Chương 1 đổi. Kết quả thực nghiệm đã được trình bày để xác minh phân tích lý thuyết của giải thuật đề xuất. Phân bố xung kích nghịch lưu nguồn Z theo nghiên cứu [2] ✓ “Switched-Boost Modified Z-Source Inverter Topologies with Improved Voltage Gain Capability”, Anish Ahmad, Vinod Kumar Bussa, R. Mahanty, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Volume: 6, Issue: 4, Dec.
Bài báo trình bày các cấu trúc nghịch lưu nguồn Z tang áp ba pha (ZSI) với khả năng tang áp được cải thiện (hình 1. Trong các cấu trúc ZSI được đề HVTH: Nguyễn Hùng Trang 6 GVHD: TS. Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 1 xuất, mức tăng điện áp được tăng lên đáng kể bằng cách thêm một công tắc phụ và một diode mà không sử dụng các thành phần thụ động bổ sung. Khái niệm này được áp dụng cho ZSI truyền thống, ZSI dòng đầu vào không liên tục (qZSI) và qZSI dòng đầu vào liên tục dẫn đến ba cấu trúc liên kết nghịch lưu mới; ZSI chuyển đổi tăng cường (SB-ZSI), dòng điện đầu vào không liên tục qZSI (DC-qZSI) và dòng điện đầu vào liên tục qZSI (CC-qZSI).
Tác giả đã phân tích nguyên lý hoạt động, phân tích trạng thái ổn định, khả năng tăng điện áp, đáp ứng điện áp, đáp ứng dòng điện, phân tích năng lượng dự trữ, tổn hao, độ méo hài tổng THD và phân tích hiệu quả được thực hiện để làm nổi bật các ưu điểm của nghịch lưu được đề xuất so với các ZSI thông thường khác. Cuối cùng, tác giả kiểm chứng giải thuật bằng thực nghiệm và mô phỏng. Cấu trúc nghịch lưu nguồn Z cải tiến nghiên cứu [3] ✓ “Sliding Mode Control of Single-Phase GridConnected Quasi-Z-Source Inverter”, Umesh K. Jaya Bharata Reddy D.
Mohanta, IEEE Access, 2018. Bài báo trình bày một nghịch lưu nguồn Z (dạng qZSI) được kết nối lưới với cả điều khiển bên phía AC và DC. Bộ điều khiển dựa trên điều khiển trượt (SMC) để điều chỉnh điện áp tụ điện đã được đề xuất để đảm bảo đáp ứng nhanh HVTH: Nguyễn Hùng Trang 7 GVHD: TS. Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 1 và động cho các biến thể rộng của điện áp đầu vào, tải đầu ra và số lượng điều khiển tham chiếu (hình 1.
Một mô hình toán học chi tiết của hệ thống được tác giả trình bày. Ưu điểm của kỹ thuật này là phản ứng ổn định và đáp ứng nhanh của SMC đã được chứng minh bằng cách sử dụng mô phỏng và được xác nhận bằng các kết quả thử nghiệm. Nghịch lưu nguồn Z điều khiển theo kỹ thuật trượt thích nghi [4] ✓ “Modelling, Design, Control, and Implementation of a Modified Z-source Integrated PV/Grid/EV DC Charger/Inverter”, Siddhartha A. Singh; Giampaolo Carli; Najath A.
Williamson, IEEE Trans 2018. Bài báo đề cập đến tính phổ biến của việc sử dụng năng lượng mặt trời như một nguồn năng lượng thay thế, một trong những yêu cầu đối với thiết kế điện tử công suất đó là giảm số lượng giai đoạn chuyển đổi và cung cấp sự cách ly. Cấu trúc liên kết nghịch lưu nguồn Z (ZSI) có thể loại bỏ nhiều giai đoạn và đạt được tăng điện áp và chuyển đổi nguồn DC-AC trong một giai đoạn. Việc sử dụng các thành phần thụ động cũng thể hiện cơ hội tích hợp các hệ thống lưu trữ năng lượng (ESS) vào chúng.
