Luận án tiến sĩ nghiên cứu ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao tới khả năng tổng hợp cacbit tic wc cr3c2 tử các oxit của chúng và cacbon

Luận án tiến sĩ nghiên cứu ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao đến tổng hợp cacbit TiC, WC, Cr3C2 từ oxit và cacbon, mở ra hướng ứng dụng tiềm năng.

Chuyên ngành

Vật liệu học, Hóa học vật liệu

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

luận án
152
3
0

Phí lưu trữ

45 Point

Mục lục chi tiết

MỞ ĐẦU

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CACBIT KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP

1.1. Khái quát về cacbit kim loại chuyển tiếp

1.2. Tinh thể cacbit kim loại chuyển tiếp

1.3. Tính chất cơ bản của cacbit kim loại chuyển tiếp

1.4. Nhiệt động học hình thành cacbit kim loại chuyển tiếp

1.5. Biến thiên enthalpy khi hình thành hợp chất MeCx

1.6. Biến thiên entropy khi hình thành hợp chất MeCx

1.7. Năng lượng tự do khi hình thành hợp chất MeCx

1.8. Các phương pháp tổng hợp cacbit kim loại chuyển tiếp

1.8.1. Phương pháp nấu chảy

1.8.2. Phương pháp cacbit hóa kim loại hoặc oxit kim loại bằng C rắn

1.8.3. Phương pháp cacbit hóa kim loại hoặc oxit kim loại bằng khí chứa C

1.8.4. Phương pháp ngưng tụ từ pha khí

1.8.5. Phương pháp hòa tan và phân tách

1.8.6. Phương pháp điện phân dung dịch muối

1.9. Tổng hợp cacbit TiC, WC, Cr3C2 từ oxit của chúng bằng C rắn

1.9.1. Tổng hợp TiC từ TiO2 và C

1.9.2. Tổng hợp WC từ WO3 và C

1.9.3. Tổng hợp Cr3C2 từ Cr2O3 và C

2. CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ NGHIỀN NĂNG LƯỢNG CAO

2.1. Nghiền năng lượng cao (HEM)

2.2. Khái quát lịch sử

2.3. Các yếu tố ảnh hưởng tới HEM

2.4. Các quá trình xảy ra trong HEM

2.5. Hiệu ứng biến thiên nhiệt độ nghiền

2.6. Quá trình tăng độ biến dạng dư và hình thành pha vô định hình

2.7. Quá trình giảm kích thước hạt tinh thể

2.8. Quá trình chuyển pha, hợp kim hóa cơ học

2.9. Ảnh hưởng của HEM đến quá trình khuếch tán

2.10. Hỗn hợp bột tích lũy năng lượng từ HEM

2.11. Ảnh hưởng của HEM đến phản ứng khuếch tán

3. CHƯƠNG 3: QUY TRÌNH VÀ THIẾT BỊ THÍ NGHIỆM

3.1. Quy trình thí nghiệm

3.2. Tiến hành thí nghiệm

3.3. Thiết bị thí nghiệm

3.3.1. Máy nghiền hành tinh

3.3.2. Thiết bị nhiễu xạ tia rơnghen

3.3.3. Thiết bị phân tích nhiệt

3.3.4. Kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao

3.3.5. Lò nung nhiệt độ cao

4. CHƯƠNG 4: ẢNH HƯỞNG CỦA NGHIỀN NĂNG LƯỢNG CAO ĐẾN HỖN HỢP BỘT OXIT KIM LOẠI VỚI CACBON

4.1. Nghiền hỗn hợp bột (TiO2 + C)

4.2. Ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao

4.3. Nhận xét về kết quả nghiền hỗn hợp bột (TiO2 + C)

4.4. Nghiền hỗn hợp bột (WO3 + C)

4.5. Ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao

4.6. Nhận xét về kết quả nghiền hỗn hợp bột (WO3 + C)

4.7. Nghiền hỗn hợp bột (Cr2O3 + C)

4.8. Ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao

4.9. Nhận xét về kết quả nghiền hỗn hợp bột (Cr2O3 + C)

4.10. Nhận xét về nghiền hỗn hợp bột (oxit KLCT + C)

4.11. Sự chuyển pha, hợp kim hóa cơ học trong quá trình nghiền

4.12. Quá trình vô định hình hóa cấu trúc các hạt bột nghiền

4.13. Giảm kích thước hạt tinh thể và tăng biến dạng dư vi mô

4.14. Năng lượng tích lũy từ HEM của hỗn hợp bột (oxit KLCT + C)

5. CHƯƠNG 5: ẢNH HƯỞNG CỦA NGHIỀN NĂNG LƯỢNG CAO ĐẾN QUÁ TRÌNH HÌNH THÀNH CACBIT KIM LOẠI

5.1. Tổng hợp cacbit TiC

5.2. Quá trình hình thành cacbit TiC từ hỗn hợp bột TiO2 và C

5.3. Khảo sát quá trình hình thành TiC từ (TiO2 + C) không qua nghiền

5.4. Ảnh hưởng của HEM đến quá trình hình thành cacbit TiC

5.5. Ảnh hưởng của HEM đến sản phẩm cacbit TiC

5.6. Đánh giá và kiểm chứng kết quả thực nghiệm

5.7. Nhận xét về ảnh hưởng của HEM đến sự tổng hợp cacbit TiC

5.8. Tổng hợp cacbit WC

5.9. Quá trình hình thành cacbit WC từ WO3 và C

5.10. Ảnh hưởng của HEM đến nhiệt độ các phản ứng

5.11. Ảnh hưởng của HEM đến sản phẩm cacbit WC

5.12. Nhận xét về ảnh hưởng của HEM đến sự tổng hợp cacbit WC

5.13. Tổng hợp cacbit Cr3C2

5.14. Quá trình hình thành cacbit Cr3C2 từ Cr2O3 và C

5.15. Ảnh hưởng của HEM đến sự hình thành cacbit Cr3C2

5.16. Ảnh hưởng của HEM đến sản phẩm cacbit Cr3C2

5.17. Nhận xét về ảnh hưởng của HEM đến sự tổng hợp cacbit Cr3C2

5.18. Nhận xét về ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao đến khả năng tổng hợp cacbit TiC, WC, Cr3C2 từ oxit của chúng và cacbon

5.19. Nhận xét về nghiền hỗn hợp bột (oxit KLCT + C)

5.20. Ảnh hưởng của HEM đến khả năng tổng hợp cacbit TiC, WC, Cr3C2

KẾT LUẬN

TÀI LIỆU THAM KHẢO

PHỤ LỤC CÁC KẾT QUẢ THÍ NGHIỆM CỦA LUẬN ÁN

Tóm tắt

I. Tổng quan về cacbit kim loại chuyển tiếp

Cacbit kim loại chuyển tiếp (KLCT) như TiC, WC, và Cr3C2 là những hợp chất có tính chất cơ học và nhiệt độ nóng chảy cao, ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp. Tổng hợp cacbit từ oxit và cacbon là phương pháp phổ biến, nhưng đòi hỏi nhiệt lượng lớn. Nghiền năng lượng cao (HEM) được nghiên cứu như một giải pháp giảm nhiệt độ tổng hợp. Quá trình này tích lũy năng lượng trong hỗn hợp bột, giúp phản ứng xảy ra ở nhiệt độ thấp hơn.

1.1 Tính chất cơ bản của cacbit KLCT

Cacbit KLCT có cấu trúc tinh thể đặc trưng, độ cứng cao, và khả năng chịu nhiệt tốt. TiC, WC, và Cr3C2 là những ví dụ điển hình, được sử dụng trong các dụng cụ cắt gọt và vật liệu chịu nhiệt. Nhiệt động học hình thành cacbit cho thấy sự biến thiên enthalpy và entropy đóng vai trò quan trọng trong quá trình tổng hợp.

1.2 Phương pháp tổng hợp cacbit KLCT

Các phương pháp tổng hợp bao gồm nấu chảy, cacbit hóa kim loại hoặc oxit, và ngưng tụ từ pha khí. Tổng hợp từ oxit và cacbon là phương pháp phổ biến, nhưng đòi hỏi nhiệt độ cao. HEM được nghiên cứu để giảm nhiệt độ phản ứng, tăng hiệu quả tổng hợp.

