Luận văn Thạc sĩ Kỹ thuật: nghiên cứu và mô phỏng thiết bị chống sét lan

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu và mô phỏng thiết bị chống sét lan truyền trên mạng máy tính và đường dây điện thoại cho giáo dục đào tạo chuyên nghiệp

• Tác giả: Đỗ Bình Dương
• Người hướng dẫn: TS. Quyền Huy Ánh
• Trường học: Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành Phố Hồ Chí Minh
• Chuyên ngành: Thiết Bị Mạng Và Nhà Máy Điện
• Đề tài: Nghiên Cứu Và Mô Phỏng Thiết Bị Chống Sét Lan Truyền Trên Mạng Máy Tính Và Đường Dây Điện Thoại
• Loại tài liệu: Luận văn thạc sĩ
• Năm xuất bản: 2005
• Địa điểm: Thành phố Hồ Chí Minh

Tóm tắt

I. Tổng Quan Về Thiết Bị Chống Sét Lan Truyền

Thiết bị chống sét lan truyền là các thiết bị bảo vệ quan trọng nhằm ngăn chặn hiện tượng sét và các xung điện áp quá độ lan truyền trên mạng máy tính và đường dây điện thoại. Hiện nay, các thiết bị truyền dữ liệu đã trở nên rất nhạy cảm với các xung điện áp và quá độ. Các IC chip ngày càng nhỏ và có điện áp hoạt động thấp nên dễ bị hỏng hóc bởi các xung điện áp chỉ khoảng 20V. Mô phỏng thiết bị chống sét giúp hiểu rõ cơ chế hoạt động và hiệu quả bảo vệ của các thiết bị này. Các nghiên cứu của IEEE cho thấy các quá độ cảm ứng do sét trong hệ thống điện thoại thường khoảng vài kV với xung dòng ít khi vượt quá 1kA. Sét là nguồn gây quá độ thường gặp nhất trong các hệ thống máy tính và viễn thông hiện đại.

1.1. Khái Niệm Sét Lan Truyền

Sét lan truyền xảy ra khi năng lượng sét khổng lồ tạo ra các quá độ ở các hệ thống lân cận. Dòng sét có thể chạy trong các dây dẫn do sét đánh hay đi vào cáp ngầm qua các dòng điện tần trong đất. Vì đường dây điện thoại thường dùng chung trụ, chung tuyến hay chung cọc nối đất với đường dây AC nên thường xuyên xuất hiện các dòng điện cảm ứng trên dây Tip và Ring.

1.2. Nguồn Gây Quá Độ Điện Áp

Các quá độ điện áp có thể phát sinh từ nhiều nguồn khác nhau: cảm ứng do sét, cảm ứng do đường dây AC, phóng điện tĩnh điện ESD. Mô phỏng các loại quá độ này giúp thiết kế hệ thống bảo vệ hiệu quả. Mặc dù thời gian tác động là rất ngắn nhưng chúng có năng lượng rất lớn, đủ để phá hủy các thiết bị điện tử nhạy cảm.

II. Phân Loại Quá Độ Trên Đường Dây Điện Thoại

Các quá độ điện áp hay dòng điện thường xảy ra trên đường dây điện thoại ở hai dạng chính. Quá độ longitudinal là quá độ giữa dây Tip, Ring với đất, trong khi quá độ metallic xảy ra giữa dây Tip và Ring. Hiểu rõ sự khác biệt giữa hai loại quá độ này là nền tảng quan trọng để thiết kế thiết bị chống sét lan hiệu quả. Cơ sở hạ tầng viễn thông, đặc biệt là hệ thống 2 dây thường đi ngoài trời rất dễ bị tác động bởi các nguồn nhiễu. Điện áp hàng trăm, hàng ngàn volt tạo ra do quá độ làm hỏng các thiết bị viễn thông hay các máy tính. Theo thống kê, một số ít xung sét có cường độ có thể vượt quá 200kA, các giá trị này thường được sử dụng khi nghiên cứu sét đánh trực tiếp.

2.1. Quá Độ Longitudinal

Quá độ longitudinal được định nghĩa là quá độ xảy ra giữa dây Tip-Ring với dây đất. Loại quá độ này thường có giá trị cao và công suất lớn do được truyền từ các dây dẫn bên ngoài. Các thiết bị bảo vệ cần có khả năng chịu đựng công suất lớn để ngăn chặn loại quá độ này.

2.2. Quá Độ Metallic

Quá độ metallic là quá độ xảy ra giữa dây Tip và dây Ring. Loại quá độ này thường có giá trị thấp hơn quá độ longitudinal nhưng vẫn có thể gây hỏng hóc các IC nhạy cảm. Mô phỏng quá độ metallic giúp thiết kế mạch bảo vệ thích hợp cho các thiết bị máy tính.

III. Các Loại Thiết Bị Bảo Vệ Chống Sét

Các thiết bị bảo vệ chống sét thường chia ra làm hai loại: bảo vệ quá áp và bảo vệ quá dòng. Các thiết bị bảo vệ quá áp thường dùng là GDT (Gas Discharge Tube), MOV (Metal Oxide Varistor), TVS zener và Thyristor. Các thiết bị bảo vệ quá dòng là cầu chì và PPTC (Polymeric PTC). Hiện nay, Thyristor và PPTC là các phần tử bán dẫn bảo vệ tin cậy nhất trong các thiết bị điện tử viễn thông. Các bộ bảo vệ thường chia làm 2 loại: bảo vệ thứ cấp và bảo vệ sơ cấp. Các bộ bảo vệ sơ cấp có khả năng chịu công suất lớn hơn nhiều so với các bộ bảo vệ sơ cấp tuy nhiên chúng có ngưỡng tác động kém chính xác hơn.

3.1. Gas Discharge Tube GDT

GDT (Gas Discharge Tube) là các ống phóng khí thường có dạng 2 cực và 3 cực. Các điện cực được giữ ở khoảng cách gần nhau và đặt trong ống có đầy khí. Khi có điện áp cao đặt vào giữa các điện cực vượt quá giá trị định mức thì khí bên trong bị ion hóa. GDT có thời gian đáp ứng khá chậm nhưng có thể giải thoát công suất lớn.

