Giáo Trình Vật Liệu Bán Dẫn: Tìm Hiểu Cấu Trúc và Ứng Dụng

Giáo trình về vật liệu bán dẫn, biên soạn theo chương trình đào tạo chuẩn, hệ thống hóa kiến thức từ cơ bản đến nâng cao., phục vụ nghiên cứu và ứng dụng thực tiễn

Chuyên ngành

Vật liệu bán dẫn

Tác giả

Ẩn danh

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Giáo trình
390
65
0

Phí lưu trữ

75 Point

Mục lục chi tiết

LỜI NÓI ĐẦU

1. CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC TINH THỂ

1.1. Đối xứng tinh thể

1.1.1. Mạng tinh thể

1.1.2. Nhóm điểm tinh thể

1.1.3. Nhóm không gian (Fedorov)

1.1.4. Chỉ số Miller

1.1.5. Định luật nhiễu xạ Vuff-Bragg

1.1.6. Mạng đảo và vùng Brillouin

1.2. Liên kết trong tinh thể

1.2.1. Liên kết ion

1.2.2. Liên kết đồng hoá trị

1.2.3. Liên kết kim loại

1.2.4. Liên kết Van Der Waals

1.3. Sai hỏng trong tinh thể

1.3.1. Sai hỏng điểm

1.3.2. Sai hỏng đường

1.3.3. Sai hỏng khối

1.4. Bài tập chương 1

2. CHƯƠNG 2: NHỮNG KHÁI NIỆM, TÍNH CHẤT, ĐẶC TRƯNG CƠ BẢN CỦA VẬT LIỆU BÁN DẪN

2.1. Cấu trúc vùng năng lượng

2.2. Nồng độ hạt dẫn cân bằng

2.2.1. Bán dẫn tinh khiết (bán dẫn riêng)

2.2.2. Bán dẫn một loại tạp donor

2.2.3. Bán dẫn một loại tạp acceptor

2.2.4. Bán dẫn chứa hai loại tạp chất, bán dẫn bù trừ

2.2.5. Bán dẫn suy biến

2.3. Độ dẫn nhiệt và các hiệu ứng nhiệt điện

2.4. Các hiệu ứng Ganvanic - từ

2.5. Bán dẫn không cân bằng

2.6. Những cấu trúc cơ bản trong linh kiện bán dẫn

2.6.1. Tiếp xúc kim loại - bán dẫn

2.6.2. Chuyển tiếp p - N đồng chất

2.6.3. Chuyển tiếp p - N dị chất

2.6.4. Cấu trúc kim loại - điện môi - bán dẫn (MOS)

2.7. Tính chất quang

2.7.1. Các đặc trưng quang của vật liệu bán dẫn

2.7.2. Hấp thụ ánh sáng trong bán dẫn

2.7.3. Quá trình tái hợp

2.7.4. Hiệu ứng quang dẫn

2.8. Bài tập chương 2

3. CHƯƠNG 3: PHÂN LOẠI VẬT LIỆU BÁN DẪN

3.1. Phân loại vật liệu bán dẫn theo thành phần hoá học

3.1.1. Bán dẫn nguyên tố

3.1.2. Bán dẫn hợp chất AIIIBV

3.1.3. Bán dẫn hợp chất AIIBVI

3.1.4. Nhóm các hợp chất vô cơ khác

3.1.5. Các bán dẫn hợp chất hữu cơ

3.2. Phân loại theo thông số, tính chất vật liệu

3.3. Phân loại theo cấu trúc của vật liệu

3.4. Phân loại theo tính chất và bề rộng vùng cấm

3.5. Phân loại bán dẫn theo lĩnh vực ứng dụng

4. CHƯƠNG 4: CÔNG NGHỆ NUÔI ĐƠN TINH THỂ

4.1. Tổng quan về công nghệ chế tạo đơn tinh thể

4.1.1. Phương pháp kéo đơn tinh thể Czochralski

4.1.2. Phương pháp kết tinh định hướng Bridgman

4.1.3. Phương pháp nóng chảy vùng

4.1.4. Phương pháp nuôi đơn tinh thể từ pha hơi

4.2. Hiện tượng phân tách tạp chất. Sự phân bố tạp chất trong tinh thể

4.3. Công nghệ epitaxy

4.3.1. Phương pháp epitaxy từ pha hơi

4.3.2. Phương pháp lắng đọng hoá học pha hơi kim loại hữu cơ

4.3.3. Phương pháp epitaxy pha lỏng

4.3.4. Epitaxy bằng chùm phân tử

