Cơ sở Thiết bị Bán dẫn (Semiconductor Device Fundamentals) - Robert F. Pierret, Đại học Purdue

• Tác giả: Robert F. Pierret
• Trường học: Đại học Purdue
• Chuyên ngành: Kỹ thuật điện và máy tính
• Đề tài: Cơ bản về thiết bị bán dẫn
• Loại tài liệu: Sách giáo khoa
• Năm xuất bản: 1996
• Địa điểm: Reading, Massachusetts

Tóm tắt

I. Tổng quan về Semiconductor Device Fundamentals của Robert F

Semiconductor Device Fundamentals là giáo trình kinh điển về thiết bị bán dẫn của Robert F. Pierret, giảng viên tại Trường Kỹ thuật Điện và Máy tính thuộc Đại học Purdue. Sách được xuất bản năm 1996 bởi nhà Addison-Wesley Publishing Company. Đây là một trong những tài liệu tham khảo hàng đầu dành cho sinh viên kỹ thuật điện tử trên toàn thế giới. Ấn phẩm bao gồm các chủ đề cốt lõi về vật lý bán dẫn, cấu trúc thiết bị, và nguyên lý vận hành. Pierret đã tổng hợp kiến thức nền tảng một cách hệ thống, từ lý thuyết bán dẫn cơ bản đến các ứng dụng thực tiễn. Sách được thiết kế với sự tích hợp công cụ hỗ trợ máy tính, phản ánh xu hướng giáo dục hiện đại. Nội dung trình bày rõ ràng, logic, phù hợp cho cả người mới bắt đầu và người cần củng cố kiến thức chuyên sâu. Tác phẩm này đã trở thành chuẩn mực trong đào tạo kỹ sư bán dẫn tại nhiều trường đại học danh tiếng.

1.1. Bối cảnh ra đời và động lực sáng tác

Robert F. Pierret viết Semiconductor Device Fundamentals với mong muốn tạo ra giáo trình dành cho thiên niên kỷ mới. Trước đó, đã có ít nhất 14 giáo trình đại học về thiết bị bán dẫn được xuất bản trong thập kỷ. Tuy nhiên, Pierret nhận thấy cần một cuốn sách tích hợp hiệu quả công cụ hỗ trợ máy tính vào quá trình học tập. Ủy ban Chương trình Đại học tại Purdue đã xếp ưu tiên tích hợp máy tính vào giảng dạy. Sự ra đời của Student Edition MATLAB với chi phí thấp đã tạo điều kiện thuận lợi cho việc này. Pierret muốn kết truyền thống giảng dạy với công nghệ hiện đại để nâng cao chất lượng đào tạo kỹ sư bán dẫn.

1.2. Đối tượng độc giả và phạm vi nội dung

Semiconductor Device Fundamentals hướng đến sinh viên đại học chuyên ngành kỹ thuật điện, điện tử và viễn thông. Sách cũng phù hợp cho kỹ sư mới vào nghề cần nắm vững nền tảng lý thuyết. Phạm vi nội dung trải rộng từ vật lý chất bán dẫn đến thiết kế và chế tạo thiết bị. Các chương trình bày cấu trúc PN junction, transistor lưỡng cực BJT, transistor hiệu ứng trường MOSFET. Sách đi sâu vào cơ chế vận chuyển hạt tải điện bao gồm drift current và diffusion current. Người đọc được tiếp cận cả lý thuyết lẫn mô phỏng thực tế thông qua MATLAB. Nội dung được xây dựng từ cơ bản đến nâng cao, đảm bảo tính liền mạch cho quá trình học tập.

II. Phân tích nội dung lý thuyết bán dẫn trong sách

Nội dung lý thuyết trong Semiconductor Device Fundamentals được xây dựng chặt chẽ và logic. Sách trình bày chi tiết về cơ chế vận chuyển hạt tải điện trong vật liệu bán dẫn. Hai thành phần chính được phân tích kỹ là drift current và diffusion current. Drift current phát sinh khi có điện trường tác động lên các hạt mang điện. Vận tốc trung bình của hạt tải điện khoảng một phần nghìn tốc độ ánh sáng ở nhiệt độ phòng. Tuy nhiên, chuyển động nhiệt của các hạt là hoàn toàn ngẫu nhiên. Chuyển động nhiệt này không đóng góp vào dòng điện macroscopic. Sách giải thích rõ mối quan hệ giữa mật độ dòng điện J và điện trường applied. Hệ số mobility của electron và hole được định nghĩa và phân tích chi tiết. Pierret sử dụng phương pháp tiếp cận từ cơ bản đến phức tạp, giúp người đọc hiểu sâu nguyên lý hoạt động của từng loại thiết bị bán dẫn.