II. Nghiền năng lượng cao HEM và ảnh hưởng của nó

Nghiền năng lượng cao là quá trình cơ học tích lũy năng lượng trong hỗn hợp bột, giúp giảm nhiệt độ phản ứng tổng hợp. HEM ảnh hưởng đến quá trình khuếch tán, giảm kích thước hạt, và tăng biến dạng dư vi mô. Quá trình này cũng thúc đẩy sự hình thành pha vô định hình và hợp kim hóa cơ học.

2.1 Các yếu tố ảnh hưởng đến HEM

Các yếu tố như tốc độ nghiền, tỷ lệ bi:bột, và thời gian nghiền ảnh hưởng đến hiệu quả của HEM. Năng lượng va chạmnhiệt độ nghiền cũng đóng vai trò quan trọng trong việc tích lũy năng lượng và thay đổi cấu trúc hỗn hợp bột.

2.2 Quá trình xảy ra trong HEM

Trong quá trình HEM, các hạt bột trải qua sự giảm kích thước, tăng biến dạng dư, và hình thành pha vô định hình. Năng lượng tích lũy từ HEM giúp giảm rào cản năng lượng khuếch tán, thúc đẩy phản ứng tổng hợp ở nhiệt độ thấp hơn.

III. Ảnh hưởng của HEM đến tổng hợp cacbit

HEM có ảnh hưởng đáng kể đến quá trình tổng hợp TiC, WC, và Cr3C2 từ oxit và cacbon. Năng lượng tích lũy từ HEM giúp giảm nhiệt độ phản ứng, tăng hiệu quả tổng hợp. Kết quả thí nghiệm cho thấy sự hình thành cacbit xảy ra ở nhiệt độ thấp hơn so với phương pháp truyền thống.

3.1 Tổng hợp TiC từ TiO2 và C

Quá trình tổng hợp TiC từ TiO2C được thúc đẩy bởi HEM. Năng lượng tích lũy giúp giảm nhiệt độ phản ứng từ 1400°C xuống còn 1250°C. Kết quả XRD và HRTEM cho thấy sự hình thành TiC với kích thước hạt nhỏ và độ tinh khiết cao.

3.2 Tổng hợp WC từ WO3 và C

HEM cũng ảnh hưởng đến quá trình tổng hợp WC từ WO3C. Nhiệt độ phản ứng giảm từ 1300°C xuống còn 1200°C. Kết quả phân tích nhiệt và XRD cho thấy sự hình thành WC với cấu trúc tinh thể ổn định.

3.3 Tổng hợp Cr3C2 từ Cr2O3 và C

Quá trình tổng hợp Cr3C2 từ Cr2O3C cũng được cải thiện nhờ HEM. Nhiệt độ phản ứng giảm từ 1300°C xuống còn 1250°C. Kết quả HRTEM cho thấy sự hình thành Cr3C2 với kích thước hạt nhỏ và độ biến dạng dư thấp.

IV. Kết luận và ứng dụng thực tiễn

Nghiên cứu đã chứng minh HEM là phương pháp hiệu quả để giảm nhiệt độ tổng hợp TiC, WC, và Cr3C2 từ oxit và cacbon. Phương pháp này có tiềm năng ứng dụng trong công nghiệp, giúp giảm chi phí sản xuất và tăng hiệu quả tổng hợp vật liệu cacbit.

4.1 Giá trị thực tiễn của nghiên cứu

Nghiên cứu này cung cấp cơ sở khoa học cho việc ứng dụng HEM trong tổng hợp vật liệu cacbit. Phương pháp này có thể được áp dụng trong các ngành công nghiệp như chế tạo máy, hàng không, và hạt nhân, giúp giảm chi phí và tăng hiệu quả sản xuất.

4.2 Hướng phát triển trong tương lai

Trong tương lai, nghiên cứu có thể tập trung vào tối ưu hóa quá trình HEM và mở rộng ứng dụng cho các loại vật liệu cacbit khác. Việc kết hợp HEM với các phương pháp tổng hợp khác cũng là hướng nghiên cứu tiềm năng.

