Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học và hiện tượng phách lượng tử trong cấu trúc bán dẫn

Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học và hiện tượng phách lượng tử 2, khám phá ứng dụng và tiềm năng trong vật lý lượng tử hiện đại.

• Tác giả: Lê Thị Diệu Hiền
• Người hướng dẫn: PGS. Đinh Như Thảo
• Trường học: Đại học Huế
• Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
• Đề tài: Nghiên Cứu Hiệu Ứng Stark Quang Học Trong Cấu Trúc Bán Dẫn Thấp Chiều
• Loại tài liệu: luận án tiến sĩ
• Năm xuất bản: 2023
• Địa điểm: Huế

Mục lục chi tiết

• LỜI CẢM ƠN
• LỜI CAM ĐOAN
• 1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN
• 1.1. Tổng quan về chấm lượng tử bán dẫn
• 1.2. Exciton trong chấm lượng tử
• 1.3. Phương pháp hàm sóng tái chuẩn hóa
• 1.4. Kết luận chương 1
• 2. CHƯƠNG 2: HIỆU ỨNG STARK QUANG HỌC
• 2.1. Hiệu ứng Stark quang học ba mức của exciton trong chấm lượng tử
• 2.2. Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với thế vuông góc sâu vô hạn
• 2.3. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống
• 2.4. Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm
• 2.5. Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học
• 2.6. Kết quả tính số và thảo luận
• 2.7. Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn
• 2.8. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống
• 2.9. Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm
• 2.10. Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học
• 2.11. Kết quả tính số và thảo luận
• 2.12. Kết luận chương 2
• 3. CHƯƠNG 3: HIỆN TƯỢNG PHÁCH LƯỢNG TỬ
• 3.1. Phách lượng tử của exciton trong chấm lượng tử
• 3.2. Phách lượng tử trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với thế vuông góc sâu vô hạn
• 3.3. Cường độ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm
• 3.4. Cường độ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Phách lượng tử
• 3.5. Kết quả tính số và thảo luận
• 3.6. Phách lượng tử trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn
• 3.7. Cường độ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm
• 3.8. Cường độ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Phách lượng tử
• 3.9. Kết quả tính số và thảo luận
• 3.10. Phách lượng tử trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol
• 3.11. Cường độ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm
• 3.12. Cường độ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Phách lượng tử
• 3.13. Kết quả tính số và thảo luận
• 3.14. Kết luận chương 3
• KẾT LUẬN CHUNG
• DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN
• TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng Quan Về Nghiên Cứu Hiệu Ứng Stark Quang Học Bán Dẫn

Nghiên cứu về hiệu ứng Stark quang học trong cấu trúc bán dẫn thấp chiều đang thu hút sự quan tâm lớn từ cộng đồng khoa học. Cấu trúc bán dẫn thấp chiều, bao gồm giếng lượng tử, dây lượng tử, và chấm lượng tử, thể hiện nhiều tính chất độc đáo so với vật liệu khối. Kích thước nano của chúng mang lại những đặc tính mới, có thể điều chỉnh bằng cách thay đổi hình dạng và kích thước. Ứng dụng của bán dẫn này rất đa dạng, từ sinh học, môi trường đến các thiết bị quang điện tử. Theo tài liệu gốc, các cấu trúc này được hình thành khi kích thước của chúng giảm xuống xấp xỉ quãng đường chuyển động tự do trung bình của hạt vi mô hay cỡ bước sóng de Broglie của nó, tạo nên nhiều đặc tính ưu việt so với hệ điện tử ba chiều.

1.1. Giới Thiệu Chung Về Cấu Trúc Bán Dẫn Thấp Chiều

Cấu trúc bán dẫn thấp chiều, với kích thước ở thang nano, mang lại những tính chất vật lý lượng tử độc đáo. Các cấu trúc này bao gồm giếng lượng tử, dây lượng tử và chấm lượng tử. Việc giam hãm các hạt tải điện tử trong không gian hạn chế dẫn đến sự lượng tử hóa năng lượng, tạo ra các hiệu ứng quang học bán dẫn thú vị. Theo tài liệu gốc, các tính chất của cấu trúc này có thể thay đổi bằng cách thay đổi hình dạng và điều chỉnh kích thước cỡ nanomet của chúng.