4.3.5. Cấu trúc màng epitaxy

4.4. Bài tập chương 4

5. CHƯƠNG 5: CÁC PHƯƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH THÔNG SỐ CỦA CHẤT BÁN DẪN

5.1. Phân loại các thông số

5.1.1. Nhóm thông số cơ bản

5.1.2. Nhóm thông số đặc trưng

5.1.3. Nhóm thông số hoá lý

5.2. Các phương pháp xác định độ dẫn điện

5.2.1. Phương pháp hai mũi dò

5.2.2. Phương pháp mũi dò di động

5.2.3. Phương pháp bốn mũi dò

5.2.4. Phương pháp Van Der Paul

5.2.5. Các phương pháp không tiếp xúc

5.3. Các phương pháp xác định nồng độ hạt dẫn và tạp chất

5.3.1. Phương pháp C-V

5.3.2. Phương pháp hiệu ứng Hall

5.3.3. Các phương pháp quang

5.4. Các phương pháp xác định độ linh động của hạt dẫn

5.4.1. Xác định độ linh động theo độ dẫn

5.4.2. Độ linh động Hall

5.4.3. Phương pháp thời gian bay đo độ linh động cuốn

5.5. Các phương pháp đo thời gian sống của hạt dẫn

5.5.1. Khái niệm thời gian sống của hạt dẫn

5.5.2. Phương pháp biến điệu độ dẫn bằng tiếp xúc điểm

5.5.3. Phương pháp đo thời gian sống theo sự suy giảm của quang dẫn

5.5.4. Đo thời gian sống bằng phương pháp so pha

5.5.5. Phương pháp mũi dò sáng di động

5.6. Bài tập chương 5

6. CHƯƠNG 6: CÁC BÁN DẪN NGUYÊN TỐ

6.1. Nguyên tố silic

6.1.1. Công nghệ chế tạo silic đơn tinh thể

6.1.2. Cấu trúc tinh thể của silic

6.1.3. Cấu trúc vùng năng lượng của silic

6.1.4. Những thông số chính của silic

6.1.5. Những đặc điểm, ứng dụng silic

6.2. Nguyên tố germani

6.2.1. Chế tạo germani đơn tinh thể

6.2.2. Cấu trúc vùng năng lượng của germani

6.2.3. Những thông số chính của germani

6.2.4. Những đặc điểm ứng dụng germani

6.3. Nguyên tố selen

6.3.1. Cấu trúc tinh thể selen

6.3.2. Cấu trúc vùng năng lượng

6.3.3. Các thông số chính của selen

6.4. Nguyên tố và cấu trúc tinh thể telua

6.4.1. Cấu trúc năng lượng của telua

6.4.2. Những thông số chính của telua

7. CHƯƠNG 7: BÁN DẪN HỢP CHẤT AIIIBV

7.1. Chế tạo và làm sạch các đơn chất

7.1.1. Chế tạo và làm sạch B

7.1.2. Làm sạch Al

7.1.3. Làm sạch In

7.1.4. Làm sạch Sb

7.2. Chế tạo các hợp chất AIIIBV

7.2.1. Công nghệ chế tạo BP

7.2.2. Công nghệ chế tạo AlP

7.2.3. Công nghệ chế tạo GaP

7.2.4. Công nghệ chế tạo InP

7.2.5. Công nghệ chế tạo AlAs

7.2.6. Công nghệ chế tạo GaAs

7.2.7. Công nghệ chế tạo InAs

7.2.8. Công nghệ chế tạo AlSb

7.2.9. Công nghệ chế tạo GaSb

7.2.10. Công nghệ chế tạo InSb

7.3. Công nghệ epitaxy hợp chất AIIIBV

7.4. Cấu trúc tinh thể của hợp chất AIIIBV

7.5. Liên kết hoá học trong bán dẫn hợp chất AIIIBV

7.6. Cấu trúc vùng năng lượng của hợp chất AIIIBV

7.7. Dung dịch rắn của các hợp chất AIIIBV

7.7.1. Các hệ dung dịch rắn dạng AIIIBV

7.7.2. Các hệ dung dịch rắn dạng AIIIBV

7.7.3. Các hệ dung dịch rắn bốn nguyên hệ AIIIxBvyCIIII

7.8. Các tính chất, đặc trưng, ứng dụng của hợp chất AIIIBV