2.1. Cơ chế drift current và vận chuyển hạt tải

Drift current là dòng điện phát sinh do sự di chuyển có hướng của hạt tải điện dưới tác dụng điện trường. Trong Semiconductor Device Fundamentals, Pierret định nghĩa dòng lỗ trống drift bằng công thức liên quan đến điện tích q, mật độ lỗ p, vận tốc drift và tiết diện A. Mật độ dòng điện J được giới thiệu như tham số quan trọng, có hướng trùng với dòng điện và độ lớn bằng dòng trên đơn vị diện tích. Sách phân tích chi tiết mối quan hệ tuyến tính giữa mật độ dòng điện và điện trường thông qua đại lượng conductivity. Hệ số mobility thể hiện khả năng di chuyển của hạt tải trong vật liệu. Giá trị mobility khác nhau giữa electron và hole trong cùng chất bán dẫn.

2.2. Cấu trúc thiết bị MOS và nguyên lý hoạt động

Cấu trúc MOS Metal-Oxide-Semiconductor đóng vai trò trung tâm trong nhiều chương của sách. Pierret trình bày nguyên lý hoạt động của MOSFET từ cấu trúc vật lý cơ bản. Thiết bị MOS bao gồm các lớp kim loại, oxide cách điện và chất bán dẫn. Sách giải thích cách áp dụng điện áp gate điều khiển dòng điện giữa source và drain. Quy trình chế tạo MOS bao gồm nhiều bước như doping, tạo oxide gate, và metallization. Các vùng N và P được tạo ra thông qua kỹ thuật implantation hoặc diffusion. Lớp oxide cách điện quyết định đặc tính ngưỡng điện áp của thiết bị. Pierret sử dụng sơ đồ và mô hình toán học để minh họa rõ ràng nguyên lý vận hành MOS transistor.

III. Phương pháp giảng dạy và công nghệ tích hợp trong sách

Semiconductor Device Fundamentals nổi bật với phương pháp giảng dạy tích hợp công nghệ. Pierret chủ động đưa công cụ MATLAB vào quá trình học tập và giảng dạy. Đây là điểm khác biệt lớn so với các giáo trình bán dẫn truyền thống khác. Sinh viên được thực hành mô phỏng các hiện tượng vật lý thông qua bài tập máy tính. Sách cung cấp hướng dẫn chi tiết cách sử dụng MATLAB để giải quyết bài toán bán dẫn. Phương pháp này giúp sinh viên trực quan hóa các khái niệm trừu tượng phức tạp. Quy trình chế tạo thiết bị bán dẫn được trình bày chi tiết qua nhiều bước. Từ việc deposit silicon dioxide đến tạo contact holes và metallization. Pierret nhấn mạnh mối liên hệ giữa lý thuyết và thực hành sản xuất. Cách tiếp cận này chuẩn bị tốt cho sinh viên bước vào ngành công nghiệp bán dẫn thực tế.

3.1. Tích hợp MATLAB và hỗ trợ máy tính học tập

Việc tích hợp MATLAB vào Semiconductor Device Fundamentals đánh dấu bước tiến mới trong giáo dục bán dẫn. Pierret sử dụng Student Edition MATLAB với chi phí phải chăng cho sinh viên. Công cụ này cho phép mô phỏng các tính toán phức tạp về đặc tính thiết bị bán dẫn. Sinh viên có thể vẽ đồ thị đặc tính dòng điện áp của transistor chỉ trong vài dòng lệnh. MATLAB giúp trực quan hóa sự phân bố carrier concentration trong vật liệu. Các bài tập máy tính được thiết kế song song với nội dung lý thuyết. Phương pháp này tăng cường hiểu biết sâu về hành vi vật lý của thiết bị. Pierret khuyến khích sinh viên tự khám phá thông qua thực nghiệm số. Sự kết hợp giữa lý thuyết và mô phỏng tạo nền tảng vững chắc cho nghiên cứu sau này.

