Luận án tiến sĩ về vật liệu dẫn điện trong suốt và hấp thụ ánh sáng cho pin mặt trời CZTSE

Chuyên ngành

Khoa học vật liệu

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

luận án tiến sĩ

2020

127
3
0

Phí lưu trữ

30.000 VNĐ

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

LỜI CẢM ƠN

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI CZTSe

1.1. Giới thiệu chung

1.2. Pin mặt trời CZTSe

1.2.1. Nguyên lý hoạt động của pin mặt trời CZTSe

1.2.2. Cấu trúc – chức năng cơ bản các lớp trong pin mặt trời CZTSe

1.2.2.1. Lớp chống phản xạ
1.2.2.2. Lớp điện cực cửa sổ
1.2.2.3. Lớp hấp thụ ánh sáng

1.3. Giản đồ năng lượng của pin mặt trời CZTSe

1.4. Vật liệu hấp thụ ánh sáng CZTSe

1.4.1. Cấu trúc tinh thể CZTSe

1.4.2. Tính chất quang – điện của vật liệu CZTSe

1.4.2.1. Độ hấp thụ ánh sáng
1.4.2.2. Độ rộng vùng cấm của vật liệu CZTSe
1.4.2.3. Sự phụ thuộc của tính chất vật liệu vào thành phần của CZTSe

1.4.3. Vật liệu CZTSe nghèo Đồng

1.4.4. Vật liệu dẫn điện trong suốt truyền qua

1.4.4.1. Tính chất quang – điện của vật liệu dẫn điện trong suốt
1.4.4.2. Điện cực dẫn điện trong suốt ứng dụng cho pin mặt trời

1.5. Giới thiệu các phương pháp chế tạo màng mỏng

1.5.1. Pin mặt trời chế tạo dựa trên điều kiện chân không

1.5.1.1. Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp phún xạ
1.5.1.2. Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp bốc bay
1.5.1.3. Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp lắng đọng xung laser

1.5.2. Pin mặt trời chế tạo dựa trên điều kiện không chân không

1.5.2.1. Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp phun phủ nhiệt
1.5.2.2. Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp lắng đọng điện hóa
1.5.2.3. Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp Sol – gel
1.5.2.4. Pin mặt trời chế tạo dựa trên dung dịch chứa hạt nano

2. CHƯƠNG 2: NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO LỚP VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT

2.1. Chế tạo lớp điện cực cửa sổ ITO bằng phương pháp phún xạ

2.1.1. Hệ phún xạ sử dụng để chế tạo lớp điện cực cửa sổ ITO

2.1.2. Chế tạo màng ITO bằng phương pháp phún xạ

2.1.2.1. Màng ITO được phún xạ với nồng độ O2 khác nhau
2.1.2.2. Màng ITO được phún xạ với nhiệt độ đế khác nhau
2.1.2.3. Kết luận về chế tạo màng ITO

2.2. Chế tạo lớp điện cực cửa sổ AgNW/ITO bằng phương pháp in gạt

2.2.1. Phương pháp in gạt và quy trình chế tạo lớp điện cực cửa sổ AgNW/ITO

2.2.2. Phân tích kết quả tạo màng AgNW/ITO

2.2.2.1. Ảnh FESEM bề mặt màng AgNW/ITO
2.2.2.2. Phổ truyền qua của màng AgNW/ITO
2.2.2.3. Thử nghiệm trên pin mặt trời CZTSSe (CZTS)

2.2.3. Kết luận về màng AgNW/ITO

3. CHƯƠNG 3: TỔNG HỢP HẠT NANO Cu(Zn,Sn)Se2 CHO ỨNG DỤNG LÀM LỚP HẤP THỤ ÁNH SÁNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe

3.1. Giới thiệu tổng hợp hạt nano CZTSe

3.2. Phương pháp phun nóng

3.3. Quy trình tổng hợp hạt nano CZTSe

3.4. Phân tích kết quả tổng hợp hạt nano CZTSe

3.4.1. Tổng hợp hạt nano CZTSe ở các nhiệt độ khác nhau

3.4.1.1. Ảnh FESEM và Phổ EDX

3.4.2. Tổng hợp hạt nano CZTSe theo tỉ lệ tiền chất khác nhau

3.4.2.1. Ảnh FESEM và Phổ EDX

3.4.3. Tổng hợp hạt nano CZTSe với các tốc độ phun dung dịch Se khác nhau

3.4.3.1. Ảnh FESEM và Phổ EDX

3.4.4. Kết quả thu được trên các mẫu lặp lại

3.4.5. Kết luận về tổng hợp hạt nano

4. CHƯƠNG 4: NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO LỚP HẤP THỤ ÁNH SÁNG CZTSe VÀ TẾ BÀO PIN MẶT TRỜI

4.1. Nghiên cứu quá trình chế tạo màng CZTSe làm lớp hấp thụ ánh sáng trong pin mặt trời

4.1.1. Giới thiệu phương pháp nghiên cứu

4.1.2. Phương pháp in gạt chế tạo lớp hấp thụ ánh sáng CZTSe

4.1.2.1. In gạt tạo màng tiền chất CZTSe
4.1.2.2. Xử lý màng CZTSe ở nhiệt độ cao tạo lớp hấp thụ ánh sáng
4.1.2.2.1. Quy trình xử lý nhiệt màng CZTSe trong môi trường khí N2
4.1.2.2.2. Xác định điều kiện xử lý nhiệt màng CZTSe trong môi trường khí N2
4.1.2.3. Kết quả chế tạo màng CZTSe
4.1.2.3.1. Màng CZTSe theo nhiệt độ
4.1.2.3.1.1. Chế tạo màng ở nhiệt độ khác nhau trong môi trường N2, không có hơi Selen
4.1.2.3.1.2. Chế tạo màng ở các nhiệt độ khác nhau trong môi trường N2, có hơi Selen
4.1.2.3.2. Màng CZTSe theo lượng hơi Se khác nhau
4.1.2.3.3. Màng CZTSe theo thời gian xử lý nhiệt khác nhau
4.1.2.3.4. Kết luận về chế tạo màng CZTSe

4.2. Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh

4.2.1. Cấu trúc và phương pháp chế tạo các lớp trong pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh

4.2.2. Kết quả chế tạo pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh

4.2.3. Kết luận về chế tạo màng hấp thụ ánh sáng và pin mặt trời CZTSe

KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Luận án tiến sĩ nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời cztse

Bạn đang xem trước tài liệu:

Luận án tiến sĩ nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời cztse

Luận án tiến sĩ mang tiêu đề "Luận án tiến sĩ về vật liệu dẫn điện trong suốt và hấp thụ ánh sáng cho pin mặt trời CZTSe" của tác giả Nguyễn Thị Thu Hiền, dưới sự hướng dẫn của PGS. Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Hữu Dũng, được thực hiện tại Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội vào năm 2020. Nghiên cứu này tập trung vào việc phát triển các vật liệu dẫn điện trong suốt và khả năng hấp thụ ánh sáng, nhằm nâng cao hiệu suất của pin mặt trời CZTSe. Những kết quả từ luận án không chỉ đóng góp vào lĩnh vực khoa học vật liệu mà còn mở ra hướng đi mới cho việc cải tiến công nghệ năng lượng tái tạo, đặc biệt là trong việc sản xuất năng lượng từ ánh sáng mặt trời.

Để mở rộng thêm kiến thức về các vật liệu và công nghệ liên quan, bạn có thể tham khảo các tài liệu sau: Luận án tiến sĩ về cấu trúc nano vàng bạc trên silic trong nhận biết phân tử hữu cơ bằng tán xạ Raman, nơi nghiên cứu về các cấu trúc nano có thể ứng dụng trong lĩnh vực điện tử. Bên cạnh đó, Luận án tiến sĩ: Tính chất xúc tác quang của vật liệu composite TiO2 trên nền graphene và carbon nitride cũng là một tài liệu hữu ích, liên quan đến tính chất quang học của vật liệu, có thể hỗ trợ cho nghiên cứu về pin mặt trời. Cuối cùng, Luận án tiến sĩ về tổng hợp và ứng dụng vật liệu carbon hoạt tính sẽ cung cấp thêm thông tin về các vật liệu carbon, có thể được áp dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau, bao gồm cả năng lượng.

Những tài liệu này không chỉ giúp bạn hiểu rõ hơn về các khía cạnh khác nhau của vật liệu dẫn điện và quang học mà còn mở rộng tầm nhìn về ứng dụng của chúng trong công nghệ hiện đại.