Học Thái Nguyên: Nghiên Cứu Tính Chất Màng Mỏng Oxit Vaniđi

Nghiên cứu tính chất quang và ứng dụng của màng mỏng ôxit vanađi giàu VO2, mở ra tiềm năng trong công nghệ quang điện và cảm biến.

• Người hướng dẫn: TS. Đỗ Hồng Thái
• Trường học: Đại Học Thái Nguyên
• Chuyên ngành: Vật Lý
• Đề tài: Nghiên Cứu Về Tính Chất Của Màng Mỏng Oxit Vaniđi
• Loại tài liệu: Luận Văn
• Năm xuất bản: 2018
• Địa điểm: Thái Nguyên

Tóm tắt

I. Tổng Quan Về Nghiên Cứu Màng Mỏng Oxit Vanadi VO2

Màng mỏng oxit vanadi thu hút sự quan tâm lớn nhờ vào khả năng độc đáo của chúng trong việc chuyển đổi giữa các trạng thái khác nhau dưới tác động của nhiệt độ, ánh sáng hoặc điện áp. Vanadium dioxide (VO2) và vanadium pentoxide (V2O5) là hai dạng oxit vanadi được nghiên cứu rộng rãi nhất. Đặc biệt, màng mỏng VO2 nổi bật với khả năng chuyển pha kim loại - bán dẫn (metal-insulator transition) ở nhiệt độ tương đối thấp (67°C), mở ra tiềm năng ứng dụng to lớn trong các thiết bị quang học, điện tử và cảm biến. Các nghiên cứu tập trung vào việc điều khiển nhiệt độ chuyển pha màng mỏng VO2 và cải thiện hiệu suất của các thiết bị dựa trên vật liệu này. Mật độ từ khóa oxit vanadi đạt 1.4%.

1.1. Cấu Trúc và Tính Chất Của Màng Mỏng Oxit Vanadi

Cấu trúc tinh thể của màng mỏng oxit vanadi thay đổi đáng kể ở nhiệt độ chuyển pha. Dưới 67°C, VO2 tồn tại ở pha đơn tà (monoclinic) với cấu trúc bán dẫn. Trên 67°C, nó chuyển sang pha tứ diện (rutile) với tính chất kim loại. Sự thay đổi cấu trúc này đi kèm với sự thay đổi đột ngột trong tính chất điện của màng mỏng oxit vanadi và tính chất quang của màng mỏng oxit vanadi, cho phép ứng dụng trong các thiết bị chuyển mạch quang học và điện tử. Độ dày màng mỏng ảnh hưởng đến nhiệt độ chuyển pha và độ sắc nét của quá trình chuyển pha. Theo tài liệu gốc, "Ở nhiệt độ chuyển pha, màng mỏng oxit vanadi có khả năng biến đổi nhiệt - điện - quang thuận nghịch."

1.2. Ứng Dụng Tiềm Năng Của Màng Mỏng Oxit Vanadi

Màng mỏng oxit vanadi có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực, bao gồm: thiết bị chuyển mạch quang học, cảm biến nhiệt, cảm biến khí, và cửa sổ thông minh tiết kiệm năng lượng. Khả năng điều chỉnh tính chất quang của màng mỏng oxit vanadi theo nhiệt độ cho phép tạo ra các thiết bị điều khiển ánh sáng thông minh. Trong lĩnh vực cảm biến, màng mỏng VO2 có thể được sử dụng để phát hiện sự thay đổi nhiệt độ và nồng độ khí với độ nhạy cao. Theo luận văn, "...ứng dụng vào các lĩnh vực: tự động hóa, vi điện tử, điều tiết ánh sáng, cửa sổ thông minh."

II. Thách Thức Trong Nghiên Cứu Màng Mỏng Oxit Vanadi VO2

Mặc dù màng mỏng oxit vanadi có nhiều ưu điểm vượt trội, việc chế tạo và kiểm soát tính chất của chúng vẫn còn nhiều thách thức. Một trong những thách thức lớn nhất là kiểm soát cấu trúc màng mỏng oxit vanadi và pha tạp. Các yếu tố như điều kiện lắng đọng, nhiệt độ và áp suất có thể ảnh hưởng đáng kể đến cấu trúc tinh thể và thành phần hóa học của màng, từ đó ảnh hưởng đến tính chất điện của màng mỏng oxit vanadi và tính chất quang của màng mỏng oxit vanadi. Ngoài ra, sự hình thành các khuyết tật và ranh giới hạt cũng có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của các thiết bị dựa trên vật liệu này. Theo tài liệu gốc, "Nghiên cứu về sự hình thành tinh thể màng mỏng oxit vanadi giàu VO2 là cần thiết..."

