MỞ ĐẦU 1. Lý do chọn đề tài và tính cấp thiết của đề tài Điện tử công suất đã phát triển rất nhanh trong hơn nửa thế kỷ qua. Nó cung cấp một năng suất rất tốt để chuyển đổi năng lượng điện. Tuy nhiên, trong bối cảnh năng lượng điện ngày càng được coi trọng và sử dụng nhiều, sóng hài được sinh ra bởi chúng xuất hiện ở phía trước và phía sau của các bộ biến đổi tĩnh này.
Các sóng hài không mong muốn này phải tuân theo các tiêu chuẩn đã được quy định trước để đảm bảo chất lượng điện năng. Theo các nghiên cứu được thực hiện, các dải tần số khác nhau được xem xét theo các tiêu chuẩn khác nhau. Ví dụ, đối với hàng không, dải tần số thấp lên đến 150kHz và dải tần số cao vượt quá 150kHz. Để phân tích nhiễu sóng hài này, xây dựng mô hình tần số hoạt động của các bộ biến đổi tĩnh là cần thiết.
Trong nghiên cứu này, tác giả đặc biệt quan tâm đến việc lập mô hình để tối ưu kích thước cho các thành phần hoặc hệ thống. Yêu cầu tìm kiếm hiệu quả năng lượng tốt nhất có thể của các hệ thống cung cấp điện đang ngày càng thúc đẩy việc tối ưu hóa chúng. Và điều này tất nhiên đòi hỏi phải sử dụng các mô hình phù hợp. Để tối ưu hóa, các ràng buộc về về sóng hài phải luôn được xem xét và đưa vào như là các ràng buộc có điều kiện.
Vì vậy, các mô hình phải có khả năng biểu diễn chính xác các sóng hài trên một dải tần nhất định. Tác giả tập trung vào mô hình tần số của bộ chuyển đổi tĩnh ở dải tần số thấp. Việc xây dựng các mô hình có thể gặp những khó khăn nhất định. Đối với các trường hợp chuyển đổi trạng thái tự nhiên, việc xác định các thời điểm chuyển đổi không phải là điều dễ dàng tiên nghiệm hoặc biết trước.
Thật vậy, các chuyển mạch này có liên quan đến sự tiến triển của các đại lượng dòng điện và/hoặc điện áp của các bán dẫn. Chúng thường là nguồn gốc của các pha dẫn mà thời gian của chúng được liên kết chặt chẽ với điểm hoạt động và với các thông số của mạch (ví dụ, giá trị của các thành phần thụ động trong mạch). Do đó, chuyển đổi trạng thái tự nhiên sẽ khó dự đoán và khó mô hình hóa bằng cách phân tích. Đối với điều này, các công thức cụ thể phải được thực hiện để xác định chúng.
Khác với trường hợp chuyển đổi tự nhiên, trường hợp chuyển đổi ép buộc thì các thời điểm chuyển đổi được biết trước nhưng nó lại xuất hiện một số lượng lớn các cấu hình trong một chu kỳ hoạt động của mạch điện. 1 Vì vậy việc thực hiện xây dựng mô hình và tính toán sóng hài sinh ra bởi các bộ chuyển đổi năng lượng tĩnh là cần thiết cho việc tối ưu hóa các thiết bị. Trong lĩnh vực nghiên cứu của mình, tác giả chọn đề tài “Tính toán sóng hài sinh ra bởi các bộ chuyển đổi năng lượng tĩnh” là cần thiết, có ý nghĩa trong việc thúc đẩy các nghiên cứu phát triển tiếp theo. Ngoài ra đề tài còn giúp cho sinh viên có thể học tập và tham khảo các kiến thức mới này.
