Luận văn thạc sĩ mô hình hóa và mô phỏng thiết bị bảo vệ chống sét lan truyền trên đường điện thoại

Luận văn thạc sĩ trình bày mô hình hóa và mô phỏng thiết bị bảo vệ chống sét lan truyền trên đường điện thoại, góp phần nâng cao an toàn hệ thống.

• Tác giả: Nguyễn Văn Quang
• Người hướng dẫn: PGS.TS Quyền Huy Ánh
• Trường học: Không có thông tin
• Chuyên ngành: Kỹ thuật điện
• Đề tài: Mô Hình Hóa Và Mô Phỏng Thiết Bị Bảo Vệ Chống Sét Lan Truyền Trên Đường Điện Thoại
• Loại tài liệu: Luận văn tốt nghiệp
• Năm xuất bản: 2017
• Địa điểm: Tp. Hồ Chí Minh

Mục lục chi tiết

• LỜI CAM ĐOAN
• LỜI CẢM ƠN
• 1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN
• 1.1. Tổng quan và tính cấp thiết của đề tài
• 1.2. Mục tiêu và nhiện vụ của luận văn
• 1.3. Phạm vi nghiên cứu
• 1.4. Các bước tiến hành
• 1.5. Điểm mới của luận văn
• 1.6. Giá trị thực tiễn của đề tài
• 1.7. Nội dung của luận văn
• 2. CHƯƠNG 2: CÁC TIÊU CHUẨN CHỐNG SÉT TRÊN ĐƯỜNG THOẠI
• 2.1. Tiêu chuẩn TIA-968-A, TIA-968-B
• 2.2. Tiêu chuẩn GR 1089
• 2.3. Tiêu chuẩn ITU-T K
• 2.4. Tiêu chuẩn UL 60950
• 3. CHƯƠNG 3: MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG CHUẨN
• 3.1. Các dạng xung sét tiêu chuẩn
• 3.2. Các thông số của xung áp sét tiêu chuẩn
• 3.3. Các thông số của xung dòng sét tiêu chuẩn
• 3.4. Mô hình máy phát xung sét
• 3.5. Mô hình máy phát xung dòng
• 3.6. Mô hình máy phát xung áp
• 3.7. Mô phỏng các dạng xung sét tiêu chuẩn
• 3.8. Máy phát xung dòng 8/20 us và dạng sóng mô phỏng 1.2/50 us và dạng sóng mô phỏng
• 3.9. Máy phát xung áp 10/700us và dạng sóng mô phỏng
• 4. CHƯƠNG 4: THIẾT BỊ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN TRÊN ĐƯỜNG DÂY THOẠI
• 4.1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc
• 4.2. Thiết bị chống sét trên đường dây thoại kiểu kết nối vặn vít (UTB-TA)
• 4.3. Thiết bị chống sét trên đường Modem kiểu kết nối vặn vít (UTB-SA)
• 4.4. Thiết bị chống sét cho 1 cặp dây thoại (SLP1K2) và 10 cặp dây thoại (SLP10-K1F) kiểu kết nối giá Krone
• 4.5. Thiết bị chống sét cho đường dây thoại kiểu kết nối RJ11
• 4.6. Yêu cầu kỹ thuật và điều kiện lựa chọn
• 4.7. Yêu cầu kỹ thuật
• 4.8. Điều kiện lựa chọn
• 5. CHƯƠNG 5: XÂY DỰNG MÔ HÌNH THIẾT BỊ CHỐNG SÉT TRÊN ĐƯỜNG THOẠI
• 5.1. Mô hình ống phóng điện khí GDT
• 5.2. Tổng quan về ống phóng điện khí
• 5.3. Các loại mô hình ống phóng khí
• 5.4. Mô hình TVS Zener Diode
• 5.5. Mô hình thiết bị chống sét lan truyền trên đường thoại (UTB, SLP)
• 5.6. Giải pháp bảo vệ chống sét lan truyền trên đường thoại
• 5.7. Vị trí lắp đặt thiết bị chống sét lan truyền
• 5.8. Chọn thiết bị cho một vị trí chỉ định
• 6. CHƯƠNG 6: KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN
• TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng quan về mô hình hóa thiết bị bảo vệ chống sét

Mô hình hóa thiết bị bảo vệ chống sét trên đường điện thoại là một lĩnh vực nghiên cứu quan trọng trong ngành viễn thông. Sét có thể gây ra những thiệt hại nghiêm trọng cho các thiết bị điện tử và hệ thống viễn thông. Việc xây dựng mô hình chính xác giúp đánh giá hiệu quả của các thiết bị bảo vệ, từ đó nâng cao độ tin cậy của hệ thống. Mô hình hóa không chỉ giúp hiểu rõ hơn về hành vi của thiết bị mà còn hỗ trợ trong việc phát triển các giải pháp bảo vệ hiệu quả hơn.

1.1. Khái niệm về thiết bị bảo vệ chống sét

Thiết bị bảo vệ chống sét là các thiết bị được thiết kế để ngăn chặn hoặc giảm thiểu tác động của sét đến các thiết bị điện tử. Các thiết bị này thường bao gồm ống phóng điện khí (GDT), diode Zener (TVS), và các thiết bị bảo vệ khác. Mỗi loại thiết bị có nguyên lý hoạt động và ứng dụng riêng, giúp bảo vệ các hệ thống viễn thông khỏi các xung điện áp nguy hiểm.

1.2. Tầm quan trọng của mô hình hóa trong bảo vệ chống sét

Mô hình hóa giúp các kỹ sư và nhà nghiên cứu hiểu rõ hơn về cách thức hoạt động của thiết bị bảo vệ chống sét. Thông qua mô hình, có thể dự đoán được hiệu quả bảo vệ trong các tình huống khác nhau, từ đó đưa ra các giải pháp tối ưu cho việc lắp đặt và sử dụng thiết bị. Điều này đặc biệt quan trọng trong bối cảnh Việt Nam, nơi có tần suất sét đánh cao.

