly mạch lái bằng optocoupler và vai trò của mạch tạo thời gian chết DeadTime.

Chương 3: Tính toán và thiết kế

Chương 3 xây dựng sơ đồ khối toàn diện của hệ thống và giải thích chức năng của từng khối. Tác giả thuyết minh lý do lựa chọn cấu hình nghịch lưu cầu 4 van IGBT để đạt hiệu suất cao và giảm độ méo hài tổng THD. Chương này thể hiện chi tiết các bước tính toán thông số mạch:

  • Mạch DeadTime: Xác định ngưỡng điện áp logic thấp của IC 74HC32 ($0{,}8\text{V}$), tính toán chọn thời gian trễ $3,\mu\text{s}$ với tụ $C = 0{,}01,\mu\text{F}$ và điện trở $R = 220,\Omega$.
  • Mạch lái IGBT: Sử dụng optocoupler PC817, tính chọn các điện trở phân cực nhằm khống chế dòng cực góp $I_C < 50\text{mA}$ và đáp ứng dòng kích cực cổng $I_G \approx 30\text{mA}$ ở tần số chuyển mạch $10\text{ kHz}$.
  • Khối nguồn nuôi: Khảo sát tổng dòng tải nguồn 5V tiêu thụ là $540\text{mA}$ để thiết kế bộ nguồn $5\text{V} - 1\text{A}$ dùng IC 7805, tụ lọc $2200,\mu\text{F}$; thiết kế 4 khối nguồn độc lập $\pm 15\text{VDC}$ dùng IC 7815 và 7915.
  • Mạch hồi tiếp: Thiết kế mạch phân áp kết hợp mạch cộng offset để biến đổi điện áp thứ cấp của biến áp $220\text{V}/3\text{V}$ về khoảng điện áp $0 \div 3\text{VDC}$, tương thích trực tiếp với đầu vào kênh ADC của DSP TMS320F28335.

Chương 4: Thi công hệ thống

Chương 4 mô tả quá trình gia công và chế tạo thực tế các thành phần phần cứng. Tác giả trình bày thông số giá đỡ 2 tấm pin mặt trời (mắc nối tiếp tạo điện áp danh định 36,4V, công suất lý thuyết 100W). Chương liệt kê chi tiết danh mục linh kiện, quy cách đóng gói và quy trình hàn lắp cho từng bo mạch: module nguồn $\pm 15\text{VDC}$ (bảng 4.1 gồm IC 7815, 7915, tụ $2200,\mu\text{F}, 100,\mu\text{F}$, cầu diode 3A), module nguồn $+5\text{VDC}$ (bảng 4.2 dùng IC 7805), module mạch kích (bảng 4.3 gồm 8 opto PC817, 2 IC 74HC32, 2 IC 74HC14) và mạch hồi tiếp (bảng 4.4 gồm điện trở $4{,}7\text{k}\Omega, 1\text{k}\Omega$, Zener 3V). Tác giả nêu rõ quy trình kiểm tra an toàn bằng đồng hồ VOM và máy hiện sóng trước khi tích hợp liên khối.

Chương 5: Kết quả, nhận xét và đánh giá

Chương 5 so sánh kết quả mô phỏng trên phần mềm PSIM với kết quả thực nghiệm đo đạc thực tế:

  • Thử nghiệm với nguồn pin mặt trời: Hệ thống vận hành được với các phụ tải công suất nhỏ (bóng đèn $220\text{V}/5\text{W}$ và $220\text{V}/10\text{W}$). Công suất đầu ra thực tế bị hạn chế bởi cường độ bức xạ thời tiết thực tế và hiệu suất của máy biến áp.
  • Thử nghiệm với nguồn DC thay thế: Sử dụng bộ nguồn một chiều có thể điều chỉnh trong dải $30\text{V} \div 40\text{V}$ cấp cho ngõ vào mạch nghịch lưu cầu. Kết quả chứng minh hệ thống duy trì điện áp ngõ ra ổn định $220\text{VAC}$, tần số $50\text{ Hz}$ khi mang các tải công suất lớn hơn gồm bóng đèn sợi đốt $220\text{V}/60\text{W}$ và quạt điện $220\text{V}/45\text{W}$. Dạng sóng điện áp ngõ ra ghi nhận trên dao động ký đạt dạng sin chuẩn, hệ số méo hài tổng THD dưới 5%.

