công nghệ bán dẫn

Luận văn thạc sĩ kỹ thuật điện tử nghiên cứu mô phỏng chế tạo mos cực nóng hổi

Khám phá luận văn thạc sĩ kỹ thuật điện tử về mô phỏng chế tạo mos, cung cấp kiến thức và ứng dụng trong công nghệ hiện đại.

Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế mô phỏng chế tạo mos cực cổng nổi

Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng chế tạo MOS cực cổng nổi, đóng góp vào công nghệ bán dẫn và điện tử hiện đại.

Luận văn nghiên cứu ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện tới đặc tính điện của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có cấu trúc lưỡng cổng

Nghiên cứu ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện đến đặc tính điện của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm cấu trúc lưỡng cổng.

Luận văn đánh giá vai trò và thiết kế lớp điện môi cực cổng dị cấu trúc trong các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có cấu trúc khác nhau

Khám phá vai trò và thiết kế lớp điện môi cực cổng dị cấu trúc trong transistor hiệu ứng trường xuyên hầm với các cấu trúc khác nhau.

Luận án tiến sĩ đánh giá vai trò và thiết kế lớp điện môi cực cổng dị cấu trúc trong các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có cấu trúc khác nhau

Luận án tiến sĩ phân tích vai trò và thiết kế lớp điện môi cực cổng trong transistor hiệu ứng trường xuyên hầm với cấu trúc đa dạng.

Luận văn thạc sĩ hcmute thiết kế bộ chuyển đổi điện áp hiệu suất cao buck trên công nghệ cmos 65nm

Luận văn thạc sĩ HCMUTE nghiên cứu thiết kế bộ chuyển đổi điện áp buck hiệu suất cao trên công nghệ CMOS 65nm, ứng dụng trong điện tử.

Tiểu luận phần 3 ic design flow định nghĩa về asic

Khám phá tiểu luận về phần 3 quy trình thiết kế IC, định nghĩa về ASIC và ứng dụng trong ngành công nghiệp điện tử.

Hcmute vi mạch công suất thấp trong chế độ lưu trữ dữ liệu dùng công nghệ submicrometter

Khám phá vi mạch công suất thấp trong chế độ lưu trữ dữ liệu với công nghệ submicrometter tại HCMUTE, nâng cao hiệu suất và tiết kiệm năng lượng.

Tiểu luận báo cáo đồ án tốt nghiệp mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ finfet

Khám phá tiểu luận báo cáo đồ án tốt nghiệp về mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp với công nghệ FinFET, ứng dụng và tiềm năng.

Luận văn thạc sĩ kỹ thuật điện tử thiết kế bộ thu dữ liệu với 7 2 gbps trên công nghệ 18nm finfet

Khám phá luận văn thạc sĩ về thiết kế bộ thu dữ liệu 7.2 Gbps sử dụng công nghệ 18nm FinFET trong lĩnh vực kỹ thuật điện tử.