II. Vấn đề và thách thức trong bảo vệ chống sét

Mặc dù có nhiều thiết bị bảo vệ chống sét, nhưng vẫn tồn tại nhiều thách thức trong việc bảo vệ hệ thống viễn thông. Một trong những vấn đề lớn nhất là sự thiếu hụt thông tin về các tiêu chuẩn và mô hình thử nghiệm. Nhiều thiết bị hiện có chưa được kiểm nghiệm đầy đủ trong điều kiện thực tế, dẫn đến việc đánh giá hiệu quả bảo vệ không chính xác.

2.1. Thiếu hụt thông tin về tiêu chuẩn chống sét

Việc thiếu hụt thông tin về các tiêu chuẩn chống sét có thể dẫn đến việc lựa chọn thiết bị không phù hợp. Các tiêu chuẩn như TIA-968-A, TIA-968-B, và ITU-T K không được áp dụng đồng bộ, gây khó khăn trong việc đánh giá hiệu quả của thiết bị bảo vệ.

2.2. Khó khăn trong việc mô phỏng và thử nghiệm

Mô phỏng và thử nghiệm các thiết bị bảo vệ chống sét trong điều kiện thực tế là một thách thức lớn. Nhiều nhà sản xuất không cung cấp đầy đủ thông số kỹ thuật, khiến cho việc xây dựng mô hình chính xác trở nên khó khăn. Điều này ảnh hưởng đến khả năng đánh giá hiệu quả của thiết bị trong thực tế.

III. Phương pháp mô hình hóa thiết bị bảo vệ chống sét

Để xây dựng mô hình hóa thiết bị bảo vệ chống sét, cần áp dụng các phương pháp khoa học và công nghệ hiện đại. Việc sử dụng phần mềm mô phỏng như Matlab giúp tạo ra các mô hình chính xác và đáng tin cậy. Các mô hình này có thể được kiểm nghiệm và so sánh với các dữ liệu thực tế để đảm bảo tính chính xác.

3.1. Sử dụng phần mềm Matlab trong mô hình hóa

Phần mềm Matlab là công cụ mạnh mẽ cho việc mô phỏng các thiết bị bảo vệ chống sét. Nó cho phép xây dựng các mô hình phức tạp và thực hiện các phép tính cần thiết để đánh giá hiệu quả của thiết bị. Việc sử dụng Matlab giúp tiết kiệm thời gian và chi phí trong quá trình nghiên cứu.

3.2. Xây dựng mô hình GDT và TVS Zener Diode

Mô hình hóa các thiết bị như GDT và TVS Zener Diode là rất quan trọng trong việc đánh giá hiệu quả bảo vệ. Các mô hình này cần được xây dựng dựa trên các thông số kỹ thuật cụ thể và được kiểm nghiệm với các dữ liệu thực tế để đảm bảo tính chính xác.

IV. Ứng dụng thực tiễn của mô hình hóa thiết bị bảo vệ chống sét

Mô hình hóa thiết bị bảo vệ chống sét không chỉ có giá trị trong nghiên cứu mà còn có ứng dụng thực tiễn trong việc thiết kế và lắp đặt hệ thống viễn thông. Các kết quả từ mô hình hóa có thể giúp các kỹ sư đưa ra quyết định chính xác hơn trong việc lựa chọn thiết bị và vị trí lắp đặt, từ đó nâng cao hiệu quả bảo vệ.

4.1. Tối ưu hóa thiết kế hệ thống bảo vệ

Thông qua mô hình hóa, có thể tối ưu hóa thiết kế hệ thống bảo vệ chống sét. Việc lựa chọn thiết bị và vị trí lắp đặt phù hợp giúp giảm thiểu thiệt hại do sét gây ra, đồng thời nâng cao độ tin cậy của hệ thống viễn thông.

4.2. Đánh giá hiệu quả bảo vệ trong thực tế

Mô hình hóa cũng giúp đánh giá hiệu quả bảo vệ của các thiết bị trong điều kiện thực tế. Các kết quả từ mô hình có thể được so sánh với dữ liệu thực tế để xác định mức độ bảo vệ của hệ thống, từ đó đưa ra các điều chỉnh cần thiết.

V. Kết luận và hướng nghiên cứu tương lai

Mô hình hóa thiết bị bảo vệ chống sét trên đường điện thoại là một lĩnh vực nghiên cứu quan trọng và cần thiết. Các kết quả từ nghiên cứu không chỉ giúp nâng cao hiệu quả bảo vệ mà còn mở ra hướng nghiên cứu mới trong việc phát triển các thiết bị bảo vệ hiện đại. Tương lai, cần tiếp tục nghiên cứu và phát triển các mô hình mới để đáp ứng nhu cầu ngày càng cao trong lĩnh vực viễn thông.

5.1. Tầm quan trọng của nghiên cứu tiếp theo

Nghiên cứu tiếp theo cần tập trung vào việc phát triển các mô hình mới và cải tiến các thiết bị bảo vệ hiện có. Việc này không chỉ giúp nâng cao hiệu quả bảo vệ mà còn đáp ứng nhu cầu ngày càng cao trong ngành viễn thông.

5.2. Hướng phát triển công nghệ bảo vệ chống sét

Công nghệ bảo vệ chống sét cần được phát triển để đáp ứng các thách thức mới trong ngành viễn thông. Việc áp dụng công nghệ mới và cải tiến thiết kế sẽ giúp nâng cao hiệu quả bảo vệ và giảm thiểu thiệt hại do sét gây ra.

Nội dung chính

Tổng quan nghiên cứu

Việt Nam nằm trọn trong tâm dông châu Á – một trong ba tâm dông có cường độ hoạt động điện khí quyển mạnh nhất thế giới. Trung bình mỗi năm, lãnh thổ Việt Nam ghi nhận khoảng 2 triệu cú sét đánh xuống đất, với số ngày dông trung bình xấp xỉ 100 ngày/năm và tổng thời lượng dông đạt khoảng 250 giờ/năm. Mật độ dông sét có sự phân hóa cục bộ rõ rệt theo địa hình, dao động từ 55 giờ/năm tại khu vực Cam Ranh cho đến 489 giờ/năm tại vùng miền núi A Lưới (Thừa Thiên Huế). Theo số liệu thống kê của Viện Vật lý Địa cầu, trong vòng 10 năm đã ghi nhận hơn 820 vụ sét đánh gây thiệt hại nghiêm trọng về kinh tế, làm hư hỏng hạ tầng và gián đoạn cục bộ mạng lưới bưu chính viễn thông quốc gia.