Chương 6: Kết luận và hướng phát triển

Chương 6 tổng kết toàn bộ kết quả nghiên cứu: đã làm chủ thiết kế và thi công hoàn chỉnh phần cứng bộ nghịch lưu 1 pha SPWM dùng IGBT, lập trình điều khiển thành công trên card DSP TMS320F28335, bảo đảm điện áp ngõ ra $220\text{VAC} - 50\text{ Hz}$ với THD đạt chuẩn. Tác giả nêu các hướng mở rộng nhằm khắc phục mặt hạn chế về công suất tấm pin và khả năng cung cấp điện liên tục của hệ thống.

Kết quả và đóng góp

Kết quả kỹ thuật đạt được:

  • Chế tạo thành công mô hình phần cứng bộ nghịch lưu 1 pha cầu hoàn chỉnh sử dụng 4 van IGBT FGA25N120ANTD, tích hợp khối mạch kích có thời gian trễ DeadTime $3,\mu\text{s}$ bảo vệ chống ngắn mạch nhánh cầu.
  • Lập trình giải thuật điều chế độ rộng xung sinPWM trên bộ thí nghiệm DSP TMS320F28335 Delfino ở tần số đóng cắt $10\text{ kHz}$.
  • Về mặt thực nghiệm:
    • Khi dùng nguồn pin quang điện (2 tấm 50W nối tiếp): Hệ thống cấp điện ổn định cho bóng đèn tải $220\text{V}/5\text{W}$ và $220\text{V}/10\text{W}$.
    • Khi dùng nguồn DC thay thế biến thiên trong dải $30\text{V} \div 40\text{V}$: Điện áp đầu ra duy trì ổn định ở mức $220\text{VAC}$, tần số chuẩn $50\text{ Hz}$, cấp nguồn cho tải đèn $220\text{V}/60\text{W}$ và quạt điện $220\text{V}/45\text{W}$. Dạng sóng điện áp đầu ra đạt chuẩn hình sin, độ méo hài tổng THD nhỏ hơn 5% ($\text{THD} < 5%$), các thành phần hài bậc cao không đáng kể.

Giải pháp kỹ thuật tác giả đề xuất:

  • Thiết kế mạch kích phân tầng kết hợp giữa mạch trễ logic (74HC14, 74HC32, RC) và mạch lái cách ly quang học qua PC817, giúp loại bỏ hoàn toàn khả năng trùng dẫn van và triệt tiêu xung nhiễu ngược về vi xử lý DSP.
  • Ứng dụng 4 kênh nguồn $\pm 15\text{VDC}$ sử dụng các biến áp riêng biệt để tạo điện thế kích đóng/ngắt dứt khoát tại cực cổng của từng IGBT độc lập.
  • Thiết kế mạch hồi tiếp điện áp sử dụng biến trở tinh chỉnh $10\text{ k}\Omega$ và diode Zener 3V để khống chế biên độ điện áp đưa vào ADC của DSP luôn nằm trong khoảng an toàn $0 \div 3\text{V}$, đồng thời bù trừ sai số phi tuyến do chất lượng lõi biến áp thương mại.

Đóng góp kỹ thuật: So với các nghiên cứu sinh viên trước đó (tiêu biểu là đề tài nghịch lưu hòa lưới năm 2013 tại Đại học Công nghiệp TP.HCM với dạng sóng ngõ ra bị méo và THD lớn), đề tài này đã giải quyết triệt để bài toán chất lượng điện năng bằng cách đưa THD về dưới mức 5%, bảo đảm điện áp dạng sin chuẩn phục vụ an toàn cho các thiết bị gia dụng có tính cảm như quạt điện ($45\text{W}$).

Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp

Các hạn chế được chỉ ra trong văn bản:

  • Hệ thống hoạt động hoàn toàn phụ thuộc vào thời điểm có ánh sáng mặt trời, chưa có khối ắc quy lưu trữ để cấp điện khi trời râm mát hoặc ban đêm.
  • Chưa hoạt động độc lập hoàn toàn vì vẫn phải sử dụng song song nguồn điện lưới để cấp cho các biến áp của mạch nguồn phụ trợ ($+5\text{VDC}$ và các bộ $\pm 15\text{VDC}$) nuôi mạch kích và card DSP.
  • Công suất ngõ ra thực tế khi dùng pin quang điện mới chỉ đạt mức $5 \div 10\text{W}$, thấp hơn nhiều so với công suất thiết kế lý thuyết (100W) do chất lượng thực tế của tấm pin và hiệu suất chuyển đổi của lõi máy biến áp tăng áp còn thấp.
  • Chưa tích hợp giải thuật bám điểm công suất cực đại (MPPT) cho giàn pin mặt trời.

Hướng nghiên cứu tiếp theo:

  • Nâng cấp số lượng hoặc công suất tấm pin quang điện, cải tiến thiết kế và chất lượng lõi máy biến áp ngõ ra để nâng cao hiệu suất biến đổi và công suất tải.
  • Tích hợp thêm hệ thống ắc quy lưu trữ điện năng và mạch quản lý nạp/xả thông minh để duy trì nguồn điện liên tục cho phụ tải gia đình.
  • Nghiên cứu lập trình nhúng giải thuật MPPT (như phương pháp P&O hoặc điện dẫn gia tăng) trực tiếp trên DSP TMS320F28335 để tối ưu hóa hiệu suất thu năng lượng từ bức xạ mặt trời.
  • Nghiên cứu bổ sung khâu đồng bộ pha để phát triển thành hệ thống inverter hòa lưới điện gia đình.

Giá trị tham khảo

Đồ án có giá trị tham khảo chuyên môn cho sinh viên, giảng viên và kỹ sư thuộc các chuyên ngành Công nghệ Kỹ thuật Điện - Điện tử, Điện tử Công nghiệp, Tự động hóa và Năng lượng tái tạo:

  • Tham khảo về thiết kế phần cứng điện tử công suất: Cung cấp đầy đủ sơ đồ nguyên lý, công thức tính chọn chi tiết cho mạch kích IGBT (deadtime, điện trở phân cực cực G, cách ly quang), mạch nguồn đối xứng $\pm 15\text{V}$ và mạch hồi tiếp bảo vệ ADC.
  • Tham khảo về phương pháp điều khiển nhúng: Quy trình kết hợp công cụ mô phỏng PSIM với môi trường biên dịch Code Composer Studio để tạo mã điều chế sinPWM cho dòng vi điều khiển hiệu năng cao C2000 Delfino (TMS320F28335).
  • Dữ liệu thực nghiệm: Cung cấp các thông số kiểm thử cụ thể khi chạy tải thuần trở (đèn sợi đốt 5W, 10W, 60W) và tải dung/cảm (quạt điện 45W), phục vụ cho việc đối chuẩn trong các đồ án thiết kế bộ biến đổi DC/AC sau này.

Câu hỏi thường gặp

1. Vì sao nhóm tác giả lựa chọn sơ đồ nghịch lưu toàn cầu thay vì sơ đồ nửa cầu hay đẩy kéo?
Sơ đồ nửa cầu đòi hỏi nguồn đôi DC phức tạp và hiệu suất biến đổi lý thuyết dưới 50%. Sơ đồ đẩy kéo gây méo dạng sóng lớn do hiện tượng từ trễ và hỗ cảm của biến áp có điểm giữa. Sơ đồ toàn cầu 4 van IGBT cho phép tạo ra 3 mức điện áp trên tải ($+U, 0, -U$), giúp giảm đáng kể độ méo hài tổng THD, tận dụng tối đa nguồn DC đơn từ pin mặt trời và nâng cao hiệu suất của toàn mạch.