3.2. Quy trình chế tạo và quy trình xử lý wafer

Sách trình bày chi tiết quy trình chế tạo thiết bị bán dẫn từ nguyên liệu thô đến sản phẩm hoàn chỉnh. Bước đầu tiên là chuẩn bị wafer silicon tinh khiết cao với độ dày xác định. Quá trình doping được thực hiện bằng kỹ thuật diffusion hoặc ion implantation. Pierret mô tả kỹ thuật CVD Chemical Vapor Deposition để tạo các lớp thin film. Quy trình photolithography sử dụng để định hình mẫu circuit trên wafer. Các bước etching loại bỏ vật liệu không cần thiết theo mask pattern. Lớp passivation được phủ để bảo vệ thiết bị khỏi tác động môi trường. Metallization tạo kết nối điện giữa các transistor và thế giới bên ngoài. Pierret nhấn mạnh tầm quan trọng của kiểm soát chất lượng trong từng bước xử lý.

IV. Kết luận và ứng dụng thực tiễn của Semiconductor Device Fundamentals

Semiconductor Device Fundamentals của Robert F. Pierret đã chứng minh giá trị vượt thời gian trong lĩnh vực giáo dục bán dẫn. Tác phẩm kết hợp hoàn hảo giữa lý thuyết nền tảng và ứng dụng thực tiễn. Phương pháp tích hợp công nghệ hỗ trợ máy tính đã đi trước thời đại. Sách cung cấp kiến thức toàn diện về vật lý bán dẫn và thiết kế thiết bị. Nội dung phù hợp cho đào tạo kỹ sư chất lượng cao tại các trường đại học. Kiến thức từ sách được ứng dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp vi điện tử. Thiết kế mạch tích hợp, chế tạo chip xử lý và phát triển cảm biến đều cần nền tảng này. Pierret đã tạo ra tài liệu tham khảo không thể thiếu cho mọi kỹ sư bán dẫn. Giá trị của sách tiếp tục được khẳng định qua nhiều thế hệ sinh viên và chuyên gia.

4.1. Ứng dụng trong công nghiệp vi điện tử hiện đại

4.2. Giá trị học thuật và tầm ảnh hưởng trong đào tạo

Semiconductor Device Fundamentals có tầm ảnh hưởng lớn trong đào tạo kỹ thuật điện tử toàn cầu. Nhiều trường đại học danh tiếng sử dụng sách này làm giáo trình chính. Phương pháp giảng dạy tích hợp MATLAB của Pierret được nhiều tác giả khác học hỏi. Sách đã tạo chuẩn mực mới cho cách tiếp cận giáo dục bán dẫn hiện đại. Hàng nghìn kỹ sư đã trưởng thành nhờ nền tảng kiến thức từ tác phẩm này. Pierret được công nhận là một trong những tác giả có ảnh hưởng nhất về giáo dục bán dẫn. Giá trị học thuật của sách nằm ở tính chính xác khoa học và sự trình bày rõ ràng. Tác phẩm tiếp tục được tái bản và sử dụng rộng rãi sau nhiều thập kỷ xuất bản.