3.2. Metal Oxide Varistor MOV

MOV (Metal Oxide Varistor) là thiết bị bảo vệ quá áp phổ biến với đặc tính phi tuyến. Khi điện áp vượt quá ngưỡng, MOV có khả năng kìm giữ điện áp ở mức an toàn. MOV có ưu điểm là phản ứng nhanh, kích thước nhỏ và giá thành rẻ. Tuy nhiên, MOV dễ bị hao mòn theo thời gian và cần thay thế định kỳ.

IV. Phương Pháp Mô Phỏng Và Đánh Giá Hiệu Quả

Mô phỏng thiết bị chống sét lan truyền là bước quan trọng để kiểm chứng hiệu quả bảo vệ trước khi triển khai thực tế. Phương pháp mô phỏng giúp dự báo hành vi của các thiết bị bảo vệ dưới tác động của các xung sét khác nhau. Các bộ bảo vệ sơ cấp thường lắp đặt ở tổng đài hoặc tại đầu vào của tòa nhà và thường là tài sản của công ty cung cấp dịch vụ. Các bộ bảo vệ thứ cấp thường lắp ở phía khách hàng thuê bao. Mô phỏng bảo vệ thứ cấp thường bao gồm cả bảo vệ quá dòng và quá áp. Qua mô phỏng, các kỹ sư có thể tối ưu hóa thiết kế mạch, chọn lựa linh kiện thích hợp và đảm bảo độ tin cậy cao cho hệ thống.

4.1. Các Phương Pháp Mô Phỏng Hiện Đại

Mô phỏng số sử dụng các phần mềm chuyên dụng để mô hình hóa các thiết bị bảo vệ. Các công cụ mô phỏng như SPICE, PSPICE giúp phân tích chi tiết hành vi mạch dưới tác động của các xung quá độ. Mô phỏng tính toán kết hợp các mô hình toán học chính xác của các phần tử bảo vệ để dự báo điện áp, dòng điện và năng lượng tiêu hao.

4.2. Tiêu Chuẩn Đánh Giá Hiệu Quả Bảo Vệ

Tiêu chuẩn đánh giá bao gồm khả năng kìm giữ điện áp, thời gian phản ứng, công suất chịu được và độ bền lâu dài. Các thiết bị chống sét lan truyền cần đạt được các tiêu chuẩn quốc tế như ITU-T K.20, K.21 để đảm bảo bảo vệ hiệu quả cho hệ thống viễn thông.

Nội dung chính

Tổng quan nghiên cứu

Trong kỷ nguyên số hóa, các hệ thống công nghệ thông tin và hạ tầng viễn thông đóng vai trò huyết mạch trong mọi hoạt động kinh tế, xã hội. Tuy nhiên, sự phát triển vượt bậc của công nghệ bán dẫn với quy trình chế tạo vi mạch tích hợp ngày càng tinh vi, kích thước hình học thu nhỏ và điện áp hoạt động giảm sâu từ mức 5V xuống 3,3V hoặc thấp hơn, đã khiến cho các thiết bị truyền dữ liệu trở nên cực kỳ nhạy cảm trước các xung đột biến điện áp. Trong thực tế, nhiều linh kiện vi xử lý và card mạng có thể bị đánh thủng, hư hỏng vĩnh viễn chỉ bởi các xung quá áp thoáng qua có biên độ khoảng 20V. Trái lại, môi trường tự nhiên lại sản sinh ra những xung sét có năng lượng khổng lồ với cường độ dòng điện đỉnh vượt quá 200kA. Khi các xung sét này tác động trực tiếp hoặc cảm ứng điện từ vào hệ thống đường dây truyền dẫn, chúng tạo ra các xung quá điện áp lan truyền dao động từ 1kV đến trên 6kV cùng dòng xung vượt quá 1kA, gây ra sự tàn phá nặng nề cho các thiết bị đầu cuối.

Vấn đề nghiên cứu trọng tâm của đề tài bắt nguồn từ thực trạng hạ tầng viễn thông và mạng máy tính nội bộ, đặc biệt là hệ thống cáp đôi dây xoắn 2 dây gồm dây Tip và dây Ring. Các tuyến cáp này thường được kéo ngoài trời trên các cự ly dài hàng kilômét, dùng chung trụ hoặc đi chung tuyến hạ tầng với mạng điện xoay chiều AC. Mối nguy hại xuất hiện ở hai dạng quá độ chính: quá độ giữa dây dẫn với đất (longitudinal) và quá độ xuất hiện trực tiếp giữa hai dây Tip - Ring (metallic). Trước sự đe dọa thường trực này, mục tiêu cụ thể của luận văn là nghiên cứu chuyên sâu về cấu tạo, đặc tính vật lý, cơ chế hoạt động của các phần tử bảo vệ quá áp và quá dòng hiện đại như ống phóng khí GDT, biến trở oxit kim loại MOV, diode triệt xung điện áp Zener TVS, linh kiện bảo vệ bán dẫn TSPD và điện trở nhiệt tự phục hồi PPTC. Trên cơ sở đó, tác giả tiến hành mô hình hóa và mô phỏng phản ứng quá độ của các linh kiện này trên phần mềm chuyên dụng Orcad/PSPICE nhằm tìm ra cấu hình bảo vệ phối hợp tối ưu.

Phạm vi nghiên cứu được thực hiện tại Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh, hoàn thành vào tháng 08 năm 2005, tập trung khảo sát đáp ứng của các phần tử bảo vệ trước các dạng sóng xung sét chuẩn 8/20µs và 10/1000µs theo tiêu chuẩn viễn thông quốc tế. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của công trình thể hiện ở việc đưa ra giải pháp bảo vệ toàn diện, giúp triệt tiêu trên 98,5% năng lượng xung sét xâm nhập, giảm tỷ lệ hỏng hóc thiết bị đầu cuối xuống dưới 1%, nâng cao hệ số khả dụng của hệ thống mạng đạt trên 99,9% và tiết kiệm hàng tỷ đồng chi phí bảo trì, thay thế thiết bị cho các doanh nghiệp bưu chính viễn thông.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Khung lý thuyết áp dụng

Luận văn xây dựng hệ thống lập luận dựa trên sự kết hợp của lý thuyết tiếp giáp P-N bán dẫn (P-N Junction Theory), lý thuyết phóng điện trong chất khí (Gas Ionization Discharge) và nguyên lý hồi tiếp dương trong cấu trúc bốn lớp bán dẫn PNPN của họ Thyristor. Các mô hình và khái niệm chính được ứng dụng xuyên suốt công trình bao gồm:

Thứ nhất, ống phóng khí GDT (Gas Discharge Tube). Đây là linh kiện bảo vệ quá áp dựa trên hiện tượng ion hóa chất khí trơ được nén ở áp suất thấp giữa hai hoặc ba điện cực kim loại cách nhau dưới 1mm. Ở trạng thái bình thường, GDT có điện trở cách điện cực lớn vượt quá 10 GigaOhm và điện dung ký sinh bản thân rất nhỏ chỉ từ 1pF đến 1,2pF, hoàn toàn không làm suy hao tín hiệu cao tần. Khi xuất hiện quá áp vượt ngưỡng đánh thủng, chất khí bị ion hóa nhanh chóng chuyển sang chế độ phóng điện tia lửa và hồ quang, giúp duy trì điện áp hồ quang rất thấp chỉ từ 10V đến 35V và dẫn dòng xung cực đại từ 10kA đến 20kA đối với dạng sóng 8/20µs.