Bài viết này trình bày mô hình, thiết kế và vận hành của nghịch lưu nguồn Z cải tiến (MZSI) được tích hợp với bộ sạc HVTH: Nguyễn Hùng Trang 8 GVHD: TS. Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 1 pin tách biệt chính để sạc pin DC cho xe điện (EV) (hình 1. Kết quả mô phỏng và thử nghiệm đã được trình bày để chứng minh tính khả thi của bộ chuyển đổi được đề xuất. ✓ “Modelling, Design, Control, and Implementation of a Modified Z-source Integrated PV/Grid/EV DC Charger/Inverter”, Siddhartha A.
Singh; Giampaolo Carli; Najath A. Williamson, IEEE Trans 2018. Bài báo đề cập đến những yêu cầu đối với trình chuyển đổi cho các ứng dụng điện mặt trời đó là giảm số lượng giai đoạn chuyển đổi công suất và cung cấp sự cách ly. Cấu trúc liên kết biến tần nguồn Z (ZSI) có thể loại bỏ nhiều giai đoạn và đạt được tăng điện áp và chuyển đổi nguồn DC-AC trong một giai đoạn.
Việc sử dụng các thành phần thụ động cũng thể hiện cơ hội tích hợp các hệ thống lưu trữ năng lượng (ESS) vào chúng. Bài báo trình bày một mô hình hóa, thiết kế và vận hành của nghịch lưu nguồn Z (MZSI) có thể sửa đổi được tích hợp với bộ sạc pin cách ly chính để sạc pin DC cho xe điện (EV). Kết quả mô phỏng và thử nghiệm đã được trình bày để chứng minh khái niệm hoạt động của bộ chuyển đổi được đề xuất (hình 1. Nghịch lưu nguồn Z cho trạm sạc xe điện [5] HVTH: Nguyễn Hùng Trang 9 GVHD: TS.
Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 1 ✓ “Family of high-boost Z-source inverters with combined switched-inductor and transformer cells”, Minh-Khai Nguyen, Young-Cheol Lim, Sung-Jun Park, Duck-Shick Shin, IET Power Electronics 2013. Nghiên cứu này đề xuất một họ mới các bộ nghịch lưu nguồn Z hệ số tang áp cao (high boost) (ZSI) với các tế bào chuyển đổi và cuộn cảm kết hợp. Bằng cách thay đổi tỷ số biến áp, số lượng tế bào cảm ứng chuyển mạch và chu kỳ nhiệm vụ shoot - through, nghịch lưu được đề xuất tạo ra mức tăng điện áp cao. So với các cấu trúc liên kết ZSI high boost thông thường cho cùng một điện áp đầu vào và đầu ra, nghịch lưu được đề xuất sử dụng chỉ số điều chế cao hơn để cải thiện dạng sóng đầu ra.
Ngoài ra tác giả còn đề xuất một kỹ thuật xen kẽ được áp dụng cho nghịch lưu được đề xuất để phân phối ứng suất trên các thành phần thụ động. Để xác minh hiệu suất của nghịch lưu được đề xuất, tác giả đã thực hiện mô phỏng và thử nghiệm với các tỷ số biến áp khác nhau. Cấu hình đề xuất nghiên cứu [6] HVTH: Nguyễn Hùng Trang 10 GVHD: TS. Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 1 1.
MỤC TIÊU CỦA ĐỀ TÀI Đề tài đặt ra các mục tiêu sau: ✓ Nghiên cứu nghịch lưu nguồn Z tựa khóa thay cho nghịch lưu nguồn Z thường ✓ Nghiên cứu mở rộng chỉ số điều chế cho nghịch lưu nguồn Z tựa khóa ✓ Nghiên cứu kỹ thuật điều khiển công suất hòa lưới cho nghịch lưu nguồn Z tựa khóa ✓ Đánh giá khả năng áp dụng kỹ thuật đề xuất. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU VÀ NỘI DUNG NGHIÊN CỨU Để thực hiện được các nội dung nghiên cứu, đề tài thực hiện phương pháp nghiên cứu dựa vào tìm hiểu lý thuyết cơ bản về điện mặt trời, bộ nghịch lưu và các công trình công bố uy tín trên các tạp chí IEEE, Springer; đề xuất cấu hình và giải thuật cho hệ thống; kiểm chứng các giải thuật trên mô phỏng PSIM và hướng đến thực nghiệm. Nội dung nghiên cứu bao gồm: ❖ Nguyên cứu lý thuyết: Hệ điện mặt trời, các phương pháp điều khiển dòng công suất của điện mặt trời nối lưới, các cấu trúc nghịch lưu tăng áp, nghịch lưu nguồn Z và các phương pháp điều khiển nghịch lưu. ❖ Mô phỏng: trên nền PSIM để xây dựng sơ đồ mô phỏng và kiểm chứng cấu hình và giải thuật đề xuất.
