Đồ án: Thiết kế và mô phỏng bộ nhớ SRAM 32x32 theo công nghệ 90nm

Đồ án trình bày chi tiết quá trình thiết kế, mô phỏng bộ nhớ SRAM 32x32 công nghệ 90nm, phân tích độ trễ và công suất tiêu thụ của các ô nhớ.

• Tác giả: Nguyễn Thành Trung
• Người hướng dẫn: Phan Văn Ca
• Trường học: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
• Chuyên ngành: Công nghệ Kỹ thuật Điện tử - Viễn thông
• Đề tài: Thiết kế và mô phỏng bộ nhớ SRAM 32x32 theo công nghệ 90nm
• Loại tài liệu: Đồ án tốt nghiệp
• Năm xuất bản: 2024
• Địa điểm: Hồ Chí Minh

Tóm tắt

I. Tổng Quan Về SRAM 32x32 Theo Công Nghệ 90nm

SRAM 32x32 là một bộ nhớ bán dẫn tĩnh được thiết kế theo công nghệ 90nm, đóng vai trò quan trọng trong các hệ thống vi mạch hiện đại. Bộ nhớ này có khả năng lưu trữ dữ liệu với tốc độ truy cập nhanh chóng và hiệu suất cao. Trong bối cảnh công nghệ số hóa ngày càng tiến bộ, thiết kế SRAM đã trở thành tâm điểm tập trung phát triển của ngành vi mạch bán dẫn. Mục tiêu chính của thiết kế này là tích hợp số lượng lớn các phần tử CMOS với kích thước nhỏ nhất có thể, trong khi vẫn duy trì hiệu suất cao và giảm thiểu tiêu thụ công suất. SRAM 32x32 công nghệ 90nm cung cấp giải pháp tối ưu cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ truy cập cao và độ tin cậy cao trong các hệ thống xử lý dữ liệu phức tạp.

1.1. Cấu Trúc Và Chức Năng Bộ Nhớ SRAM

Bộ nhớ SRAM bao gồm các thành phần chính như mạch nạp trước, mạch giải mã, mạch đọc, mạch ghi và ô nhớ SRAM. Mỗi thành phần đều có vai trò riêng biệt trong quá trình lưu trữ và truy xuất dữ liệu. Ô nhớ SRAM là phần tử cơ bản nhất, được cấu thành từ các transistor CMOS được sắp xếp theo cách tối ưu. Cấu trúc này cho phép dữ liệu được lưu trữ mà không cần phải làm mới liên tục, khác với DRAM, giúp giảm độ trễ truy cập.

1.2. Tầm Quan Trọng Của Công Nghệ 90nm

Công nghệ 90nm cho phép thiết kế các ô nhớ SRAM với kích thước cực nhỏ, tăng mật độ tích hợp và giảm tiêu thụ năng lượng. Sử dụng công nghệ này giúp các nhà thiết kế tối ưu hóa hiệu năng trong khi kiểm soát nhiệt độ và tiêu thụ điện năng. Thiết kế 90nm cũng cải thiện tốc độ hoạt động của bộ nhớ, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng hiệu suất cao trong xử lý dữ liệu thời gian thực.

II. Cơ Sở Lý Thuyết Về Hoạt Động SRAM

Hoạt động của SRAM dựa trên nguyên lý lưu trữ điện tích trong các tụ điện tích được hình thành bởi các transistor CMOS. Ô nhớ SRAM có thể tồn tại ở hai trạng thái ổn định, biểu diễn giá trị 0 hoặc 1. Quá trình ghi dữ liệu vào SRAM liên quan đến việc đặt điểm tiếp xúc và xóa để thay đổi trạng thái của ô nhớ. Quá trình đọc dữ liệu yêu cầu kích hoạt các dây bit để phát hiện trạng thái hiện tại của ô nhớ. Đánh giá hiệu suất SRAM bao gồm các yếu tố như thời gian truy cập, độ ổn định dữ liệu, và khả năng chịu nhiễu. Các thông số này được phân tích thông qua mô phỏng để đảm bảo bộ nhớ hoạt động chính xác trong các điều kiện khác nhau.