7.8.1. Tính chất động của hợp chất AIIIBV

7.8.2. Tính chất quang của hợp chất AIIIBV

7.8.3. Những ứng dụng của vật liệu AIIIBV

8. CHƯƠNG 8: BÁN DẪN HỢP CHẤT AIIBVI

8.1. Các nguyên tố nhóm IIB và nhóm VIB

8.2. Những đặc điểm về cấu trúc tinh thể của AIIBVI

8.3. Giản đồ trạng thái các hệ hai nguyên AIIBVI

8.4. Cấu trúc tinh thể các hợp chất AIIBVI

8.5. Liên kết hoá học trong hợp chất AIIBVI

8.6. Cấu trúc vùng năng lượng của hợp chất AIIBVI

8.7. Những tính chất, đặc điểm, ứng dụng của hợp chất AIIBVI

9. CHƯƠNG 9: CÁC BÁN DẪN HỢP CHẤT VÔ CƠ KHÁC

9.1. Các bán dẫn hợp chất AIVBVI

9.2. Các bán dẫn hợp chất hai nguyên khác

9.3. Các bán dẫn hợp chất ba nguyên

10. CHƯƠNG 10: BÁN DẪN HỢP CHẤT HỮU CƠ

10.1. Cấu trúc tinh thể của bán dẫn hữu cơ

10.2. Điện tử σ định xứ và điện tử π không định xứ

10.3. Mô hình vùng năng lượng

10.4. Độ linh động của hạt dẫn

10.4.1. Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của độ linh động

10.4.2. Sự phụ thuộc vào áp suất của độ linh động

10.4.3. Độ linh động trong transistor hiệu ứng trường

10.4.4. Hiệu ứng Hall

10.5. Các cơ chế dẫn điện

10.5.1. Mô hình lý thuyết vùng

10.5.2. Mô hình chuyển tiếp đường ngầm

10.5.3. Mô hình "nhảy cóc"

10.6. Độ dẫn điện của tinh thể bán dẫn hữu cơ

10.7. Tính quang dẫn của bán dẫn hữu cơ

10.8. Quá trình phun điện tích trong polyme liên hợp - Quá trình pha tạp chất

10.9. Điện huỳnh quang, diode phát quang polyme

10.10. Những ứng dụng của bán dẫn hữu cơ

10.10.1. Ứng dụng những tính chất điện

10.10.2. Ứng dụng những tính chất quang và quang điện

10.10.3. Bán dẫn hữu cơ được sử dụng như một vật liệu tích cực của laser

11. CHƯƠNG 11: BÁN DẪN VÔ ĐỊNH HÌNH

11.1. Cấu trúc vô định hình

11.2. Cấu trúc vùng năng lượng điện tử trong chất rắn vô định hình

11.2.1. Lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng điện tử trong chuẩn tinh thể

11.2.2. Mẫu Anderson - Mott

11.2.3. Cấu trúc vùng năng lượng của bán dẫn vô định hình

11.2.4. Mẫu Mott-CFO

11.2.5. Mẫu Davis - Mott

11.2.6. Mẫu Marshall - Owen

11.3. Độ dẫn điện của bán dẫn vô định hình

11.3.1. Cơ chế dẫn điện

11.3.2. Độ dẫn gần điểm nóng chảy

11.3.3. Độ linh động cuốn

11.3.4. Độ dẫn trong trường biến thiên của bán dẫn vô định hình

11.3.5. Hiệu ứng đảo và hiệu ứng nhớ trong màng mỏng bán dẫn vô định hình

11.4. Tính chất quang của bán dẫn vô định hình

11.4.1. Độ quang dẫn và hiệu suất lượng tử

11.4.2. Dạng phổ hấp thụ ở gần bờ hấp thụ cơ bản

11.5. Một số bán dẫn vô định hình thông dụng

11.5.1. Silic vô định hình

11.5.2. Các thuỷ tinh chalcogenua

11.5.3. Selen vô định hình

11.5.4. Bán dẫn vô định hình sử dụng trong kỹ thuật chụp ảnh tĩnh điện

11.6. Những ứng dụng quan trọng của bán dẫn vô định hình

11.6.1. Pin mặt trời silic vô định hình a-Si:H

11.6.2. Hiển thị bản phẳng dùng linh kiện bán dẫn vô định hình