HVTH: Nguyễn Hùng Trang 11 GVHD: TS. Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 2 Chương 2 TỔNG QUAN VỀ ĐIỆN MẶT TRỜI VÀ NGHỊCH LƯU NGUỒN Z 2. TỔNG QUAN ĐIỆN MẶT TRỜI Hình 2. Tổng quan hệ thống điện mặt trời hòa lưới [http://electricalacademia.com] Một hệ thống chuyển đổi năng lượng mặt trời bao gồm các thành phần cơ bản: pin mặt trời, bộ biến đổi công suất, bộ điều khiển và tải.
Năng lượng mặt trời được tấm pin mặt trời chuyển thành điện DC sau đó được bộ biến đổi công suất chuyển đổi ra dạng điện áp phù hợp với tải DC, tải AC hay hòa vào lưới điện quốc gia như hình 2. Bộ điều khiển có chức năng đo kiểm các thông số ở đầu ra pin mặt trời và đầu ra tải và xuất ra tín hiệu điều khiển các khóa công suất ở các bộ DC/DC hay DC/AC để thu được công suất cao nhất từ pin mặt HVTH: Nguyễn Hùng Trang 12 GVHD: TS. Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 2 trời hay đạt hiệu suất chuyển đổi cao, hay có thể bảo vệ hệ thống khi quá tải, ngắn mạch hoặc các sự cố khi khi hòa lưới (ví dụ sự cố “ốc đảo – Islanding”). Thành phần quan trọng không thể thiếu trong hệ thống điện mặt trời là các panel pin mặt trời, tấm pin năng lượng mặt trời thực tế như hình 2.
Bao gồm nhiều module pin quang điện được ghép nối với nhau, để đạt được điện áp hay công suất theo yêu cầu sử dụng. Tấm pin mặt trời Đặc tuyến I-V, P-V (hình 2.3) của tấm pin mặt trời thay đổi theo nhiệt độ, bức xạ và điều kiện của tải. Tùy vào điều kiện vận hành, điểm vận hành sẽ di chuyển trên các đường cong phi tuyến này, và bộ điều khiển có chức năng giám sát để điểm vận hành đạt được công suất ngõ ra tối đa (MPP), gọi là tìm điểm công suất cực đại. HVTH: Nguyễn Hùng Trang 13 GVHD: TS.
Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 2 Hình 2. Đặc tuyến PV Hình 2. Sơ đồ tương đương chính xác của tấm pin mặt trời Để khảo sát và điều khiển năng lượng thu được từ pin mặt trời đạt hiệu quả cao, sơ đồ tương đương và mô hình toán học là 2 thành phần không thể thiếu. Sơ đồ tương đương được thể hiện như hình 2.4 HVTH: Nguyễn Hùng Trang 14 GVHD: TS.
Quách Thanh Hải Luan van Luận Văn Thạc Sĩ Chương 2 Trong đó tấm pin tương đương một nguồn dòng phát ra công suất ở đầu vào, điện trở Rsh và Rs là điện trở nội song song và nối tiếp của tấm pin. Đầu ra của tấm pin mặt trời có thể là tải DC, bộ DC/DC hay bộ DC/AC, tuy nhiên, dù ghép nối với bất kỳ bộ biến đổi công suất hay tải nào thì nhìn từ phía nguồn pin mặt trời, tải sẽ chỉ tương đương một biến trở R. Như minh họa ở hình 2.3, pin mặt trời là một nguồn có đặt P-V, I-V là phi tuyến, phương trình toán học được biểu diễn như công thức (2.1) thể hiện mối quan hệ phi tuyến này.1) Trong đó: Ipv: Dòng điện ra PV panel (A). Iph: Dòng quang điện (A) Isat: dòng bảo hòa (A) Vpv: Điện áp ra PV panel (V) ns: số lượng pin nối tiếp np: số lượng pin mắc song song q: điện tích Electron k: hằng số Boltzman T: nhiệt độ tấm pin A: hệ số lý tưởng.
Qua công mô hình toán học pin mặt trời ở (2.