LỜI NÓI ĐẦU
1. CHƯƠNG I: BỘ LỌC RF
1.1. Câu 1: Nêu các bước thiết kế mạch điện tử hay mạch RF?
1.2. Câu 2: Khái niệm về bộ lọc RF? Nêu các chỉ tiêu kỹ thuật của bộ lọc RF?
1.3. Câu 3: Khái niệm hàm truyền, nêu các đặc trưng biên độ tần số và đặc trưng pha tần số?
1.4. Câu 4: Tiêu hao chèn là gì? Nêu bài toán tổng hợp bộ lọc?
1.5. Câu 5: Nêu sơ đồ mạch và dạng đặc trưng của tiêu hao chèn trên bộ lọc mẫu thông thấp phần tử tập trung?
1.6. Câu 6: Phân tích dạng đặc trưng theo đa thức Butterworth?
1.7. Câu 7: Nêu quy trình tính toán, thiết kế bộ lọc RF?
1.8. Câu 8: Nêu các bước thiết kế bộ lọc thông thấp trên phần tử tập trung?
1.9. Câu 9: Nêu các bước thiết kế bộ lọc thông cao trên phần tử tập trung?
1.10. Câu 10: Nêu các bước thiết kế bộ lọc thông dải trên phần tử tập trung?
1.11. Câu 11: Nêu các bước thiết kế bộ lọc chắn dải trên phần tử tập trung?
1.12. Câu 1: Thiết kế bộ lọc thông thấp dạng đặc trưng Chebyshev có độ gợn sóng La1= 0,01dB trong dải thông, tần số cắt fC= 100MHz và mức suy giảm ít nhất là 5dB ở tần số 400MHz. Biết rằng trở nguồn và trở tải của bộ lọc bằng nhau là 75Ω. Chọn sơ đồ điện cảm nối tiếp.
1.13. Câu 3: Thiết kế bộ lọc thông dải có độ giảm bằng 0,5 dB trong dải thông với tần số trung tâm 1 GHz, độ rộng dải tần tương đối là 10%. Tín hiệu suy giảm ít nhất 30 dB tại các tần số 800 MHz và 1,2 GHz. Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 75Ω. Chọn sơ đồ mạch điện bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa là điện cảm nối tiếp.
1.14. Câu 4: Thiết kế một bộ lọc chắn dải có độ gợn 1 dB trong dải thông. Bộ lọc chắn tất cả tín hiệu có tần số từ 1,45 GHz đến 1,6 GHz và cho qua tín hiệu có tần số ngoài dải này. Tín hiệu bị suy giảm ít nhất 30 dB tại các tần số 1,5 GHz và 1,55 GHz. Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 50 Ω. Chọn sơ đồ mạch điện bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa là điện cảm nối tiếp.
1.15. Câu 5: Thiết kế bộ lọc thông dải dạng đặc trưng Chebyshev bậc 3 có độ gợn sóng bằng 0,01dB trong dải thông có tần số từ 10MHz đến 40MHz. Trở tải và trở nguồn của bộ lọc bằng nhau là 75Ω.
1.16. Câu 6: Thiết kế bộ lọc chắn dải bậc 3 dạng đặc trưng phẳng cực đại. Bộ lọc chặn tất cả tín hiệu trong dải tần từ 10MHz đến 40MHz và cho qua các tần số ngoài dải trên. Biết rằng trở nguồn và trở tải của bộ lọc đều bằng 75Ω. Suy hao tại tần số cắt là La1=3dB.
1.17. Câu 7: Thiết kế bộ lọc thông thấp đặc trưng dạng phẳng cực đại có tần số cắt fC=150MHz là La1=3dB và tiêu hao chèn 50dB ở 400MHz. Biết rằng trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 75Ω.
1.18. Bài kiểm tra 1: Thiết kế một bộ lọc thông dải có độ gợn bằng 1dB trong dải thông từ 900MHz đến 1,1GHz. Tín hiệu bị suy giảm ít nhất 30dB tại các tần số 500MHz và 1,3GHz. Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 50Ω.
1.19. Bài kiểm tra 2: Thiết kế một bộ lọc chắn dải có độ gợn bằng 1dB trong dải thông với tần số trung tâm dải chắn 2GHz, độ rộng dải chắn tương đối là 10%. Tín hiệu bị suy giảm ít nhất 20dB tại các tần số 1,95GHz và 2,05GHz. Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 75Ω.
1.20. THỰC HÀNH MÔ PHỎNG TRÊN ADS
2. CHƯƠNG 2: BỘ KHUẾCH ĐẠI RF
2.1. Câu 1: Trình bày khái quát chung về bộ khuếch đại RF?
2.2. Câu 2: Trình bày các mối quan hệ với ma trận [S] trong bộ KĐ RF?
2.3. Câu 3: Trình bày nội dung về hệ số KĐCS truyền đạt của bộ khuếch đại?
2.4. Câu 4: Trình bày các trường hợp ổn định của bộ khuếch đại và điều kiện để có các trường hợp ổn định đó?
2.5. Câu 5: Trình bày cách xác định vòng tròn ổn định trên đồ thị Smith?
2.6. Câu 6: Trình bày các thiết kế mạch khuếch đại RF(1 tầng)?
2.7. Câu 7: Nêu các bước để thiết kế mạch khuếch đại RF đạt được hệ số KĐCS lớn nhất?
2.8. Câu 8: Nêu các bước để thiết kế mạch khuếch đại RF đạt được hệ số KĐCS bất kỳ?
2.9. Câu 9: Trình bày cách phối hợp trở kháng ở đầu vào, đầu ra trên mạch khuếch đại?
2.10. Câu 1: Một transistor lưỡng cực (BJT) có tham số ma trận tán xạ tại tần số 1 GHZ như sau với trở kháng đặc tính bằng 50Ω. Trở kháng nguồn ZS = 25Ω và trở kháng tải ZL = 40Ω. Hãy tính hệ số khuếch đại công suất (G), hệ số khuếch đại công suất cực đại (GA), hệ số khuếch đại công suất truyền đạt (GT).
2.11. Câu 2: Một bóng bán dẫn hiệu Triquint T1G6000528 GaN HEMT có các tham số ma trận tán xạ tại tần số 1,9 GHz (Z0 = 50Ω) như sau. Hãy xác định độ ổn định của bóng bán dẫn này sử dụng tiêu chuẩn Rollet và tiêu chuẩn μ. Vẽ vòng tròn ổn định trên đồ thị Smith?
2.12. Câu 3: Thiết kế một bộ khuếch đại cao tần tại 4 GHz với hệ số KĐCS lớn nhất sử dụng bóng GaAs MESFET có các tham số ma trận tán xạ như sau (Z0=50Ω)?
2.13. Câu 4: Thiết kế một bộ khuếch đại có HSKĐ bằng 11 dB tại 4 GHz. Hãy vẽ họ vòng tròn hệ số KĐ với GS = 2 và 3 dB và GL = 0 và 1 dB. Biết transistor có tham số ma trận tán xạ như sau (Z0 = 50Ω):
2.14. Câu 5: Thiết kế một bộ khuếch đại cao tần tại tần số 8 GHz với hệ số KĐCS bằng 15 dB, sử dụng bóng GaAs MESFET của hãng WIN SEMICONDUCTOR có các tham số ma trận tán xạ như sau (Z0=50Ω)?
2.15. THỰC HÀNH MÔ PHỎNG TRÊN ADS