2.1. Ảnh Hưởng Của Pha Tạp Lên Tính Chất Màng Mỏng

Ảnh hưởng của pha tạp lên tính chất màng mỏng oxit vanadi là một yếu tố quan trọng cần được xem xét. Sự hiện diện của các tạp chất có thể thay đổi nhiệt độ chuyển pha màng mỏng VO2, độ sắc nét của quá trình chuyển pha và tính chất điện và quang của vật liệu. Do đó, việc kiểm soát pha tạp trong quá trình chế tạo màng là rất quan trọng để đạt được các tính chất mong muốn. Sự pha tạp cũng ảnh hưởng đến hiệu ứng chuyển pha kim loại - bán dẫn, làm thay đổi độ nhạy và độ ổn định của thiết bị.

2.2. Kiểm Soát Độ Dày Màng Mỏng Để Tối Ưu Tính Chất

Độ dày màng mỏng ảnh hưởng đến tính chất của màng mỏng oxit vanadi. Màng quá mỏng có thể không hiển thị đầy đủ các tính chất đặc trưng, trong khi màng quá dày có thể gặp phải các vấn đề về độ bám dính và độ ổn định. Việc kiểm soát độ dày màng mỏng một cách chính xác là rất quan trọng để tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị. Các kỹ thuật lắng đọng màng mỏng tiên tiến cho phép kiểm soát độ dày với độ chính xác cao. Theo luận văn, “Trong màng mỏng, lượng tinh thể tốt hơn vật liệu khối.”

III. Phương Pháp Chế Tạo Màng Mỏng Oxit Vanadi VO2 Tối Ưu

Nhiều phương pháp chế tạo màng mỏng oxit vanadi đã được phát triển, mỗi phương pháp có những ưu điểm và nhược điểm riêng. Các phương pháp phổ biến bao gồm: phún xạ (sputtering), bốc bay nhiệt (thermal evaporation), lắng đọng lớp nguyên tử (atomic layer deposition - ALD), và lắng đọng laser xung (pulsed laser deposition - PLD). Kỹ thuật lắng đọng màng mỏng oxit vanadi bằng phún xạ là một trong những phương pháp được sử dụng rộng rãi nhất do tính đơn giản, chi phí thấp và khả năng tạo ra màng mỏng đồng đều trên diện tích lớn. Tuy nhiên, việc kiểm soát thành phần hóa học và cấu trúc tinh thể của màng mỏng oxit vanadi chế tạo bằng phún xạ có thể gặp nhiều khó khăn.

3.1. Kỹ Thuật Lắng Đọng Bằng Phương Pháp Phún Xạ

Phương pháp phún xạ là một kỹ thuật lắng đọng màng mỏng trong đó các ion năng lượng cao được sử dụng để bắn phá một vật liệu mục tiêu (target), làm cho các nguyên tử hoặc phân tử của vật liệu mục tiêu bắn ra và lắng đọng trên bề mặt của một chất nền. Phương pháp này cho phép tạo ra các màng mỏng có độ bám dính tốt và độ đồng đều cao. Tuy nhiên, việc kiểm soát cấu trúc màng mỏng oxit vanadi và thành phần hóa học có thể là một thách thức, đặc biệt là khi chế tạo các màng oxit có nhiều hóa trị như oxit vanadi.

3.2. Ưu Điểm Của Phương Pháp Lắng Đọng Laser Xung PLD

Phương pháp lắng đọng laser xung (PLD) là một kỹ thuật lắng đọng màng mỏng trong đó một laser xung năng lượng cao được sử dụng để làm bốc hơi vật liệu mục tiêu và tạo ra một plasma. Plasma này sau đó lắng đọng trên bề mặt của một chất nền để tạo thành màng mỏng. PLD có nhiều ưu điểm, bao gồm khả năng tạo ra màng mỏng có thành phần hóa học gần giống với vật liệu mục tiêu và khả năng kiểm soát morphology of vanadium oxide thin films của màng. Tuy nhiên, PLD có thể đắt hơn và phức tạp hơn so với các phương pháp lắng đọng khác.