11.6.3. Diode phát quang vô định hình và vi tinh thể carbua silic

12. CHƯƠNG 12: BÁN DẪN THẤP CHIỀU

12.1. Bài toán điện tử trong giếng thế năng một chiều với vách cao vô cực

12.2. Những khái niệm, tính chất, đặc trưng của vật liệu bán dẫn thấp chiều

12.3. Tổng quan về các cấu trúc bán dẫn hai chiều

12.3.1. Cấu trúc MOS

12.3.2. Cấu trúc chuyển tiếp dị chất

12.3.3. Cấu trúc chuyển tiếp dị chất kép

12.3.4. Cấu trúc giếng lượng tử liên kết

12.3.5. Siêu mạng với cấu trúc chuyển tiếp dị chất

12.3.6. Các lớp delta và siêu mạng nipi

12.3.7. Siêu mạng các lớp co giãn

12.3.8. Siêu mạng bán dẫn vô định hình

12.4. Những đặc điểm, ứng dụng cấu trúc bán dẫn hai chiều

12.4.1. Laser giếng lượng tử hay laser chuyển tiếp dị chất kép

12.4.2. Điều biến quang dạng giếng lượng tử với cấu trúc chuyển tiếp dị chất kép

12.4.3. Photodetector có cấu trúc nipi

12.4.4. Transistor hiệu ứng trường pha tạp điều biến

12.4.5. Transistor đường ngầm cộng hưởng

12.5. Chấm lượng tử và triển vọng ứng dụng

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng quan về Giáo Trình Vật Liệu Bán Dẫn và Ứng Dụng

Giáo trình Vật liệu bán dẫn cung cấp kiến thức cơ bản về cấu trúc, tính chất và ứng dụng của vật liệu này trong công nghệ hiện đại. Vật liệu bán dẫn đóng vai trò quan trọng trong ngành điện tử, từ các linh kiện đơn giản đến các thiết bị phức tạp. Việc hiểu rõ về vật liệu bán dẫn giúp các kỹ sư và nhà nghiên cứu phát triển các sản phẩm công nghệ tiên tiến.

1.1. Khái niệm cơ bản về vật liệu bán dẫn

Vật liệu bán dẫn là những chất có điện trở suất nằm giữa kim loại và điện môi. Chúng có khả năng dẫn điện tốt hơn khi có tạp chất hoặc khi nhiệt độ tăng. Đặc điểm này làm cho vật liệu bán dẫn trở thành nền tảng cho các thiết bị điện tử.

1.2. Lịch sử phát triển vật liệu bán dẫn

Từ những năm 1874, vật liệu bán dẫn đã được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi. Sự phát triển của công nghệ bán dẫn đã dẫn đến những bước tiến lớn trong ngành điện tử, từ transistor đến vi mạch.

II. Những thách thức trong nghiên cứu vật liệu bán dẫn

Nghiên cứu vật liệu bán dẫn gặp nhiều thách thức, từ việc xác định cấu trúc tinh thể đến việc kiểm soát các tính chất điện và quang. Những thách thức này đòi hỏi các nhà nghiên cứu phải có kiến thức sâu rộng và kỹ năng thực nghiệm tốt.

2.1. Vấn đề xác định cấu trúc tinh thể

Cấu trúc tinh thể của vật liệu bán dẫn ảnh hưởng lớn đến tính chất điện của chúng. Việc xác định chính xác cấu trúc này là một trong những thách thức lớn trong nghiên cứu vật liệu.

2.2. Kiểm soát tính chất điện và quang

Tính chất điện và quang của vật liệu bán dẫn phụ thuộc vào nhiều yếu tố như nồng độ tạp chất và nhiệt độ. Việc kiểm soát những yếu tố này là rất quan trọng để phát triển các ứng dụng hiệu quả.