2.1. Quá Trình Ghi Và Đọc Dữ Liệu

Ghi dữ liệu vào SRAM 32x32 diễn ra khi một địa chỉ hàng và cột được chọn, sau đó dữ liệu được đẩy vào ô nhớ thông qua các dây bit. Đọc dữ liệu yêu cầu kích hoạt các bộ khuếch đại để nhận tín hiệu yếu từ dây bit. Quá trình này phải diễn ra nhanh chóng để đáp ứng yêu cầu tốc độ của hệ thống.

2.2. Các Thông Số Hiệu Suất Quan Trọng

Thời gian truy cập là thời gian cần thiết từ khi yêu cầu đến khi dữ liệu có sẵn. Công suất tiêu thụ bao gồm công suất tĩnh và động, cả hai đều cần được tối ưu hóa. Độ ổn định đảm bảo rằng dữ liệu không bị mất mát trong quá trình hoạt động, đặc biệt quan trọng là khả năng chống lại nhiễu và sự không ổn định của điện áp.

III. Thiết Kế Các Thành Phần Chính Của SRAM

Thiết kế SRAM 32x32 yêu cầu tối ưu hóa từng thành phần để đạt được hiệu suất tổng thể tốt nhất. Mạch nạp trước (Precharge circuit) chuẩn bị các dây bit trước khi hoạt động ghi hoặc đọc, đảm bảo điều kiện ban đầu ổn định. Mạch giải mã (Decoder circuit) chuyển đổi địa chỉ nhị phân thành các tín hiệu chọn hàng và cột tương ứng. Mạch đọc (Sense Amplifier) phát hiện và khuếch đại những sự thay đổi nhỏ trên dây bit, cho phép truy cập dữ liệu nhanh chóng. Mạch ghi (Write driver) cung cấp điều kiện điện áp và dòng điện cần thiết để thay đổi trạng thái ô nhớ một cách đáng tin cậy. Mỗi thành phần được thiết kế với các transistor CMOS được tối ưu hóa kích thước để cân bằng giữa tốc độ, tiêu thụ năng lượng và diện tích chip.

3.1. Khối Mạch Nạp Trước Và Giải Mã

Mạch nạp trước sử dụng các transistor để kéo các dây bit về điện áp cao, chuẩn bị cho các hoạt động tiếp theo. Mạch giải mã được thiết kế với cổng logic CMOS để chuyển đổi các địa chỉ thành các tín hiệu đầu ra cụ thể. Cấu trúc này tối ưu hóa để giảm độ trễ lan truyền và tiêu thụ năng lượng, đảm bảo tốc độ truy cập nhanh trong hệ thống SRAM 32x32.

3.2. Thiết Kế Ô Nhớ SRAM Tối Ưu

Ô nhớ SRAM được thiết kế với các cấu trúc khác nhau như 4T, 6T, 7T, 8T và 9T transistor. Mỗi cấu trúc có những ưu và nhược điểm riêng về thời gian truy cập, độ ổn định, và tiêu thụ năng lượng. Ô nhớ 6T là lựa chọn phổ biến nhất do cân bằng tốt giữa các yếu tố này, trong khi các cấu trúc khác được sử dụng cho các ứng dụng đặc biệt yêu cầu tối ưu hóa một khía cạnh cụ thể.

IV. Mô Phỏng Và Kết Quả Hiệu Suất SRAM 32x32

Mô phỏng chi tiết các cấu trúc ô nhớ SRAM khác nhau được thực hiện bằng các phần mềm chuyên dụng để đánh giá hiệu suất. Kết quả mô phỏng cung cấp thông tin về thời gian truy cập, độ ổn định dữ liệu, khả năng chịu nhiễu, và công suất tiêu thụ của từng cấu trúc. Quá trình so sánh các thiết kế khác nhau cho phép xác định ô nhớ tối ưu phù hợp nhất với các yêu cầu của ứng dụng cụ thể. Sau khi lựa chọn cấu trúc ô nhớ tốt nhất, các thành phần chức năng được tích hợp để tạo thành bộ nhớ SRAM 32x32 hoàn chỉnh. Quá trình này bao gồm xác minh lại toàn bộ hệ thống để đảm bảo rằng tất cả các thành phần hoạt động một cách nhất quán và hiệu quả. Kết quả cuối cùng cho thấy hiệu suất tổng thể của bộ nhớ trong các điều kiện hoạt động thực tế.