1.2. Tầm Quan Trọng Của Hiệu Ứng Stark Trong Vật Lý Bán Dẫn

Hiệu ứng Stark mô tả sự thay đổi của phổ năng lượng nguyên tử hoặc phân tử khi chịu tác dụng của điện trường. Trong bán dẫn, hiệu ứng Stark quang học có thể điều chỉnh các tính chất quang học như hấp thụ quang học và phát xạ quang học, mở ra tiềm năng lớn cho các ứng dụng trong điều biến quang học và cảm biến quang học. Nghiên cứu này rất quan trọng vì tiềm năng ứng dụng vô cùng lớn của hiệu ứng này trong các thiết bị quang phi tuyến cực nhanh, chẳng hạn như cổng quang học và chuyển mạch quang học siêu nhanh.

II. Vấn Đề Nghiên Cứu Thách Thức Trong Phân Tích Hiệu Ứng Stark

Mặc dù có nhiều tiềm năng, việc nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong cấu trúc bán dẫn thấp chiều vẫn còn nhiều thách thức. Một trong những khó khăn là mô tả chính xác tương tác giữa điện trường và các exciton (electron-hole pairs) trong các cấu trúc nano phức tạp. Các yếu tố như hình dạng, kích thước và thành phần vật liệu của cấu trúc bán dẫn ảnh hưởng đáng kể đến tính chất quang học của chúng. Ngoài ra, sự tương tác giữa các hạt tải điện trong môi trường bán dẫn cũng cần được xem xét kỹ lưỡng. Theo tài liệu gốc, các công trình nghiên cứu trước đây vẫn còn tồn tại nhiều vấn đề chưa được giải quyết. Đó là các tác giả chưa giải thích rõ cơ chế tách vạch quang phổ trong phổ hấp thụ của exciton và chưa khảo sát chi tiết ảnh hưởng của các tham số cấu trúc hình học cũng như của trường ngoài lên phổ hấp thụ của exciton.

2.1. Những Khó Khăn Trong Mô Phỏng Hiệu Ứng Stark Quang Học

Mô phỏng hiệu ứng Stark trong cấu trúc bán dẫn đòi hỏi các phương pháp tính toán phức tạp. Các phương pháp này cần tính đến hiệu ứng lượng tử, tương tác nhiều hạt và ảnh hưởng của cấu trúc nano. Việc xây dựng mô hình chính xác để dự đoán các tính chất quang học của bán dẫn là một thách thức lớn. Các nhà khoa học cần tiếp tục phát triển các mô hình và thuật toán mới để giải quyết vấn đề này.

2.2. Ảnh Hưởng Của Kích Thước Và Hình Dạng Cấu Trúc Nano

Kích thước và hình dạng của cấu trúc nano bán dẫn ảnh hưởng đáng kể đến hiệu ứng Stark. Sự thay đổi nhỏ trong kích thước có thể dẫn đến sự thay đổi lớn trong phổ năng lượng và các tính chất quang học. Việc kiểm soát chính xác kích thước và hình dạng của chấm lượng tử và dây lượng tử là rất quan trọng để đạt được các ứng dụng mong muốn. Cần có sự hiểu biết sâu sắc về mối quan hệ giữa cấu trúc và tính chất quang học.