III. Phương pháp nghiên cứu vật liệu bán dẫn hiệu quả

Để nghiên cứu vật liệu bán dẫn, các phương pháp hiện đại như quang phổ, nhiễu xạ và phân tích điện trở được sử dụng. Những phương pháp này giúp xác định các thông số quan trọng của vật liệu.

3.1. Phương pháp quang phổ

Quang phổ là một công cụ mạnh mẽ để nghiên cứu các tính chất quang của vật liệu bán dẫn. Nó cho phép xác định các vùng năng lượng và các đặc tính quang khác của vật liệu.

3.2. Phân tích điện trở

Phân tích điện trở giúp xác định độ dẫn điện và các thông số điện khác của vật liệu bán dẫn. Phương pháp này rất quan trọng trong việc đánh giá chất lượng của vật liệu.

IV. Ứng dụng thực tiễn của vật liệu bán dẫn trong công nghệ

Vật liệu bán dẫn được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực như điện tử, viễn thông và năng lượng. Chúng là thành phần chính trong các thiết bị như transistor, diode và pin mặt trời.

4.1. Ứng dụng trong linh kiện điện tử

Các linh kiện điện tử như transistor và diode sử dụng vật liệu bán dẫn để điều khiển dòng điện. Chúng là nền tảng cho các thiết bị điện tử hiện đại.

4.2. Ứng dụng trong năng lượng tái tạo

Vật liệu bán dẫn cũng được sử dụng trong các pin mặt trời, giúp chuyển đổi năng lượng mặt trời thành điện năng. Điều này đóng góp vào sự phát triển bền vững và bảo vệ môi trường.

V. Kết luận và tương lai của vật liệu bán dẫn

Vật liệu bán dẫn sẽ tiếp tục đóng vai trò quan trọng trong sự phát triển công nghệ trong tương lai. Nghiên cứu và phát triển vật liệu mới sẽ mở ra nhiều cơ hội mới cho ngành công nghiệp điện tử.

5.1. Xu hướng nghiên cứu vật liệu bán dẫn

Nghiên cứu vật liệu bán dẫn đang chuyển hướng sang các vật liệu mới như vật liệu nano và vật liệu hữu cơ. Những vật liệu này hứa hẹn sẽ mang lại những ứng dụng mới và hiệu quả hơn.

5.2. Tương lai của công nghệ bán dẫn

Công nghệ bán dẫn sẽ tiếp tục phát triển với sự ra đời của các thiết bị thông minh và Internet of Things (IoT). Điều này đòi hỏi các nhà nghiên cứu phải không ngừng đổi mới và sáng tạo.

Tóm tắt và mô tả trên trang này được tạo với sự hỗ trợ của AI. Nếu bạn thấy nội dung không chính xác hoặc có vấn đề, vui lòng Báo lỗi nội dung.

14/07/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1: Cấu trúc tinh thề Ví dụ: Trên hình l -4 mặt mạng có ba giao điểm với trục toạ độ cho ta m = 2, n = 3, p = 2. Vậy ta có -L -I-í =!•! =! v m _ 2 ; n _ 3 : p ~ 2 va 1 : 1:1 =3:2:3 m n p Kết quả chỉ sô' Miller của mặt mạng là (3,2,3). , , , Hình 1-4: Giải thích cách tìm chi sô' Miller Chỉ sô Miller của một phương mạng của mặt mạng. được xác định như sau: 1.

Chọn vectơ mạng ngắn nhất theo phương đó n(u, V, w) = uãi + vã 2 + wäß 2. Chỉ sô' Miller của phương mạng là [u, V, w]. Đối với các mạng trong tinh hệ lập phương, trục toạ độ trực giao ta thấy phương mạng vuông góc với mặt mạng được ký hiệu (h, k, 1) có chỉ sô' miller là [h,k,l]. Phương pháp ký hiệu dùng ba chỉ sô' Miller trên đây rất thuận tiện và có thể dùng cho mọi hệ tinh thể.