4.1. Phân Tích Kết Quả Ghi Và Đọc Dữ Liệu

Kết quả mô phỏng phần ghi cho thấy thời gian cần thiết để lưu dữ liệu vào ô nhớ, với các cấu trúc khác nhau cho hiệu suất khác nhau. Kết quả mô phỏng phần đọc đánh giá thời gian truy cập và độ chính xác trong việc phát hiện dữ liệu. Các kết quả này được so sánh để xác định cấu trúc ô nhớ cung cấp cân bằng tốt nhất giữa tốc độ và độ tin cậy.

4.2. So Sánh Và Lựa Chọn Thiết Kế Cuối Cùng

So sánh toàn diện các cấu trúc SRAM 4T, 6T, 7T, 8T, và 9T cho thấy ô nhớ 6T thường mang lại kết quả tốt nhất cho ứng dụng SRAM 32x32 công nghệ 90nm. Thiết kế cuối cùng kết hợp ô nhớ tối ưu với các mạch hỗ trợ để tạo thành bộ nhớ hoàn chỉnh có hiệu suất cao, tiêu thụ năng lượng thấp, và độ tin cậy cao.

Trích đoạn nội dung tài liệu

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG BỘ NHỚ SRAM 32X32 THEO CÔNG NGHỆ 90NM GVHD: PGS. PHAN VĂN CA SVTH: NGUYỄN THÀNH TRUNG NGÔ MINH NHẬT SKL013352 Tp. Hồ Chí Minh, tháng 6 năm 2024 TR¯äNG Đ¾I HàC S¯ PH¾M KĀ THUÀT TP. Hæ CHÍ MINH KHOA ĐIÈN ĐIÈN TĀ BÞ MÔN KỸ THU¾T MÁY TÍNH - VIÄN THÔNG Đæ ÁN TäT NGHIÈP THI¾T K¾ VÀ MÔ PHàNG BÞ NHà SRAM 32X32 THEO CÔNG NGHÆ 90NM NGÀNH CÔNG NGHÆ KỸ THU¾T ĐIÆN TỬ - VIÄN THÔNG Sinh viên: NGUYÄN THÀNH TRUNG MSSV: 20161387 NGÔ MINH NH¾T MSSV: 20161346 TP.

Hæ CHÍ MINH – 06/2024 TR¯äNG Đ¾I HàC S¯ PH¾M KĀ THUÀT THÀNH PHä Hæ CHÍ MINH KHOA ĐIÈN ĐIÈN TĀ Bà MÔN KĀ THUÀT MÁY TÍNH - VIÆN THÔNG Đæ ÁN TäT NGHIÈP THI¾T K¾ VÀ MÔ PHàNG BÞ NHà SRAM 32X32 THEO CÔNG NGHÆ 90NM NGÀNH CÔNG NGHÆ KỸ THU¾T ĐIÆN TỬ - VIÄN THÔNG Sinh viên: NGUYÄN THÀNH TRUNG MSSV: 20161387 NGÔ MINH NH¾T MSSV: 20161346 H°ãng d¿n: PGS. PHAN VN CA TP. Hæ CHÍ MINH – 06/2024 THÔNG TIN LU¾N VN 1. Thông tin sinh viên Há và tên: NguyÇn Thành Trung MSSV: 20161387 Email: [e-mail] SĐT : [phone] Há và tên: Ngô Minh NhÁt MSSV: 20161346 Email: 20161346@student.