01/03/2025
Luận án tiến sĩ nghiên cứu ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao tới khả năng tổng hợp cacbit tic wc cr3c2 tử các oxit của chúng và cacbon

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1. Cacbit kim loại chuyển tiếp 9 Tổng hợp cacbit kim loại chuyển tiếp cũng ở trong hợp chất cacbit 𝑀𝑒𝐶𝑥 này sẽ có 𝑥𝑁𝐴 nguyên tử 𝐶4. Để khảo sát sự phụ thuộc này, chúng ta giả thiết rằng mạng con các nguyên tử 𝑀𝑒 là lý tưởng [9]. Biến thiên enthalpy khi hình thành hợp chất 𝑴𝒆𝑪𝒙 Trong sự hình thành hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 , các nguyên tử 𝐶 thay thế vị trí lỗ hổng trong tinh thể các nguyên tử 𝑀𝑒, do vậy thể tích biến đổi không nhiều nên có thể coi biến thiên năng lượng hình thành (∆𝑈) có giá trị là biến thiên enthaly (∆𝐻 ).

a) Năng lượng liên kết giữa các nguyên tử trong tinh thể Đóng góp vào năng lượng hình thành hợp chất là tổng lực liên kết giữa các nguyên tử trong mạng tinh thể. Lực liên kết này tuân theo định luật Culông, giảm rất nhanh khi khoảng cách giữa các nguyên tử tăng. Do vậy, trong tính toán gần đúng bậc nhất, ở đây chỉ tính lực liên kết giữa các nguyên tử đứng cạnh nhau. Như vậy, trong tính toán gần đúng bậc nhất này thì tổng lực liên kết toàn trong toàn mạng tinh thể hợp chất cacbit gồm các lực liên kết 𝑀𝑒 − 𝑀𝑒 giữa các nguyên tử 𝑀𝑒 đứng cạnh nhau và lực liên kết 𝑀𝑒 − 𝐶 giữa nguyên tử 𝐶 và các nguyên tử 𝑀𝑒 bao quanh nó.

Lực liên kết 𝐶 − 𝐶 yếu, do khoảng cách giữa chúng lớn nên trong tính toán gần đúng được coi là bằng 0 [9, 10]. Giả sử trong tinh thể hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 , mỗi nguyên tử 𝑀𝑒 có 𝑘11 nguyên tử 𝑀𝑒 và 𝑘12 nguyên tử 𝐶 bao quanh nó. Mỗi nguyên tử 𝐶 được bao quanh bởi 𝑘21 nguyên tử 𝑀𝑒. Gọi năng lượng liên kết 𝑀𝑒 − 𝑀𝑒 là 𝑒11 và năng lượng liên kết 𝑀𝑒 − 𝐶 là 𝑒12.

Gọi 𝜗1 là số nút mạng của “mạng con” các nguyên tử 𝐶 thì số nút mạng bị các nguyên tử 𝐶 chiếm chỗ là 𝑥 ⁄ϑ1. Như vậy, tổng năng lượng liên kết giữa các nguyên tử trong tinh thể cacbit 𝑀𝑒𝐶𝑥 là [9]: 𝑁𝐴 𝑥 𝑈= (𝑘11 𝑒11 + 𝑘12 𝑒12 + 𝑥𝑘21 𝑒12 ) (1.4) 2 𝜗1 Đại lượng 𝑈 ở đây chính là năng lượng tiêu hao cần thiết để hòa tan 𝑥 gam- nguyên tử 𝐶 vào mạng tinh thể các nguyên tử 𝑇𝑖 trong quá trình hình thành hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 [9]. 4 Trong quá trình hình thành cacbit 𝑀𝑒𝐶 từ các cấu tử thành phần thì cơ chế của quá trình là sự khuếch tán dần của các nguyên tử 𝐶 vào mạng tinh thể các nguyên tử 𝑀𝑒. Tỷ lệ thành phần của cacbit ở đây sẽ thay đổi trong quá trình hình thành cacbit.

Trong thành phần của cacbit chỉ có số nguyên tử 𝑀𝑒 là không thay đổi trong quá trình này. Đối với các hợp chất phi tỷ lượng thì ở đây không thể sử dụng các đơn vị thông thường như “mol”, “nguyên tử gam”, .để tính toán, vì 1 mol hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 khác với 1 mol hợp chất 𝑀𝑒𝐶. Do đó, ở đây khảo sát hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 chứa 1 gam nguyên tử 𝑀𝑒. Trong tính toán ở đây sẽ sử dựng đơn vị là “gam-nguyên tử”, số nguyên tử trong 1 gam chất.

