Chương 1: Giới thiệu về đề tài nghiên cứu: hệ thống radar, radar FMCW tầm ngắn, hiện trạng thiết kế & chế tạo mạch tích hợp siêu cao tần ở Việt Nam, mục tiêu và ứng dụng thực tiễn của đề tài. Chương 2: Giới thiệu tổng quan về mạch khuếch đại tích hợp siêu cao tần, bao gồm: transistor FET, các phương pháp thiết kế mạch phân cực, kiểm tra độ ổn định, các phương pháp thiết kế mạch khuếch đại và các thông số quan trọng & phương pháp đo đạc một mạch khuếch đại siêu cao tần. Chương 3: Trình bày thiết kế TR module để mở rộng tầm đo hệ thống FMCW radar, gồm các bước: khảo sát transceiver, tính toán & thiết kế module thu phát và xây dựng sơ đồ các khối trong TR module. Huỳnh Phú Minh Cường HVTH: Nguyễn Tấn Phát Luận văn Thạc Sĩ 8 Thiết kế và Chế tạo TR module Chương 4: Trình bày mạch khuếch đại công suất được thiết kế, chế tạo và đo đạc theo trình tự: lựa chọn transistor khuếch đại, phân cực, thiết kế mạch phối hợp trở kháng, layout & tối ưu mạch khuếch đại.
Phần cuối chương giới thiệu mạch khuếch đại chế tạo và các kết quả đo đạc thực tế mạch khuếch đại công suất trong TR module. Chương 5: Trình bày mạch khuếch đại nhiễu thấp được thiết kế, chế tạo và đo đạc theo trình tự: lựa chọn transistor nhiễu thấp, phân cực, thiết kế mạch phối hợp trở kháng, layout & tối ưu mạch khuếch đại. Phần cuối chương giới thiệu mạch khuếch đại chế tạo và các kết quả đo đạc thực tế mạch khuếch đại nhiễu thấp trong TR module. Chương 6: Mô tả thiết kế và trình tự kết nối các module chức năng để tạo thành hệ thống radar FMCW hoàn chỉnh, bao gồm các bước: kết nối các khối trong TR module, thiết kế module điều khiển & xử lý, thiết kế module nguồn lưỡng cực, xây dựng chương trình điều khiển và kết nối toàn hệ thống Chương 7: Trình bày các kết quả đo đạc khoảng cách và vận tốc mục tiêu di động trong thực tế sử dụng hệ thống FMCW radar và TR module chế tạo.
Chương 8: Kết luận và nêu lên các hướng phát triển đề tài. Huỳnh Phú Minh Cường HVTH: Nguyễn Tấn Phát Luận văn Thạc Sĩ 9 Thiết kế và Chế tạo TR module CHƯƠNG 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI SIÊU CAO TẦN Mạch khuếch đại tích hợp siêu cao tần được dùng để khuếch đại tín hiệu điện từ tần số cao, là một khối có vai trò rất quan trọng trong các hệ thống thu phát tín hiệu RF. Tùy vào vị trí trong hệ thống, mạch khuếch đại siêu cao tần có những chức năng và đặc tính rất khác nhau, dẫn đến phương pháp thiết kế cũng khác nhau. Ví dụ: mạch khuếch đại nhiễu thấp LNA ở ngõ vào khối thu; vì làm việc với tín hiệu ngõ vào rất bé nên cần có độ lợi khuếch đại lớn và hệ số nhiễu nhỏ để không làm giảm chất lượng tín hiệu ngõ ra, thể hiện qua hệ số nhiễu NF của mạch khuếch đại.
Trong khi đó, mạch khuếch đại công suất PA ở ngõ ra khối phát lại làm việc với các tín hiệu cao tần công suất lớn nên cần ưu tiên tối ưu công suất tín hiệu ngõ ra và độ tuyến tính, thể hiện qua điểm nén 1dB ở ngõ ra OP1dB, để không làm méo dạng tín hiệu phát… Linh kiện quan trọng nhất trong mạch khuếch đại siêu cao tần là các transistor cao tần giúp khuếch đại tín hiệu có ích. Các transistor này rất đa dạng, có thể là Si BJT, GaAs HBT, Si MOSFET, GaAs JFET, GaAs HEMT… Đề tài này sử dụng các transistor JFET hoạt động ở tần số 10GHz để thiết kế các mạch khuếch đại cao tần PA và LNA. Chương này giới thiệu sơ lược transistor cao tần JFET; các phương pháp tổng quát thiết kế mạch phân cực cho transistor này cũng được giới thiệu và so sánh. Các khái niệm và thông số cơ bản của một transistor dùng làm mạch khuếch đại siêu cao tần cũng được trình bày trong phần này.