III. Phương Pháp Nghiên Cứu Hiệu Ứng Stark Trong Chấm Lượng Tử

Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử sử dụng các phương pháp lý thuyết và thực nghiệm. Các phương pháp lý thuyết bao gồm tính toán cấu trúc điện tử, giải phương trình Schrödinger và mô phỏng động lực học lượng tử. Các phương pháp thực nghiệm bao gồm spectroscopy (ví dụ: phát xạ quang học và hấp thụ quang học) để đo các tính chất quang học của chấm lượng tử dưới tác dụng của điện trường. Theo tài liệu gốc, các nhà khoa học đã tìm thấy nhiều tính chất quang học mới trong các cấu trúc thấp chiều, trong đó phải kể đến hiệu ứng Stark quang học của exciton và hiện tượng phách lượng tử của exciton.

3.1. Mô Phỏng Lý Thuyết Sử Dụng Phương Pháp Hàm Sóng Tái Chuẩn Hóa

Phương pháp hàm sóng tái chuẩn hóa có thể được sử dụng để tính toán chính xác phổ năng lượng và hàm sóng của các exciton trong chấm lượng tử. Phương pháp này cho phép tính đến tương tác nhiều hạt và hiệu ứng giam hãm lượng tử. Kết quả mô phỏng cung cấp thông tin chi tiết về sự thay đổi của phổ năng lượng dưới tác dụng của điện trường.

3.2. Thực Nghiệm Đo Phổ Hấp Thụ Quang Học Của Chấm Lượng Tử

Đo phổ hấp thụ quang học là một phương pháp thực nghiệm quan trọng để nghiên cứu hiệu ứng Stark trong chấm lượng tử. Bằng cách đo sự thay đổi của hệ số hấp thụ theo điện trường, người ta có thể xác định sự thay đổi của phổ năng lượng và tương tác giữa exciton và điện trường. Theo tài liệu gốc, các nhóm tác giả đã khảo sát bài toán có hai sóng laser biến đổi theo thời gian và phổ hấp thụ một photon sẽ thay đổi dưới tác dụng của sóng bơm.

IV. Phân Tích Ảnh Hưởng Của Laser Bơm Lên Phổ Hấp Thụ Exciton

Việc sử dụng laser bơm cường độ cao có thể tạo ra hiệu ứng Stark quang học mạnh mẽ trong chấm lượng tử. Laser bơm tương tác với các trạng thái lượng tử hóa của electron, dẫn đến sự thay đổi trong phổ hấp thụ của exciton. Phân tích phổ hấp thụ cho phép hiểu rõ hơn về sự tương tác giữa photon và bán dẫn. Theo tài liệu gốc, một laser bơm cường độ cao có thể kết cặp với hai trạng thái lượng tử hóa của điện tử trong các cấu trúc bán dẫn thấp chiều dẫn đến sự thay đổi và phân tách trong phổ hấp thụ liên vùng của exciton gọi là hiệu ứng Stark quang học của exciton.

4.1. Cơ Chế Tách Vạch Quang Phổ Dưới Tác Dụng Laser Bơm

Dưới tác dụng của laser bơm, các vạch quang phổ trong phổ hấp thụ của exciton có thể bị tách ra. Cơ chế tách vạch liên quan đến sự tương tác giữa photon của laser bơm và các trạng thái năng lượng của electron. Sự tách vạch phụ thuộc vào cường độ và tần số của laser bơm.

4.2. Ảnh Hưởng Của Độ Lệch Cộng Hưởng Lên Tốc Độ Chuyển Dời

Độ lệch cộng hưởng giữa tần số của laser bơm và các trạng thái năng lượng của electron ảnh hưởng đến tốc độ chuyển dời của exciton. Tốc độ chuyển dời đạt cực đại khi tần số của laser bơm cộng hưởng với các trạng thái năng lượng. Việc điều chỉnh độ lệch cộng hưởng cho phép kiểm soát hiệu ứng Stark.

V. Kết Quả Thay Đổi Tính Chất Quang Học và Các Ứng Dụng Tiềm Năng

Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong cấu trúc bán dẫn thấp chiều đã mang lại nhiều kết quả quan trọng. Kết quả cho thấy rằng điện trường có thể điều chỉnh đáng kể tính chất quang học của bán dẫn, mở ra tiềm năng ứng dụng trong các thiết bị điều biến quang học, cảm biến quang học và máy tính lượng tử. Theo tài liệu gốc, Hiệu ứng Stark quang học lần đầu tiên được quan sát trong giếng lượng tử đa lớp vào năm 1986.