Cacbit kim loại chuyển tiếp 10 Tổng hợp cacbit kim loại chuyển tiếp b) Biến thiên năng lượng do sự sắp xếp lại kiểu mạng tinh thể. Để nhận được biến thiên năng lượng hình thành hợp chất (∆𝑈) từ các nguyên tử của cấu tử thành phần, cần phải tính đến năng lượng liên kết của chúng trong trạng thái trước khi chúng tham gia quá trình tạo hợp chất, tức là năng lượng làm tách chúng ra khỏi trạng thái liên kết ban đầu. Theo đó, năng lượng tạo thành hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 bao gồm [9]: ∆𝑈 = 𝑈 + 𝐿𝑀𝑒 + 𝑥𝐿𝐶 (1.5) Đối với quá trình hình thành cacbit ở trạng thái rắn, thì 𝐿𝐶 là năng lượng thăng hoa của cacbon và 𝐿𝑀𝑒 là năng lượng các nguyên tử 𝑀𝑒 ra sắp xếp lại mạng tinh thể5, để tham gia vào quá trình hình thành 𝑀𝑒𝐶𝑥. Kết hợp các công thức (1.5) ta nhận được [9]: 𝑁 1 ∆𝑈 = ( 𝐴 𝑘11 𝑒11 + 𝐿𝑀𝑒 ) + 𝑥 ( 𝑘12 𝑒12 + 𝑘21 𝑒12 + 𝐿𝐶 ) (1.6) 2 𝜗1 Từ công thức trên dễ dàng nhận thấy, trong tính toán gần đúng bậc nhất thì đại lượng ∆U phụ thuộc tuyến tính với 𝑥.

Hiển nhiên trong gần đúng bậc tiếp theo sẽ là bình phương và sau đó là lập phương, v. Từ đây, sự phụ thuộc của biến thiên năng lượng hình thành hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 vào hàm lượng 𝐶, có thể được viết như sau [9]: ∆𝑈 = 𝛼0 + 𝛼1 𝑥 + 𝛼2 𝑥 2 + 𝛼3 𝑥 3 + 𝛼4 𝑥 4 + ⋯ (1.7) c) Biến thiên enthlpy do khuếch tán của các nguyên tử 𝐶 giữa 2 mạng nhỏ. Trong quá trình hình thành hợp chất cacbit tồn tại thời điểm mà trong hạt cacbit có hai “mạng nhỏ”. “Mạng nhỏ thứ nhất” là vùng mạng có %𝐶 cao là kiểu mạng của cacbit 𝑀𝑒𝐶 và “mạng nhỏ thứ hai” là vùng mạng với %𝐶 thấp có kiểu mạng là kiểu mạng của các nguyên tử 𝑀𝑒.

Sau khi hình thành hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 , các nguyên tử 𝐶 sẽ dịch chuyển từ mạng nhỏ thứ nhất sang mạng nhỏ thứ hai để có được sự phân bố đồng đều trong toàn tinh thể để mạng tinh thể của hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 đồng nhất, tức là xác suất tìm thấy nguyên tử 𝐶 ở mọi vi trí trong tinh thể là như nhau. Giả sử mỗi sự dịch chuyển của nguyên tử 𝐶 từ vị trí nút mạng này sang vị trí nút mạng kia đều làm năng lượng tinh thể tăng lên một đại lượng không đổi là 𝜀 𝑐𝑎𝑙𝑜. 5 Trước khi hình thành cacbit, các nguyên tử 𝑀𝑒 trong kiểu mạng của kim loại. Sau khi hình thành cacbit, các nguyên tử 𝑀𝑒 trong kiểu mạng đồng hình với kiểu mạng của cacbit.

Như vậy, đòi hỏi năng lượng làm biến đổi kiểu mạng của các nguyên tử 𝑀𝑒 trong quá trình hình thành cacbit. Ví dụ, trước khi tham gia vào việc tạo cacbit, các nguyên tử KLCT nhóm IV có cấu trúc ℎ𝑐𝑝. Mạng con của các nguyên tử này trong mạng tinh thể cacbit có cấu trúc 𝑓𝑐𝑐. Như vậy, các nguyên tử Me đã sắp xếp lại vị trí nút mạng trong quá trình này.