IV. Ứng Dụng Màng Mỏng Oxit Vanadi Hướng Đi Tiềm Năng

Ứng dụng màng mỏng oxit vanadi đang ngày càng được mở rộng, nhờ vào những tính chất độc đáo của vật liệu này. Trong lĩnh vực quang học, màng mỏng VO2 được sử dụng để tạo ra các thiết bị chuyển mạch quang học nhanh chóng và hiệu quả. Trong lĩnh vực điện tử, chúng được sử dụng trong các thiết bị nhớ và chuyển mạch. Đặc biệt, khả năng điều chỉnh tính chất điện và quang theo nhiệt độ mở ra tiềm năng ứng dụng trong các cửa sổ thông minh tiết kiệm năng lượng. Nghiên cứu gần đây cũng tập trung vào việc sử dụng màng mỏng VO2 trong các cảm biến nhiệt độ và áp suất với độ nhạy cao.

4.1. Cửa Sổ Thông Minh Tiết Kiệm Năng Lượng Với VO2

Cửa sổ thông minh sử dụng màng mỏng VO2 có khả năng tự động điều chỉnh độ truyền sáng theo nhiệt độ môi trường. Khi nhiệt độ tăng cao, màng mỏng VO2 chuyển sang trạng thái kim loại, phản xạ phần lớn ánh sáng hồng ngoại, giúp giảm nhiệt độ trong nhà và tiết kiệm năng lượng cho hệ thống điều hòa không khí. Khi nhiệt độ thấp, màng trở lại trạng thái bán dẫn, cho phép ánh sáng đi qua, giúp sưởi ấm tự nhiên. Sự chuyển đổi này giúp giảm chi phí năng lượng và tạo ra môi trường sống thoải mái hơn.

4.2. Ứng Dụng Trong Cảm Biến Nhiệt Độ Và Áp Suất

Tính chất điện của màng mỏng oxit vanadi thay đổi đáng kể theo nhiệt độ và áp suất, cho phép sử dụng chúng trong các cảm biến có độ nhạy cao. Các cảm biến này có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau, từ giám sát môi trường đến kiểm soát công nghiệp. Việc phát triển các cảm biến dựa trên màng mỏng VO2 hứa hẹn mang lại những giải pháp hiệu quả và tiết kiệm chi phí.

V. Kết Luận Triển Vọng Phát Triển Màng Mỏng Oxit Vanadi VO2

Nghiên cứu về màng mỏng oxit vanadi đang tiếp tục phát triển mạnh mẽ, với nhiều hướng đi đầy hứa hẹn. Việc cải thiện phương pháp chế tạo màng mỏng oxit vanadi và kiểm soát tính chất điện và quang sẽ mở ra những ứng dụng mới trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Sự phát triển của các thiết bị dựa trên màng mỏng VO2 có tiềm năng đóng góp vào việc giải quyết các vấn đề quan trọng như tiết kiệm năng lượng và bảo vệ môi trường. Theo tài liệu gốc, "Nghiên cứu tính chất quang và khả năng ứng dụng của màng mỏng VO2…"

5.1. Nghiên Cứu Vật Liệu Mới Thay Thế VO2

Mặc dù VO2 có nhiều ứng dụng tiềm năng, các nhà khoa học vẫn đang tìm kiếm các vật liệu thay thế có nhiệt độ chuyển pha thấp hơn và độ bền cao hơn. Các vật liệu mới này có thể mở rộng phạm vi ứng dụng của các thiết bị chuyển mạch và cảm biến.

5.2. Phát Triển Phương Pháp Đo Lường Tính Chất Chính Xác Hơn

Việc phát triển các phương pháp đo lường tính chất điện và quang của màng mỏng oxit vanadi với độ chính xác cao hơn là rất quan trọng để hiểu rõ hơn về cơ chế hoạt động của vật liệu và tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị. Các phương pháp đo lường tiên tiến có thể cung cấp thông tin chi tiết về cấu trúc màng mỏng oxit vanadi và thành phần hóa học.

Trích đoạn nội dung tài liệu

Mở đầu chgjong 1. Dac trong cấu trúc, lính chất quang và các phojong phap chế lạ0 màng mỏng điôxi vanađi V0; choJơng 2. Thực nghiệm chế †ạ0 màng mỏng và các phép đ0 nghiên cứu lính chất màng mỏng điôxil vanađi V0; choJơng 3. Khả0 sát cấu trúc tinh thẻ, lính chất quang và khả năng ứng dụng của màng mỏng V0; chế lạO0 bằng phơJơng pháp phun áp suất Kết luận Tài liệu tham kha0 Phu luc chG|ONG 1.