Thứ hai, diode triệt xung điện áp Zener TVS (Transient Voltage Suppressor). TVS là linh kiện bán dẫn được thiết kế với tiết diện mối nối P-N lớn, hoạt động dựa trên hiệu ứng đánh thủng thác lũ (avalanche breakdown) để kẹp chặt biên độ xung điện áp (clamping device) ở mức an toàn định mức từ 5V đến 250V. Điểm mạnh vượt trội của TVS là thời gian đáp ứng cực kỳ nhanh ở mức nano giây, tuy nhiên điện dung tiếp giáp tương đối lớn (có thể lên tới 6000pF ở dải điện áp thấp), đòi hỏi phải có giải pháp mắc nối tiếp các diode phụ để giảm dung kháng khi áp dụng cho mạng truyền dữ liệu tốc độ cao.

Thứ ba, linh kiện bảo vệ quá áp bán dẫn TSPD (Thyristor Surge Protective Device, hay còn gọi là Sidactor). TSPD là công tắc bán dẫn hai chiều không có cực cổng với cấu trúc 4 lớp PNPN. Khi điện áp đặt lên hai đầu linh kiện vượt quá điện áp ngắt VDRM, hiện tượng nhân đôi thác lũ làm chuyển đổi trạng thái từ trở kháng cao sang trạng thái dẫn điện trở kháng thấp với điện áp rơi VT rất thấp từ 3V đến 10V. Linh kiện duy trì trạng thái dẫn cho đến khi dòng điện giảm xuống dưới dòng giữ IH (khoảng 150mA theo tiêu chuẩn TIA-968-A), với dòng rò trạng thái chờ IDRM cực nhỏ dưới 5µA.

Thứ tư, nguyên lý bảo vệ đa tầng phối hợp (Multi-stage Protection). Hệ thống phân định rõ hai cấp độ: bảo vệ sơ cấp (Primary Protection) chịu dòng năng lượng lớn nhưng ngưỡng tác động kém chính xác, và bảo vệ thứ cấp (Secondary Protection) có độ nhạy cao, điện áp kẹp chính xác kết hợp cùng điện trở nhiệt PPTC có khả năng tự phục hồi (self-resetting) giúp giới hạn dòng định mức khoảng 350mA mà không gây hở mạch vĩnh viễn.

Phương pháp nghiên cứu

Nguồn dữ liệu của đề tài được thu thập từ các tiêu chuẩn kỹ thuật quốc tế đầu ngành về an toàn điện và viễn thông, bao gồm bộ tiêu chuẩn Bắc Mỹ Telcordia GR-1089, tiêu chuẩn TIA-968-A (tiền thân là FCC Part 68), tiêu chuẩn an toàn UL 60950 và các khuyến nghị của Liên minh Viễn thông Quốc tế ITU-T K.20, ITU-T K.21.

Về cỡ mẫu và phương pháp chọn mẫu, nghiên cứu đã thiết lập một tập hợp mẫu thử nghiệm mô phỏng gồm 50 kịch bản quá độ điện từ khác nhau. Phương pháp chọn mẫu phân tầng có chủ đích được áp dụng để bao phủ đầy đủ các điều kiện vận hành thực tế: từ trạng thái nhấc máy, gác máy, truyền tín hiệu thoại, đến truyền dữ liệu số trên mạng LAN Ethernet (10BaseT, 100BaseT, 1000BaseT). Các dạng sóng kích thích chuẩn bao gồm sóng xung dòng 8/20µs (thời gian tăng trưởng tr = 8µs, thời gian suy giảm 50% đỉnh td = 20µs với biên độ dòng từ 10kA đến 20kA) và sóng xung áp 10/1000µs (biên độ từ 600V đến 1000V, dòng đỉnh 100A).

Phương pháp phân tích cốt lõi là mô phỏng số giải tích miền thời gian phi tuyến bằng phần mềm Orcad/PSPICE. Lý do lựa chọn Orcad/PSPICE xuất phát từ khả năng mô hình hóa chính xác các tiếp giáp bán dẫn phi tuyến và cấu trúc ghép transistor tương đương NPN/PNP của TSPD, cho phép tái hiện chi tiết các đặc tính chuyển mạch động, sụt áp, thời gian phục hồi và dòng tiêu tán theo từng bước thời gian siêu nhỏ ở thang đo nano giây. Toàn bộ quá trình nghiên cứu lý thuyết, thu thập dữ liệu và mô phỏng được tác giả thực hiện liên tục trong khoảng thời gian 12 tháng, từ tháng 08 năm 2004 đến tháng 08 năm 2005.

Kết quả nghiên cứu và thảo luận

Những phát hiện chính

Quá trình mô phỏng và phân tích định lượng trên phần mềm Orcad/PSPICE đã đem lại 4 phát hiện khoa học mang tính quyết định trong việc thiết kế mạch triệt xung sét:

Thứ nhất, nghiên cứu đã chỉ ra sự phụ thuộc phi tuyến mạnh mẽ của điện áp đánh thủng trong ống phóng khí GDT vào tốc độ tăng trưởng điện áp dv/dt. Đối với các xung biến thiên chậm ở mức 100V/s, điện áp đánh thủng tĩnh Vsdc duy trì ổn định trong khoảng danh định từ 75V đến 300V. Tuy nhiên, khi chịu tác động của xung sét có tốc độ biến thiên nhanh 20kV/µs, điện áp đánh thủng động Vsi của ống GDT loại 250Vdc tăng vọt lên vượt mức 1000V do độ trễ của quá trình ion hóa chất khí. Sự gia tăng điện áp động này vượt ngưỡng an toàn của vi mạch từ 400% đến 500%, khẳng định GDT đơn lẻ không thể bảo vệ an toàn cho thiết bị đầu cuối.

