Luận văn thạc sĩ: Ảnh hưởng của chất tạo phức lên sự lắng đọng điện hóa màng mỏng Cu(InGa)Se2

Chuyên ngành

Vật lý nhiệt

Người đăng

Ẩn danh

2011

58
0
0

Phí lưu trữ

30.000 VNĐ

Mục lục chi tiết

MỞ ĐẦU

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI

1.1. Quá trình phát triển của pin mặt trời (PMT)

1.2. Một số loại PMT

1.2.1. PMT silic

1.2.2. PMT hợp chất

1.2.3. PMT polyme

1.2.4. PMT màu

1.3. PMT CIGS (Cu-In-Ga-Se) và cấu tạo

1.3.1. Lớp đế và tiếp xúc đế

1.3.2. Lớp hấp thụ

1.3.2.1. Lớp đệm

1.3.3. Lớp dẫn điện trong suốt (TCO)

2. CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP CHẾ TẠO LỚP HẤP THỤ MÀNG MỎNG CIGS

2.1. Đồng bốc bay từ các nguồn nguyên tố

2.2. Selen hóa của lớp tiền chất kim loại

2.3. Bốc bay từ các nguồn hợp chất

2.4. Lắng đọng hơi hóa học

2.5. Các phương pháp pha lỏng nhiệt độ thấp

2.6. Các công nghệ tạo hạt

3. CHƯƠNG 3: PHƯƠNG PHÁP ĐIỆN HÓA MỘT BƯỚC CHẾ TẠO MÀNG HẤP THỤ CIGS

3.1. Khái niệm điện hóa

3.2. Phương pháp lắng đọng điện hóa một bước

3.2.1. Các bước cơ bản của quá trình lắng đọng

3.2.2. Phương pháp cân bằng dòng khuếch tán của các ion thành phần tới catot

3.3. Phương pháp đồng lắng đọng cảm ứng

3.4. Ưu điểm của phương pháp lắng đọng điện hóa một bước

3.5. Mô hình hệ lắng đọng điện hóa một bước

3.6. Vai trò của chất tạo phức trong lắng đọng điện hóa một bước

3.6.1. Chất tạo phức

3.6.2. Vai trò của chất tạo phức trong lắng đọng màng CIGS

4. CHƯƠNG 4: QUÁ TRÌNH THỰC NGHIỆM, KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

4.1. Ảnh hưởng của nồng độ chất tạo phức trong quá trình lắng đọng điện hóa lên màng mỏng CGS

4.1.1. Tiến hành thí nghiệm

4.1.2. Kết quả và thảo luận

4.1.2.1. Ảnh hưởng của axit sulfamic (H3SNO3) lên lắng đọng Cu-In-Ga-Se
4.1.2.2. Voltammogram của các đơn chất Cu, Ga, In và Se trong dung dịch axit sulfamic với nồng độ khác nhau
4.1.2.3. Voltammogram của hệ 2 nguyên Cu-Se
4.1.2.4. Voltammogram của hệ Cu-In-Ga-Se
4.1.2.5. Ảnh hưởng của axit H3SNO3 lên thành phần lắng đọng của màng CIGS không ủ nhiệt
4.1.2.6. Ảnh hưởng của axit H3SNO3 lên thành phần của màng CIGS sau khi ủ nhiệt
4.1.2.7. Kết quả nhiễu xạ tia X của các mẫu ủ nhiệt
Luận văn thạc sĩ hus ảnh hưởng của chất tạo phức lên sự lắng đọng bằng điện hóa màng mỏng cuingase2 luận văn ths vật lý 60 44 09

Bạn đang xem trước tài liệu:

Luận văn thạc sĩ hus ảnh hưởng của chất tạo phức lên sự lắng đọng bằng điện hóa màng mỏng cuingase2 luận văn ths vật lý 60 44 09

Tài liệu "Ảnh hưởng của chất tạo phức lên lắng đọng điện hóa màng mỏng Cu(InGa)Se2" nghiên cứu vai trò của các chất tạo phức trong quá trình lắng đọng điện hóa, ảnh hưởng đến tính chất và hiệu suất của màng mỏng Cu(InGa)Se2, một vật liệu quan trọng trong công nghệ pin mặt trời. Nghiên cứu này không chỉ cung cấp cái nhìn sâu sắc về cơ chế hoạt động của các chất tạo phức mà còn chỉ ra cách tối ưu hóa quy trình lắng đọng để nâng cao hiệu suất quang điện của pin mặt trời.

Để mở rộng kiến thức của bạn về lĩnh vực này, bạn có thể tham khảo thêm tài liệu Đề tài nghiên cứu khoa học cấp trường ứng dụng điều khiển thông minh tối ưu hóa vận hành bộ nguồn dc sử dụng pin mặt trời, nơi bạn sẽ tìm thấy các phương pháp điều khiển thông minh trong hệ thống năng lượng mặt trời. Bên cạnh đó, tài liệu Luận án tiến sĩ kỹ thuật hóa học synthesis and structural optimization of functional photosensitizers for dyesensitized solar cells sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về cấu trúc và chức năng của các chất cảm quang trong pin mặt trời. Cuối cùng, tài liệu Nghiên cứu cấu trúc và hệ thống điều khiển bộ biến đổi bán dẫn công suất cho hệ pin mặt trời sẽ cung cấp cái nhìn tổng quan về các hệ thống điều khiển hiệu suất trong pin mặt trời. Những tài liệu này sẽ giúp bạn mở rộng hiểu biết và khám phá sâu hơn về các khía cạnh khác nhau của công nghệ năng lượng mặt trời.