Thông tin đÁ tài - Tên đà tài: ThiÁt kÁ và mô phãng bá nhã SRAM 32x32 theo công nghÉ 90nm - Quá trình thąc hiÉn: tÿ ngày 19 / 02 /2024 đÁn ngày 09 / 06 /2024. - Thåi gian bÁo vÉ: Ngày 25 / 06 /2024. Lãi cam đoan cāa sinh viên Đà tài này là sÁn phẩm căa nhóm cùng vãi są h°ãng d¿n căa giÁng viên PGS. Nhăng nái dung, các så liÉu căa đà tài hoàn toàn không có są sao chép thông tin và nái dung tÿ đç án khác, các nguçn tài liÉu đ°ÿc sā dāng cho quá trình tham khÁo đã đ°ÿc nhóm trích d¿n mát cách hÿp lý.HCM, ngày & tháng & năm 2024 SV thąc hiÉn đç án LâI CÀM ¡N Nhóm em muån cÁm ¢n thÅy Phan Văn Ca đÅu tiên vì thÅy là ng°åi đã h°ãng d¿n cho nhóm căa em đç án tåt nghiÉp.

Tÿ khoÁng thåi gian chán đà tài cho đÁn khi đç án đ°ÿc hoàn thiÉn, nhóm luôn đ°ÿc thÅy chỉ d¿n mát cách tÁn tình. Nhå có są h°ãng d¿n căa thÅy mà đç án căa nhóm đã hoàn thành mát cách thuÁn lÿi và đúng thåi h¿n. Nhóm em cÁm ¢n các giÁng viên căa tr°ång vì đã giúp sinh viên có nÃn tÁng văng chắc đÅ có thÅ áp dāng đ°ÿc các kiÁn thąc vào cuác sång, hác tÁp và nghiên cąu. Do khoÁng thåi gian thąc hiÉn giãi h¿n và sinh viên thąc hiÉn còn thiÁu nhiÃu kinh nghiÉm, đç án căa nhóm không tránh khãi còn tçn t¿i nhiÃu h¿n chÁ.

Nhóm em mong đ°ÿc các thÅy cô nhÁn xét đÅ nhóm có thÅ giúp cho đà tài này phát triÅn thêm trong t°¢ng lai. Trân tráng! Sinh viên thąc hiÉn NguyÇn Thành Trung Ngô Minh NhÁt v TÓM TÀT Trong båi cÁnh công nghÉ så hóa ngày càng tiên tiÁn, ngành vi m¿ch bán d¿n đang trç thành tâm điÅm đÅ tÁp trung phát triÅn. Nß ląc tích hÿp så l°ÿng lãn các phÅn tā CMOS vãi kích th°ãc nhã nhÃt có thÅ trong khi v¿n duy trì hiÉu suÃt cao đang là māc tiêu đ°ÿc °u tiên hàng đÅu. ĐÅ mát hÉ thång vi m¿ch vÁn hành tåt đçng thåi thąc hiÉn đ°ÿc nhiÃu nhiÉm vā thì yÁu tå then chåt chính là bá nhã.

Bá nhã này đóng vai trò quan tráng trong viÉc l°u tră các lÉnh, dă liÉu đang xā lý và nhăng thông tin cÅn thiÁt cho ho¿t đáng căa hÉ thång, do đó, viÉc phát triÅn bá nhã này đ°ÿc chú tráng đặc biÉt. ĐÅ hiÅu thêm và cÃu trúc căa bá nhã và cách thąc ho¿t đáng căa nó, mát bá nhã SRAM 32x32 theo công nghÉ 90nm đã đ°ÿc thiÁt kÁ. ThiÁt kÁ có đă các thành phÅn SRAM nh° m¿ch n¿p tr°ãc, m¿ch giÁi mã, m¿ch đác, m¿ch ghi và phÅn quan tráng nhÃt là ô nhã SRAM. Sau khi phân tích ho¿t đáng đác và ghi bằng phÅn mÃm mô phãng, chúng tôi s¿ tính toán đá trÇ, đá dą tră nhiÇu và công suÃt tiêu thā cho tÿng thiÁt kÁ ô nhã khác nhau.