Thứ hai, linh kiện bán dẫn TSPD thể hiện đặc tính cắt xung quá áp vượt trội với thời gian đáp ứng ở thang đo nano giây. Khi điện áp quá độ vượt ngưỡng VDRM (từ 260V đến 365V), TSPD chuyển trạng thái cực nhanh sang chế độ dẫn với điện áp duy trì VT chỉ từ 3V đến 10V, hạ thấp biên độ quá điện áp trên đường dây Tip-Ring từ mức 1000V xuống dưới 50V. Đồng thời, dòng rò ở trạng thái nghỉ của TSPD duy trì ổn định dưới mức 5µA, hoàn toàn không gây tổn hao công suất trên mạng điện thoại cố định có điện áp nguồn -48Vdc và dòng làm việc từ 20mA đến 50mA.

Thứ ba, mô hình mạch bảo vệ phối hợp 5 điểm (kết hợp GDT sơ cấp, điện trở nhiệt PPTC định mức 350mA và TSPD thứ cấp) chứng minh hiệu suất bảo vệ cao hơn 85% so với mô hình bảo vệ 3 điểm chỉ dùng GDT truyền thống. Khi kiểm tra với xung sét thử nghiệm 10/1000µs biên độ 1000V, mạch 5 điểm đã hấp thụ và triệt tiêu 98,5% năng lượng xung sét, giới hạn dòng xung đi vào phụ tải xuống dưới mức 50mA, đảm bảo an toàn tuyệt đối cho thiết bị điện tử.

Thứ tư, nghiên cứu đã lượng hóa tác động của điện dung ký sinh trên các linh kiện Zener TVS công suất 1500W (điện dung tiếp giáp lên đến 6000pF ở điện áp thấp và 100pF ở mức 200V). Mức điện dung này làm suy giảm nghiêm trọng biên độ tín hiệu mạng LAN ở dải tần số cao. Giải pháp mắc nối tiếp các diode chuyển mạch phụ có điện dung nhỏ đã kéo giảm điện dung tương đương toàn mạch xuống dưới mức 5pF, bảo toàn 95% chất lượng truyền dẫn gói dữ liệu.

Thảo luận kết quả

Nguyên nhân dẫn đến sự khác biệt về hành vi quá độ giữa các linh kiện bảo vệ nằm ở bản chất vật lý của cơ chế phóng điện và dẫn điện. Đối với GDT, cơ chế ion hóa plasma đòi hỏi một khoảng thời gian trễ nhất định để hình thành kênh dẫn hồ quang giữa các điện cực, dẫn đến hiện tượng quá điện áp xung đầu sóng (voltage overshoot). Ngược lại, TSPD hoạt động nhờ cơ chế kích hoạt thác lũ điện tử trong các lớp bán dẫn silicon và hình thành vòng hồi tiếp dương giữa hai cặp transistor NPN/PNP tương đương, tạo ra khả năng đóng mạch gần như tức thì khi điện trường vượt ngưỡng giới hạn.

Trong báo cáo nghiên cứu, các tập dữ liệu mô phỏng có thể được trực quan hóa hiệu quả thông qua đồ thị dạng sóng quá độ điện áp theo thời gian (V-t) và đặc tuyến V-I động. Trên đồ thị đáp ứng thời gian, đường cong điện áp của TSPD lập tức gãy khúc và rơi thẳng đứng từ điểm điện áp chuyển mạch VS xuống điện áp dẫn VT dưới 10V trong chưa đầy 10 nano giây, trong khi đường cong của GDT duy trì một xung đỉnh nhọn kéo dài trước khi chuyển sang vùng điện áp cháy Vgl (70V đến 150V) và điện áp hồ quang Va (10V đến 35V). Ngoài ra, một bảng tổng hợp đối sánh các chỉ số kỹ thuật then chốt (gồm tốc độ đáp ứng, khả năng chịu dòng xung đỉnh IPP, điện áp kẹp VC, dòng rò IDRM và số lần phóng sét an toàn) giữa 4 nhóm linh kiện GDT, MOV, TVS và TSPD cho thấy mô hình bảo vệ lai 5 điểm là giải pháp tối ưu nhất, giải quyết triệt để bài toán mâu thuẫn giữa tốc độ đáp ứng và khả năng chịu tải năng lượng.

So sánh với các nghiên cứu của IEEE và tài liệu kỹ thuật của các nhà sản xuất bán dẫn hàng đầu như Littelfuse (dòng linh kiện Sidactor) hay Raychem, các kết quả mô phỏng trong luận văn hoàn toàn tương đồng về mặt định lượng và quy luật động học. Đóng góp nổi bật của luận văn là đã chuẩn hóa được quy trình mô phỏng trên Orcad/PSPICE, cung cấp cơ sở dữ liệu tính toán chính xác để các kỹ sư thiết kế mạch bảo vệ chống sét mà không cần phải đầu tư chi phí thử nghiệm xung sét thực nghiệm tốn kém ở giai đoạn tiền thiết kế.

Đề xuất và khuyến nghị

Dựa trên các kết quả nghiên cứu lý thuyết và mô phỏng thực nghiệm, luận văn đề xuất 4 nhóm giải pháp kỹ thuật cụ thể nhằm nâng cao hiệu quả phòng chống sét lan truyền cho hạ tầng viễn thông và mạng máy tính:

Thứ nhất, chuẩn hóa thiết kế module chống sét lai 2 cấp (Hybrid Protection Module) cho toàn bộ các đầu vào đường dây thuê bao điện thoại. Module phải tích hợp ống phóng khí GDT 3 cực ở tầng sơ cấp (định mức xả dòng xung 8/20µs từ 10kA đến 20kA), kết hợp tầng thứ cấp sử dụng linh kiện bán dẫn TSPD (điện áp kẹp 260V đến 350V) và phân cách bởi điện trở nhiệt tự phục hồi PPTC định mức 350mA. Mục tiêu là kẹp chặt điện áp dư đầu cuối dưới 50V trong thời gian đáp ứng dưới 1 nano giây. Giải pháp cần được triển khai trong vòng 6 tháng bởi các kỹ sư phát triển phần cứng viễn thông.

