Chương 1 TỔNG QUAN VỀ TÁN XẠ RAMAN TĂNG CƯỜNG BỀ MẶT SERS 1. Hiện tượng tán xạ Raman Khi ánh sáng truyền qua một môi trường, một phần ánh sáng bị đổi hướng, cường độ ánh sáng bị phân bố lại trong không gian. Hiện tượng này gọi là hiện tượng tán xạ ánh sáng [1]. Vào năm 1928, nhà vật lý học người Ấn Độ Chandresekhara Venkata Raman đã thực hiện thí nghiệm tán xạ ánh sáng trên chất lỏng benzen.
Kết quả thí nghiệm chỉ ra rằng bức xạ bị tán xạ bởi phân tử không chỉ chứa photon với tần số ánh sáng tới mà còn gồm photon với tần số bị thay đổi. Năm 1930, Raman được nhận giải Nobel vật lý và hiện tượng tán xạ này được mang tên tán xạ Raman [2]. Mẫu nghiên cứu 4. Kính ảnh Hình 1.1: Chandresekhara 5 Venkata Raman (1888-1970 vi v0 vi' Hình 1.1: Sơ đồ thu phổ tán xạ Raman Sơ đồ thu phổ tán xạ Raman được bố trí như hình 1.
Trong đó, đèn thủy ngân (1) được dùng làm nguồn sáng đơn sắc chiếu tới cuvet đựng bezen tinh khiết (3). Một kính lọc sử dụng dung dịch Nitrit Natri (2) cho ánh sáng đơn sắc tần số v0 chiếu vào mẫu. Ánh sáng được quan sát theo phương vuông góc qua máy quang phổ lăng kính. Các bức xạ sau khi được tán sắc bởi lăng kính sẽ được ghi lại trên kính ảnh.
3 Hiện tượng tán xạ Raman xảy ra như sau: Chiếu một chùm ánh sáng đơn sắc với tần số v0 có cường độ mạnh (thường là chùm ánh sáng của các laser argon, He - Ne,.) vào một môi trường vật chất. Sau đó, quan sát ánh sáng tán xạ bằng một máy quang phổ thì thấy xuất hiện một vạch rất mạnh tương ứng với tần số của ánh sáng tới, gọi là vạch tán xạ Rayleigh v0. Ngoài ra, còn có những vạch yếu hoặc rất yếu nằm đối xứng ở cả hai phía của vạch Rayleigh. Những vạch có tần số nhỏ hơn tần số của ánh sáng tới ( vi < v0 ) gọi là vạch tán xạ Stokes.
Những vạch có tần số lớn hơn tần số của ánh sáng tới ( vi > v0 ) gọi là vạch tán xạ đối Stokes[3]. b a c Các vạch tán xạ Stokes Các vạch tán xạ đối Stokes Hình 1.2: Vạch tán xạ Rayleigh (a) và các vạch tán xạ Stokes (b), đối Stokes (c) trong phổ tán xạ Raman Độ dịch chuyển giữa các vạch tán xạ Raman và vạch tán xạ Rayleigh vi v0 vi = v0 vi' ( i 1, 2,3.) không phụ thuộc tần số v0 của ánh sáng kích thích mà chỉ phụ thuộc vào bản chất của môi trường tán xạ. Tùy theo độ lớn của vi mà các vạch tán xạ Raman (các vạch tán xạ Stokes và đối Stokes) được xếp vào hai nhóm: dịch chuyển lớn và dịch chuyển bé. Cường độ các vạch tán xạ Stokes nhỏ hơn rất nhiều so với cường độ của vạch tán xạ Rayleigh nhưng lại lớn hơn nhiều so với cường độ của vạch tán xạ đối Stokes.
