Mô phỏng vật lý và khảo sát các lớp chính của pin mặt trời màng mỏng CIGS

Chuyên ngành

Vật lý Chất rắn

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận án tiến sĩ

2013

168
0
0

Phí lưu trữ

30.000 VNĐ

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

LỜI CẢM ƠN

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI MÀNG MỎNG TRÊN CƠ SỞ LỚP HẤP THỤ CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)

1.1. Phương pháp bốc bay chân không

1.2. Phương pháp chế tạo màng bằng phún xạ catot (Cathode Sputtering)

1.3. Phương pháp laze xung (PLD - Pulsed Laser Deposition)

1.4. Phương pháp chế tạo màng mỏng bằng điện tử xung (Pulse Electrodeposition-PED)

1.5. Phương pháp epitaxi chùm phân tử (MBE-Molecular Beam Epitaxy)

1.6. Phương pháp chế tạo màng bằng lắng đọng điện hóa

1.7. Một số phương pháp khảo sát cấu trúc và tính chất màng mỏng

1.7.1. Phân tích cấu trúc tinh thể bằng phương pháp nhiễu xạ tia X

1.7.2. Phân tích hình thái học bề mặt màng mỏng bằng hiển vi điện tử quét (Scanning Electron Microscopy - SEM)

1.7.3. Phân tích tính chất quang của màng mỏng bằng quang phổ kế

1.7.4. Phương pháp xác định chiều dày màng mỏng bằng dao động thạch anh (quartz)

1.7.5. Phương pháp Van der Pauw

1.7.5.1. Đo điện trở mặt của mẫu màng mỏng bằng kỹ thuật Van der Pauw
1.7.5.2. Phép đo hiệu ứng Hall

1.7.6. Phương pháp đo chiều dày màng mỏng bằng Stylus Profiler

1.7.7. Phương pháp đo điện trở vuông của mẫu màng mỏng

1.8. KẾT LUẬN CHƯƠNG 1

2. CHƯƠNG 2: MÔ PHỎNG CÁC THÔNG SỐ HOẠT ĐỘNG CỦA PMT MÀNG MỎNG CIGS BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG AMPS-1D

2.1. Cấu trúc cơ bản và các tham số đặc trưng của PMT màng mỏng CIGS

2.2. Phương trình Poisson

2.3. Nồng độ điện tử tự do và nồng độ lỗ trống tự do

2.4. Nồng độ trạng thái định xứ (ND+, NA-, pt, nt)

2.5. Nồng độ donor và nồng độ acceptor (ND+, NA)

2.6. Nồng độ các mức sai hỏng (nt và pt)

2.7. Phương trình liên tục

2.8. Mật độ dòng điện tử và mật độ dòng lỗ trống (Jn và Jp)

2.9. Quá trình tái hợp của hạt tải

2.10. Mô phỏng hiệu năng hoạt động của PMT bằng AMPS-1D

2.10.1. Các tham số đầu vào

2.10.2. Các tham số đặt vào toàn bộ thiết bị

2.10.3. Các tham số đặt vào từng lớp riêng biệt

2.10.4. Các tham số để xác định quang phổ chiếu sáng

2.10.5. Khảo sát hiệu năng hoạt động của PMT bằng AMPS-1D

2.10.5.1. Ảnh hưởng của độ dày của lớp hấp thụ CIGS
2.10.5.2. Ảnh hưởng của độ rộng vùng cấm Eg của lớp hấp thụ CIGS
2.10.5.3. Ảnh hưởng của hệ số phản xạ mặt trước

2.11. KẾT LUẬN CHƯƠNG 2

3. CHƯƠNG 3: CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT LỚP DẪN ĐIỆN TRUYỀN QUA ZnO VÀ LỚP HẤP THỤ CIGS BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐIỆN TỬ XUNG (PULSED ELECTRON DEPOSITION-PED)

