Nghiên Cứu Tính Chất Quang Phát Quang Của Vật Liệu SiO2-SnO2:Er/Yb Và NaYF4:Er/Yb

Luận án tiến sĩ nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất quang phát quang của vật liệu SiO2-SnO2-Er3+, mở ra hướng đi mới trong quang học.

Chuyên ngành

Quang học

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

luận án tiến sĩ

2024

144
4
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

LỜI CẢM ƠN

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN

1.1. Các đại lượng đặc trưng cho quá trình phát quang

1.2. Vật liệu phát quang pha tạp ion đất hiếm RE3*

1.2.1. Vật liệu nền

1.2.1.1. Vật liệu gốm thủy tinh SiO2 — SnO2
1.2.1.2. Vật liệu nano NaYF4: ion đất hiếm

1.2.2. Sự tách mức năng lượng ở phân lớp 4f của nguyên tố đất hiếm

1.2.3. Phát quang của ion đất hiếm

1.2.4. Cơ chế phát quang của vật liệu

1.3. Tổng quan tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước

1.3.1. Tổng quan tình hình nghiên cứu trong nước

1.3.2. Tổng quan tình hình nghiên cứu nước ngoài

2. CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU

2.1. Phương pháp chế tạo vật liệu

2.1.1. Phương pháp chế tạo vật liệu gốm thủy tinh SiO2-SnO2: Er, Yb

2.1.2. Phương pháp sol-gel

2.1.3. Hóa chất, thiết bị và dụng cụ

2.1.4. Quy trình chế tạo vật liệu gồm thủy tinh SiO2-SnO2: Er, Yb

2.1.5. Phương pháp chế tạo vật liệu nano NaYF4: Er, Yb

2.1.6. Phương pháp thủy nhiệt

2.1.7. Hóa chất và thiết bị

2.1.8. Quy trình chế tạo vật liệu nano NaYF4: Er, Yb

2.2. Các phương pháp phân tích tính chất vật liệu

2.2.1. Tính chất cấu trúc vật liệu

2.2.2. Phép đo dao động hồng ngoại (FT-IR)

2.2.3. Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD)

2.2.4. Hình thái học bề mặt SEM, TEM, HR-TEM

2.2.5. Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDX)

2.2.6. Phổ huỳnh quang tia X (XPS)

2.2.7. Tính chất phát quang của vật liệu

2.2.7.1. Phổ kích thích phát quang (PLE)
2.2.7.2. Phổ phản xạ khuếch tán (DRS)
2.2.7.3. Phổ hấp thu (UV-Vis)
2.2.7.4. Phổ quang phát quang (PL)
2.2.7.5. Thời gian sống phát quang

3. CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN

3.1. Tính chất quang phát quang của vật liệu gốm thủy tinh SiO2-SnO2: Er/Yb

3.1.1. Tính chất cấu trúc của vật liệu gốm thủy tinh SiO2-SnO2

3.1.2. Tính chất quang phát quang của vật liệu gốm thủy tinh

3.1.3. Phổ hấp thu

3.1.4. Phổ kích thích phát quang (PLE)

3.1.5. Phát quang chuyển đổi thuận DC

3.1.6. Phát quang chuyển đổi ngược UC

3.1.7. Cơ chế phát quang của vật liệu

3.2. Tính chất quang phát quang của vật liệu bột nano NaYF4: Er/Yb

3.2.1. Vai trò của axit oleic đối với tính chất của vật liệu

3.2.2. Ảnh hưởng của nhiệt độ thủy nhiệt và thời gian nung lên tính chất cấu trúc của vật liệu

3.2.2.1. Nhiệt độ thủy nhiệt
3.2.2.2. Thời gian ủ nhiệt

3.2.3. Ảnh hưởng của nồng độ ion đất hiếm RE* lên tính chất cấu trúc và quang của vật liệu NaYF4: Er/Yb