Vấn đề nghiên cứu trọng tâm xuất phát từ thực tế bảo vệ chống sét tại Việt Nam: đa phần các công trình chỉ tập trung vào hệ thống chống sét đánh thẳng mà xem nhẹ việc triệt tiêu xung sét lan truyền trên đường dây thông tin kim loại. Các thiết bị viễn thông, tổng đài và modem kết nối qua đôi dây cáp đồng xoắn rất dễ bị đánh thủng cách điện bởi các xung quá điện áp lan truyền. Hơn nữa, việc đo thử thực tế tại các phòng thí nghiệm trong nước gặp nhiều rào cản do thiếu thốn máy phát xung chuẩn và thông số kỹ thuật nội bộ bị bảo mật bởi các nhà sản xuất quốc tế.

Mục tiêu cụ thể của công trình là nghiên cứu các tiêu chuẩn viễn thông quốc tế, xây dựng mô hình toán học và thuật toán mô phỏng các máy phát xung điện áp sét (1.2/50 µs, 10/700 µs), máy phát xung dòng sét (8/20 µs), đồng thời thiết lập mô hình mô phỏng chi tiết các linh kiện bảo vệ (GDT, TVS Zener Diode) và các tổ hợp thiết bị chống sét thương mại (UTB, SLP) trên nền tảng phần mềm MATLAB/Simulink. Phạm vi nghiên cứu tập trung vào dải tần số thoại và tín hiệu số của mạng viễn thông cố định PSTN. Đóng góp nổi bật của luận văn là cung cấp bộ công cụ mô phỏng số có độ chính xác cao với sai số phần tử GDT dưới 1% và sai số thiết bị tích hợp dưới 7%, mở ra phương pháp kiểm định số tin cậy cho các kỹ sư và nhà nghiên cứu trong điều kiện không thể thử nghiệm xung sét thực địa.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Khung lý thuyết áp dụng

Nghiên cứu được xây dựng trên nền tảng lý thuyết quá độ mạch điện phi tuyến RLC, lý thuyết phóng điện hồ quang trong chất khí và các mô hình toán học về hành vi linh kiện bán dẫn dưới tác động của xung đột biến điện áp cao. Cụ thể, đề tài vận dụng và cải tiến lý thuyết mô hình hóa ống phóng điện khí của Larsson trên công cụ ATP-EMTP kết hợp mô hình SPICE của Kraft, giải quyết bài toán phóng điện qua phương trình Toepler về điện trở hồ quang phụ thuộc thời gian.

Hệ thống khái niệm kỹ thuật cốt lõi bao gồm:

• Ống phóng điện khí (Gas Discharge Tube - GDT): Phần tử bảo vệ sơ cấp có khả năng triệt tiêu dòng xung sét lớn từ 10 kA đến 20 kA (dạng sóng 8/20 µs), điện áp đánh thủng tĩnh từ 75 V đến 300 V, điện trở cách điện lớn hơn 100 MΩ nhưng có thời gian đáp ứng trễ hàng trăm nano giây.
• Diode triệt xung điện áp quá độ (Transient Voltage Suppression - TVS Zener Diode): Phần tử bảo vệ thứ cấp phản ứng cực nhanh trong dải nano giây, ghim mức điện áp dư ở ngưỡng an toàn nhưng khả năng chịu dòng giới hạn dưới 5 kA.
• Cấu trúc bảo vệ đa tầng phối hợp: Mạch tích hợp tầng 1 (GDT) và tầng 2 (TVS Zener Diode) thông qua điện trở hạn dòng phân cách nhằm đảm bảo GDT phóng điện dập tắt phần lớn năng lượng sét trước khi Zener ghim giữ điện áp ngõ ra cho thiết bị tải.

Khung tiêu chuẩn kỹ thuật áp dụng bao gồm hệ thống tiêu chuẩn Bắc Mỹ (TIA-968-A/B, Telcordia GR-1089-CORE, UL 60950) và tiêu chuẩn quốc tế viễn thông ITU-T K.20 (cho thiết bị tổng đài), ITU-T K.21 (cho thiết bị thuê bao), kết hợp Quy phạm chống sét công trình viễn thông TCN-174:1998 của ngành Bưu điện. Theo đó, thiết bị bảo vệ phải đảm bảo khả năng chịu dòng xung tối thiểu 5 kA (8/20 µs), thời gian đáp ứng dưới 5 ns ở độ dốc xung 2 kV/ns, suy hao xen vào dưới 0.5 dB và điện áp bảo vệ Up dưới 480 V.

Phương pháp nghiên cứu

Nghiên cứu sử dụng nguồn dữ liệu kỹ thuật thực nghiệm từ các hãng sản xuất thiết bị bảo vệ chống sét hàng đầu thế giới (CRITEC, Vishay, Crydom) kết hợp các tiêu chuẩn dạng sóng chuẩn quốc tế. Cỡ mẫu nghiên cứu bao gồm 6 cấu hình thiết bị chống sét viễn thông tiêu biểu: UTB-TA (đơn tầng cho đường thoại), UTB-SA (đa tầng cho đường modem), SLP1K2 (đa tầng cho 1 đôi dây phiến Krone), SLP10-K1F (đơn tầng cho 10 đôi dây phiến Krone), SLP1RJ11 (đơn tầng jack RJ11) và SLP1RJ11A (đa tầng jack RJ11), cùng 4 mẫu TVS Zener Diode công suất cao (P4KE20, P4KE30, BZY91C39, BZY91C68).

Phương pháp chọn mẫu có chủ đích được áp dụng nhằm bao phủ toàn diện các phương thức đấu nối thông dụng (vặn vít, gài phiến Krone, cắm chuẩn RJ11) và các cấu trúc mạch bảo vệ từ đơn giản đến phức tạp.

Lý do lựa chọn phương pháp phân tích mô hình hóa số trên MATLAB/Simulink:

• Kỹ thuật mô phỏng khối chức năng (SimPowerSystems kết hợp Simulink Blockset) cho phép mô tả chính xác tính chất phi tuyến của hồ quang và tiếp giáp P-N bán dẫn.
• Khắc phục hiện tượng không hội tụ và vòng lặp đại số (algebraic loops) thông qua việc chuyển đổi tín hiệu đo lường liên tục sang tín hiệu rời rạc bằng hàm truyền Transfer Fcn với chu kỳ lấy mẫu 0.1 µs.
• Dễ dàng đóng gói thông số thông qua công cụ Mask Editor, tạo giao diện trực quan cho phép tùy biến điện áp đánh thủng và thời gian trễ của hồ quang.