Người ta còn phát hiện ra hiện tượng tán xạ này còn xảy ra trên nhiều chất lỏng, dung dịch và cả các chất ở thể khí và thể rắn(dạng bột hoặc tinh thể). Hiện tượng tán xạ này đã được dùng để phân tích thành phần của nhiều chất cũng như nghiên cứu cấu trúc phân tử của chúng. Để thu được phổ tán xạ Raman cần có một bức xạ đơn sắc cường độ lớn. Sự xuất hiện của laser đã mở ra một hướng nghiên cứu hoàn toàn mới trong quang phổ học, đó là quang phổ học Raman - Laser.
4 Phổ tán xạ Raman khi được kích thích bằng laser cho phép ghi được phổ của những mẫu rất nhỏ khoảng vài miligram hoặc cỡ vài trăm microliter, với dải rộng của nhiệt độ và áp suất. Chất lỏng, dung dịch, bột tinh thể và đơn tinh thể đều có thể thu được phổ tán xạ Raman. Có thể nói, phạm vi ứng dụng của phổ Raman trong nghiên cứu cấu trúc vật chất là rất lớn và đã trở thành một công cụ quan trọng trong các phòng thí nghiệm phân tích hóa học, khoa học vật liệu, y - dược, sinh học, môi trường… Tóm lại, tán xạ Raman là hiện tượng bức xạ điện từ tương tác với các phần tử vật chất nên hiệu ứng này có thể được mô tả theo hai quan điểm cổ điển và lượng tử. Quan điểm cổ điển về phổ tán xạ Raman Theo quan điểm điện động lực học, một lưỡng cực điện dao động sẽ trở thành nguồn bức xạ sóng điện từ với tần số dao động của lưỡng cực điện.
Sóng này sẽ truyền trong không gian theo mọi hướng trừ hướng dọc theo trục của lưỡng cực. Điện trường ánh sáng tới: E E0 cos(2 0t ) (1.1) E0 là biên độ của cường độ điện trường, 0 là tần số của ánh sáng tới. Momen lưỡng cực điện cảm ứng: P = E E0 cos(2 0t ) (1.2) α là độ phân cực hay hệ số phân cực của phân tử, phụ thuộc vào cấu trúc và tính chất phân tử. Trong quá trình dao động, phân tử có thể thay đổi về hình dạng, kích thước, nên α cũng sẽ thay đổi: 0 ( )0 Q (1.3) Q là sự biến thiên của α trong quá trình phân tử dao động.
( )0 Q Q là tọa độ chuẩn trực mô tả dịch chuyển hạt nhân nguyên tử của phân tử quanh vị trí cân bằng. Tọa độ Q biến thiên tuần hoàn trong quá trình dao động phân tử: Q A cos(2 t ) (1.4) A là biên độ dao động phân tử tần số.2) ta được: P = 0 E0 cos(2 0t ) ( )0 A E0 cos(2 0t ) cos(2 t ) Q (1.6) 1 0 E0 cos(2 0t ) ( )0 A E0 {cos[2 ( 0 )t ] cos[2 ( 0 )t ]} 2 Q Như vậy lưỡng cực điện dao động sẽ là nguồn bức xạ có 3 tần số 0 , 0 , 0 tương ứng với các vạch tán xạ Raman và vạch tán xạ Rayleigh. Một phân tử có thể có nhiều tần số dao động riêng do vậy có thể quan sát thấy nhiều hơn 2 thành phần tần số khác. Quan điểm lượng tử về phổ tán xạ Raman Hiện tượng tán xạ Raman có thể giải thích bằng quan điểm lượng tử như sau: Tán xạ Raman là kết quả tương tác của chùm photon với phần tử môi trường.
Một hệ phân tử do dao động sẽ có năng lượng. Các mức năng lượng dao động được đặc trưng bởi các số lượng tử dao động v = 1,2,3… Hình 1.3: Sơ đồ mức năng lượng của tán xạ Rayleigh và tán xạ Raman Nếu photon tới tương tác với các phân tử đang ở mức năng lượng thấp v = 1 thì phân tử sẽ hấp thụ năng lượng photon h0 chuyển lên trạng thái trung gian T. Từ đó có thể xảy ra 2 khả năng: 6 Từ trạng thái T phân tử chuyển về trạng thái v =1 thì sẽ bức xạ tần số = 0 ứng với tán xạ Rayleigh. Từ trạng thái T nếu phân tử chuyển về mức dao động kích thích v = 2 thì sẽ bức xạ tần số S = 0 - v ứng với vạch Stokes, với v là tần số dao động phân tử.