Tuy nhiên riêng đối với hệ sáu phương người ta hay dùng cách ký hiệu bốn chỉ sô' cho các mặt mạng, gọi là các chỉ sô' Miller - Bravais. Để xây dựng hệ ký hiệu bốn chỉ sô' cho mạng sáu phương ta dùng 4 trục toạ độ OXị, OX2, OX3 và OZ như biểu diễn ở hình 1-5. Cách tìm các chỉ sô' của mặt mạng cũng giống như đã trình bày trên đây và nhận được các chỉ số mặt mạng dạng (h, k, t, 1). Nếu ta dùng ba trục toạ độ Xj, x2 và z để tìm ba chi sô' miller, ví dụ (h \ k \ 1’) khi đó mối liên hệ giữa hai hệ ký hiệu sẽ là: h = ị (2h’ - k’) k = ậ (2k’ h’) Hình 1-5: Giải thích chì số Miller và chì số t = - (h + k) Miller- Bravais đôi với hệ sáu phương.

1= nl’ trong đó n là thừa số chung có thể ước lược. Trường Đại học Bách khoa Hà Nội 23 VẬT LIỆU BÁN DẪN 1. Định luật nhiễu xạ Vulf-Bragg Chúng ta biết rằng các nguyên tử trong tinh thể sắp xếp một cách có trật tự tuần hoàn, khoảng cách giữa các nguyên tử cỡ vài  nghĩa là cỡ bước sóng của tia X, của tia điện tử. Chính vì vậy tinh thể chất rắn có thể đóng vai trò như một cách tử nhiễu xạ đối với tia X và tia điện tử.

Mặt khác hiện tượng nhiễu xạ tia X và nhiễu xạ điện tử được sử dụng làm phương pháp nghiên cứu cấu trúc của chất rắn. Chúng ta tìm điều kiện nhiễu xạ tia X theo Laue, bằng cách xét sự tán xạ tia X trên hai nguyên từ ở điểm o và A cách nhau một vectơ cơ sở ã ị như ở hình 1-6. Giả sử tia tới lan truyền theo hướng vectơ ĩĩỉ (với m =1) từ các điểm IK nằm trên mặt sóng đồng pha và bị tán xạ bởi hai nguyên tử theo mọi phương. Xét tia tán xạ về phía các điểm RS theo hướng xác định bởi vectơ m' (với m ’ = 1), trong đó IAR và KOS tăng cường lẫn nhau do giao thoa, nghĩa là đáp ứng điều kiện giao thoa.

Điều kiện đó trong ví dụ ở hình 1-6 là: BO + o c = g|A, trong đó gị là một số nguyên bất kỳ. Nếu biểu diễn BO và o c dưới Hình 1-6: Tán xạ tia X trôn tinh thể. dạng tích hai vectơ ta có điều kiện giao thoa dưới dạng: - aun + aim' = ai(m- m) = g|A. Trong mạng tinh thể ba chiều, điều kiện giao thoa sẽ là: ai(m'-m) = giẰ a 2(m-m) = g2A.

ă 3(m'-m) = g3Ằ ( 1-2) trong đó gi là các số nguyên. Chúng ta gọi vectơ sóng của tia tới là K , vectơ sóng của tia tán xạ là K ', nghĩa là K=-YĨn; K'= ^ m ' (1-3) 24 Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Chương 1: Cấu trúc tinh thể Bây giờ chúng ta đưa ra một khái niệm - vectơ mạng đảo b , sao cho: ^ b .[a2 X 83]) là thể tích ô nguyên thuỷ của mạng tinh thể. Sử dụng các biểu thức (1-4) (1-5), từ điểu kiện giao thoa (1-2) ta có: ^ ( m ’ - m ) .a 3=27tg3 và rút ra được: b = ( m ’ - m ) hay là 5 = ( ^ S ’ - ^ f S ) = g, bi + g 2b 2 + g 3b 3 = K ’ - K Vậy điều kiện giao thoa Laue có thể viết dưới dạng: K ’- K = 6 hay K ’= K + 6 Vì K’ = K s u y r a ( K ’)2 = K 2 = (ĩc + b )2 Kết quả là: ( K ’)2 = b 2 + ÌC2 + 2(6. Từ các vectơ cơ sở của mạng đảo được định nghĩa bằng ( 1-6) ta có thể xây dựng ô nguyên thuỷ của mạng đảo và toàn bộ mạng đảo như một khái niệm toán học liên quan đến mạng tinh thể.