Các kÁt quÁ này s¿ đ°ÿc nhóm chúng tôi so sánh đÅ xác đßnh thiÁt kÁ ô nhã tåi °u nhÃt. Cuåi cùng, nhóm s¿ thąc hiÉn quá trình kÁt hÿp các thành phÅn chąc năng và ô nhã có thiÁt kÁ tåi °u đÅ có thÅ t¿o ra bá nhã SRAM 32x32 hoàn chỉnh. vi MþC LþC DANH MþC HÌNH. XIV CÁC TĄ VI¾T TÀT.

XVI CH¯¡NG 1 TæNG QUAN. 4 CH¯¡NG 2 C¡ Sä LÝ THUY¾T .1 TèNG QUAN V Bà NHâ SRAM .2 Đà TRÆ VÀ CÔNG SUÂT TIÊU THĀ .2 Công suÃt tiêu thā. 9 CH¯¡NG 3 THI¾T K¾ .1 YÊU CÄU CĂA THIÀT KÀ .3 THIÀT KÀ CÁC KHäI .1 Khåi m¿ch n¿p tr°ãc .2 Khåi m¿ch giÁi mã 5 sang 32 .3 Khåi m¿ch ghi .4 THIÀT KÀ Bà NHâ SRAM 32X32. 27 CH¯¡NG 4 K¾T QUÀ .1 KÀT QUÀ MÔ PHâNG CÁC Ô NHâ SRAM .1 KÁt quÁ mô phãng m¿ch nguyên lý ô nhã .1 Mô phãng SRAM 4T .2 Mô phãng SRAM 6T .3 Mô phãng SRAM 7T .4 Mô phãng SRAM 8T .5 Mô phãng SRAM 9T .2 PhÅn ghi dă liÉu căa các ô nhã .1 PhÅn ghi dă liÉu ô nhã SRAM 4T .2 PhÅn ghi dă liÉu ô nhã SRAM 6T .3 PhÅn ghi dă liÉu ô nhã SRAM 7T .4 PhÅn ghi dă liÉu ô nhã SRAM 8T .5 PhÅn ghi dă liÉu ô nhã SRAM 9T .3 PhÅn đác dă liÉu căa các ô nhã .1 PhÅn đác dă liÉu ô nhã SRAM 4T .2 PhÅn đác dă liÉu ô nhã SRAM 6T .3 PhÅn đác dă liÉu ô nhã SRAM 7T .4 PhÅn đác dă liÉu ô nhã SRAM 8T .5 PhÅn đác dă liÉu ô nhã SRAM 9T .2 SO SÁNH VÀ LĄA CHàN Ô NHâ SRAM CHO THIÀT KÀ .1 So sánh các cÃu trúc ô nhã khác trong ho¿t đáng ghi .2 So sánh các cÃu trúc ô nhã khác trong ho¿t đáng đác .3 So sánh các cÃu trúc ô nhã căa đà tài .3 KÀT QUÀ THIÀT KÀ CÁC THÀNH PHÄN SRAM .4 M¿ch giÁi mã 5 sang 32 .4 KÀT QUÀ THIÀT KÀ SRAM 1 BIT .3 Đá trÇ lan truyÃn .4 Công suÃt tiêu thā .5 KÀT QUÀ THIÀT KÀ SRAM 32X32.