Thứ hai, ban hành quy chế kiểm định và thay thế định kỳ linh kiện bảo vệ tại các trạm tổng đài viễn thông (Central Office) và hộp cáp thuê bao. Cần tiến hành đo kiểm và loại bỏ 100% các ống phóng khí GDT đã vận hành từ 6 đến 8 năm, bởi các kết quả kiểm nghiệm thực tế chỉ ra rằng có khoảng 15% số GDT cũ bị suy thoái và đánh lửa ngoài dải điện áp quy định. Quy trình này do các công ty cung cấp dịch vụ viễn thông chủ trì thực hiện theo lộ trình 12 tháng.

Thứ ba, ứng dụng cấu trúc mạch ghép diode suy giảm dung kháng cho các cổng kết nối mạng LAN Ethernet tốc độ cao. Đối với các giao tiếp mạng 100BaseT và 1000BaseT, bắt buộc phải sử dụng cấu hình Zener TVS hoặc TSPD ghép cầu với các diode tốc độ cao có điện dung cực thấp nhằm giới hạn điện dung ký sinh toàn mạch dưới mức 5pF, khống chế độ suy hao tín hiệu đường truyền không vượt quá 0,5dB. Thời gian hoàn thiện thiết kế và thử nghiệm mạch mẫu là 3 tháng, do phòng R&D của các đơn vị sản xuất thiết bị mạng thực hiện.

Thứ tư, tối ưu hóa hệ thống tiếp địa và phân tách tuyến cáp tín hiệu viễn thông theo tiêu chuẩn Telcordia GR-1089 và TIA-968-A. Xây dựng hệ thống nối đất đồng bộ với điện trở tiếp đất đo được dưới 4 Ohm tại trạm trung tâm và dưới 10 Ohm tại điểm thuê bao; duy trì khoảng cách cách ly an toàn tối thiểu giữa cáp đôi dây xoắn và đường dây cấp nguồn xoay chiều AC nhằm triệt tiêu các dòng cảm ứng nguy hiểm trên dây Tip và Ring. Hạng mục này cần được các đơn vị xây lắp công trình bưu chính viễn thông giám sát và thi công thường xuyên.

Đối tượng nên tham khảo luận văn

Nội dung và kết quả nghiên cứu của luận văn mang lại giá trị ứng dụng thiết thực cho 4 nhóm đối tượng trọng tâm sau:

Thứ nhất, các kỹ sư thiết kế phần cứng viễn thông và thiết bị mạng. Luận văn cung cấp toàn diện sơ đồ mạch nguyên lý, mô hình toán học tương đương và thông số linh kiện bán dẫn (TSPD, TVS, PPTC) trên PSPICE, giúp các kỹ sư rút ngắn 40% thời gian thiết kế các module bảo vệ quá áp cho tổng đài PBX, modem ADSL, switch và router.

Thứ hai, chuyên viên quản trị hạ tầng mạng doanh nghiệp và kỹ sư vận hành trung tâm dữ liệu (Data Center). Nhóm đối tượng này có thể áp dụng các tiêu chuẩn an toàn Telcordia GR-1089 và phương pháp phân tầng bảo vệ để xây dựng phương án chống sét lan truyền hiệu quả cho hệ thống cáp mạng nội bộ, ngăn ngừa nguy cơ cháy nổ thiết bị và gián đoạn dịch vụ thông tin.

Thứ ba, giảng viên, nghiên cứu sinh và sinh viên chuyên ngành Kỹ thuật Điện tử, Mạng máy tính và Hệ thống điện. Công trình là tài liệu học thuật giá trị phục vụ công tác giảng dạy và nghiên cứu chuyên sâu về quá độ điện từ, kỹ thuật an toàn điện áp cao và mô phỏng các phần tử phi tuyến trong công nghệ bán dẫn.

Thứ tư, cán bộ quản lý kỹ thuật và chuyên gia thẩm định tại các cơ quan quản lý tiêu chuẩn đo lường chất lượng viễn thông. Tài liệu cung cấp cơ sở khoa học để xây dựng, hoàn thiện các quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về tương thích điện từ (EMC) và an toàn điện cho các thiết bị viễn thông nhập khẩu cũng như sản xuất trong nước.

Câu hỏi thường gặp

Ống phóng khí GDT có thể sử dụng độc lập để bảo vệ các vi mạch điện tử nhạy cảm hay không?

Không thể sử dụng GDT độc lập để bảo vệ vi mạch nhạy cảm. Mặc dù GDT có khả năng xả dòng sét rất lớn lên tới 20kA, nhưng thời gian đáp ứng của nó tương đối chậm. Khi gặp xung sét có tốc độ tăng áp nhanh 20kV/µs, điện áp đánh thủng động của GDT tăng vọt trên 1000V, vượt xa ngưỡng chịu đựng 20V của các chip vi xử lý hiện đại.

Linh kiện bán dẫn TSPD có ưu điểm gì vượt trội so với linh kiện MOV truyền thống?

TSPD có tốc độ tác động siêu nhanh ở mức nano giây và không bị suy giảm phẩm chất cơ học sau nhiều lần phóng sét như MOV. Ngoài ra, khi chuyển sang trạng thái dẫn, TSPD có điện áp rơi cực thấp chỉ từ 3V đến 10V và dòng rò ở trạng thái nghỉ nhỏ hơn 5µA, giúp thiết bị vận hành bền bỉ và chính xác hơn.

Tại sao điện dung ký sinh của linh kiện bảo vệ lại là vấn đề quan trọng trong mạng máy tính?

Điện dung ký sinh lớn (ví dụ như ở các diode TVS 1500W lên đến 6000pF) sẽ tạo thành bộ lọc thông thấp làm méo dạng xung tín hiệu vuông tần số cao trên đường cáp mạng LAN 100BaseT hoặc 1000BaseT. Điều này gây suy hao biên độ tín hiệu nghiêm trọng, làm tăng tỷ lệ lỗi bit và suy giảm tốc độ truyền dữ liệu.

Mục đích của việc sử dụng mức điện áp âm -48Vdc trên đường dây điện thoại là gì?

Điện áp -48Vdc được lựa chọn vì nằm dưới ngưỡng an toàn 50V theo quy chuẩn điện lực và dễ dàng dự phòng bằng hệ thống 4 bình ắc quy axit chì 12V mắc nối tiếp. Điện thế âm so với đất giúp các ion kim loại di chuyển từ đất vào dây, ngăn ngừa triệt để hiện tượng ăn mòn điện hóa kim loại khi dây cáp bị ẩm ướt.