Cacbit kim loại chuyển tiếp 11 Tổng hợp cacbit kim loại chuyển tiếp Nếu 𝜀 không phụ thuộc vào %𝐶 và giả sử có 𝑑𝑦 gam-nguyên tử 𝐶 dịch chuyển từ mạng nhỏ thứ nhất sang mạng nhỏ thứ hai, khi đó năng lượng của hệ sẽ tăng lên đại lượng: 𝑑𝑈 = −𝜀𝑁𝐴 𝑑𝑦. Như vậy, sự biến thiên năng lượng của hệ là [9]: 𝑑𝑈 ( ) = −𝜀𝑁𝐴 (1.8) 𝑑𝑦 𝑥 Dấu trừ " − " trong công thức (1.8) nói lên đại lượng 𝑑𝑦 là dương. Đại lượng 𝜀𝑁𝐴 là nhiệt vi phân sự dịch chuyển của các nguyên tử 𝐶 từ mạng nhỏ thứ nhất sang mạng nhỏ thứ hai, chính là hiệu số nhiệt riêng phần của sự hòa tan các nguyên tử 𝐶 giữa hai mạng nhỏ [9]. Giả sử trong quá trình hình thành cacbit thì mạng nhỏ thứ nhất đóng vai trò chính, tức là, ở trạng thái ban đầu sau khi hình thành hợp chất cacbit, toàn bộ 𝑥 gam- nguyên tử 𝐶 ở trong mạng nhỏ thứ nhất và ở mạng nhỏ thứ hai thì %𝐶 ≈ 0.

Giả sử đến trạng thái cân bằng thì trong mạng nhỏ thứ nhất còn 𝑦 gam-nguyên tử 𝐶. Theo đó, đạt đến trạng thái cân bằng thì có (𝑥 − 𝑦) gam-nguyên tử 𝐶 dịch chuyển từ mạng nhỏ thứ nhất sang mạng nhỏ thứ hai. Như vậy, đóng góp vào biến thiên năng lượng hình thành cacbit 𝑀𝑒𝐶𝑥 do sự dịch chuyển này là (𝑥 − 𝑦)𝜀𝑁𝐴 𝑐𝑎𝑙𝑜 [9]. Biến thiên năng lượng này bổ sung vào công thức (1.7) ta nhận được biến đổi enthalpy (∆H) trong quá trình hình thành hợp chất 𝑀𝑒𝐶𝑥 như sau [9]: ∆𝐻 = 𝛼0 + 𝛼1 𝑥 + 𝛼2 𝑥 2 + 𝛼3 𝑥 3 + 𝛼4 𝑥 4 + ⋯ + (𝑥 − 𝑦)𝜀𝑁𝐴 (1.9) Trong các đại lượng nhiệt động học hình thành cacbit 𝑀𝑒𝐶𝑥 thường có đóng góp của mạng nhỏ thứ hai và đó là đại lượng (𝑥 − 𝑦)𝜀𝑁𝐴.

Ở nhiệt độ thấp, tức là 𝜀 ≫ 𝑘𝑇, sự đóng góp của mạng nhỏ thứ hai không nhiều. Nhưng ở nhiệt độ cao, sự đóng góp này là đáng kể [9]. Biến thiên entropy khi hình thành hợp chất 𝑴𝒆𝑪𝒙 a) Biến thiên Entropy do sự khuếch tán của các nguyên tử 𝐶 giữa hai mạng nhỏ. Entropy là một hàm trạng thái nên đóng góp vào cấu hình entropy có số trạng thái phân bố của các nguyên tử và nút trống trong tinh thể.

Biến thiên entropy do sự khuếch tán của các nguyên tử 𝐶 giữa hai mạng nhỏ được tính từ số trạng thái phân bố của các nguyên tử trong tinh thể trước và sau khi có (𝑥 − 𝑦) gam-nguyên tử 𝐶 dịch chuyển từ mạng nhỏ thứ nhất sang mạng nhỏ thứ hai. Do mạng con các nguyên tử 𝑀𝑒 là lý tưởng, nên số trạng thái của mạng tinh thể ở đây chỉ liên quan đến sự phân bố của các nguyên tử 𝐶 và lỗ hổng ở mạng con các Chương 1. Cacbit kim loại chuyển tiếp 12 Tổng hợp cacbit kim loại chuyển tiếp nguyên tử 𝐶. Giả sử ở trạng thái ban đầu trong mạng nhỏ thứ nhất có 𝑧 gam-nguyên tử (1) (𝜗 𝑁)! 𝐶.