3.2.3.1. Tính chất cấu trúc
3.2.3.2. Tính chất quang phát quang

3.2.4. Một số ứng dụng cụ thể của vật liệu NaYF4: Er/Yb

3.2.5. Tương quan giữa vật liệu nền và tính chất quang phát quang của ion Er

3.2.5.1. Vị trí đỉnh phổ hấp thu và phát xạ không bị ảnh hưởng bởi chất nền
3.2.5.2. Sự hiệu quả của quá trình kích thích gián tiếp trong hai vật liệu nền
3.2.5.3. Vai trò của nền đối với quá trình truyền năng lượng cho ion Er
3.2.5.4. Năng lượng phonon của chất nền

3.2.6. Nồng độ tạp chất

DANH MỤC CÔNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng Quan Nghiên Cứu Tính Chất Quang Phát Quang Vật Liệu

Nghiên cứu về vật liệu phát quang pha tạp ion đất hiếm đang thu hút sự quan tâm lớn, hứa hẹn ứng dụng trong nhiều lĩnh vực như quang điện tử, laser, y sinh học. Các vật liệu phát quang thường bao gồm mạng nền, tâm phát quang (activator) và tâm nhạy quang (sensitizer). Mạng nền có thể là bán dẫn, oxit, hoặc fluorite. Ion đất hiếm được ưa chuộng làm tâm phát quang và tâm nhạy quang nhờ tính chất quang vượt trội, độ ổn định cao và ít độc tính. Hai cơ chế phát quang chính là phát quang chuyển đổi ngược (UC) và phát quang chuyển đổi thuận (DC). Luận án này tập trung vào vai trò của các vật liệu nền khác nhau, đặc biệt là oxit gốm thủy tinh SiO2-SnO2 và fluorite NaYF4, khi đồng pha tạp ion đất hiếm Erbium (Er3+) và Ytterbium (Yb3+), nhằm phát triển vật liệu quang phát quang cường độ cao trong vùng khả kiến và hồng ngoại. "Một hệ vật liệu phát quang gồm có các thành phần chính là: mạng nền (host), tâm phát quang (activator) và tâm nhạy quang (sensitizer)."

1.1. Đặc Điểm Vật Liệu SiO2 SnO2 cho Ứng Dụng Phát Quang

Vật liệu SiO2-SnO2 có tiềm năng lớn trong quang điện tử do tính chất trong suốt vùng khả kiến. Phương pháp sol-gel tạo ra vật liệu dạng khối trụ dễ kéo sợi, phù hợp cho ứng dụng sợi quang. Tuy nhiên, SiO2 có năng lượng phonon cao, hạn chế hiệu suất phát quang và nồng độ ion đất hiếm pha tạp. Việc thêm SnO2 giúp tăng khả năng hòa tan ion đất hiếm và giảm kết đám, cải thiện hiệu suất. Cần nghiên cứu sâu hơn để tối ưu hóa tính chất quang học của vật liệu này.

1.2. Tiềm Năng của Vật Liệu NaYF4 Trong Phát Quang

Vật liệu NaYF4 có năng lượng phonon thấp, lý tưởng cho pha tạp ion đất hiếm. Sự tương đồng về hóa trị và bán kính ion giữa chất pha tạp và nền giúp giảm sai hỏng mạng tinh thể và khuyết tật. NaYF4 cho phép pha tạp nồng độ cao ion đất hiếm mà không làm ảnh hưởng cấu trúc. Phương pháp thủy nhiệt được sử dụng để chế tạo vật liệu này. Cần tìm hiểu thêm về các yếu tố ảnh hưởng đến cấu trúc vật liệuhiệu suất phát quang của NaYF4.

II. Vấn Đề và Thách Thức trong Nghiên Cứu Vật Liệu Phát Quang

Nghiên cứu vật liệu phát quang đối mặt với nhiều thách thức, bao gồm tối ưu hóa hiệu suất, kiểm soát kích thước hạt, và giảm thiểu hiện tượng dập tắt phát quang. Hiệu suất phát quang bị ảnh hưởng bởi nhiều yếu tố như năng lượng phonon của mạng nền, sự kết đám của ion đất hiếm, và các khuyết tật trong cấu trúc. Kiểm soát kích thước hạt và hình thái học của vật liệu nano là rất quan trọng để đạt được tính chất quang mong muốn. Hiện tượng dập tắt phát quang, do truyền năng lượng giữa các ion, làm giảm hiệu suất. Việc giải quyết những vấn đề này đòi hỏi sự hiểu biết sâu sắc về cơ chế phát quang và sự phối hợp giữa các phương pháp chế tạo và phân tích tính chất vật liệu.