Quy trình nghiên cứu được triển khai chặt chẽ theo timeline: Thu thập và chuẩn hóa thông số tiêu chuẩn; Thiết lập giải thuật toán học cho các mạch phát xung RLC; Lập trình mô hình phần tử phi tuyến; Tiến hành mô phỏng đáp ứng quá độ; So sánh, đối soát kết quả mô phỏng với dữ liệu thực nghiệm catalogue để tối ưu hóa sai số.

Kết quả nghiên cứu và thảo luận

Những phát hiện chính

Quá trình mô phỏng và kiểm chứng thực nghiệm trên môi trường MATLAB/Simulink đã mang lại các kết quả định lượng cụ thể:

Thứ nhất, mô hình máy phát xung sét tiêu chuẩn tái tạo chính xác tuyệt đối các dạng sóng thử nghiệm viễn thông. Mạch phát xung dòng 8/20 µs với các thông số tính toán C1 = 25 µF, L1 = 2 µH, R1 = 0.6 Ω tạo ra dòng đỉnh 3 kA với sai số thời gian đầu sóng T1 và thời gian đuôi sóng T2 hoàn toàn nằm trong dung sai tiêu chuẩn 10%. Mạch phát xung áp 1.2/50 µs và 10/700 µs (điện áp đỉnh 5 kV) đáp ứng nghiêm ngặt dung sai biên độ 3% và dung sai thời gian đầu sóng 30%.

Thứ hai, mô hình ống phóng điện khí GDT đề xuất đạt độ tương thích cực cao với sai số biên độ điện áp đánh thủng thấp hơn 1% so với dữ liệu kiểm định của nhà sản xuất. Mô hình đã mô phỏng trung thực thời gian trễ đánh thủng từ 10 µs đến 100 µs tùy thuộc vào tốc độ tăng áp dV/dt, cùng mức sụt áp hồ quang ổn định từ 10 V đến 25 V với điện trở hồ quang nội tại Ron = 2 mΩ và điện trở rò trạng thái ngắt Rs = 100 MΩ.

Thứ ba, mô hình TVS Zener Diode của hai hãng Vishay và Crydom thể hiện khả năng ghim áp chính xác với độ lệch điện áp ổn áp thấp hơn 4% khi chịu tác động của xung áp đột biến 5 kV (10/700 µs), phản ánh đúng tốc độ đáp ứng tức thời trong dải vài nano giây của cấu trúc bán dẫn silicon.

Thứ tư, mô hình hóa các thiết bị chống sét thương mại tích hợp đạt độ tin cậy vượt trội:

• Thiết bị chống sét đường thoại UTB-TA và đường modem UTB-SA đạt sai số điện áp dư ngõ ra thấp hơn 7% dưới tác động của xung dòng 3 kA (8/20 µs).
• Thiết bị chống sét phiến Krone SLP10-K1F và thiết bị đầu cuối SLP1RJ11 đạt sai số điện áp dư thấp hơn 4% khi thử nghiệm với xung áp 5 kV (10/700 µs). Toàn bộ các mô hình đa tầng đều duy trì điện áp dư Up thấp hơn ngưỡng giới hạn an toàn 480 V.

Thảo luận kết quả

Nguyên nhân tạo nên độ chính xác cao của mô hình bắt nguồn từ việc kết hợp linh hoạt giữa khối đóng cắt Breaker điều khiển ngoài và khối trễ thời gian Unit Delay trong Simulink. Khi điện áp vượt ngưỡng Vbreak, tín hiệu logic được kích hoạt sau một khoảng thời gian trễ td được xác định theo công thức nội suy thực nghiệm. Cơ chế này phản ánh bản chất vật lý của sự ion hóa chất khí trong khe hở GDT dưới tác động của độ dốc xung sét.

So sánh với mô hình của Kraft trên SPICE vốn thường xảy ra lỗi mất ổn định số khi điện trở hồ quang giảm sâu, hoặc mô hình Larsson trên ATP-EMTP đòi hỏi cấu hình ngôn ngữ MODELS phức tạp, giải pháp đề xuất trên MATLAB có tính tương thích cao hơn, không xuất hiện hiện tượng dao động ký sinh và cho phép tùy biến giao diện trực quan cho người sử dụng.

Khi phân tích cơ chế phối hợp trong các mạch bảo vệ đa tầng (như UTB-SA và SLP1RJ11A), vai trò của điện trở phân cách R được chứng minh là yếu tố sống còn. Dưới tác động của xung sét có sườn trước dốc, dòng điện đi qua R tạo ra một độ sụt áp đủ lớn để kích hoạt GDT ở tầng sơ cấp đánh thủng trước, dẫn chuyển khoảng 90% đến 95% tổng năng lượng dòng sét xuống hệ thống tiếp địa. Tầng thứ cấp TVS Zener Diode chỉ phải hấp thụ phần năng lượng dư thừa còn lại và thực hiện nhiệm vụ ghim chặt mức điện áp đỉnh ngõ ra về dưới 40 V, bảo vệ an toàn cho cổng vi mạch bán dẫn của modem hoặc tổng đài.

Dữ liệu mô phỏng được trình bày trực quan qua hệ thống biểu đồ dạng sóng điện áp và dòng điện theo trục thời gian (từ 0 đến 1000 µs), kết hợp bảng đối chiếu chi tiết giữa điện áp đỉnh thực nghiệm và điện áp mô phỏng, thể hiện rõ ràng biên độ điện áp dư tại từng thời điểm quá độ.

Đề xuất và khuyến nghị

Nhằm tối ưu hóa hiệu quả bảo vệ hệ thống thông tin liên lạc trước hiểm họa dông sét, các giải pháp kỹ thuật cụ thể được khuyến nghị triển khai:

Thứ nhất, chuẩn hóa việc sử dụng thiết bị chống sét đa tầng tại các điểm đầu vào tòa nhà và trạm viễn thông.