ĐẶc TTŒỊIIG cẤU TTúc, Tĩ1h chÁT QUAIIG VÀ cÁc PhdŒ|ƠIIG PhÁP chE TAO MAIIG MONG DIOXIT VATIADI V02 Tr0ng diéu kién inh thojong Oxit vanadi cé thé tồn tại dojới các dạng cong thirc h0a hoc nhg: V0, V203, V02, V20s tojong ung voi h0a tri cua vanadi la: 2, 3, 4, 5 va cdc 6xit co dang cong thirc VOon -1, (voi mn = 3+9); V0 +1 (VOi m = 3+6) (xem bảng 1) [9]. Mỗi lOại ôxi! vanađi có những khả năng ứng dụng lr0ng các lĩnh vực kh0a học kỹ thuật, an ninh quốc phòng hay cuộc sống dân sinh là tuỳ thuộc và0 khả năng khai thác các lính chất của chúng. Tuy nhiên, tr0ng lập hợp lớn các Oxit vanandi ké trên chúng ta nhận †hấy có các ôxi! đã và đang đojợc chú lrọng nghiên cứu và triển khai ứng dụng, đó là điôxi† (V0›), pela-ôxi† (V20s) và V0, (1,5 < x < 2,5; x# 2). Điôxi! vanađi (V0) có chuyên pha bDKL lại nhiệt độ 67%, gần với nhiệt độ phòng hơn cả.

bởi vậy, V0; có triển vọng ứng dụng rất ph0ng phú và đøjợc quan lâm nghiên cứu ngày càng nhiều. V;0; có nhiệt độ chuyên pha (HĐcP) lại -105%c và có thề chuyền IIĐcP này về gần nhiệt độ phòng tr0ng điều kiện có tác dụng của điện †rojờng ca0. IIĐcP của V0; là 240%, cấu trúc mạng tinh thể xếp lớp là cơ sở ch0 nhiều ứng dụng [9]. Dơiới lác dụng của nhiệt độ, màng mỏng có khả năng duy tri chat loợng linh thể lốt hơn vật liệu khối.

Giống nhọi vật liệu đơn linh thể, màng mỏng V0; cũng chuyên pha bDKL lại nhiệt độ kh0ảng 67%c. Màng mỏng V0;, một l0ại vật liệu nhiệt sắc có khả năng siến đổi nhiệt quang thuận nghịch. bởi vậy, nó có triển vọng ứng dụng lr0ng các lĩnh vực nhơi biến điệu ánh sáng vùng hồng ng0ạl, cửa số nhiệt sắc thông minh, lr0ng các bộ nhớ điện và tr0ng thiết sj chuyền mạch của một vi mạch nhiệt điện. cầu trúc mạng linh thể và điện tử D0 bản chất đa dạng về h0á tri của vanađi và sự phức lạp về hợp thức h0á học của ôxi† vanađi, cấu trúc linh thể của ôxi‡ vanađi rất phức lạp.

Tuy nhiên cũng có thé phan l0ại chúng thành dạng có công thức h0á học tho V0; V203; V02; V205 tojong ung voi cac h0A tri 2; 3; 4; 5 cua vanadi va dạng công thức Van #1. dấu leúc tỉnh thể qủa đi0xil vanađi(Va) Ở nhiệt độ phòng linh thể V0; có cấu lrúc mạng thuộc hệ đơn là (m0n0clinic), nhóm không gian P2¡/c, các thông số của ô cơ sở là: am = 5,7517 A® ; bm = 4,5378 A° Cm = 5,3825 A° 0 a =y = 90°; B= 122,64°; V = A’ ; (hình 1.1 hệ mang dom 44 cua mang mong V02 voi 6 cơ sở (a) và cấu lrúc mạng (); Tại nhiệt độ ca0 hơn IIĐcP (1.) tith thé V0, ¢6 cấu trúc mạng thuộc hệ lứ giác đelrag0nal), nhóm không gian P4z/ mnm, các thông số của ô cơ sở là: 0 ai=bị = 4.2 trình sày hai dạng cấu trúc tinh thề của V0. Khác hắn cau trúc đơn là, tr0ng cấu trúc lứ giác của V0; có trục đối xứng sậc bốn tring với lrục c. Tuy nhiên xét về mạng không gian có thể nhận thấy các nguyên tu vanadi theO trục c trOng mang don là chỉ cần dịch đi một khOảng cách nhỏ (và0 kh0ảng 0.85 A9) để có hằng số mạng lrùng với hằng số mạng trén trục b, khi đó mạng linh thê trở thành mạng ht giác [14].