2.1. Ảnh Hưởng của Năng Lượng Phonon Lên Tính Chất Phát Quang

Năng lượng phonon của mạng nền ảnh hưởng đáng kể đến tính chất phát quang của ion đất hiếm. Mạng nền có năng lượng phonon cao, như SiO2, làm tăng xác suất khử kích thích không bức xạ, giảm hiệu suất. Mạng nền có năng lượng phonon thấp, như NaYF4, giúp tăng hiệu suất. Cần lựa chọn mạng nền phù hợp để tối ưu hóa hiệu suất phát quang.

2.2. Kiểm Soát Kích Thước và Hình Thái Học Vật Liệu Nano

Kích thước hạt và hình thái học của vật liệu nano ảnh hưởng đến tính chất quang học. Kích thước hạt nhỏ giúp tăng diện tích bề mặt, cải thiện sự tương tác với ánh sáng. Hình thái học đồng đều giúp giảm tán xạ ánh sáng và tăng cường phát xạ kích thích. Cần kiểm soát chặt chẽ các thông số chế tạo để đạt được kích thước và hình thái học mong muốn.

2.3. Giảm Thiểu Quenching Phát Quang Trong Vật Liệu Er Yb

Quenching phát quang, do truyền năng lượng giữa các ion Er3+, làm giảm hiệu suất. Hiện tượng này đặc biệt quan trọng ở nồng độ ion cao. Việc sử dụng các tâm nhạy quang, như Yb3+, giúp tăng cường hấp thụ năng lượng và giảm quenching. Cần nghiên cứu cơ chế truyền năng lượng và tối ưu hóa nồng độ ion để giảm thiểu quenching.

III. Phương Pháp Chế Tạo và Phân Tích Vật Liệu Quang Phát Quang

Luận án sử dụng phương pháp sol-gel để chế tạo vật liệu SiO2-SnO2:Er/Yb và phương pháp thủy nhiệt để chế tạo vật liệu NaYF4:Er/Yb. Các phương pháp phân tích tính chất vật liệu bao gồm nhiễu xạ tia X (XRD), kính hiển vi điện tử quét (SEM), kính hiển vi điện tử truyền (TEM), phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FT-IR), và phổ phát quang (PL). XRD xác định cấu trúc vật liệu. SEM và TEM khảo sát hình thái học bề mặt. FT-IR xác định các nhóm chức. PL đo phổ phát xạ. Kết hợp các phương pháp này giúp hiểu rõ mối quan hệ giữa cấu trúc, thành phần, và tính chất quang học.

3.1. Quy Trình Sol Gel Tạo Vật Liệu SiO2 SnO2 Er Yb

Phương pháp sol-gel bao gồm thủy phân và ngưng tụ các tiền chất để tạo ra mạng gel. Gel sau đó được sấy khô và nung để tạo thành vật liệu oxit. Các thông số như nhiệt độ, thời gian nung, và nồng độ tiền chất ảnh hưởng đến cấu trúc vật liệutính chất quang học. Quy trình này cho phép kiểm soát thành phần và độ đồng nhất của vật liệu.

3.2. Chế Tạo Vật Liệu NaYF4 Er Yb Bằng Phương Pháp Thủy Nhiệt

Phương pháp thủy nhiệt sử dụng nhiệt độ và áp suất cao để kết tinh vật liệu từ dung dịch. Các thông số như nhiệt độ, thời gian phản ứng, và nồng độ chất phản ứng ảnh hưởng đến kích thước hạt, hình thái học, và cấu trúc vật liệu. Phương pháp này cho phép tạo ra vật liệu nano với độ tinh khiết cao và kích thước hạt đồng đều. "Quy trình chế tạo vật liệu nano NaYFy: Er, Yb.".