• Hành động: Thay thế toàn bộ các module chống sét chỉ dùng khe hở phóng điện đơn thuần bằng thiết bị tích hợp đa tầng GDT kết hợp TVS Zener Diode qua điện trở phối hợp.
• Target metric: Đảm bảo điện áp dư Up ngõ ra nhỏ hơn 480 V với xung dòng 3 kA (8/20 µs), suy hao xen vào dưới 0.5 dB trong dải tần làm việc, khả năng chịu dòng xung cực đại đạt tối thiểu 20 kA.
• Timeline: Triển khai hoàn tất trong vòng 6 tháng tại các trung tâm chuyển mạch trọng yếu.
• Chủ thể thực hiện: Các nhà cung cấp dịch vụ mạng viễn thông (VNPT, Viettel, MobiFone, FPT Telecom) và các đơn vị quản lý hạ tầng tòa nhà thông minh.

Thứ hai, ứng dụng công cụ mô phỏng số MATLAB/Simulink vào quy trình tiền kiểm toán kỹ thuật chống sét.

• Hành động: Đưa bộ công cụ mô phỏng máy phát xung và mô hình thiết bị vào quy trình đánh giá chất lượng thiết bị trước khi nhập khẩu hoặc lắp đặt trên diện rộng.
• Target metric: Giảm thiểu 60% chi phí thử nghiệm phá hủy tại phòng lab, rút ngắn 40% thời gian thẩm định kỹ thuật theo chuẩn ITU-T K.20/K.21 và TIA-968-A/B.
• Timeline: Ban hành quy chuẩn thử nghiệm mô phỏng định kỳ hàng quý.
• Chủ thể thực hiện: Các viện nghiên cứu viễn thông, trung tâm kiểm định đo lường chất lượng và phòng kỹ thuật của các doanh nghiệp bưu chính viễn thông.

Thứ ba, phân vùng bảo vệ và lựa chọn thiết bị phù hợp với mức độ lộ thiên của tuyến cáp.

• Hành động: Lắp đặt thiết bị bảo vệ đa tầng SLP10-K1F/SLP1RJ11A tại các tuyến cáp treo ngoài trời có mật độ dông sét trên 300 giờ/năm; sử dụng thiết bị bảo vệ đơn tầng UTB-TA/SLP1K2 cho các tuyến cáp ngầm nội bộ có mức lộ thiên thấp để tiết kiệm kinh phí.
• Target metric: Đạt độ bền chịu đựng trên 400 lần phóng xung liên tục với dạng sóng 10/1000 µs biên độ 500 A mà không làm suy giảm chất lượng truyền dẫn.
• Timeline: Triển khai cuốn chiếu trong giai đoạn từ 6 đến 12 tháng.
• Chủ thể thực hiện: Đội ngũ kỹ sư thiết kế mạng truyền dẫn và cán bộ kỹ thuật vận hành mạng ngoại vi.

Thứ tư, hoàn thiện hệ thống tiếp địa và liên kết đẳng thế viễn thông.

• Hành động: Nối tắt vỏ kim loại của thiết bị chống sét (chân tiếp địa của phiến Krone và vỏ kim loại jack RJ11) trực tiếp vào thanh đồng tiếp địa chính với khoảng cách cáp nối đất ngắn nhất có thể.
• Target metric: Duy trì điện trở nối đất xung sét của trạm viễn thông dưới 4 Ω, loại bỏ hoàn toàn hiện tượng quá điện áp ngược do chênh lệch điện thế đất.
• Timeline: Thực hiện kiểm tra, bảo trì định kỳ 6 tháng một lần trước mùa mưa dông.
• Chủ thể thực hiện: Cán bộ quản lý an toàn điện và kỹ sư bảo dưỡng hạ tầng trạm viễn thông.

Đối tượng nên tham khảo luận văn

Tài liệu luận văn mang lại giá trị học thuật và ứng dụng thực tiễn chuyên sâu cho bốn nhóm đối tượng chính:

Nhóm 1: Kỹ sư thiết kế và vận hành hệ thống viễn thông, mạng dữ liệu

• Lợi ích: Nắm vững phương pháp phối hợp tầng bảo vệ sơ cấp và thứ cấp theo các tiêu chuẩn ITU-T K.20, K.21 và GR 1089.
• Use case: Tính toán lựa chọn các dòng thiết bị chống sét (UTB-TA, UTB-SA, SLP10-K1F, SLP1RJ11) phù hợp cho tổng đài nội bộ PBX, trạm phát sóng BTS và modem thuê bao, giúp giảm thiểu trên 95% nguy cơ cháy hỏng bo mạch giao tiếp trong mùa dông sét.

Nhóm 2: Giảng viên, nghiên cứu sinh và học viên cao học chuyên ngành Kỹ thuật điện, Kỹ thuật Viễn thông

• Lợi ích: Tiếp cận phương pháp luận xây dựng mô hình toán học và giải thuật mô phỏng các phần tử phi tuyến (GDT, Diode Zener) trên nền tảng MATLAB/Simulink.
• Use case: Sử dụng trực tiếp cấu trúc các khối máy phát xung sét chuẩn (1.2/50 µs, 10/700 µs, 8/20 µs) làm công cụ mô phỏng phục vụ các đề tài nghiên cứu chuyên sâu về quá độ điện từ khi không có điều kiện thực hiện thí nghiệm vật lý.

Nhóm 3: Doanh nghiệp sản xuất, thử nghiệm và phân phối thiết bị chống sét

• Lợi ích: Sở hữu công cụ số hóa giúp đối soát, đánh giá các thông số kỹ thuật điện áp dư và thời gian đáp ứng của sản phẩm với sai số kiểm định dưới 4%.
• Use case: Ứng dụng mô phỏng vào giai đoạn R&D để tối ưu hóa việc lựa chọn linh kiện GDT và Zener trước khi gửi mẫu đi thử nghiệm tại các phòng đo kiểm quốc tế.

Nhóm 4: Cán bộ quản trị hạ tầng CNTT tại các cơ quan, ngân hàng và tòa nhà thông minh

• Lợi ích: Hiểu rõ cơ chế lan truyền của quá điện áp trên đôi dây kim loại và các tiêu chí an toàn điện theo chuẩn UL 60950.
• Use case: Xây dựng giải pháp kỹ thuật tổng thể bảo vệ các đường trung kế điện thoại, đường truyền mạng số tích hợp ISDN và hệ thống giám sát an ninh tòa nhà.

