phần mở đầu, kết luận và tài liệu tham khảo. Nội dung của luận văn làm sáng tỏ các nội dung: giới thiệu tổng quan về các cấu trúc vật liệu hai chiều và tiềm năng ứng dụng trong các thiết bị cảm biến, trình bày sơ lược về phương pháp nghiên cứu sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ cũng như phương pháp mô phỏng các cấu trúc vật liệu qua phần mềm Quantum ESPRESSO, quy trình tối ưu hoá cấu trúc và chứng minh tính ôn định của các vật liệu hai chiều, đưa ra một số các kết quả nghiên cứu về tính chất của vật liệu giúp ứng dụng trong các thiết bị cảm biến được tốt hơn. Luận văn đề xuất cơ chế điều khién tinh chat cơ — lý và khả năng hấp thụ ánh sáng của các cấu trúc vật liệu dựa trên biến dang co hoc. Kết quả nghiên cứu của luận văn có ý nghĩa quan trọng về khoa học và thực tiễn, góp phần quan trọng trong ứng dụng thiết kế và chế tạo các cảm biến áp điện và cảm biến hình ảnh phục vụ trong hệ thống cơ điện tử.
Luận văn này là một công trình nghiên cứu có ảnh hưởng trong lĩnh vực vật liệu hai chiều và ứng dụng của chúng trong lĩnh vực cơ điện tử. Thông qua phương pháp nghiên cứu và kết quả đạt được, luận văn cung cấp những thông tin quý giá cho cộng đồng nghiên cứu và các nhà khoa học để phát triển các thiết bị cảm biến tốt hơn và hiệu quả hơn trong tương lai. NGƯỜI THỰC HIỆN (Ký và ghi rõ họ tên) ii MỤC LỤC DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT VÀ KÍ HIỆU. GIOT THIEU TONG QUAN.1 Cảm biến áp điện.
Nguyên lý hoạt động của cảm biến áp điện.2 Một số loại cảm biến áp điện thường gặp.2 Cảm biến hình ảnh 1. Các bộ phận chính của cảm biến và nguyên lý hoạt động.2 Một số loại cảm biến hình ảnh.3 Vai trò của cảm biến áp điện và cảm biến hình ảnh trong đời sống.4 Vat liệu hai chiều - tiềm năng ứng dụng trong cảm biến.1 _ Đối tượng nghiên cứu.2 _ Phương pháp điều khiển tính chất của vật liệu.6 Đóng góp mới của luận VAN oe eceees ee eeeeeeeseeeeeseeeeeeeeeeseaeseeeeeeeeseaeaes 18 CHUONG 2. CO SO LY THUYET.1 Hàm sóng và phương trình Schrödinger.2 _ Phương trình Schrödinger 2.3 Phương trình Schrödinger cho hệ nhiều hạt.4 Nguyên lý biến phân.2 Lý thuyết phiếm hàm mật độ - DFT.1 Khái niệm mật độ trạng thái của electron.2 _ Mô hình Thomas-F€rTm1. Định lý Hohenberg-Kohn.4 __ Phương trình Kohn-Sham.5 Phiếm hàm tương quan trao đồi.6 — Giả thế năng.7 __ Vùng không gian đảo — Brilluion.8 __ Tối ưu hoá cấu trÚC.9 Phan mém tinh toan.
Tinh chat co — ly va kha nang hap thụ ánh sáng.1 Tính chất cơ học.2 __ Tính chất điện tử của một vật liệu. Khả năng hấp thụ ánh sáng của vật liệu. ĐIỀU KHIỂN TÍNH CHÁT CƠ - LÝ VÀ KHẢ NĂNG HÁP THỤ ÁNH SÁNG CỦA CÁU TRÚC VẬT LIỆU 1T-NiS:.1 Tối ưu hoá cấu trúc và tính ồn định của cấu trúc vật liệu IT-NiSa.1 _ Tối ưu hoá cấu trúc.2 _ Tính ồn định của cấu trúc vật liệu IT-NiSa.2 _ Tính chất cơ— lý của cấu trúc vật liệu IT-NiSa. Khả năng hấp thụ ánh sáng của cấu trúc vật liệu IT-NiSa.