Mục đích nghiên cứu Mục đích nghiên cứu là xây dựng mô hình của các bộ chuyển đổi năng lượng tĩnh dựa vào các tính chất của mạch điện. Sau đó, tính toán sóng hài sinh ra của các bộ chuyển đổi nhờ vào biến đổi Fourier. Phạm vi, đối tượng và phương pháp nghiên cứu - Đối tượng nghiên cứu: đối tượng nghiên cứu là sóng hài sinh ra do các bộ chuyển đổi năng lượng tĩnh - Phạm vi nghiên cứu : đề tài thực hiện nghiên cứu và đánh giá kết quả trên các bộ chỉnh lưu và nghịch lưu một pha hoặc ba pha thường gặp trong các ứng dụng hiện nay. - Phương pháp nghiên cứu: thực hiện mô hình hóa các bộ chỉnh lưu và nghịch lưu bằng cách xem xét các trạng thái của mạch điện.
Sau đó thực hiện tính toán các đại lượng cần thiết bằng phương pháp SQP. Cuối cùng, thực hiện biến đổi Fourier các phương trình trạng thái để tính sóng hài sinh ra. Tác giả sử dụng phần mềm Matlab để thực hiện việc tính toán và sử dụng Simulink hoặc Psim để thực hiện mô phỏng nhằm so sánh các kết quả thu được. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của đề tài: Ý nghĩa khoa học: Đề tài thực hiện một nghiên cứu ban đầu là mô hình hóa các bộ chuyển đổi năng lượng tĩnh băng mô hình toán học.
Đề tài cũng tạo tiền đề cho các nghiên cứu phát triển sau này nhất là các nghiên cứu về tối ưu hóa hệ thống có chứa các bộ chuyển đổi tĩnh. Ý nghĩa thực tiễn của đề tài: kết quả đề tài sẽ đưa ra một mô hình các bộ chuyển đổi tĩnh và tính toán sóng hài sinh ra bằng một mô hình toán học khác biệt hoàn toàn với các phương pháp mô phỏng hiện nay làm tăng thời gian tính toán. Ngoài ra, sinh 2 viên còn có thể sử dụng kết quả của đề tài để học tập và tham khảo thêm các kiến thức khác trong lĩnh vực học tập của mình. TỔNG QUAN VỀ CÁC BỘ CHUYỂN ĐỔI TĨNH 1.
Tổng quan về vấn đề nghiên cứu Hiện nay các bộ chuyển đổi tĩnh (chỉnh lưu/nghịch lưu) được sử dụng cực kì rộng rãi và trong nhiều thiết bị. Nó góp phần nâng cao việc chuyển đổi năng lượng điện. Tuy nhiên, các bộ chuyển đổi này làm sóng hài xuất hiện ở phía trước và phía sau của nó. Trong bối cảnh cần nâng cao chất lượng điện năng, nhiễu sóng hài này cần được xem xét kỹ lưỡng và phải tuân theo các tiêu chuẩn.
Để tính toán các sóng hài này, nhất là phục vụ cho tính toán kích thước bằng tối ưu hóa các mạch điện có chứa các bộ chuyển đổi này, mô hình hóa trong miền tần số các bộ chuyển đổi này là điều cần thiết. Để thực hiện mô hình hóa, cần xây dựng một mô hình dựa trên các đặc tính của mạch điện cho các cấu hình mạch. Tuy nhiên, để có thể thực hiện được việc mô hình hóa, thời điểm chuyển mạch từ cấu hình này sang cấu hình khác cần được biết trước. Đối với các trường hợp chuyển đổi trạng thái tự nhiên, thật khó để xác định được các thời điểm chuyển đổi này.
Các chuyển mạch này có liên quan đến các đại lượng dòng điện và/hoặc điện áp của các phần tử bán dẫn. Đối với điều này, các phương trình cụ thể dựa vào hình thái mạch phải được thực hiện để xác định thời điểm chuyển mạch. Thực hiện tính toán các thời điểm chuyển mạch này bằng phương pháp phương trình trạng thái kết hợp thuật toán tối ưu Sequential Quadratic Programming (SQP). Khác với trường hợp chuyển đổi tự nhiên, trường hợp chuyển đổi ép buộc thì các thời điểm chuyển đổi được biết trước nhưng nó lại xuất hiện một số lượng lớn các cấu hình trong một chu kỳ hoạt động của mạch điện.