Có thể chứng minh được rằng vectơ mạng đảo b = gi bi + g 2b 2 + g 3b3 vuông góc với mặt mạng (h, k, 1) nếu: gi : g2 : g3 = h : k : 1 Nếu ký hiệu khoảng cách giữa hai mặt mạng gần nhất trong họ mặt song song (h, k, 1) là d^ị thì ta có: ^_ V trong đó bhkl là độ lớn của vectơ mạng đảo Hình 1-7: Biểu diễn điều kiện nhiễu xạ Laue bằng b = hbi + k t>2 + 1B3 hình học trong không gian mạng đảo. Chúng ta có thể biểu diễn điều kiện nhiễu xạ Laue bằng hình học trong không gian mạng đảo. Để đơn giản ta thể hiện điều này trong mạng hai chiều trình bày ở hình 1-7 theo các bước sau: 1- Dựng mạng đảo ứng với mạng tinh thể. Trong mạng đảo đó chọn một nút mạng đảo o bất kỳ và vẽ vectơ K.

2- Từ điểm đầu của vetơ K (điểm R) vẽ một mặt cầu (ở đây là đường tròn) bán kính bằng K = ^ , đây là mặt cầu Ewald. 3- Tìm những nút mạng đảo nằm trên mặt cầu, ví dụ điểm s trên hình 1-7. Vectơ RS = K ’ là vectơ sóng của tia tán xạ phù hợp điều kiện giao thoa. Vectơ o s bằng b là một vectơ mạng đảo đáp ứng điều kiện K ’= K + b Như vậy dùng hình cầu Ewald trong không gian mạng đảo có thể xác định hướng của các cực đại giao thoa.

26 Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Chương 1: Cấu trúc tinh thể Điều kiện Laue cũng có thể biểu diễn bằng cách khác sau đây: Dựng một mặt phảng trung trực của b = os (trên hình (1-7) là đường thẳng PQ). Mặt phẳng vuông góc với vectơ mạng đảo b = g , b i + g2b2 + g 3b3 chính là mặt mạng có chỉ số Miller (h, k, 1) liên hệ với g I, g2, g3 theo hệ thức: h : k : 1 = gj : g2 : g3 Gọi m là thừa sô' chung của gị, g2, g3 ta có: b = Ib I = m.bhkl Khi đó khoảng cách ngắn nhất giữa các mặt gần nhau trong họ mạt (h, k, 1) là: J— _ dhki 1 _— 12ĩĩ —_ m. 27E Q 1 hkl bhkI "■ b Xét tam giác ORS trên hình (1-7), gọi góc QRằ là 0, ta có OS = 2RS sin 0 hay b = 2Ksin0 = 2( - ÿ ) sinG b = 2 n - ^ - = 271^ = 2( ^ E)sin0 dhkl d X Kết quả cuối cùng ta có 2dsin0 = mX trong đó m là một số nguyên. Đây chính là công thức Vulf-Bragg biểu diễn điều kiện phản xạ tia X.

Mạng đảo và vùng Brillouin Để nghiên cứu hiện tượng nhiễu xạ tia X cũng như sự lan truyền của các loại sóng (sóng điện từ, sóng cơ học, sóng điện tử) trong tinh thể người ta đưa ra khái niệm mạng đảo. Theo đó mỗi mạng tinh thể (mạng thuận) với các vectơ cơ sở ã 1, ã 2, ã 3 gắn liền với một mạng đảo có các vectơ cơ sở b ị, b 2, b 3 được xác định bởi các công thức ( 1-6). = ¥ [ * 2 * ^ ] v0 b2 = v ^ ã a x ă i ] v0 b3 = ệ L [ S , x ả 2] (1-9) v0 Trường Đại học Bách khoa Hà Nội 27 VẬT LIỆU BÁN DẪN trong đó V0 = (ai.[a2x a 3]) bằng thể tích ô nguyên thuỷ của tinh thể. Ba vectơ cơ sở mạng đảo b i , b 2 , b3 tạo nên ô nguyên thuỷ của mạng đảo.