ĐIỀU KHIỂN TÍNH CHÁT CƠ - LÝ VÀ KHẢ NĂNG HÁP THỤ ÁNH SÁNG CỦA CÁC CẤU TRÚC VẬT LIỆU 1H-PbX¿.1 Tối ưu hoá và tính ổn định của các cấu trúc vật liệu IH-PbX:.1 Tối ưu hoá cấu trúc.2 _ Tính ôn định của các cấu trúc vật liệu IH-PbX;.2 _ Tính chất cơ— lý của các cấu trúc vật liệu IH-PbX:. Khả năng hấp thụ ánh sáng của các cấu trúc vật liệu IH-PbX¿. 50 KÉT LUẬN DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO.----cs<ceseccseecsssecse 57 iv DANH MUC TU VIET TAT VA Ki HIEU Từ viết tắt Ý nghĩa ab-initio Phương pháp tính toán nguyên ly đầu Phương pháp cân bằng năng lượng cực tiêu Broyden- BFGS Fletcher-Goldfarb-Shanno CBM Điểm có năng lượng thấp nhất của vùng dẫn CCD Thiết bị ghép điện tích CMOS Cảm biến được chế tạo trên công nghệ mạch tích hợp DFT Lý thuyết phiếm hàm mật độ GGA Phuong phap x4p xi gradient téng quat h-BN Vật liệu có cấu trúc lục giác Boron Nito PBE Hàm Perdew-Burke-Ernzerhof TMDs Cac dichalcogenides kim loai chuyén tiép USPP Giả thế cực mềm Vật liệu 2D Vật liệu hai chiều VBM Điểm có năng lượng cao nhất của vùng hoá trị a. Hệ số hấp thụ ánh sáng Ey wan lượng ở trạng thái cân bằng của một hệ nguyên Đbia Biến dạng dọc theo hai phương x và y er Phần thực của hàm điện môi er Phần ảo của hàm điện môi Exx Bién dang doc theo phuong x Eyy Bién dang doc theo phuong y \ự Hàm sóng DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1 Cảm biến áp điện.--2-©22©222+CEt2EE22EE2E1272172127112711211 211.2 Cảm biến hình ảnh trên bo mạch .-- 2-22 22+2E£+£E£2EE22EEz+rxezrxcez 5 Hình 1.3 Cảm biến hình ảnh (Nguồn: Wikipedia).-2-©25zc2cxcccsscsrscee 6 Hình 1.4 Cảm biến áp điện và cảm biến hình ảnh dùng trong lĩnh vực y tế.
- ‹- tt késtsrerekekekerkrerrree 6 Hình 1.5 Máy phát hiện chuyên động sử dụng cảm biến hình ảnh (Nguồn: Vector SOCUTILY) .6 Cảm biến hình ảnh hỗ trợ phát hiện người và vật thê (Nguồn: Sony).7 Tấm vật liệu graphene.---2-¿©+++2++++EE+t£EEEtSEEEtEEkeerrkrerrrrrrrree 8 Hình I.8 Vật liệu graphene được bóc tách từ vật liệu graphite.9 Cấu trúc của vật liệu Phosphorene.10 Cấu trúc vật liệu Geemanene trên lớp phủ MoSa.11 Vật liệu ZnO có cấu trúc tổ ong tương tự như cấu trúc cua graphene.12 Cảm biến hình ảnh được chế tạo từ vật liệu MoSa (Nguồn: Applied Materials & Inf€TACGS),. Sàn TH TT HH HH TH HH HH Hit 12 Hình 1.13 Cấu trúc vật liệu GeSe.---2:22¿222++2CxEt2EEEeEEEeErxrrrkrrrrkrerres 13 Hình 1.14 Cấu tạo tỉnh thể của hợp chất AIN.- 2: 22¿+2s+2xz+£xesrxerrxrrrxee 14 Hình 1.15 Cấu trúc vật liệu I'T-NiSa.-2-©22-©22+2E22EEt2EE2EE2EESEEEtrErrrrrrrree 15 Hình 1.16 Cấu trúc vật liệu 1H-PbXa.17 Các loại biến dạng cơ hỌc.--- 22 22+2E22EEt2EEt2EE2EEtEEErrrrrrrrrrxee 18 Hình 2. Số lượng các bài báo khoa học sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ - II T202) 8n. Sơ đồ các vòng lặp tự hợp cho các điện tử.
Hàm giả thế năng cho các điện tử được thay thế bằng một hàm giả thế (nguôn: Material SU4T€).- -- S111 TT HH TT HH 29 Hình 2. Vùng không gian đảO. ¿+ tt SE #EEEkEkkskekekrkrrrrrskrkrkrkek 30 Hình 2.5 Quy trình tối ưu hoá cấu trúc trong tính toán lý thuyết phiếm hàm mật độ E41 HT TT TT TT TT TT TT TT TT TT TT TH TT TT TT TT ng ràng 31 Hình 2. Logo phần mềm Quantum ESPRESSO.7 Cấu tạo vùng năng lượng của vật rắn .8 Cấu tạo vùng năng lượng trong vật liệu dẫn điện.9 Cấu tạo vùng năng lượng của vật liệu bán dẫn.10 Cầu tạo vùng năng lượng của vật liệu cách điện .11 Cấu trúc vùng năng lượng của (a) vật liệu bán dẫn gián tiếp và (b) vật liệu bán dẫn trực tiẾp.-----2¿+22+22Et2EE121127112711271127112111211211211 11121 36 Hình 3.1 Cấu trúc nguyên tử của vật liệu 1T-NiS:› và các điểm đối xứng bậc cao trong vùng không gian đổảO.--- ¿+ + + + tk EEEkkekekekrkrkrrkrkrkekrkrrrerrke 38 Hình 3.