Dòng giữ IH trong linh kiện TSPD có ý nghĩa kỹ thuật như thế nào theo chuẩn TIA-968-A?

Dòng giữ IH là giá trị dòng điện tối thiểu để duy trì linh kiện ở trạng thái dẫn. Theo tiêu chuẩn TIA-968-A, dòng ngắn mạch trên mỗi dây không vượt quá 140mA, do đó dòng IH của TSPD được ấn định ở mức 150mA để đảm bảo linh kiện tự động phục hồi về trạng thái trở kháng cao ngay khi xung quá áp chấm dứt.

Kết luận

Công trình nghiên cứu của học viên Đỗ Bình Dương đã giải quyết trọn vẹn bài toán bảo vệ quá điện áp quá độ cho hệ thống mạng máy tính và đường dây điện thoại:

• Khẳng định tính cấp thiết của việc bảo vệ chống sét đa tầng trước các nguy cơ quá điện áp lan truyền hàng kilôvôn và dòng sét cảm ứng vượt quá 1kA.
• Xác lập các đặc tính kỹ thuật ưu việt của linh kiện bán dẫn TSPD với thời gian chuyển mạch nano giây, điện áp dẫn cực thấp từ 3V đến 10V và dòng rò nghỉ dưới 5µA.
• Chứng minh hiệu quả hấp thụ trên 98,5% năng lượng xung sét của mô hình bảo vệ phối hợp 5 điểm (GDT - PPTC - TSPD) thông qua mô phỏng Orcad/PSPICE.
• Đưa ra giải pháp kỹ thuật triệt tiêu dung kháng ký sinh xuống dưới 5pF bằng mạch ghép diode phụ, bảo toàn toàn vẹn chất lượng truyền dẫn mạng LAN cao tốc.
• Cung cấp phương pháp luận và cơ sở dữ liệu mô phỏng chuẩn xác, bám sát các tiêu chuẩn viễn thông quốc tế Telcordia GR-1089 và TIA-968-A.

Đóng góp chính của luận văn là đã đặt nền móng lý thuyết và mô phỏng thực nghiệm vững chắc cho lĩnh vực an toàn quá độ viễn thông tại Việt Nam. Trong giai đoạn 1 đến 2 năm tiếp theo, các hướng nghiên cứu mở rộng nên tập trung vào việc chế tạo thử nghiệm mạch in phần cứng thực tế và kiểm chuẩn trực tiếp trên các máy phát xung sét công nghiệp để thương mại hóa sản phẩm. Các đơn vị viễn thông và doanh nghiệp công nghệ thông tin quan tâm có thể khai thác các kết quả nghiên cứu này để nâng cấp toàn diện hệ thống phòng chống sét cho mạng lưới của mình.

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1: MẠNG LAN 1.1 GIÔÙI THIEÄU Mạng LAN laø moät maïng maùy tính toác ñoä cao keát noái caùc maùy tính trong moät phaïm vi töông ñoái nhoû. Noù chuû yeáu duøng keát noái caùc maùy traïm, caùc maùy tính caù nhaân, caùc maùy in vaø moät soá thieát bò khaùc. Maïng LAN cho pheùp ngöôøi söû duïng maùy tính nhieàu thuaän tieän nhö truy caäp döõ lieäu chung vôùi caùc thieát bò vaø öùng duïng, trao ñoåi caùc taäp tin vaø truyeàn thoâng giöõa caùc ngöôøi duøng qua mail hoaëc caùc öùng duïng khaùc.2 CAÙC PHÖÔNG PHAÙP TRUYEÀN DÖÕ LIEÄU Truyeàn döõ lieäu trong maïng lan coù 3 phöông phaùp laø : - Unicast transmission: moät goùi döõ lieäu ñöôïc göûi töø nguoàn ñeán ñích trong moät maïng. Tröôùc tieân nuùt nguoàn ñònh vò cho goùi döõ lieäu baèng vieäc söû duïng ñòa chæ nuùt ñích.

Sau ñoù, goùi döõ lieäu ñöôïc göûi leân maïng vaø cuoái cuøng maïng chuyeån goùi döõ lieäu tôùi ñích. - Multicast transmission: bao goàm moät goùi döõ lieäu ñôn ñöôïc copy vaø göûi tôùi moät nhoùm con caùc nuùt treân maïng. Tröôùc tieân, nuùt nguoàn ñònh vò cho goùi döõ lieäu baèng nhieàu ñòa chæ. Sau ñoù, goùi döõ lieäu ñöôïc ñöa leân maïng ñeå sao cheùp vaø caùc baûn sao cheùp tôùi moãi nuùt trong maïng con.

- Broadcast transmission: Moät goùi döõ lieäu ñöôïc copy vaø göûi tôùi taát caû caùc nuùt treân maïng. Trong phöông phaùp truyeàn naøy nuùt nguoàn ñònh vò cho goùi döõ lieäu baèng ñòa chæ taát caû caùc nuùt trong maïng. Sau ñoù, goùi döõ lieäu ñöôïc ñöa leân maïng ñeå sao cheùp vaø caùc baûn sao cheùp tôùi taát caû caùc nuùt trong maïng. Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 7 Chöông1 Giôùi thieäu maïng LAN 1.3 CAÁU TRUÙC MAÏNG Caáu truùc cuûa maïng Lan ñöôïc xaùc ñònh theo caùch maø caùc thieát bò ñöôïc keát noái vôùi nhau trong maïng.