Câu hỏi thường gặp

Tại sao cần phải phối hợp cả GDT và TVS Zener Diode trong một thiết bị chống sét đường thoại? Ống phóng khí GDT sở hữu khả năng tản dòng sét vượt trội lên đến 20 kA (sóng 8/20 µs) nhưng thời gian đáp ứng tương đối chậm (hàng trăm nano giây). Ngược lại, TVS Zener Diode có tốc độ tác động cực nhanh (trong dải nano giây) nhưng khả năng chịu dòng chỉ đạt tối đa 5 kA. Việc phối hợp hai linh kiện qua điện trở hạn dòng giúp GDT gánh phần lớn năng lượng sét, trong khi Zener ghim giữ điện áp dư ngõ ra ở mức an toàn dưới 480 V cho thiết bị viễn thông.

Mô hình mô phỏng trên MATLAB/Simulink trong luận văn đạt độ chính xác như thế nào so với số liệu của nhà sản xuất? Các mô hình xây dựng đạt độ tin cậy rất cao khi đối chiếu với dữ liệu kiểm định thực tế. Cụ thể, mô hình phần tử GDT có sai số điện áp phóng điện thấp hơn 1.0%, mô hình TVS Zener Diode có sai số thấp hơn 4.0%. Ở cấp độ thiết bị hoàn chỉnh, thiết bị UTB-TA/SA đạt sai số điện áp dư dưới 7.0% và thiết bị phiến Krone SLP10K1F đạt sai số dưới 4.0% khi thử nghiệm với xung áp 5 kV (10/700 µs).

Sự khác biệt căn bản giữa hai tiêu chuẩn ITU-T K.20 và ITU-T K.21 là gì? Tiêu chuẩn ITU-T K.20 quy định các yêu cầu kỹ thuật chống sét cho các thiết bị lắp đặt trực tiếp tại trung tâm viễn thông và trạm chuyển mạch tổng đài với mức xung thử nghiệm lên tới 6 kV. Trong khi đó, tiêu chuẩn ITU-T K.21 áp dụng cho các thiết bị viễn thông lắp đặt tại phía người sử dụng và thuê bao cuối, yêu cầu kiểm tra quá áp từ 1.5 kV đến 6 kV nhằm đảm bảo thiết bị hoạt động an toàn theo Tiêu chí A (không hư hỏng sau thử nghiệm).

Tại sao có thể bỏ qua điện dung C1 và điện cảm L1 trong mô hình ống phóng khí đề xuất? Trong thực tế chế tạo, khe hở của ống phóng khí GDT có điện dung ký sinh rất nhỏ (chỉ khoảng 2 pF đến 3 pF) và điện cảm phân bố của dây dẫn chỉ xấp xỉ 1 nH/mm. Các giá trị này hầu như không ảnh hưởng đến dạng sóng quá độ ở dải tần số thoại. Việc giản lược hai thông số này giúp mô hình trong MATLAB tối ưu hóa tốc độ tính toán, triệt tiêu các vòng lặp đại số mà vẫn đảm bảo độ chính xác sai số dưới 1.0%.

Nên chọn thiết bị chống sét đơn tầng hay đa tầng cho hệ thống mạng điện thoại nội bộ? Đối với các tuyến cáp ngầm nội bộ được che chắn tốt hoặc khu vực có mật độ sét thấp, có thể sử dụng thiết bị đơn tầng (như UTB-TA, SLP10-K1F) để tối ưu hóa chi phí đầu tư. Tuy nhiên, đối với các đường dây thuê bao kéo dài ngoài trời, kết nối modem dữ liệu tốc độ cao hoặc các khu vực thường xuyên xảy ra dông sét, bắt buộc phải lựa chọn thiết bị đa tầng (như UTB-SA, SLP1RJ11A) để đảm bảo triệt tiêu xung sét toàn diện.

Kết luận

Công trình nghiên cứu đã hoàn thành xuất sắc các mục tiêu đề ra với những đóng góp khoa học và thực tiễn nổi bật:

• Hệ thống hóa toàn diện cơ sở lý thuyết và các bộ tiêu chuẩn quốc tế nghiêm ngặt về chống sét viễn thông bao gồm TIA-968-A/B, Telcordia GR 1089, UL 60950, ITU-T K.20/K.21 và TCN-174:1998.
• Xây dựng thành công bộ máy phát xung sét chuẩn trong môi trường MATLAB/Simulink gồm xung dòng 8/20 µs (3 kA) và xung áp 1.2/50 µs, 10/700 µs (5 kV) với độ chính xác dạng sóng tuyệt đối.
• Thiết lập mô hình phần tử phi tuyến GDT (sai số dưới 1.0%) và TVS Zener Diode (sai số dưới 4.0%), khắc phục triệt để các hạn chế về mất ổn định số của các mô hình SPICE truyền thống.
• Mô phỏng hoàn chỉnh các dòng thiết bị bảo vệ thương mại phổ biến (UTB, SLP) với sai số điện áp dư ngõ ra so với thực nghiệm dưới 7.0%, kiểm chứng khả năng ghim áp an toàn dưới ngưỡng 480 V.
• Đề xuất giải pháp phối hợp bảo vệ phân tầng đồng bộ, góp phần giải quyết bài toán thiếu hụt thiết bị đo kiểm xung sét cao áp tại các cơ sở nghiên cứu trong nước.

Đóng góp then chốt của luận văn là cung cấp một bộ công cụ mô phỏng số hóa tin cậy, hỗ trợ đắc lực cho công tác nghiên cứu, đào tạo và thẩm định kỹ thuật an toàn viễn thông. Trong giai đoạn tiếp theo, hướng phát triển của đề tài sẽ tập trung mở rộng mô hình hóa cho các đường truyền dữ liệu băng thông cao (VDSL2, mạng cáp Ethernet Gigabit) và tích hợp các thuật toán tối ưu hóa tự động sơ đồ bảo vệ.