3.3. Phân Tích Tính Chất Quang Phát Quang Sử Dụng Phổ PL

Phổ phát quang (PL) đo cường độ ánh sáng phát ra từ vật liệu khi được kích thích bằng ánh sáng có bước sóng nhất định. Phổ PL cung cấp thông tin về các mức năng lượng, cơ chế phát quang, và hiệu suất. Việc phân tích phổ PL giúp hiểu rõ tính chất quang học và tiềm năng ứng dụng của vật liệu.

IV. Kết Quả Nghiên Cứu Tính Chất Quang Phát Quang Của SiO2 SnO2 Er Yb

Nghiên cứu cho thấy vật liệu SiO2-SnO2:Er/Yb thể hiện tính chất quang phát quang rõ rệt trong vùng khả kiến và hồng ngoại. Phổ hấp thụ cho thấy sự hấp thụ năng lượng của ion Er3+ và Yb3+. Phổ phát quang cho thấy các đỉnh phát xạ đặc trưng của ion Er3+ tại 550 nm, 650 nm và 1550 nm. Cơ chế phát quang bao gồm cả phát quang chuyển đổi thuận (DC) và phát quang chuyển đổi ngược (UC). Hiệu suất phát quang phụ thuộc vào nồng độ ion và điều kiện chế tạo.

4.1. Phổ Hấp Thụ và Kích Thích Phát Quang PLE của SiO2 SnO2 Er Yb

Phổ hấp thụ cho thấy các đỉnh hấp thụ đặc trưng của ion Er3+ và Yb3+. Phổ kích thích phát quang (PLE) xác định bước sóng kích thích tối ưu để đạt được hiệu suất phát quang cao nhất. Việc phân tích phổ hấp thụ và PLE giúp hiểu rõ cơ chế hấp thụ năng lượng và truyền năng lượng trong vật liệu.

4.2. Phát Quang Chuyển Đổi Thuận DC và Chuyển Đổi Ngược UC trong SiO2 SnO2

Vật liệu SiO2-SnO2:Er/Yb thể hiện cả phát quang chuyển đổi thuận (DC) và phát quang chuyển đổi ngược (UC). DC xảy ra khi một photon năng lượng cao được chuyển đổi thành một photon năng lượng thấp hơn. UC xảy ra khi nhiều photon năng lượng thấp được chuyển đổi thành một photon năng lượng cao hơn. Cơ chế này mở ra nhiều ứng dụng tiềm năng trong các lĩnh vực khác nhau.

4.3. Cơ Chế Phát Quang và Truyền Năng Lượng trong Vật Liệu SiO2 SnO2

Cơ chế phát quang bao gồm quá trình hấp thụ năng lượng bởi ion Yb3+, truyền năng lượng cho ion Er3+, và phát xạ ánh sáng từ ion Er3+. Sự truyền năng lượng hiệu quả giữa Yb3+ và Er3+ là rất quan trọng để đạt được hiệu suất phát quang cao. Cần nghiên cứu sâu hơn để tối ưu hóa quá trình truyền năng lượng.

V. Đánh Giá Tính Chất Quang Phát Quang NaYF4 Er Yb Nano

Nghiên cứu cũng khảo sát tính chất quang phát quang của vật liệu NaYF4:Er/Yb nano. Kết quả cho thấy vật liệu này có hiệu suất phát quang cao hơn so với SiO2-SnO2:Er/Yb. Ảnh hưởng của axit oleic, nhiệt độ thủy nhiệt, thời gian nung, và nồng độ ion đất hiếm lên tính chất cấu trúctính chất quang học đã được nghiên cứu. NaYF4:Er/Yb hứa hẹn ứng dụng trong hiển thị, cảm biến và y sinh.

5.1. Ảnh Hưởng của Axit Oleic Lên Tính Chất của Vật Liệu NaYF4

Axit oleic đóng vai trò quan trọng trong việc kiểm soát kích thước hạt và hình thái học của vật liệu NaYF4 nano. Axit oleic bao phủ bề mặt hạt, ngăn chặn sự kết tụ và giúp tạo ra các hạt có kích thước đồng đều. Sự có mặt của axit oleic cũng ảnh hưởng đến tính chất quang học của vật liệu.