5.1. Ứng Dụng Hiệu Ứng Stark Quang Học Trong Điều Biến Ánh Sáng

Hiệu ứng Stark có thể được sử dụng để điều biến ánh sáng một cách nhanh chóng và hiệu quả. Bằng cách điều chỉnh điện trường, người ta có thể thay đổi hệ số hấp thụ và chiết suất của bán dẫn, điều khiển sự truyền ánh sáng. Các thiết bị điều biến quang học dựa trên hiệu ứng Stark có thể được sử dụng trong các hệ thống truyền thông quang học tốc độ cao.

5.2. Tiềm Năng Phát Triển Cảm Biến Quang Học Độ Nhạy Cao

Hiệu ứng Stark cũng có thể được sử dụng để phát triển cảm biến quang học có độ nhạy cao. Sự thay đổi nhỏ trong môi trường xung quanh bán dẫn có thể dẫn đến sự thay đổi lớn trong tính chất quang học của nó, cho phép phát hiện các chất hóa học hoặc sinh học với độ chính xác cao.

VI. Kết Luận Hướng Nghiên Cứu Mới Về Hiệu Ứng Stark Quang Học

Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong cấu trúc bán dẫn thấp chiều là một lĩnh vực đầy tiềm năng. Các kết quả nghiên cứu đã cung cấp những hiểu biết sâu sắc về tương tác giữa điện trường, photon và bán dẫn. Hướng nghiên cứu trong tương lai có thể tập trung vào việc phát triển các vật liệu bán dẫn mới, thiết kế các cấu trúc nano phức tạp hơn và khám phá các ứng dụng mới của hiệu ứng Stark trong lĩnh vực quang điện tử. Theo tài liệu gốc, bên cạnh các ứng dụng trong các lĩnh vực truyền thống như laser, các đi-ốt phát quang (LEDs) và các thiết bị quang điện tử, các chấm lượng tử còn có tiềm năng ứng dụng trong các lĩnh vực mới như máy tính lượng tử và thông tin lượng tử, bộ tách sóng quang, ứng dụng y sinh, và cảm biến sinh học điện hóa.

6.1. Phát Triển Vật Liệu Bán Dẫn Mới Cho Ứng Dụng Hiệu Ứng Stark

Nghiên cứu và phát triển các vật liệu bán dẫn mới với tính chất quang học ưu việt là một hướng đi quan trọng. Các vật liệu mới có thể cho phép tăng cường hiệu ứng Stark, cải thiện hiệu suất của các thiết bị quang điện tử. Việc tìm kiếm các vật liệu có độ ổn định cao và khả năng tương thích sinh học cũng rất quan trọng cho các ứng dụng y sinh.

6.2. Tối Ưu Hóa Cấu Trúc Nano Để Tăng Cường Hiệu Ứng Stark

Thiết kế các cấu trúc nano phức tạp hơn có thể giúp tăng cường hiệu ứng Stark. Ví dụ, việc kết hợp các chấm lượng tử với các cấu trúc kim loại có thể tạo ra hiệu ứng cộng hưởng plasmon, khuếch đại điện trường và tăng cường tương tác giữa photon và bán dẫn.

Trích đoạn nội dung tài liệu

chương 1. Hiệu ứng Stark quang học ba mức của ex- citon trong chấm lượng tử. Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với thế vuông góc sâu vô hạn. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống.

Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm. 24 iv Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 7 of 98. Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học. Kết quả tính số và thảo luận.

Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống 41 2. Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm. Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học.

Kết quả tính số và thảo luận. Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống 54 2. Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm.

Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học. Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 2. Phách lượng tử của exciton trong chấm lượng tử.