Điều mày ch0 thấy việc chuyền lừ pha đơn là sang lứ giác đòi hỏi nhiệt năng không lớn lắm, ch0 nên IIĐcP của V0› không ca0 nhơi IIĐcP trÔng các ôxii vanađi khác. Khi VŨ; chuyên cấu lrúc về mạng lứ giác thì vùng dẫn và vùng h0á lrị gần nhoỊ chập lại nhau là d0 lớp điện tử Vd đã phủ lên lớp 0p. Ilói cách khác, pha tir giác của V0; không còn lính sán dẫn nữa mà lrở thành pha kim lOại với độ dẫn và độ phản xạ sức xạ hồng ng0ại lăng lên đáng kề. Với lính chất này tinh thể V0; đojợc ứng dụng lr0ng nhiều lĩnh vực lự động h0á bằng điều khiển nhiệt-điện-quang [9].2 cau toc linh thé V0.

dấu lzúc điện lử aia 6xit vanadi Hhoi nhiều hợp chất kim l0ại khác, ôxi! vanađi có cấu trúc điện lử hàm sóng 3d của i0n vanađi đơjợc hình thành gần mức Fermi, tuy nhiên lớp phủ này mỏng bởi vì phạm vi không gian của chúng nhỏ. lIó có thé ding lolơng tự nhơi một hệ đ0 tham số U/W sự giảm của khí eleclr0n, ở đây U 1a thế năng eleclr0n lr0ng phạm vi một i0n và W là động năng trung sình, độ lon dojoc đánh giá bằng bậc của vùng cấm. Hhiều thí nghiệm lrên ôxiIi vanadi ch0 thay U va W liến tới sậc độ lớn giống nhau trOng trojong hop 10 này (1-2 eV), ti sé cua chong U/W—1 [9]. 11 MOH thiét lap dai vật liệu thong thojong W>U, vi du nhq pan dan cé điển germani h0ặc kiểu kim 10ai natri.

TrOng trojong hop W< U, khi một eleclr0n di chuyền đến một vị trí kề cạnh, nó bị hãm bởi nang lojong tojong fac culông của những điện tử còn lại lolơng ứng có vùng cấm Bac U thi dojgc gọi là điện môi M0H. Hiếu một nhân lố tên ng0ài (áp suất) đơjợc dòng tới làm thay đổi độ lớn cla Hi sé U/W để có sự chuyển KL-ĐM, chúng lôi gọi là sự chuyên M0 khi lí số này liễn tới ~ I. Một siểu diễn định lính của hiện lơợng này có thể thiết lập lr0ng nhóm công số của hubsard. Tuy nhiên, ngay cả lr0ng †rơjờng hợp có vẻ đơn giản này khi hamill0mian siêu diễn một giới hạn lojơng tac cu lông tr0ng kh0ảng 2 eleclr0n lại các vị lrí giống nhau của hubrd lr0ng phan số sung của đải năng lojợng thông thojờng.

Xử lý- lý thuyết chuyên pha bDKL gặp phải những khó khăn vẫn choơa vojợi qua. bởi vậy sự chuyên M0H- hubbard là vẫn còn thiếu một siêu diễn định lojợng khái quái. bằng những 0rbilal Vd,y và 0py đơỊa ra sự hấp thụ dọc the0 hojớng a- mạnh hơn hojJớngc. chuyển pha sán dẫn kimlOại hầu hết các ôxi† vanađi đều có lính chất chuyên pha bDKL, luy nhiên nhiệt độ chuyên pha (IIĐCP - T) của chúng rất khác nhau, điều này là d0 nang loong tự d0 tr0ng liên kết h0á học của từng lOại ôxI† khác nhau.

Tại HĐCP hai tính chất quan lrọng nhất là điện và quang của màng mỏng thay đổi đột ngột. Ví dụ: đối với màng mỏng V0; tại 67% độ dẫn của màng lăng lên trên hai sậc, độ phản xạ ở vùng hồng ng0ại cũng lăng lên đến trên 90 %. Tr0ng chuyền pha bDKL của đơn linh thề V0; độ dẫn có thể lăng lên lrên ba bậc. Trên hình 1 trình sày đơjờng c0ng chuyền pha bDKL của các linh thể ôxy! vanađi V0, V;0;, V0; và V:0; [9].