Trích đoạn nội dung tài liệu

net SEMICONDUCTOR DEViCE FUNDAMENTALS Robert F. Pierret School of Electrical and Computer Eitginecrjttg Pstrduc University www.net A “V ADDISONWESLEY PUBLTSmNG COMPANY Reading, Massachusetts Mettle Park, Colifornia New - - York Don Mills. Ontario Wokin,,ham Eisgloed Amstcnijarn - . Bonn ‘ Sydney Singapore Tokyo Madrid Son Joan Milan - - ‘ ‘ - Paris - —Katherine Harutunian Associate Editor Helen Wythe Se,oor Prodactio,t Sopen’isor Hugh Crawford Manaafactarisag Supervisor Barbara Atkinson Associate Cover Design Supervisor PeterBtaiwas Csverdesign Kenneth J. Wilson Text design Joyce Grandy Copyeditor Sandra Rigney Productis,t Packaging Services 0 & S Typesetters, Inc. Composition ‘TIte itale voice inside ,tever groiv.” Publishers’ Design and Production Services, Inc. Illustrations Frank Pierret (1906—1994) Library of Congress Cataloging-in-Publication Data Pierret, Robert 1°. Snmicnnductor dnvine fundamentals / Robert F.38152—dc2O 95-17387 CIP are claimed Many of the designations used by manufacturers and sellers tn distinguish their products sley was owara of a at trademarks. Where these designations appear in this honk, arid Addison-We trademark claim, the dnsignanons hate been printed is initial cops neat! caps. Morton isa registered trademsrk of Tire MathWnrks, tee., 24 Prima Park Way. Phone: [phone] Fax: [phone] E-mail: [e-mail] WWW hctp / / wwca rsatlicsocko . site or nur hh’ortd Access the latest inrfornsation about Addisun-Wesley books from nut Internet gopher Wide Web page: gopher uw.com http://sswv.com /cseeig / Copyright: © 1996 by Addison-Wesley Publishing Cempany, Inc. Reprintod with corrections March, 1996 system, or Alt rights reserved. No part of this publication may bn reprnducnd. stured in a retrieval er other transmitted in any form or by any ereans, electronic, mechanical, photocopying, encerding. wise, without thr written permission ef the publisher. Prided io ihn United States of America www.net PREFACE Why another text on solid slate devices? The author is aware of at leust 14 undergraduate texts published on the subject during the past decade. Although several motivating factors could be cited, a veiy siguificant factor svas the desire to write a hook for the next milieu niom (a Book 2000 so to speak) that successfully incorporates computer-assisted leurnieg. In a recent survey, members of the Undcrgradttate Corricutem Committee in the Scheet of Electrical and Computer Engineerieg at Puedse University listed integration of the com paler into the learning process m the number eec priority. Nationally, enisersily censor tiums have hccu forissed wlsich emphasize computer-assisted learning. distribution begais of the Student Edition of M.-titoe, essentially a copy of the original MATI.Au manual bundled wish u loss-cost version of she math-loots softsrare.000 copies of the bootcJsoftsvarc were sold in the first ycart Tents and books on a variety of topics frose several publishers axe now available that nseke specific ase of the MATLAB software. The direction is clear as soc proceed into the second millennium: Cumpesvr assisted learnusg svill bzcvnie esore and more prevalent. In dealing svith solid state deviccs, lie cmsspsstcr alloses ott to address more realistic prohlems, to more readily experiment mitts “wtsal-if’ scenarios, and to conveniretly ahtain a graphical output. An entire device characteristic can often he cosepuler gesserated with less time and effort than a small set of manually calculated single-point values. It should be clarified Ilsat the present tent is not a totally new entry in the field, but is derived in part from Volumes 1—tv of the Addison-Wesley Modular Series en Solid State Devices. Lest there be a misunderstanding, the latest versions of the volumes in the Modu lar Series were net siesply glued together. To the conlrary, more than half of lhc material www.net coverage in the feor vatanmes was completely rewritten. Moreover, seseral sappleasental sections and two additional chapters snere added to tIre Velnnses I—IV entline. The new lent also contains computer-based tent exercises and end-of-chapter problems, plus a number of other special features that are folly described in the General Introduction. In jest abssut any engineering endeavor there are tradeoffs. Device design is replete with tradeoffs. Tradeofts also enter into the design of a book. For example, a few topics can be covered in detail (depth) or lesser coverage can be given to several topics