Các tổ chức viễn thông, viện nghiên cứu và kỹ sư quan tâm có thể ứng dụng ngay bộ mô hình MATLAB/Simulink của luận văn để nâng cao năng lực kiểm định và tối ưu hóa hệ thống bảo vệ chống sét cho công trình của mình.

Trích đoạn nội dung tài liệu

Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan đây là công trình nghiên cứu của tôi. Các số liệu, kết quả nêu trong luận văn là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ công trình nào khác Tp. Hồ Chí Minh, ngày 05 tháng 10 năm 2017 (Ký tên và ghi rõ họ tên) Nguyễn Văn Quang ii Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LỜI CẢM ƠN Điều trước tiên, tôi xin tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến PGS.TS Quyền Huy Ánh, người Thầy đã tận tình trực tiếp hướng dẫn, cung cấp những tài liệu vô cùng quí giá và dìu dắt tôi thực hiện hoàn thành luận văn tốt nghiệp này. Xin chân thành cám ơn đến tất cả Quí Thầy, Cô đã giảng dạy, trang bị cho tôi những kiến thức rất bổ ích và quí báu trong suốt quá trình học tập cũng như nghiên cứu sau này.

Xin cảm ơn Gia đình đã tạo mọi điều kiện để tôi yên tâm học tập tốt trong suốt thời gian vừa qua. Xin cảm ơn Ban giám hiệu, quí thầy cô cùng các bạn đã động viên, tạo điều kiện thuận lợi và hỗ trợ cho tôi rất nhiều trong quá trình học tập, công tác cũng như trong suốt thời gian thực hiện luận văn. Xin cảm ơn các Anh Chị em học viên cao học khóa (2016 - 2018), những người luôn dành những tình cảm sâu sắc nhất, luôn bên cạnh, động viên và khuyến khích tôi vượt qua những khó khăn trong suốt quá trình thực hiện luận văn này.Hồ Chí Minh, tháng 10 năm 2017 Người thực hiện Nguyễn Văng Quang iii Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh TÓM TẮT Luận văn “Mô hình hóa và mô phỏng thiết bị bảo vệ chống sét lan truyền trên đường điện thoại” đi sâu vào nghiên cứu và lập mô hình các máy phát xung áp sét dạng sóng 1.2/50us, 10/700us, và xung dòng sét dạng sóng 8/20us phù hợp với các tiêu chuẩn viễn thông; mô hình các phần tử bảo vệ được sử dụng trong thiết bị chống sét lan truyền trên đường điện thoại như: GDT, TVS Zener Diode, và mô hình các thiết bị bảo vệ như: UTB, SLP. Mức tương thích của các mô hình so với nguyên mẫu, được kiểm nghiệm bằng cách phân tích kết quả mô phỏng với các số liệu thử nghiệm được cung cấp bởi các nhà sản xuất.

Độ chính xác của mô hình các phần tử bảo vệ: GDT thấp hơn 1%, TVS Zener Diode thấp hơn 4%, và của mô hình thiết bị bảo vệ: UTB thấp hơn 7%, SLP1RJ thấp hơn 4%. Luận văn cũng phân tích và có các nhận xét cụ thể về hiệu quả bảo vệ chống sét của từng mô hình cụ thể trên đường thoại. Luận văn cung cấp công cụ mô hình hoá và mô phỏng hữu ích trong môi trường Matlab cho các nhà nghiên cứu, các NCS, và các học viên cao học ngành Kỹ thuật điện trong việc nghiên cứu các hành vi và đáp ứng của thiết bị chống sét lan truyền trên đường thoại dưới tác động của xung sét lan truyền trong điều kiện không thể đo thử thực tế. iv Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh ABSTRACT Thesis "Modeling and simulation equipment protection against lightning spreading over the telephone line" going into the study and modeling of the pulse generator voltage lightning waveforms 1.2 / 50us, 10 / 700us, and lightning current pulse waveform 8 / 20us accordance with telecommunications standards; model protection elements used in lightning protection devices spread over the phone line like: GDT, TVS Zener Diode, and models of protective equipment such as: UTB, SLP.

Compatibility level of the model than the prototype, tested by analyzing the simulation results with the experimental data provided by the manufacturers. The accuracy of the model elements of protection: GDT lower than 1%, TVS Zener Diode 4% lower, and the protective device model: UTB lower than 7%, 4% lower SLP1RJ. Thesis also analyzes and specific comments on the effectiveness of lightning protection each specific model on the phone line. Thesis provides tools to model and simulate useful in Matlab environment for the researchers, PhD student, and graduate students in Electrical Engineering in the study of the behavior and response of the equipment Surge protection on telephone lines under the impact of surge propagation conditions can not practical test.

v Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh MỤC LỤC Trang LÝ LỊCH KHOA HỌC. i LỜI CAM ĐOAN. ii LỜI CẢM ƠN. iv MỤC LỤC.

vi DANH SÁCH HÌNH. ix DANH SÁCH BẢNG. xi DANH SÁCH CHỮ VIẾT TẮT. xii Chương: 1.

Tổng quan và tính cấp thiết của đề tài. Mục tiêu và nhiện vụ của luận văn. Phạm vi nghiên cứu. Các bước tiến hành.

Điểm mới của luận văn. Giá trị thực tiễn của đề tài. Nội dung của luận văn .5 CÁC TIÊU CHUẨN CHỐNG SÉT TRÊN ĐƯỜNG THOẠI. Tiêu chuẩn TIA-968-A, TIA-968-B.

Tiêu chuẩn GR 1089. Tiêu chuẩn ITU-T K. Tiêu chuẩn UL 60950 .13 MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG CHUẨN. Các dạng xung sét tiêu chuẩn.13 vi Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh 3.

Các thông số của xung áp sét tiêu chuẩn. Các thông số của xung dòng sét tiêu chuẩn. Mô hình máy phát xung sét. Mô hình máy phát xung dòng.

Mô hình máy phát xung áp. Mô phỏng các dạng xung sét tiêu chuẩn. Máy phát xung dòng 8/20 us và dạng sóng mô phỏng.2/50 us và dạng sóng mô phỏng. Máy phát xung áp 10/700us và dạng sóng mô phỏng .24 THIẾT BỊ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN TRÊN ĐƯỜNG DÂY THOẠI.