5.2. Tác Động của Nhiệt Độ và Thời Gian Lên Cấu Trúc Vật Liệu NaYF4

Nhiệt độ thủy nhiệt và thời gian nung ảnh hưởng đáng kể đến cấu trúc vật liệu NaYF4. Nhiệt độ cao và thời gian dài giúp tăng kích thước tinh thể và cải thiện độ tinh khiết. Cần tối ưu hóa các thông số này để đạt được cấu trúc vật liệu mong muốn.

5.3. Nồng Độ Ion Đất Hiếm RE3 và Tính Chất Phát Quang

Nồng độ ion đất hiếm RE3+ ảnh hưởng đến tính chất phát quang. Nồng độ quá cao có thể dẫn đến quenching. Cần tối ưu hóa nồng độ để đạt được hiệu suất phát quang cao nhất. Nghiên cứu cho thấy có một nồng độ tối ưu cho tính chất quang học của NaYF4:Er/Yb.

VI. Kết Luận và Hướng Phát Triển Nghiên Cứu Vật Liệu Phát Quang

Luận án đã chế tạo và khảo sát tính chất quang phát quang của vật liệu SiO2-SnO2:Er/YbNaYF4:Er/Yb. Kết quả cho thấy cả hai vật liệu đều có tiềm năng ứng dụng trong các lĩnh vực khác nhau. Hướng phát triển bao gồm tối ưu hóa điều kiện chế tạo, nghiên cứu cơ chế phát quang, và phát triển các ứng dụng cụ thể.

6.1. Tối Ưu Hóa Điều Kiện Chế Tạo để Nâng Cao Hiệu Suất Phát Quang

Việc tối ưu hóa điều kiện chế tạo, bao gồm nhiệt độ, thời gian, nồng độ, và các chất phụ gia, có thể giúp nâng cao hiệu suất phát quang của vật liệu. Cần sử dụng các phương pháp thống kê và tối ưu hóa để tìm ra điều kiện tốt nhất.

6.2. Nghiên Cứu Sâu Hơn về Cơ Chế Phát Quang Trong Vật Liệu

Việc nghiên cứu sâu hơn về cơ chế phát quang, bao gồm quá trình hấp thụ năng lượng, truyền năng lượng, và phát xạ ánh sáng, giúp hiểu rõ hơn về tính chất quang học của vật liệu. Cần sử dụng các phương pháp quang phổ tiên tiến để nghiên cứu cơ chế.

6.3. Phát Triển Các Ứng Dụng Thực Tiễn của Vật Liệu Phát Quang Er Yb

Vật liệu phát quang có tiềm năng ứng dụng trong nhiều lĩnh vực, bao gồm hiển thị, cảm biến, y sinh, và năng lượng. Cần phát triển các ứng dụng cụ thể để tận dụng tối đa tính chất của vật liệu.

28/05/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1 — Tổng quan về vật liệu phát quang Chương 2 — Phương pháp nghiên cứu Chương 3 — Kết quả và bàn luận Các kết quả chính của luận án đã được công bé trong 06 công bồ quốc tế và 04 bài báo Kỷ yếu Hội nghị trong nước. TONG QUAN VE VAT LIEU PHAT QUANG 1. Hiện tượng phát quang Hiện tượng phát quang là hiện tượng một chất phát ra photon (sóng điện từ) khi được chiếu bởi bức xạ kích thích có bước sóng thích hợp. Khi bị kích thích, các electron trong vật liệu từ trạng thái cơ bản hấp thu năng lượng thích hợp chuyền lên trạng thái kích thích (năng lượng cao hơn).

Quá trình phát quang diễn ra khi các electron từ trạng thái kích thích chuyển trở về trạng thái có năng lượng thấp hơn theo biểu đồ của Jablonski [25]. Mức năng lượng Quá trình hap thu (10-159) Qua trình phát quang (10-19-107 s) —— Qui tình lân quang (10-10 s) WW`“ Dịch chuyên nội tại (1071-10 s) SYS Hồi phục do dao động nhiệt (1012-1010 s) ⁄#4⁄4⁄* Dịch chuyển ngang (10-19-10 s) Trên sơ đồ mức năng lượng Hình 1.1, mức năng lượng của phân tử được đặc trưng bằng đường nằm ngang. Đường thăng ngang đậm nét tương ứng mức dao động thấp nhất của mỗi trạng thái điện tử, với mức dao động cao hơn là đường thắng ngang mảnh hơn. Các mức dao động càng lên cao càng gần nhau hơn và có thể trở nên liên tục.