lbreadsh). Sunilarly one can emphasize she understanding of cosscepss or optissaze the transmission of facteal iaforniatien. Votames I—tv in the Modular Series ore known for streir pedantic depth of coverage emphusiniisg concepts. While retaining she same basic depth of coverage. four “read-only” chapters have been specifically udded herein to broaden she coverage and enhance the transesissien of factoal information. In the read-only chapters the emplsesis is more on describing the enciriug world of modern-day devices. Compound semicondocror devices likesvise receive increased coverage throughout the tent. There in also a natural Vi nEMle0NDttT0R nuetee raNeeMeNTALn ‘I raeeeee eli tradeoff betsneen the effort devoted to developing qaulitative insight and she implementa and errors, Eric Bragg stands out as especially perceptive and helpful. The very eonsciea tion of a quantitative aealysis. Careful aoentian has been given to avoid slighting the de tious snanuscripl reviesvers svem Prof. James, California State Unisersity, Long velopment of “insuition” in light of the greatly esshaoced qaautitative capabilities arising Beach: Prof. Peter Lanyen, Worcester Polytechnic Institute: Prof. May, Georgia from she integrated use of the computer. Lastly, sve have not attempted so be all-inclusive tnstmtsse of Teelruology: Prof Dieter K. Srhrader, Arizona State University: and Prof. in the depth and breadth of coverage—many things we left for later (another coarse, other - Strllman, Universrmy of Illinois as Urbana-Champaign. In recegvition of u femmimfat associa books). Hopefully, she proper tradeoffs have been echieved whemby sIte reader is reosen tion, a speciol thamsks to Don Pawley, the former editor at Addison-Wesley who enlieed the ably knowledgeable about the subject matter and acceptably equipped so perform device aothae into wriling the book. Last bet trot least, editor Katherine Hamtnnian is Ia be ered analyses ufser completing the tent. iled seith smoothly implesnenliag the project, and enecolive ossistant Anita Devine with The present test is intended for andcrgraduatejaniOrs or seniors who have had at leant chreerfelly handling mmsany of the early details. an introductory enposure to electric field theory. Chapters are gronped into three major divisions or “parts,” snith Port II being further subdivided into IIA and lIE. With some Prof Roberm F Fiercer deletions, the materiel in each of the three parts is covered durissg a five-week segment of School of Electrical and Computer Engineering a ane-sementer, three-credit-bane, junior-senior course in Electrical and Cempuler Engi Purdue University neering at Purdne University. A day-by-day ratmete outline is supplied an Ihe Instsncter’s Disk arconspanying the Selations Manual. If necessary to meet time cnrstramets, read-only Chapters 4, 9. 13, and 19 could be deleted from the lecture schedule. )An instmetor might preferably assign the chapters us independemst readings and reward compliant students by including entra-credit examination questiests covering the material.) Standard Chapters 12, 14, and 15, encepr fee tlte gesseral field-effect introduction in Sectien l5.t, may otto be omitted ssith little or so less in continuity. Although a complete listing of special featares is given in rhe General Introduction, instructors should take special stole of the Problem Information Tables inserted prior In the end-of-chapter problems. These tables should prove useful in assigning problems and in dealing with hemee’ork graders. When faced with constructing a test, instructors may also he interested in esuminitsg the Review Problem Sets found in lbs teini-chapters (identified by a darkened thnnsb tab) at the esmd of the three honk parts. The Review Problem Sets are derived from old “open-book” and “closed-book” tests. Concerning the cemgoter-based enercises and problems, she use of rilber the student or professional version of MATLAn it recismmended but not reqaired. The its-tent eneecise solutions and the problem answers supplied 10 the iessrucsar, however, do make ase of MATLAn. Although it would be helpful, the asee need not be familiar with the MATLAR progeans at the beginning of the book. The MATLAe problems in successive chapters make increasiagly sophisticated use of the pro gram. In otluer words, the early exercises and hosoesverk problems provide a learning Mus’t.An by rising hulATLAs eapnrietsze. isis critical, however, that the asee complete a large percentage of the computer-based