“Thể tích” ô nguyên thuỷ của mạng đảo cũng được tính theo công thức: V0‘ = (b,.[b2Xb3]) (1-10) Trong mạng đảo ta cũng xác định được các vectơ mạng đảo b = gi bi + g2b2 + g3b3 Nếu ta “tịnh tiến” ô nguyên thuỷ theo các vectơ mạng đảo 6 , ta nhận được cả mạng đảo. Mạng đảo là một khái niệm toán học được dựng nên trong không gian đảo nhưng nó cũng là những mạng Bravais và phụ thuộc vào tinh hệ của mạng thuận. Ta có thể chứng minh được các kết luận sau đây: - Mạng lập phương đơn giản cóìnạng đảo cũng là mạng lập phương đơn giản. - Mạng lập phương tâm mặt có mạng đảo là mạng lập phương tâm khối.

- Mạng sáu phương (lục giác) có mạng đảo cũng là mạng sáu phương. Vì mạng đảo cũng là những mạng Bravais cho nên nó có thể được mô tả bằng ô nguyên thuỷ hoặc ô cơ bản không phải là ô nguyên thuỷ, hằng sô' mạng trong trường hợp này phụ thuộc vào hằng sô' mạng thuận. Bây giờ chúng ta nghiên cứu một khái niệm khác được xác định trong mạng đảo có liên quan đến sự lan truyền các loại sóng trong mạng tinh thể, như một môi trường có cấu trúc tuần hoàn. Giả sử chúng ta xét dao động cơ học trong một mạng tinh thể mà các nút mạng thứ 1được xác định bởi vectơ: n i = R j = niiã J + n2jã 2 + n3iã 3 ( 1- 11) trong đó nịi, n2i, n3j là những sô' nguyên, i | , ã 2 , ã3 là ba vectơ cơ sở và giả thiết mỗi nút mạng chỉ có một nguyên tử.

Khi đó dao động của mạng tinh thể tại nguyên tử thứ i sẽ có dạng: ũ ị = ẨKexpitĩC.Ri-tOKt] ( 1- 12) trong đó K là vectơ sóng, C0K là tần sô' góc của sóng, ở đây chúng ta bỏ qua các dạng phân cực khác nhau của dao động. Bây giờ nếu thêm vào K một vectơ b thì ta có một hàm sóng mới 28 Trường Đ ại học Bách khoa Hà Nội Chương 1: c ẩ u trúc tinh thể u'i = A k expi[ (K + b ). R ị - coKt] Tuy nhiên hàm sóng mới Uj sẽ trùng hoàn toàn với hàm sóng Uj ở (1-12) nếu vectơ b thoả mãn điều kiện expi (b.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Giáo Trình Vật Liệu Bán Dẫn: Kiến Thức Cơ Bản và Ứng Dụng là một tài liệu quan trọng giúp người đọc nắm vững các khái niệm cơ bản về vật liệu bán dẫn, từ cấu trúc đến tính chất và ứng dụng thực tiễn trong công nghệ hiện đại. Tài liệu không chỉ cung cấp kiến thức lý thuyết mà còn hướng dẫn cách áp dụng vào các lĩnh vực như điện tử, quang học và năng lượng. Đặc biệt, nó giúp người đọc hiểu rõ hơn về vai trò của vật liệu bán dẫn trong các thiết bị điện tử và công nghệ thông tin.

Để mở rộng thêm kiến thức, bạn có thể tham khảo các tài liệu liên quan như Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu sắt điện không chứa chì nền bati03 và nghiên cứu tính chất điện môi áp điện của chúng, nơi bạn sẽ tìm thấy thông tin về vật liệu điện tử tiên tiến. Ngoài ra, tài liệu Luận án chế tạo khảo sát tính chất quang và cấu trúc vật liệu chứa đất hiếm dy3 và sm3 sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về các vật liệu quang học và ứng dụng của chúng. Cuối cùng, Nghiên cứu tính chất của màng mỏng insb chế tạo bằng phương pháp lắng đọng laser xung sẽ cung cấp cái nhìn sâu sắc về công nghệ chế tạo vật liệu mỏng, một lĩnh vực đang phát triển mạnh mẽ trong ngành công nghệ vật liệu.

Những tài liệu này không chỉ giúp bạn mở rộng kiến thức mà còn cung cấp những góc nhìn mới mẻ về các ứng dụng của vật liệu trong công nghệ hiện đại.