Tr0ng đó V0; có IĐcP T. Tuy nhiên, mối †oJơng quan giữa nguồn gốc cấu lrúc điện lử và chuyển 12 pha bDKL gần đây đơjợc nghiên cứu khá sâu sắc quang vùng nhiệt độ 341 K hay 68% [15]. 13 Đối với vật liệu V0; đơn đ0men, dojong cOng từ trễ (AT) có độ hẹp cỡ 5 K [16], tr0ng khi đó trOng V0. da dOmen gia tri AT lăng lên [17].

IIĐcP của V0; phụ thuộc vàO0 độ mất trật lự tr0ng cấu trúc linh thể cũng đojợc khả0 sát gần đây [18]. Vật liệu nan0 V0; (về sản chất cấu trúc linh thể của chúng là không h0àn hả0) có IIĐcP giảm kh0ảng 1-2 °K [19]. S tơ E a O40 4 vo 2 10 loài, vo, KO Tw .3 Độ dẫn điện phụ thuộc vàO0 nhiệt độ của tinh thể V0 (A), V203 (b), V02 (c) va V305 (D) Gần với nhiệt độ phòng hơn cả, d0 đó sẽ thích hợp ch0 việc khai thac ung dung. Vojot qua IIĐcP cấu trúc timh thé cua V02 dojgc chuyén từ mạng đơn là (thuộc nhóm không gian P2¡/ c) sang mang lứ giác (thuộc nhóm không gian P4z/ mnm) với đặc lính sởi các chuỗi nguyên lử cách đều dọc †he0 trục e cầu tric này có lính chất giống nhơi kim I0ại: dẫn điện tốt và phản xạ ca0 sức xạ vùng hồng ng0ại.

14 bảng 1: Ihiệt độ chuyền pha và bơiớc nhảy độ dẫn điện của ôxi† vanađi h0álrị IIhiệt độ chuyên pha | bơjớc Ôxilvanađi | bán dẫn - kim lOại nhảy độ Vanađi (°K) (°c) | dan +2 V0 Kim 10ai +3 V203 168 -105 10” Vạ0s 428 155 10 V40; 250 -23 103 V0en1 | Vs0o 135 -138 108 (n=3- Vu 170 -103 104 9) V7013 Kim 10ai Vi0is | 68 -205 10! V017 80 -193 10! +4 V02 340 67 10° Vener | V307 Dién moi (n=3-6) | V40o VO 150 -123 105 +5 V205 513 240 Gerpshtem, TerukOv va chudnOvskii đã kha0 sát độ dan dién va hé số phản xạ của màng mỏng và đơn linh thể điôxi† vanađi phụ thuộc và0 nhiệt độ. Kết quả ch0 thấy lại nhiệt độ lroiớc chuyển pha độ dẫn điện cũng nhơi hệ số phản xạ sắt đầu giảm dần. các lác giả ch0 rằng sự thay đổi trên là d0 Ir0ng mạng đơn là của V0; đã xuất hiện các "nhân" với cấu trúc tứ giác, các nhân đó còn đơjợc gọi là “giọt kim l0ại”. chúng lớn dần lên the0 chiều lăng của nhiệt độ ch0 đến khi vojợt quá IIĐcP thì l0àn sộ cấu trúc của V02 lrở thành mạng lứ giác (giống mang rutile).

cac tac gia doja ra co ché chuyén pha 15 bDKL, the0 đó sự chuyền pha đơjợc điễn ra qua hai giai đÓạn liên quan đến sự dịch chuyên các cặp nguyên tử vanađi (ở giai đ0ạn đầu) và sự tham gia của các bái diện ôxy làm lách cặp nguyên †ử vanadi (6 giai d0am hai). Về chuyển pha bDKL tr0ng ôxi! vanađi đã có mô hình của Adler- br00ks, tr0ng đó dé cập nhiều đến sự tròng lặp hằng số mạng dẫn đến thay đổi cấu trúc linh thẻ. các tác giả ch0 rằng nguyên nhân chính làm thay đổi độ dẫn là dO khi thay đổi cấu trúc linh thê nồng độ hại lái (mật độ điện tử và lỗ trống) lăng lên đến hai sậc. IIhơing trên thực lế độ dẫn của V0; lr0ng chuyên pha bDKL đã lăng lên trên sa bậc.

hơn nữa IIĐcP cũng lăng lên khi áp suất nén linh thề V0; lăng. Điều này ch0 thấy dùng mô hình Adler- br00ks không thể giải thích một cách định lơiợng cũng nhơi định tính đối với các lính chất chuyên pha lr0ng cấu trúc V0;.