Phách lượng tử trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với thế vuông góc sâu vô hạn. Cường độ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm. 69 v Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 8 of 98. Cường độ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Phách lượng tử.

Kết quả tính số và thảo luận. Phách lượng tử trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn. Cường độ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm. Cường độ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Phách lượng tử.

Kết quả tính số và thảo luận. Phách lượng tử trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol. Cường độ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm. Cường độ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Phách lượng tử.

Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 3. 103 Kết luận chung. 105 Danh mục các công trình liên quan đến luận án.

107 Tài liệu tham khảo .1 vi Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 9 of 98. DANH MỤC CÁC BẢNG 2.1 Các không điểm χn đầu tiên của hàm Bessel Jν+ 21 (ke,h r) với góc ở đỉnh θ0 = 30. 24 ◦ vii Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 10 of 98. DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ 1.1 Giản đồ các mức năng lượng của exciton và năng lượng liên kết của exciton.2 Giản đồ mô hình hệ ba mức năng lượng lượng tử hóa của điện tử và lỗ trống.

Laser bơm có năng lượng ℏωp cộng hưởng với hai mức E1e và E2e của điện tử, một laser dò có năng lượng ℏωt kích thích chuyển dời quang từ mức E0h của lỗ trống lên mức E1e của điện tử.1 Hình ảnh 3D của chấm lượng tử dạng quạt cầu [105].2 Hình ảnh của chấm lượng tử dạng quạt cầu trên phép chiếu y = 0.3 Giản đồ mô hình hệ ba mức của điện tử và lỗ trống khi hệ chưa chịu tác dụng của laser bơm.4 Giản đồ tách mức năng lượng của điện tử khi hệ chịu tác dụng của một laser bơm mạnh cộng hưởng với hiệu hai mức năng lượng của điện tử.5 Tốc độ chuyển dời của exciton trong hai trường hợp: khi không có tác dụng của laser bơm và khi có tác dụng của laser bơm với độ lệch cộng hưởng ℏ∆ω = 0 meV.6 Tốc độ chuyển dời của exciton trong trường hợp có mặt của laser bơm như một hàm của độ lệch cộng hưởng ℏ∆ω với θ0 = 60 và R = 50 Å. 37 ◦ viii Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 11 of 98.7 Tốc độ chuyển dời của exciton khi có tác dụng của laser bơm như một hàm của bán kính chấm R với θ0 = 60◦ , ℏ∆ω = 0.3 meV, và biên độ laser bơm Ap = 30×106 V/m.8 Tốc độ chuyển dời của exciton dưới tác dụng của laser bơm như một hàm của góc ở đỉnh θ0 với ℏ∆ω = 0.3 meV, R = 50 Å và Ap = 40×106 V/m.9 Sự phụ thuộc của tốc độ chuyển dời của exciton vào biên độ của laser bơm Ap với ℏ∆ω = 0 meV, R = 50 Å và θ0 = 60 .10 Mối quan hệ giữa bước sóng của laser bơm và bán kính chấm với ba giá trị khác nhau của góc θ0 .11 Hình ảnh minh họa chấm lượng tử dạng đĩa.12 Giản đồ mô hình hệ ba mức năng lượng của điện tử và lỗ trống trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn khi chưa có tác dụng của laser bơm.13 Giản đồ phân tách năng lượng của điện tử dưới tác dụng của một laser bơm mạnh cộng hưởng với hai mức ban đầu của điện tử trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn.14 Tốc độ chuyển dời của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa khi chưa có mặt laser bơm (đường đứt nét) và khi có mặt laser bơm với độ lệch cộng hưởng ℏ∆ω = 0 meV (đường liền nét).15 Sự ảnh hưởng của độ lệch cộng hưởng của laser bơm ℏ∆ω lên tốc độ chuyển dời của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa. 51 ix Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 12 of 98.16 Tốc độ chuyển dời của exciton như một hàm của bán kính chấm R với ℏ∆ω = 0.17 Tốc độ chuyển dời của exciton như một hàm của năng lượng photon của laser dò ứng với ba giá trị khác nhau của biên độ laser bơm Ap với R = 50 Å và ℏ∆ω = 0 meV.18 Tốc độ chuyển dời của exciton như một hàm theo năng lượng photon của laser dò trong: (a) chấm lượng tử dạng quạt cầu với θ0 = 60 và (b) chấm lượng tử dạng đĩa, với ◦ cùng thể tích và ℏ∆ω = 0 meV.19 (a) Mô hình hệ ba mức năng lượng của điện tử và lỗ trống trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol khi chưa có mặt laser bơm. (b) Giản đồ tách mức năng lượng của điện tử dưới tác dụng của laser bơm cộng hưởng trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol.20 Tốc độ chuyển dời của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol khi không có tác dụng của laser bơm (đường đứt nét) và khi có tác dụng laser bơm với độ lệch cộng hưởng ℏ∆ω = 0 meV (đường liền nét).21 Ảnh hưởng của trường laser bơm lên tốc độ chuyển dời của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol với bán kính chấm R = 50 Å và năng lượng của thế giam giữ ℏω0 = 20 meV.22 Ảnh hưởng của bán kính chấm lên tốc độ chuyển dời của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol với độ lệch cộng hưởng của laser bơm ℏ∆ω = 0.2 meV và năng lượng của thế giam giữ ℏω0 = 20 meV.