Sau khi mô hình hóa được bộ chuyển đổi, biến đổi Fourier được thực hiện trực tiếp trên các phương trình trạng thái nhằm tính sóng hài sinh ra ở cả phía trước và phía sau của các bộ chuyển đổi này. Kết quả tính toán được sẽ được so sánh với giá trị thực hiện mô phỏng trong phần mềm Psim hoặc Simulink. Giới thiệu về các bộ chuyển đổi năng lượng tĩnh Các bộ chuyển đổi năng lượng tĩnh hay các bộ chuyển đổi tĩnh ngày nay được sử dụng rất rộng rãi và thường được chia thành hai dạng chính là bộ chỉnh lưu chuyển dòng điện hoặc điện áp xoay chiều sang dòng điện hoặc điện áp một chiều và bộ nghịch lưu với chức năng ngược lại. Để có thể thực hiện việc chuyển đổi này, các linh kiện điện tử công suất thường được sử dụng như diode, transistor, thyristor, Mosfet, IGBT, GTO … 4 1.1 Một số thiết bị điện tử công suất Để thực hiện các ngắt ngắt điện điện tử có thể dung nhiều linh kiện điện tử công suất.
Trong đề tài này chỉ giới thiệu diode đại diện cho chuyển đổi không điều khiển và Mosfet đại diện cho chuyển đổi có điều khiển. Diode Diode là phần tử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n. Diode có hai cực, anode A là cực nối với lớp bán dẫn kiểu p, cathode K là cực nối với lớp bán dẫn kiểu n. Dòng điện chỉ chạy qua điôt theo chiều từ A đến K khi điện áp UAK dương.
Khi UAK âm, dòng qua điôt gần như bằng không như Hình 1.1 Diode [1] Cấu tạo: Tiếp giáp bán dẫn p-n là bộ phận cơ bản trong cấu tạo của một diode. Ở nhiệt độ môi trường, các điện tử tự do trong lớp bán dẫn n khi khuếch tán sang lớp bán dẫn p sẽ bị trung hoà bởi các ion dương ở đây. Do các điện tích trong vùng tiếp giáp tự trung hoà lẫn nhau nên vùng này trở nên nghèo điện tích, hay là vùng có điện trở lớn. Tuy nhiên vùng nghèo điện tích này chỉ mở rộng ra đến một độ dày nhất định vì ở bên vùng n khi các điện tử di chuyển đi sẽ để lại các ion dương, còn bên vùng p khi các điện tử di chuyển đến sẽ nhập vào lớp các điện tử hoá trị ngoài cùng, tạo nên các ion âm.
Các ion này nằm trong cấu trúc tinh thể của mạng tinh thể silic nên không thể di chuyển được. Kết quả tạo thành một tụ điện với các điện tích âm ở phía lớp p và các điện tích dương ở phía lớp n. Các điện tích của tụ điện này tạo nên một điện trường E có hướng từ vùng 5 n sang vùng p, làm ngăn cản sự khuếch tán tiếp tục của các điện tử từ vùng n sang vùng p. Điện trường E này cũng tạo nên một rào cản điện áp Uj với giá trị không thay đổi ở một nhiệt độ nhất định, khoảng 0,65V đối với tiếp giáp p-n trên tinh thể silic ở nhiệt độ 250C.2 Hình thành điện thế rào cản của lớp p-n [2] Khi lớp tiếp giáp p - n được đặt dưới tác dụng của điện áp bên ngoài, nếu điện trường ngoài cùng chiều với điện trường E thì vùng nghèo điện tích sẽ mở rộng sang vùng n làm cho điện trở tương đương của điôt càng lớn và dòng điện không thể chạy qua.
Toàn bộ điện áp ngoài sẽ rơi trên vùng nghèo điện tích. Ta nói rằng diode bị phân cực ngược [2].3 Phân cực của diode: a) phân cực thuận; b) phân cực ngược [2] Đặc tính Vôn-Ampe của diode : Một số tính chất của điôt trong quá trình làm việc có thể được giải thích thông qua việc xem xét đặc tính vôn-ampe của điôt trên Hình 1.