3.1. Tổng quan về thiết bị điện tử xung (PED)

3.2. Chế tạo màng mỏng ZnO và CIGS bằng phương pháp PED

3.2.1. Màng mỏng dẫn điện trong suốt ZnO:Al (AZO)

3.2.2. Màng mỏng hấp thụ CIGS

3.3. KẾT LUẬN CHƯƠNG 3

4. CHƯƠNG 4: CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT LỚP HẤP THỤ CGS, CIGS BẰNG PHƯƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG ĐIỆN HÓA

4.1. Phương pháp Vol-Ampe vòng (Cyclic Voltammetry-CV)

4.2. Ảnh hưởng của các chất tạo phức lên quá trình lắng đọng màng hấp thụ CuGaSe (CGS) trên đế ITO

4.3. Thực nghiệm phép đo CV và lắng đọng màng CGS

4.4. Các kết quả và thảo luận

4.4.1. Đặc trưng Vol-Ampe của các hệ đơn nguyên

4.4.2. Đặc trưng Vol-Ampe của hệ ba nguyên Cu-Ga-Se

4.4.3. Kết quả lắng đọng điện hóa của màng CGS

4.4.4. Ảnh hưởng của thế lắng đọng điện hóa lên quá trình lắng đọng màng hấp thụ CIGS trên đế Mo

4.4.5. Chế tạo lớp dẫn điện đế Mo bằng phương pháp phún xạ catot

4.4.6. Kết quả khảo sát mẫu thu được

4.4.7. Phép đo Vol-Ampe vòng và sự lắng đọng màng CIGS

4.4.8. Kết quả và thảo luận

4.4.9. Đặc trưng Vol-Ampe của đơn chất Cu, Ga, In và Se

4.4.10. Đặc trưng Vol-Ampe của hệ hai nguyên Cu-Se, Ga-Se, In-Se

4.4.11. Đặc trưng Vol-Ampe của hệ bốn nguyên Cu-In-Ga-Se

4.4.12. Sự phụ thuộc vào thế khử của thành phần màng mỏng

4.4.13. Hình thái học và tinh thể

4.4.14. Chế tạo thử nghiệm và khảo sát tính chất PMT trên cơ sở màng hấp thụ CIGS

4.4.14.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của PMT Glass/ITO/CIGS/Al
4.4.14.2. Khảo sát tính chất chuyển hóa quang điện

4.5. KẾT LUẬN CHƯƠNG 4

KẾT LUẬN CHUNG

CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Luận văn thạc sĩ hus mô phỏng vật lý linh kiện chế tạo và khảo sát một số lớp chính của pin mặt trời trên cơ sở màng mỏng ciss

Bạn đang xem trước tài liệu:

Luận văn thạc sĩ hus mô phỏng vật lý linh kiện chế tạo và khảo sát một số lớp chính của pin mặt trời trên cơ sở màng mỏng ciss

Tài liệu "Mô phỏng và khảo sát pin mặt trời màng mỏng CIGS" cung cấp cái nhìn sâu sắc về công nghệ pin mặt trời màng mỏng, đặc biệt là loại pin CIGS (Copper Indium Gallium Selenide). Tài liệu này không chỉ mô tả quy trình mô phỏng và khảo sát mà còn phân tích hiệu suất và tiềm năng ứng dụng của loại pin này trong việc sản xuất năng lượng tái tạo. Độc giả sẽ tìm thấy những thông tin hữu ích về cách tối ưu hóa hiệu suất của pin mặt trời, từ đó có thể áp dụng vào các dự án năng lượng bền vững.

Để mở rộng kiến thức về lĩnh vực này, bạn có thể tham khảo thêm tài liệu Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly3 4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen, nơi bạn sẽ tìm thấy thông tin về các cấu trúc pin mặt trời tiên tiến. Ngoài ra, tài liệu Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời quang điện hóa trên cơ sở vật liệu znocds cấu trúc nano sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về các vật liệu nano trong công nghệ pin mặt trời. Cuối cùng, tài liệu Luận văn thạc sĩ nghiên cứu hệ thống điện lai năng lượng gió và mặt trời nối lưới sẽ cung cấp cái nhìn tổng quan về các hệ thống năng lượng lai, mở rộng khả năng ứng dụng của pin mặt trời trong các giải pháp năng lượng bền vững.