63 x Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 13 of 98.23 Ảnh hưởng của tần số giam giữ lên tốc độ chuyển dời của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol khi bán kính chấm R = 50 Å và độ lệch cộng hưởng của laser bơm ℏ∆ω = 0.24 Tốc độ chuyển dời như một hàm của năng lượng photon của laser dò ứng với ba giá trị khác nhau của biên độ laser bơm Ap .25 Tốc độ chuyển dời của exciton trong: (a) chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn, (b) chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol, với cùng điều kiện R = 50 Å, ℏ∆ω = 0 meV, và Ap = 6 × 1010 V/m.1 Mô hình hệ ba mức của exciton trong chấm lượng tử dạng quạt cầu khi không có mặt của laser bơm.2 Giản đồ phân tách các mức năng lượng của exciton dưới tác dụng của một laser bơm cộng hưởng với hiệu hai mức năng lượng lượng tử hóa đầu tiên của exciton.3 Cường độ hấp thụ phụ thuộc thời gian của exciton trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với bán kính R = 50 Å khi không có tác dụng của laser bơm (đường đứt nét) và khi có mặt laser bơm với độ lệch cộng hưởng ℏ∆ω = 0 meV (đường liền nét).4 Sự phụ thuộc của cường độ hấp thụ phụ thuộc thời gian của exciton vào bán kính chấm R trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với độ lệch cộng hưởng ℏ∆ω = 0 meV. 80 xi Tng hp các án, khóa lun, tiu lun, chuyên và lun vn tt nghip i hc v các chuyên ngành: Kinh t, Tài Chính & Ngân Hàng, Công ngh thông tin document, khoa luan, tieu luan, 123 14 of 98.5 Sự phụ thuộc của cường độ hấp thụ phụ thuộc thời gian của exciton vào góc ở đỉnh θ0 của chấm quạt cầu khi có mặt của laser bơm cộng hưởng.6 Chu kì phách lượng tử như một hàm theo bán kính chấm ứng với ba giá trị khách nhau của góc θ0 .7 Sự ảnh hưởng của độ lệch cộng hưởng lên cường độ hấp thụ phụ thuộc thời gian của exciton trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với bán kính chấm R = 50 Å.8 Mối quan hệ giữa chu kì phách lượng tử với bán kính chấm và độ lệch cộng hưởng của laser bơm.9 Cường độ hấp thụ phụ thuộc thời gian của exciton như một hàm của biên độ của laser bơm Ap với R = 50 Å, ℏ∆ω = 0 meV, và θ0 = 30 .