Cấu tạo và nguyên lý làm việc. Thiết bị chống sét trên đường dây thoại kiểu kết nối vặn vít (UTB-TA). Thiết bị chống sét trên đường Modem kiểu kết nối vặn vít (UTB-SA) 25 4. Thiết bị chống sét cho 1 cặp dây thoại (SLP1K2) và 10 cặp dây thoại (SLP10-K1F) kiểu kết nối giá Krone .Thiết bị chống sét cho đường dây thoại kiểu kết nối RJ11.

Yêu cầu kỹ thuật và điều kiện lựa chọn .Yêu cầu kỹ thuật. Điều kiện lựa chọn .30 XÂY DỰNG MÔ HÌNH THIẾT BỊ CHỐNG SÉT TRÊN ĐƯỜNG THOẠI. Mô hình ống phóng điện khí GDT. Tổng quan về ống phóng điện khí.

Các loại mô hình ống phóng khí. Mô hình TVS Zener Diode. Mô hình thiết bị chống sét lan truyền trên đường thoại (UTB, SLP) .48 vii Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh 5. Giải pháp bảo vệ chống sét lan truyền trên đường thoại.

Vị trí lắp đặt thiết bị chống sét lan truyền. Chọn thiết bị cho một vị trí chỉ định.54 TÀI LIỆU THAM KHẢO. 55 viii Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh DANH SÁCH HÌNH Trang Hình 2. Sơ đồ nối dây máy phát kiểm tra thiết bị.

Dạng xung điện áp sét tiêu chuẩn. Dạng xung dòng sét tiêu chuẩn. Mô hình máy phát xung dòng sét. Sơ đồ mạch phát xung áp .Giai đoạn đầu sóng của dạng sóng áp .Thời gian toàn sóng.

Sơ đồ máy phát xung dòng 8/20us. Giao diện máy phát xung dòng 3kA 8/20us. Dạng sóng mô phỏng. Sơ đồ máy phát xung áp 5kV 1.

Giao diện máy phát xung áp 5kV 1. Dạng sóng mô phỏng máy phát xung áp 5kV 1. Sơ đồ máy phat xung áp 5kA 10/700us. Giao diện máy phát 5kv 10/700us.

Dạng sóng mô phỏng máy phát 5kv 10/700us. Cấu tạo thiết bị chống sét lan truyền trên đường dây thoại. Cấu tạo thiết bị chống sét lan truyền trên đường Modem. Cấu tạo thiết bị chống sét cho 1 cặp/10 cặp dây thoại.

Cấu tạo thiết bị chống sét cho đường dây thoại kiểu kết nối RJ11. Mặt cắt ngang của ống phóng khí. Thời gian đáp ứng của ống phóng khí. Mô hình ống phóng khí SPICE của Kraft.

Mô hình ống phóng khí bằng SPICE của Larsson. Mô hình ống phóng điện khí đề nghị. Sơ đồ khối điều khiển SC. Giao diện khối Breaker.

Sơ đồ mô phỏng phóng điện khí trong MATLAB. Giao diện Mask Editor trong MATLAB. Tạo biểu tượng cho mô hình trong MatLab. Biểu tượng ống phóng khí đơn.

Mô hình ống phóng khí đôi. Sơ đồ mạch thiết bị chống sét SLP10-K1F. Dạng sóng điện áp dư của thiết bị chống sét SLP110K1Fứng với xung ngõ vào 5kV 10/700us. Mô hình thiết bị chống sét SLP10K1F.

Dạng sóng điện áp dư của mô hình thiết bị chống sét SLP10K1F. Mặt cắt ngang của Diode Zener. 41 ix Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5. Các dạng khuôn mẫu TVS Zener Diode.

Ghép Zener Diode với 2 diode. Biểu tượng mô hình Zener Diode. Giao diện nhập thông số Zener Diode. Sơ đồ mô phỏng đáp ứng của TVS Zener Diode.

Điện áp ổn áp của P4KE30 với xung áp 5kV 10/700us. Điện áp ổn áp của P4KE20 với xung áp 5kV 10/700us. Điện áp ổn áp của BZY91C68với xung áp 5kV 10/700us. Điện áp ổn áp của BZY91C39 với xung áp 5kV 10/700us.

Sơ đồ mô phỏng đáp ứng của UTB TA 3kA 8/20us. Dạng sóng điện áp dư của UTB -TA 3kA 8/20us. Sơ đồ mô phỏng đáp ứng của UTB - SA 3kA 8/20us. Dạng sóng điện áp dư của UTB -SA 3kA 8/20us.

Dạng sóng điện áp dư của SLP1RJ11 0. Dạng sóng điện áp dư của SLP1RJ11A 0. Giải pháp chống sét tổng thể cho các đường thoại. 52 x Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh DANH SÁCH BẢNG Bảng 2.

Các dạng xung thử theo TIA-968-A, TIA-968-B. Cách kết nối các điều kiện thử nghiệm. Cách kết nối tới máy phát kiểm tra. Thông số thử nghiệm kiểm tra xung sét cấp thứ nhất.

Thông số thử nghiệm kiểm tra xung sét cấp thứ hai. Các điều kiện kiểm tra giới hạn dòng. Các thử nghiệm theo ITU-T K. Các thử nghiệm theo ITU-T K.

Các kiểm tra quá áp theo UL 60950. Thông số các phần tử trong mạch phát xung dòng sét dạng sóng 8/20us 18 Bảng 3.Thông số các phần tử trong máy phát xung áp với các dạng khác nhau. Kết quả so sánh điện áp dư của mô hình thiết bị chống sét SLP10K1F ứng với xung áp 5kV 10/700us. Thông số kỹ thuật TVS Zener Diode của Hãng Vishay.

Kết quả so sánh khi mô TVS Zener Diode của Hãng Vishay. Thông số kỹ thuật TVS Zener Diode của Hãng Crydrom. Kết quả so sánh khi mô phỏng Zener Diode của Hãng Crydom. Kết quả so sánh điện áp dư của mô hình thiết bị chống sét UTB -TA ứng với xung dòng 3kA 8/20us.

Kết quả so sánh điện áp dư của mô hình thiết bị chống sét UTB -SA ứng với xung dòng 3kA 8/20us. Kết quả so sánh điện áp dư của mô hình thiết bị chống sét SLP1RJ11ứng với xung dòng 0.