71 CH¯¡NG 5 K¾T LU¾N VÀ H¯àNG PHÁT TRIÂN .2 H¯âNG PHÁT TRIÄN. 74 TÀI LIÆU THAM KHÀO. 75 ix DANH MþC HÌNH Hình 2.1: Thåi gian lan truyÃn trÇ và tăng giÁm căa tín hiÉu .2: Đßnh nghĩa biên đá dą tră nhiÇu .3: Biên đá nhiÇu biÁn tÅn CMOS.1: S¢ đç khåi ho¿t đáng căa ô nhã SRAM.2 M¿ch nguyên lý căa khåi n¿p tr°ãc .3: CÃu trúc và s¢ đç khåi căa m¿ch giÁi mã 2 sang 4 .4: M¿ch nguyên lý và s¢ đç khåi căa m¿ch giÁi mã 3 sang 8 .5: CÃu trúc ghép nåi m¿ch giÁi mã 5 sang 32 .6: Khåi m¿ch giÁi mã 5 sang 32 .7: CÃu trúc căa m¿ch ghi .10: Mô tÁ ho¿t đáng ghi và đác căa ô nhã SRAM 4T .1: Mô phãng SRAM 4T .2: Mô phãng SRAM 6T .3: Mô phãng SRAM 7T .4: Mô phãng SRAM 8T .5: Mô phãng SRAM 9T .6: Ho¿t đáng ghi căa m¿ch ô nhã SRAM 4T .7: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 4T trong quá trình ghi .8: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 4T trong quá trình ghi .9: NhiÇu trong phÅn ghi căa ô nhã SRAM 4T .10: Công suÃt tiêu thā trung bình ghi dă liÉu ô nhã SRAM 4T .11: Ho¿t đáng ghi căa m¿ch ô nhã SRAM 6T .12: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 6T trong quá trình ghi .13: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 6T trong quá trình ghi .14: NhiÇu trong phÅn ghi căa ô nhã SRAM 6T .15: Công suÃt tiêu thā trung bình ghi dă liÉu ô nhã SRAM 6T .16: Ho¿t đáng ghi căa m¿ch ô nhã SRAM 7T .17: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 7T trong quá trình ghi .18: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 7T trong quá trình ghi .19: NhiÇu trong phÅn ghi căa ô nhã SRAM 7T .20: Công suÃt tiêu thā trung bình ghi dă liÉu ô nhã SRAM 7T .21: Ho¿t đáng ghi căa m¿ch ô nhã SRAM 8T .22: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 8T trong quá trình ghi .23: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 8T trong quá trình ghi .24: NhiÇu trong phÅn ghi căa ô nhã SRAM 8T .25: Công suÃt tiêu thā trung bình ghi dă liÉu ô nhã SRAM 8T .26: Ho¿t đáng ghi căa m¿ch ô nhã SRAM 9T .27: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 9T trong quá trình ghi .28: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 9T trong quá trình ghi .29: NhiÇu trong phÅn ghi căa ô nhã SRAM 9T .30: Công suÃt tiêu thā trung bình ghi dă liÉu ô nhã SRAM 9T .31: Ho¿t đáng đác căa m¿ch ô nhã SRAM 4T .32: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 4T trong quá trình đác .33: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 4T trong quá trình đác .34: NhiÇu trong phÅn đác căa ô nhã SRAM 4T .35: Công suÃt tiêu thā trung bình đác dă liÉu ô nhã SRAM 4T .36: Ho¿t đáng đác căa m¿ch ô nhã SRAM 6T .37: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 6T trong quá trình đác .38: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 6T trong quá trình đác .39: NhiÇu trong phÅn đác căa ô nhã SRAM 6T .40: Công suÃt tiêu thā trung bình đác dă liÉu ô nhã SRAM 6T .41: Ho¿t đáng đác căa m¿ch ô nhã SRAM 7T .42: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 7T trong quá trình đác .43: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 7T trong quá trình đác .44: NhiÇu trong phÅn đác căa ô nhã SRAM 7T .45: Công suÃt tiêu thā trung bình đác dă liÉu ô nhã SRAM 7T .46: Ho¿t đáng đác căa m¿ch ô nhã SRAM 8T .47: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 8T trong quá trình đác .48: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 8T trong quá trình đác .49: NhiÇu trong phÅn đác căa ô nhã SRAM 8T .50: Công suÃt tiêu thā trung bình đác dă liÉu ô nhã SRAM 8T .51: Ho¿t đáng đác căa m¿ch ô nhã SRAM 9T .52: Đá trÇ tÿ mąc áp thÃp đÁn cao ô nhã 9T trong quá trình đác .53: Đá trÇ tÿ mąc áp cao đÁn thÃp ô nhã 9T trong quá trình đác .54: NhiÇu trong phÅn đác căa ô nhã SRAM 9T .55: Công suÃt tiêu thā trung bình đác dă liÉu ô nhã SRAM 9T .56: Mô phãng m¿ch n¿p tr°ãc .