2. Thời gian trễ DeadTime trong mạch kích được chọn là bao nhiêu và được tính toán như thế nào?
Thời gian trễ DeadTime được chọn là $3,\mu\text{s}$. Mạch sử dụng cổng NOT 74HC14, cổng OR 74HC32 và mạch phóng nạp RC. Dựa trên ngưỡng điện áp logic thấp của IC 74HC32 là $0{,}8\text{V}$ và giá trị tụ điện $C = 0{,}01,\mu\text{F}$, phương trình phóng nạp tụ cho ra điện trở tính toán là $163,\Omega$. Trong thực tế thi công, tác giả chọn điện trở chuẩn $220,\Omega$ để bảo đảm khoảng trễ an toàn triệt tiêu hiện tượng trùng dẫn nhánh cầu.

3. Tại sao trong thử nghiệm với nguồn pin mặt trời thực tế, hệ thống chỉ cấp được cho tải 5W – 10W dù công suất lý thuyết của 2 tấm pin là 100W?
Do các yếu tố thực tế can thiệp bao gồm: bức xạ ánh sáng mặt trời không đạt điều kiện tối ưu làm suy giảm công suất phát thực tế của pin, cùng với đó là tổn hao lõi từ và hiệu suất chuyển đổi còn thấp của máy biến áp tăng áp thương mại được sử dụng trong mô hình thử nghiệm.

4. Khối hồi tiếp điện áp được thiết kế như thế nào để tránh gây hỏng card điều khiển DSP?
Khối hồi tiếp sử dụng máy biến áp hạ áp $220\text{V}/3\text{V}$, kết hợp mạch cầu phân áp (dùng biến trở tinh chỉnh $10\text{ k}\Omega$ và điện trở $1\text{ k}\Omega$) để đưa biên độ điện áp về $\le 1\text{V}_{pp}$. Sau đó, mạch cộng op-amp dịch mức áp lên phía dương để tạo dải dao động hoàn toàn trong khoảng $0 \div 3\text{VDC}$ và tích hợp thêm diode Zener 3V kẹp áp ngõ ra, bảo đảm tín hiệu đưa vào khối ADC của DSP TMS320F28335 không vượt quá ngưỡng điện áp phá hủy của vi điều khiển.

5. Khi sử dụng nguồn DC thay thế (30V – 40V), hệ thống đạt được các chỉ tiêu kỹ thuật ngõ ra nào?
Hệ thống duy trì điện áp ngõ ra ổn định ở mức $220\text{VAC}$, tần số cố định $50\text{ Hz}$, đáp ứng vận hành tốt cho tải bóng đèn $220\text{V}/60\text{W}$ và tải quạt $220\text{V}/45\text{W}$. Dạng sóng điện áp đạt dạng sin chuẩn với độ méo hài tổng THD nhỏ hơn 5%, các thành phần hài không mong muốn đều ở mức không đáng kể.

Kết luận

Đồ án tốt nghiệp "Hệ thống điện mặt trời phục vụ hộ gia đình" đã hoàn thành việc tính toán, thiết kế và chế tạo thực nghiệm mô hình nghịch lưu 1 pha SPWM sử dụng 4 van bán dẫn IGBT FGA25N120ANTD điều khiển bởi card xử lý DSP TMS320F28335. Hệ thống đã giải quyết được các yêu cầu kỹ thuật cơ bản về tạo thời gian trễ DeadTime $3,\mu\text{s}$ chống trùng dẫn, cách ly quang an toàn và xây dựng khối nguồn nuôi độc lập. Mặc dù công suất phát trực tiếp từ 2 tấm pin mặt trời còn hạn chế do tổn hao và điều kiện thời tiết, thử nghiệm kiểm chứng với nguồn DC thay thế đã khẳng định hệ thống có khả năng ổn định điện áp đầu ra $220\text{VAC} - 50\text{ Hz}$ với độ méo hài tổng THD dưới 5%, đáp ứng đúng định hướng nghiên cứu đã đề ra.