Thông thường trạng thái cơ bản có nhiều phân tử có spin tổng cộng là 0 và trạng thái đó được gọi là trạng thái đơn (singlet state) ký hiệu là S. Quy tắc lọc lựa cho phép sự dịch chuyển giữa những trạng thái đơn thông qua quá trình hấp thu và bức xạ photon. Với những phân tử có trạng thái spin tổng cộng bằng | gọi là trạng thái triplet 5 ký hiệu là T hoặc tổng spin bằng 2 gọi là trạng thai quintet. Trong đó So là trạng thái cơ bản đơn, S¡ là trạng thái đơn kích thích đầu tiên, Sa là trạng thái đơn kích thích thứ n, Tì¡ là trạng thai triplet kích thích đầu tiên, Ta là trạng thái triplet kích thích thứ n.

Quá trình huỳnh quang là quá trình dịch chuyên phát xạ giữa 2 trạng thái điện tử có spin giống nhau, ví dụ sự phát quang của photon từ mức S¡ —> So xảy ra trong khoảng thời gian 101° đến 10” s khi 1 chuỗi liên tiếp các quá trình hồi phục nhanh ở các mức dao động và quá trình chuyên đổi nội diễn ra từ mức dao động thấp nhất của trạng thái kích thích đầu tiên về trạng thái cơ bản. Quá trình lân quang là dịch chuyển bức xạ giữa hai trạng thái có spin khác nhau. Quá trình phát xạ của photon tương ứng dịch chuyển từ trạng thái T¡ —> So, do dich chuyền này bị cắm nên hằng số tốc độ của lân quang rất thấp (dịch chuyền này mặc du "bị cắm", nhưng vẫn xảy ra trong cơ học lượng tử nhưng không thuận lợi về mặt động học và do đó tiến triển ở quy mô thời gian chậm hơn đáng kể). Các phân tử nặng thường có lân quang với thời gian tồn tại của lân quang dài hơn nhiều so với huỳnh quang khoảng 105 + 10's.

Các đại lượng đặc trưng cho quá trình phát quang 1. Dịch chuyển phát quang hv. : hv, 2 hv, 1 (b) Hình 1. Sau khi tổn tại ở trạng thái kích thích với thời gian thích hợp, các nguyên tử trở về trạng thái cơ bản và giải phóng ra photon có năng lượng tương ứng với quá trình chuyển mức đó.

Photon phát ra có năng lượng nhỏ hơn (bước sóng dài hơn) so với photon hấp thu thì sự sai khác năng lượng đó gọi là dịch chuyển Stokes còn trường hợp ngược lại là đối Stokes (Hình 1. Quy tắc lọc lựa spin đối với dịch chuyển điện tử được phép cho cả quá trình hấp thu và phát xạ là electron chuyền mức tuân theo quy tắc chọn lọc với số lượng tử moment toàn phần J, AJ = 0, +1 (ngoại trừ 0 > 0). Dịch chuyển không phát quang 1. Hồi phục do dao động nhiệt Quá trình hồi phục đao động nhiệt (vibrational relaxation) là sự chuyền trạng thái từ mức dao động cao xuống mức dao động thấp hơn nhưng không phát quang, quá trình tiếp diễn đến khi dịch chuyền đến mức dao động thấp nhất (Hình 1.

Quá trình hồi phục do dao động nhiệt thường xảy ra trong khoảng thời gian 10°! + 10°! [25]. Sự hồi phục ở mức dao động là một quá trình trong đó sự phân bố mật độ của các phân tử ở trạng thái lượng tử ở mức năng lượng cao gây ra bởi sự nhiễu loạn bên ngoài với hàm phân bố Maxwell - Boltzmann. Năng lượng dư thừa được chuyền thành động năng của những phân tử cùng loại hay phân tử của môi trường xung quanh. Thông qua quá trình này, năng lượng ở mức dao động được kích thích ban đầu chuyển sang mức dao động có năng lượng thấp hơn.