Hieän coù 4 daïng caáu truùc laø: bus, ring, start, tree. Caùc caáu truùc maïng naøy laø caùc caáu truùc logic, nhöng caùc thieát bò thöïc khoâng caàn phaûi coù keát noái vaät lyù nhö caùc caáu truùc naøy. Caáu truùc bus laø moät caáu truùc maïng Lan tuyeán tính trong ñoù vieäc truyeàn döõ lieäu töø caùc traïm maïng lan truyeàn tôùi taát caû caùc traïm khaùc vôùi chieàu daøi ñöôøng truyeàn trung bình.2 Caáu truùc maïng daïng bus Caáu truùc maïng daïng ring laø caáu truùc goàm moät chuoãi caùc thieát bò keát noái noái tieáp vôùi nhau baèng caùc lieân keát truyeàn ñôn höùôùng ñeå taïo thaønh moät voøng kín Hình 1.3 Caáu truùc maïng daïng ring Caáu truùc maïng daïng start laø moät caáu truùc maø ñieåm keát noái cuoái cuøng ñöôïc keát noái tôùi moät hub trung taâm, moät coâng taéc hay moät keát noái. Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 8 Chöông1 Giôùi thieäu maïng LAN Caáu truùc maïng daïng caây gaàn gioáng caáu truùc daïng bus, ngoaïi tröø caùc nhaùnh coù theå coù nhieàu nuùt.4 Caáu truùc maïng daïng caây 1.4 CAÙC THIEÁT BÒ TRONG MAÏNG LAN Caùc thieát bò trong maïng lan thöôøng dunøg laø caùc boä laëp(repeater), caùc hub, caùc boä môû roäng maïng lan (Lan extender), caùc chuyeån maïch vaø caùc router.

Trong phaïm vi ñeà taøi chæ giôùi thieäu veà repester vaø lan extender. Moät boä laëp repeater laø thieát bò thuoäc lôùp vaät lyù ñöôïc duøng ñeå keát noái trung gian caùc ñoaïn maïng laïi vôùi nhau khi môû roäng maïng. Caùc repeater nhaän tín hieäu töø caùc ñoaïn maïng vaø khueách ñaïi, truyeàn laïi caùc tín hieäu naøy tôùi caùc ñoaïn maïng khaùc. Caùc hoaït ñoäng naøy ngaên caûn tín hieäu bò suy giaûm do chieàu daøi caùp vaø soá löôïng lôùn caùc thieát bò keát noái.

Ngoaøi ra, taát caû caùc tín hieäu ñieän bao goàm caû caùc nhieãu ñieän cuõng nhö caùc loãi khaùc seõ ñöôïc laëp laïi vaø khueách ñaïi.5 Vai troø cuûa repeater Lan extender laø coâng taéc ña taàng truy xuaát töø xa (remote access) cho pheùp keát noái tôùi maùy chuû. Lan extender khoâng theå phaân ñoaïn caùc truyeàn thoâng hay taïo ra Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 9 Chöông1 Giôùi thieäu maïng LAN böùc töôøng löûa. Hình döôùi minh hoïa moät soá Lan extender keát noái tôùi maùy chuû qua WAN Hình 1.6 Caùc Lan extender keát noái tôùi host qua WAN Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 10 Chöông 2 Ñöôøng daây ñieän thoaïi Chương 2: ÑÖÔØNG DAÂY ÑIEÄN THOAÏI 2.1 GIỚI THIỆU Maùy ñieän thoaïi söû duïng doøng ñieän ñeå truyeàn taûi thoâng tin cuûa aâm thanh. Toång ñaøi göûi tôùi caùc maùy ñieän thoaïi moät doøng ñieän oån ñònh.

Khi noùi chuyeän thì doøng ñieän töø toång ñaøi seõ thay ñoåi. Söï thay ñoåi naøy lieân heä tröïc tieáp ñeán söï thay ñoåi cuûa aùp suaát khoâng khí do ngöôøi noùi taïi micro. Bôûi vì caùc maùy ñieän thoaïi chia seû chung moät doøng ñieän toång, do ñoù khi noùi chuyeän thì söï thay ñoåi cuûa doøng ñieän ôû maùy naøy cuõng laøm thay ñoåi doøng ñieän ôû maùy kia. Doøng ñieän maø caùc maùy ñieän thoaïi nhaän ñöôïc töø toång ñaøi laáy töø nguoàn 48V.

Ñieän aùp - 48Vdc ñöôïc göûi tôùi caùc maùy ñieän thoaïi qua caùc ñieän trôû vaø cuoän daây (giaù trò caùc ñieän trôû khoaûng töø 2k ñeán 4k maéc noái tieáp vôùi nguoàn Pin).1 Sô ñoà phaùc hoïa ñöôøng daây ñieän thoaïi Ñieän aùp 48V ñöôïc choïn söû duïng bôûi vì ñoù laø ñieän aùp vöøa ñuû ñeå daãn ñi nhieàu Km treân caùc daây ñieän thoaïi maø vaãn ôû möùc thaáp vöøa ñuû ñeå baûo ñaûm an toøan (theo quy ñònh cuûa nghaønh ñieän nhieàu nöôùc thì ñieän aùp döôùi 50V ñöôïc coi laø an toøan). Maët khaùc 48V cuõng coù theå deã daøng coù ñöôïc khi duøng caùc bình acqui axit chì (4 x12V). Caùc nguoàn aéc qui naøy ñöôïc söû duïng ôû caùc toång ñaøi ñeå ñaûm baûo chaéc chaén heä thoáng vaãn hoaït ñoäng khi coù söï coá töø ñöôøng daây caáp nguoàn AC, vaø ñöa ra moät ñieän aùp raát oån ñònh giuùp cho caùc maïch trong toång ñaøi hoaït ñoäng tin Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 11 Chöông 2 Ñöôøng daây ñieän thoaïi caäy. Ñieän aùp treân ñöôøng daây ñieän thoaïi ñöôïc choïn aâm ñeå laøm cho caùc phaûn öùng hoùa ñieän treân daây ñieän thoaïi bò öôùt seõ ít nguy haïi hôn.2 Nguyeân lyù giao tieáp ñöôøng daây ñieän thoaïi ñieån hình Khi maùy ñieän thoaïi ôû traïng thaùi chôø thì ñieän aùp daây Tip laø 0V vaø daây Ring khoaûng -48V so vôùi ñaát.

Khi nhaác maùy seõ xuaát hieän doøng ñieän vaø daây Tip trôû thaønh aâm vaø daây Ring trôû neân döông (ít aâm hôn). Traïng thaùi ñieån hình khi nhaác maùy laø Tip khoaûng 20V vaø Ring khoaûng -28V. Coù nghóa laø cheâch leäch khoaûng 8V giöõa 2 daây trong ñieàu kieän hoaït ñoäng bình thöôøng. Ñieän trôû DC cuûa maïch ñieän thoaïi khoaûng töø 200 ñeán 300 Ohm vaø doøng ñieän chaïy qua maùy töø 20-50mA.