Như vậy, ban đầu ở mạng nhỏ thứ nhất có số trạng thái là 𝑝1 = (𝑧𝑁)![(𝜗1 .𝑝 này vào biến thiên entropy sẽ là ∆𝑆1 = 1(1) 1(2). Sử dụng gần đúng Stirlinger đối với 𝑝2 .𝑝2 luật số lớn (ln 𝑛! = 𝑛 𝑙𝑛 𝑛 − 𝑛) và biến đổi ta nhận được biến thiên Entropy do sự khuếch tán của các nguyên tử C giữa hai mạng nhỏ [9].10) Ở đây, 𝑅 là hằng số khí, 𝜗1 , 𝜗2 là số lỗ hổng trong mạng nhỏ thứ nhất và thứ hai. Khi đến trạng thái cân bằng, tức là dòng dịch chuyển của các nguyên tử 𝐶 giữa hai mạng nhỏ tiến đến 0, khi đó năng lượng tự do (𝐺 ) của hệ đạt giá trị nhỏ nhất, biểu thức (1.10) có thể viết dưới dạng [9]: (𝜗1 −𝑦)(𝑥−𝑦) 𝜀 𝑙𝑛 =− (1.11) 𝑦(𝜗2 −𝑥+𝑦) 𝑘𝑇 Đặt đại lượng sau phần logarit ở công thức (1.11) là 𝐾 và với phương trình (1.12) 𝑦(𝜗2 −𝑥+𝑦) Ở một số trường hợp, đại lượng 𝜀𝑁𝐴 = −𝑅𝑇𝑙𝑛𝐾 gần bằng năng lượng hoạt hóa khuếch tán của nguyên tử 𝐶. Nếu sự khuếch tán của nguyên tử 𝐶 từ một nút mạng của mạng nhỏ thứ nhất sang đúng nút mạng của mạng nhỏ thứ hai và thế năng của nguyên tử 𝐶 đạt đến giá trị cao nhất, khi đó giá trị 𝜀𝑁𝐴 bằng năng lượng hoạt hóa khuếch tán.

Đây là năng lượng gây ra sự khuếch tán của nguyên tử 𝐶. Nếu sự khuếch tán không được thực hiện, tức là giá trị 𝜀𝑁𝐴 nhỏ hơn năng lượng hoạt hóa khuếch tán [9].

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Nghiên cứu ảnh hưởng của nghiền năng lượng cao đến tổng hợp cacbit TiC, WC, Cr3C2 từ oxit và cacbon là một tài liệu chuyên sâu tập trung vào quá trình tổng hợp các loại cacbit (TiC, WC, Cr3C2) thông qua phương pháp nghiền năng lượng cao, sử dụng nguyên liệu ban đầu là oxit và cacbon. Nghiên cứu này làm nổi bật vai trò của kỹ thuật nghiền năng lượng cao trong việc cải thiện hiệu quả tổng hợp, đồng thời phân tích các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình như thời gian nghiền, nhiệt độ và tỷ lệ phối trộn nguyên liệu. Kết quả nghiên cứu mang lại những hiểu biết quan trọng về việc tối ưu hóa quy trình sản xuất cacbit, ứng dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp vật liệu và cơ khí.

Để mở rộng kiến thức về các vật liệu và phương pháp tổng hợp liên quan, bạn có thể tham khảo thêm Luận văn thạc sĩ hóa học nghiên cứu tổng hợp vật liệu mcm41 biến tính bằng wolfram và ứng dụng làm xúc tác chuyển hóa lưu huỳnh trong nhiên liệu, Luận văn thạc sĩ hóa học nghiên cứu tổng hợp vật liệu cu2o tio2 rgo và đánh giá hoạt tính quang xúc tác, và Luận văn thạc sĩ kỹ thuật hóa dầu nghiên cứu biến tính than hoạt tính bằng nano cuo và zno để tăng cường khả năng hấp phù hợp chất hydrogen sullfide. Những tài liệu này sẽ cung cấp thêm góc nhìn đa chiều về các phương pháp tổng hợp và ứng dụng vật liệu trong lĩnh vực hóa học và kỹ thuật.