Phố dao động phonon của cấu trúc vật liệu IT-NiSa. Đường cong biến dạng - ứng suất của cấu trúc 1T-NiSz kéo dọc theo phương x (£xx) và phương ÿ (£yy) .---- - tt rưêt 40 Hình 3. Ảnh hưởng của biến dạng đến cấu trúc vùng năng lượng của cấu trúc 1T-NiS¿: (a) biến dạng kéo dọc theo phương x (£„›); (b) biến đạng kéo dọc theo JjnUU1 A7. Độ rộng vùng trống năng lượng của cấu trúc 1T-NiS› thay đổi dưới biến Hình 3.6 Hệ số hấp thụ ánh sáng của cấu trúc 1T-NiSz dưới tác động của một vài biến dạng kéo (a) biến dạng dọc theo phương x (e»x), (b) biến dạng dọc theo phương y (eyy).
Vùng ánh sáng nhìn thấy được tô màu vàng có mức năng lượng từ 1.1 Cấu trúc nguyên tử của vật liệu IH-PbX: (X: S hoặc Se) và các điểm đối xứng bậc cao trong vùng không gian đảo. ¿+5 tt sverekskerrrrrrrrerrke 45 Hình 4.2 Phổ dao động phonon của cấu trúc IH-PbSz (a) và 1H-PbSe: (b). Đường cong biến dạng - ứng suất của cấu tric 1T-NiS2 (a) kéo doc theo phương x (exx), (b) phương y (eyy), (c) dọc theo hai phương x và y (&bia).4 Cấu trúc vùng năng lượng của 1H-PbS: ở một vài biến dạng kéo dọc theo phương x (€xx) va doc theo phương ÿ (Êyy).-- St S+Ssxsk+tseeErkekskerrrrereske 48 Hình 4.5 Cấu trúc vùng năng lượng của IH-PbSea ở một vài biến dạng kéo dọc theo phương x (exx) và dọc theo phương ÿ (€yy). --- «5+ + S+xseE+veeeersrerses 48 Hình 4.6 Cấu trúc vùng năng lượng ở một vài biên dạng kéo dọc theo hai phương x và ÿ (Epia): (a) LH-PbSz; (b) LH-PbS€2.
--- ¿5:5 St Sx + xsrrssrrererrrree 49 Hình 4.7 Độ rộng vùng trống năng lượng cua cau trac 1H-PbS2 va 1H-PbSe2 dưới tác động của một vài biến dạng kéo:(a) đọc theo phương x (€xx); (b) doc theo phương y (eyy) và (c) dọc theo hai phương x Và ÿ (bia). Hệ số hap thụ ánh sáng của các cấu trúc IH-PbXa dưới tác động của biến dạng kéo dọc theo hai phương x va y (ébia = 0. (a) hệ số hấp thụ ánh sáng của cấu trúc IH-PbSs; (b) hệ số hap thụ ánh sáng của cấu trúc IH-PbSe›. Vùng ánh sáng nhìn thấy được tô màu vàng với mức năng lượng phofon từ 1.
51 vii DANH MỤC BẢNG Bang 3.1 Hang sé mang a (A), chiéu day h (A), hang số đàn hồi C¡ (N/m), môđun đàn hồi E (N/m) và hệ số Poisson 0 của cấu trúc 1T-NiS:.1 Hang sé mang a (A), chiéu day h (A), hang số đàn hồi C¡ (N/m), môđun đàn hồi E (N/m) và hệ số Poisson v cua cấu trúc vật liệu IH-PbS›, IH-PbSea.46 viii MO DAU 1. Ly do chon dé tai Sau khi vật liệu graphene được tổng hợp thành công, một loạt các cấu trúc vật liệu hai chiều khác đã liên tiếp xuất hiện như silicene, dichalcogenides kim loại chuyền tiếp (TMDS), phosphorene, vật liệu cầu trúc lục giác h-BN. Các vật liệu hai chiều (2D) đang được ứng dụng ngày càng nhiều trong thực tế như các thiết bị cảm biến, thiết bị quang học, quang hợp nhân tạo, quang xúc tác,. đặc biệt ứng dụng trong các thiết bị cảm biến sử dụng trong hệ thống cơ điện tử.
Nguyên nhân khiến vật liệu hai chiều trở nên phổ biến là do chúng sở hữu một số tính chất tuyệt vời như điện tích bề mặt lớn, hệ số giãn nở nhiệt lớn, tính chất cơ học linh hoạt, tính chất điện tử độc đáo và tính chất quang học mạnh mẽ. Gần đây, nhiều cấu trúc vật liệu họ chalcogenides mới đã được khám phá và chúng có những tính chất đáng chú ý về cơ học, quang học và điện tử trong cùng một vật liệu. Điều này mở ra nhiều tiềm năng trong lĩnh vực khoa học vật liệu và ứng dụng công nghệ. Cảm biến áp điện là loại cảm biến sử dụng hiệu ứng áp điện đề chuyển đổi áp suất, lực thành tín hiệu điện.