Nếu photon tới tương tác với các phân tử đang ở trạng thái dao động kích thích v = 2 thì phân tử sẽ hấp thụ năng lượng photon h0 chuyển lên trạng thái trung gian T’. Từ T’ khi chuyển về trạng thái cơ bản (v = 1) phân tử sẽ hấp thụ tần số dS = 0 + v ứng với vạch đối Stokes. Tán xạ Raman tăng cường bề mặt SERS Tán xạ Raman tăng cường bề mặt SERS là một kĩ thuật làm tăng cường độ tín hiệu phổ Raman lên gấp nhiều lần từ những phân tử được hấp phụ trên bề mặt thô nhám của kim loại. SERS đã được quan sát đối với các phân tử bám trên bề mặt của một số kim loại khác nhau, trong các môi trường vật lý và hình thái khác nhau bao gồm cả trong các hạt nano kim loại quý.
Bạc, đồng, vàng là những chất chiếm ưu thế cho SERS, tuy nhiên các nghiên cứu gần đây vẫn đang mở rộng với các kim loại kiềm và một số kim loại khác. Sự cộng hưởng lớn nhất quan sát được trên các bề mặt có độ nhám vào cỡ 10nm - 100nm và phụ thuộc vào hình dạng hạt. Khi đi sâu nghiên cứu lý thuyết của SERS, các nhà khoa học tập trung vào hai cơ chế được cho là tạo ra sự tăng cường trong tín hiệu Raman; đó là cơ chế tăng cường điện từ và cơ chế tăng cường hóa học. Cơ chế tăng cường điện từ Mô hình đơn giản nhất dùng kích thích plasmon bề mặt giải thích hiệu ứng SERS được Gersten, Nitzan và McCall đồng thời đề xuất vào năm 1980; sau đó được phát triển mở rộng bởi Kerker.
Trong mô hình này, các tác giả xem xét sự tăng cường trường điện từ bao quanh một hạt kim loại nhỏ được chiếu sáng để giải thích SERS, vì vậy gọi là cơ chế điện từ. Chúng ta biết rằng, trong các cấu trúc kim loại, các tính chất quang học chủ yếu là do các electron dẫn của kim loại gây ra. Sự kích thích điện từ làm cho những electron này dao động tập thể, tạo lên một hệ dao động được gọi là plasmon bề mặt của cấu trúc kim loại đó. 7 Theo đó, khi chiếu sáng một hạt nano kim loại hình cầu, cô lập; một dao động plasmon bề mặt đa cực với bậc khác nhau được gây ra bởi vectơ điện trường sẽ biến thiên theo thời gian của ánh sáng.
Đối với một hạt có kích thước nhỏ hơn bước sóng của ánh sáng tới, trừ plasmon lưỡng cực tất cả các kích thích khác có thể bỏ qua. Các hệ với các điện tử tự do hoặc gần tự do sẽ duy trì kích thích như vậy và các điện tử càng tự do thì cường độ cộng hưởng plasmon lưỡng cực càng mạnh. Khi ánh sáng laser chiếu tới cộng hưởng với plasmon lưỡng cực, hạt nano kim loại sẽ phát ra ánh sáng đặc trưng cho bức xạ lưỡng cực. Bức xạ này là một quá trình liên quan tới trường kích thích và được mô tả bởi một phân bố không gian của trường điện từ (phân bố này đạt trạng thái ổn định vài femtosecond sau khi ánh sáng này sinh ra).
Trong đó, cường độ ánh sáng từ một số phần của không gian xung quanh hạt bị suy giảm, trong khi cường độ tại một số phần gần hạt kim loại được tăng cường. Sơ đồ nguyên lý của SERS Gọi trường hệ số tăng cường trên bề mặt của hạt là g.