Quá trình hồi phục này được gọi là hồi phục theo chiều dọc và hằng số thời gian của hồi phục được gọi là thời gian hồi phục theo chiều đọc, hay Ti. Quá trình hồi phục năng lượng dao động có thé được nghiên cứu bằng phổ phân giải thời gian. Bằng cách sử dụng xung bơm, trạng thái kích thích được tích tụ mật độ bởi quá trình hấp thu bức xạ hồng ngoại khi điện tử ở trạng thái cơ bản, khi đó quá trình hồi phục về mức dao động thấp hơn làm trễ xung đầu ra so với xung ban đầu. Dịch chuyển nội tại Nếu electron được kích thích tới trạng thái đơn có năng lượng cao hơn thì quá trình hồi phục không bức xạ nhanh sẽ xảy ra khi có sự chuyển mức về trạng thái đơn có năng lượng thấp hơn (ví dụ S2 > S¡).

Quá trình hồi phục giữa những trang thái điện 7 tử có spin là bội số của nhau như S¡, S2 được gọi là dịch chuyền nội tại có tốc độ chuyển đổi tỉ lệ nghịch với độ chênh lệch năng lượng giữa hai trạng thái điện tử khoảng 10'!+ 10° s. Dịch chuyền nội tại đạt hiệu quả cao khi 2 trạng thái điện tử đủ gần để 2 mức dao động chồng chập lên nhau như được thấy trên Hình 1.1 giữa 2 mức S2 và S¡ hoặc S¡ và So [25]. Dịch chuyển ngang Quá trình hồi phục xảy ra giữa các trạng thái có spin khác nhau được gọi là dịch chuyển ngang (intersystem crossing) (ví dụ S¡ > Ti). Quá trình này về nguyên tắc thì bị cắm do bảo toàn momen spin, tuy nhiên do tương tác spin-quỹ đạo nên vẫn xảy ra dịch chuyền này.

Quá trình dịch chuyển ngang khác spin thường ít có khả năng xảy ra hơn quá trình dịch chuyển nội tại cùng spin [25]. Khử kích thích không bức xạ Năng lượng kích thích được giữ trong các phân tử sau khi hấp thu bị tiêu hao do định luật bảo toàn năng lượng. Các quá trình không bức xạ nói trên xảy ra rất nhanh chóng và chỉ giải phóng một lượng rất nhỏ năng lượng. Phần còn lại năng lượng được lưu trữ sẽ bị tiêu tán một cách triệt dé, bởi phát xa photon (phát quang), hoặc không bức xạ, hoặc bởi sự giải phóng năng lượng nhiệt.

Các bằng chứng thực nghiệm cho các quá trình khử kích thích không bức xạ là sự đập tắt phát quang. Các quá trình khử kích thích không bức xạ là sự truyền năng lượng vào dung môi hoặc các chất tan không phát quang trong dung dịch. Ở trạng thái rắn, dao động tinh thé (phonon) liên quan đến cơ chế khử kích thích không bức xạ. Quá trình truyền năng lượng Ngoài quá trình hồi phục phát quang và không phát quang, quá trình dịch chuyển trở về trạng thái cơ bản còn liên quan đến quá trình truyền năng lượng ở trạng thái kích thích từ tâm kích thích (S”) sang các tâm khác (A) trong mạng tỉnh thể hoặc sự truyền năng lượng từ ion donor (chất nhận) sang acceptor (chất cho).