exercises and problems in the first three chapters. The exercises and peablenas found in later chapters sot only assume a reasonably competent use of MATLAB. but also baild span the programs developed in Ihe earlier chapters. The author eratefally acknowledges lIme assistavee of associates, EE3OS students. the cespandeists to an curly marketing survey, the manusrript revtesvers, and Addison-Wesley personnel ie nraking Book 2000 a reality. Desvrvrsg of special lhartks is Alt Keshavarzi for arruagieg the ummthoe’v sabbatical at latel Corporation and for providing photographs of equipment inside the Albnqtmerqsme fobricatrort facility. Mark Lundstram al Pnrdae Uoiversity seas also most helpfal in supplying key ieformatien aad figares for several book sections. Of the undergraduate students asked to enamine the manascript for readability www.net CONTENTS General Introduction xxi Part I Semiconductor Fundamentals Chapter 1 Sensicundssrtors: A General introduction 1.1 General Material l’roperties 3 1.1 TIte Uttit Cell Cotteept 7 1.2 Sinspte 3-D Unit Cells 8 1.3 Semicandt,ctor Lattices 9 1.1 Gbtaiaiug Ultrapare Si 16 1.2 Siagle-Crystal Parmation 17 .4 Santmary 19 Problems 19 www.net Chapter 2 Carrier Modeling 23 2.1 The Qnautizasion Concept 23 2.2 Energy Eansi Model 26 2.4 Band Gap atsd Material Ctassifiratioa 31 2.3 Carrier Nambers in Intrinsic Material 34 a neutcoNunceon DEVtCE ruouuMuNTALn CONTENTS ul 2.4 Mattipalatiats af Carrier Nambers—Daping 35 R—f5 Center Recombitaation 105 2.5 Carrier-Related Termiavlagy 40 Aager Recombination 107 2.4 State and Carrier Distributiass 40 Generation Processes 107 2.1 Detttity af States 41 3.2 The Perttti Psmctioa 42 3.3 Equilibriuits Distribution of Carriers 46 Photogeneration to 2.5 Eqailibriate Carrier Concentrations 49 Indirect Thermal Recombination—Generation 112 2.1 Pormelas for a aed ta 49 3.4 Minority Carrier Lifetimes 116 2.2 Altureative Eepressiees fare and p 52 General Information 116 2.3 a aed the tsp Pradact 53 A Lifetime Measurement 116 2.4 Charge Neutrality Relationship 57 3.4 Equations of Slate t20 2.5 Cttrrier Concentration Calcalatians 59 3.6 Determitsation of Er 61 3.2 Minority Carrier Diffusion Equations 122 2.7 Carrier Concentration Temperature Dependence 65 3.3 Simptifications and Solations 124 2.6 Summary end Concluding Comments 67 3.4 Problem Solving 124 Problems 69 Sample Problem No. I 124 Sample Problem Na. 2 128 Chapter 3 Carrier Action 75 3.2 Quasi-Permi Levels 132 3.6 Summary and Concluding Comtoents 136 3.5 Band Bendiag 89 Chapter 4 Rasicn of Device Fabrication 149 3.2 Hot-Poitst Probe Measurement 97 4.3 Diffasion and Total CnrrcoLs 98 4.3 lao Inaplantalian 155 Diffasion Carrent.4 Lithography 159 Total Cnrrettts 99 4.5 Thin-Filrtr Deposition 162 3.4 Relatitsg Diffasion Coeffirients/Mobilisies 99 Evstporation 162 Cottstancy of the Fermi Level 99 Spattering 162 Ctsrreut Plow Under Eqailibriam Conditions tot Chemical Vapor Deposition (CVD) 164 Einstein Relationship lot 4.2 Device Fabrication Examples 165 3.1 pa Junction Diode Fabrication 166 Band-to-Baad Recombinatiaa 105 4.2 Computer CPU Process Plow 166 4.3 Sammary 174 nit aeMicoNuncron DEOICE FusuaMENruLu www.net CONTENTS aiti itt l’ttrl I Supplement antI Review 75 ‘‘Gaitte Plan’’ Suetitiary 240 AlteruativelSnplttementol Reading List 175 0.3 Derivation Proper 247 Figure SoarcesiCited References 177 6.1 4 Evaivinution of Results 249 Review List of Tenets Ideal I—V 249 170 Tite Sattiratinit Current 250 Part I—Review Probleitt Sets uitd Answers 179 Carrier Currents 254 Carrier Coitreetrutious 255 Part hA pnJunction Diodes 193 62 Drsiarious front the Ideal 260 ChapterS po Jonetion Electrostatics 195 6.1 Ideal Theory Versus Esperiuueitt 260 .2 Reverse-Him Bteakdowu t9S 263 5.1 Jeoction Tertninology/ltlealized Profiles 195 Avuluoching 264 5.2 Peissmt’s Equation 197 Zener Process 260 5.4 The Built-ic Potential (V j) 5 203 6.4 V V High-Current Pltottomeua 277 5.5 The Depletion Approximation 200 Series Resistance 278 5.2 Quantitative Electrostatic Relatioeslupv High- Level Injection 279 209 5.2 Step Junction with V = 0 210 6.1 Charge Coatrol Approach 282 Soludou forp 210 0.2 Narrow-Base Diode 294 Solutioe forT 210 Current Derivatioe 284 Sotetioo for V 212 t.imitieg Cuses/Pueeh-Throtugh 286 Sulutiou for .4 Suusutary and Concluding Cousuteats 288 5.3 Step Jnurtioe with V sO 2t5 Probtemv 289 5.4 Evaiuiuatioe/Evtropolatiun of Results 2t9 -‘ ,., Chapter 7 pet junction Diode: Small-Signal Admittance 301 5.5 Linearly Graded Juucitoux 223 5.