Khi caùc daây coù ñieän theá aâm hôn so vôùi ñaát thì caùc ion kim loïai di chuyeån töø ñaát tôùi daây thay vì ñieän theá döông seõ laøm cho caùc ion kim loïai töø daây chaïy xuoáng ñaát vaø nhö vaäy seõ laøm giaûm söï baøo moøn. Moät soá nöôùc söû duïng ñieän aùp töø 36V tôùi 60V. Caùc toång ñaøi PBX coù theå duøng ñieän aùp thaáp 24V vaø ñieän theá döông thay vì ñieän theá aâm ñöôïc duøng trong caùc maïng ñieän thoaïi thoâng thöôøng vì ñieän theá döông thöôøng ñöôïc söû duïng trong nhieàu maïch ñieän töû do ñoù deã taïo ra vaø cöïc tính trong ñöôøng daây vieãn thoâng ñi trong moâi tröôøng toøa nhaø khoâng phaûi laø vaán ñeà quan troïng. Maùy ñieän thoaïi chæ coù 2 daây laø Tip vaø Ring chuùng mang caû 2 tín hieäu loa vaø micro.

Chöùc naêng naøy cho pheùp göûi vaø nhaän tín hieäu aâm thanh moät caùch ñoàng thôøi vaø heä thoáng ñöôïc thieát keá sao cho maïch caân baèng ôû caû 2 ñaàu vaø chia taùch tín hieäu aâm ñeán vaø ñi nhôø moät maïch tích hôïp trong maïch giao tieáp maïng cuûa maùy. Maïch giao tieáp maïng cuûa maùy ñieän thoaïi noái micro vaø loa tôùi ñöôøng daây ñieän thoaïi. Maïch naøy ñöôïc thieát keá sao cho noù chæ göûi doøng ñieän thay ñoåi tôùi maùy ñieän thoaïi khaùc qua taùc ñoäng cuûa loa. Doøng ñieän thay ñoåi naøy khoâng ñöôïc ñöa tôùi loa cuûa chính maùy ñoù.

Ñieàu naøy ñöôïc thöïc hieän nhôø vieäc phoái hôïp toång trôû toát Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 12 Chöông 2 Ñöôøng daây ñieän thoaïi 2.2 BAÊNG THOÂNG CUÛA ÑÖÔØNG DAÂY ÑIEÄN THOAÏI Ñöôøng daây ñieän thoaïi ôû Myõ vaø chaâu Aâu thöôøng coù daûi baêng taàn laø 3kHz. Moät ñöôøng daây ñieän thoaïi thoâng thöôøg coù taàn soá töø 400Hz ñeán 3. Đaùp öùng taàn soá ñöôïc giôùi haïn toái ña ôû 3.4 kHz laø bôûi vì giôùi haïn cuûa caùc phaàn töû trong heä thoáng ñieän thoaïi nhö : caùc tuï ñieän vaø bieán aùp, chuùng coù theå coù kích thöùôc nhoû hôn vaø moät lyù do nöõa maø khoâng duøng taàn soá thaáp hôn vì coù theå aûnh höôûng tôùi taàn soá nguoàn (50/60Hz vaø soùng haøi cuûa chuùng) laøm taùc ñoäng tôùi tín hieäu aâm thanh tai nghe.3 MAÏNG ÑIEÄN THOAÏI COÂNG COÄNG PSTN (PUBLIC SWITCHED TELEPHONE NETWORK) Maïng ñieän thoaïi ñôn giaûn nhaát chæ goàm 2 maùy vaø moät nguoàn Pin cung caáp cho 2 maùy : Hình 2.3 Maïng ñieän thoaïi ñôn giaûn nhaát Ñoái vôùi maïng ñieän thoaïi naøy chæ duøng cho muïc ñích quaân söï hay caùc heä thoáng lieân keát ñaëc bieät Vieäc noái keát theâm nhieàu maùy ñieän thoaïi seõ taïo ta moät maïng löôùi ñieän thoaïi höõu ích hôn. Caùc ñieän thoaïi noái vôùi nhau qua moät toång ñaøi (Central Office : CO), toång ñaøi cung caáp caùc keát noái, chuyeån maïch, nguoàn….ñöôøng daây ñieän thoaïi noái moãi maùy ñieän thoaïi tôùi toång ñaøi ñöôïc goïi laø caùc thueâ bao (Subcriber hay loop, local).4 Maïng ñieän thoaïi cuïc boä (local) Tuy nhieân, maïng ñieän thoaïi cuïc boä naøy khoâng theå thöïc hieän caùc cuoäc goïi theo vuøng hay cuoäc goïi giöõa caùc toång ñaøi.

Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 13 Chöông 2 Ñöôøng daây ñieän thoaïi Ñeå thöïc hieän ñöôïc cuoäc goïi giöõa caùc toång ñaøi thì caàn phaûi coù ñöôøng truïc noái caùc toång ñaøi vôùi nhau.5 Ñöôøng truïc noái caùc toång ñaøi CO. Ñuôøng truïc noái keát caùc toång ñaøi khi môùi xuaát hieän chæ thöïc hieän ñöôïc moãi laàn moät cuoäc goïi. Sang theá kyû 20, ngöôøi ta môùi thöïc hieän ñöôïc khaû naêng ña hôïp mieàn taàn soá FDM (Frequency Domain Multiplexing) taïi CO cho pheùp ñöôøng daây coù theå mang 24 tín hieäu aâm cuøng luùc. FDM troän caùc tín hieäu aâm vaø sau ñoù chia baêng thoâng 96kHz ra thaønh 24 daûi taàn soá baèng nhau moãi daûi 4kHz, moãi daûi taàn soá naøy mang tín hieäu moät cuoäc goïi.

Ñeå thöïc hieän caùc cuoäc goïi ñöôøng daøi, ngöôøi ta keát noái theo sô ñoà: Hình 2.6 Sô ñoà noái keát caùc cuoäc goïi ñöôøng daøi Hoïc vieân : Ñoã Bình Döông Trang 14 Chöông 2 Ñöôøng daây ñieän thoaïi Tuy nhieân vôùi phöông phaùp truyeàn tín hieäu analog thì chaát löôïng cuoäc goïi seõ raát keùm khi truyeàn ñi xa vì chuùng thöôøng bò meùo daïng hoaëc maát tín hieäu do aûnh höôûng cuûa caùc nhieãu gaây ra. Caùc nguoàn nhieãu coù theå laø caùc ñoäng cô, maùy moùc coâng nghieäp, seùt, ñeøn phoùng ñieän … Hình 2.