S°+A->S+A" Khi đó S* được gọi là tâm nhạy quang đối với A (tâm phát quang), A* có thể xảy ra dịch chuyền phát quang hoặc không phát quang, quá trình chuyển mức không phát 8 quang liên quan đến sự dập tắt huỳnh quang. Quá trình truyền năng lượng chỉ có thể xảy ra khi sự chênh lệch mức năng lượng giữa trạng thái kích thích và trạng thái cơ bản của tâm S và A tương đồng nhau, ngoài ra phải đảm bảo khoảng cách giữa hai tâm đó đủ gần dé xảy ra quá trình tương tác giữa hai tâm. Sự tương tác có thé là tương tác trao đôi (nếu Có sự chồng chập của các hàm sóng) hoặc tương tác đa cực điện hoặc từ (electric or magnetic multipolar interaction). - Quá trình truyền năng lượng cộng hướng FRET (Forster resonance energy transfer) mô tả sự truyền năng lượng giữa hai phân tử thé hiện sự tương tác của các chất trong trường gần khi một chất cho (donor) nhận năng lượng kích thích và truyền năng lượng đó cho chất nhận (acceptor) ở khoảng cách đủ gần (10 + 100 A) thông qua quá trình chuyền đổi không bức xạ tuân theo tương tác lưỡng cực tầm xa [27].

Lý thuyết của quá trình truyền năng lượng này xem chất bị kích thích là một lưỡng cực dao động có thể trải qua quá trình trao đổi năng lượng với một lưỡng cực thứ hai có tần số cộng hưởng tương tự. Quá trình này có thể được biểu điễn như sau: D+hv>D* D*+A—>D+A\(D: chất cho, A chat nhận) A’ >At+hv Dé quá trình FRET xảy ra thì phải thỏa mãn các yếu tố như: (1) khoảng cách giữa chat cho và chất nhận (thường là 1 + 10 nm), (2) sự chồng chập phé giữa phé phát xạ của chất cho và phô hấp thu của chất nhận, (3) định hướng tương đối của mômen lưỡng cực phát xạ của chất cho và mômen lưỡng cực hấp thu của chất nhận và (4) thời gian sống phát quang của chất cho phải đủ dé quá trình FRET xảy ra. Năng lượng FRET tỉ lệ nghịch với lũy thừa bậc sáu theo khoảng cách chất cho và chất nhận.) 5 lo) trong đó r là khoảng cách giữa cặp chat cho va chất nhận, Ro là khoảng cách Forster của cặp chất cho và chất nhận khi hiệu suất truyền năng lượng là 50%. Thời gian sống phát quang Thời gian sống phát quang là thời gian trung bình mà electron ton tại ở trạng thái kích thích trước khi hồi phục về trạng thái thấp hơn và phát quang [25].3) Lior = Trad + Invad (1.4) trong đó, (S¡) la nồng độ của electron ở trạng thái kích thích vào thời điểm t, (Si)o là nồng độ electron ban dau, T là tốc độ phân hủy va bằng nghịch đảo thời gian sống phát quang +.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Tài liệu "Nghiên Cứu Tính Chất Quang Phát Quang Của Vật Liệu SiO2-SnO2:Er/Yb Và NaYF4:Er/Yb" cung cấp cái nhìn sâu sắc về các đặc tính quang học của hai loại vật liệu phát quang, SiO2-SnO2 và NaYF4, được pha tạp với ion Erbium (Er) và Ytterbium (Yb). Nghiên cứu này không chỉ làm rõ cơ chế phát quang mà còn chỉ ra tiềm năng ứng dụng của các vật liệu này trong công nghệ quang học và điện tử. Độc giả sẽ tìm thấy thông tin hữu ích về cách mà các vật liệu này có thể được sử dụng trong các thiết bị phát quang hiện đại, từ đó mở ra hướng đi mới cho nghiên cứu và phát triển trong lĩnh vực vật liệu.

Để mở rộng thêm kiến thức, bạn có thể tham khảo các tài liệu liên quan như Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể cdse không sử dụng trioctylphosphine, nơi bạn sẽ tìm thấy thông tin về các loại nano vật liệu khác và ứng dụng của chúng trong công nghệ quang học. Ngoài ra, tài liệu Chế tạo và khảo sát tính chất quang của thủy tinh zinc lithium telluroborate pha tạp eu3 cũng sẽ cung cấp thêm cái nhìn về các vật liệu thủy tinh và tính chất quang của chúng. Cuối cùng, bạn có thể tìm hiểu thêm về Nghiên cứu tính chất quang và khả năng ứng dụng của màng mỏng oxit vanadi giàu vo2, tài liệu này sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về các ứng dụng của vật liệu oxit trong công nghệ hiện đại.