Phần cuối chương giới thiệu các phép đo đạc thông số một mạch khuếch đại siêu cao tần. Transistor FET FET (Field-Effect Transistor) dùng điện trường để điều khiển độ dẫn điện của kênh dẫn. Tùy theo điện áp chênh lệch trên cực G và cực S của transistor mà hình dạng và kích thước của kênh dẫn sẽ thay đổi tương ứng, dẫn đến điện trở kênh dẫn thay đổi. Hạt mang điện dịch chuyển trong kênh dẫn có thể là electron hoặc lỗ trống tương ứng với 2 loại kênh dẫn: kênh dẫn loại n và kênh dẫn loại p.
Tương ứng với mỗi loại kênh dẫn là cấu tạo của lớp nền (Substrate) và loại hạt mang điện dịch chuyển trong đó. Phần này tập trung vào kênh dẫn loại n với hạt mang điện dịch chuyển là electron, tương ứng với transistor nFET dùng để thiết kế mạch khuếch đại. FET transistor có 3 cực (terminal): S, D, G. Cực nguồn S: cung cấp các hạt mang điện dịch chuyển vào trong kênh dẫn.
Cực máng D: nơi các hạt mang điện đi ra khỏi kênh dẫn. Huỳnh Phú Minh Cường HVTH: Nguyễn Tấn Phát Luận văn Thạc Sĩ 10 Thiết kế và Chế tạo TR module Cực cổng G: cực điều khiển độ dẫn điện của kênh dẫn. Bằng cách áp vào cực G của transistor một điện áp, ta có thể điều khiển dòng điện gây bởi các hạt mang điện dịch chuyển trong kênh dẫn ID. Hoạt động của FET: nFET transistor điều khiển dòng electron dịch chuyển từ cực S đến cực D bằng cách thay đổi điện áp đặt vào cực G của transistor.
Việc làm này sẽ điều chỉnh kích thước và hình dạng của kênh dẫn, dẫn đến thay đổi điện trở kênh dẫn và thay đổi độ lớn của dòng electron chạy trong kênh dẫn. Khi không có điện áp điều khiển đặt vào giữa cực G và S của transistor, kênh dẫn ở trạng thái mở và dòng electron có thể dịch chuyển khi có điện trường áp vào giữa hai cực DS. Khi có một điện áp âm giữa hai cực GS được đưa vào, lớp tiếp xúc PN của transistor được phân cực ngược, và dưới ảnh hưởng lớn dần của điện áp âm này, miền nghèo của lớp tiếp xúc PN sẽ dần mở rộng, làm thu hẹp kênh dẫn. Khi điện áp VGS lớn bằng điện áp “pinches off” của transistor, kênh dẫn bị đóng hoàn toàn.
Kết quả là không có dòng electron dịch chuyển từ cực S đến cực D, transistor ở trạng thái tắt. Giảm dần điện áp âm VGS, kênh dẫn sẽ mở lại, làm giảm điện trở kênh và cho phép các hạt electron dịch chuyển trong đó. Thiết kế mạch phân cực cho transistor Lựa chọn Transistor và xác định điểm làm việc tương ứng: Dựa vào mục tiêu thiết kế mạch khuếch đại, transistor cao tần và chế độ làm việc tương ứng sẽ được lựa chọn phù hợp. Ví dụ, đối với transistor dùng thiết kế PA, sử dụng các thông số hay mô hình tín hiệu nhỏ sẽ gây ra sai lệch giữa thiết kế và chế tạo.
Khi thiết kế các transistor này, người ta chủ yếu dựa vào các thông số đo đạc thực tế do nhà sản xuất cung cấp và từ đó xác định dòng phân cực, điện áp phân cực tương ứng theo các biểu đồ mà tại đó, transistor có các thông số thỏa mãn yêu cầu đề ra. Trong nhiều trường hợp, các thông số đo đạc được cung cấp rất hạn chế, thậm chí chỉ trong một điều kiện hoạt động duy nhất. Đây là điều kiện làm việc lý tưởng nhất của transistor và được nhà sản xuất khuyến khích sử dụng. Tuy nhiên, người thiết kế vẫn có thể tự lựa chọn chế độ làm việc cho transistor và thực hiện việc đo đạc các thông số cần thiết trước khi thiết kế nhưng việc này yêu cầu độ chính xác của thiết bị đo rất cao và phải thực hiện các bước calibre, de embedded để thu được chính xác thông số của transistor.
Với transistor nFET chọn để thiết kế mạch khuếch đại, mạch phân cực cho transistor được thiết kế như hình 2. Huỳnh Phú Minh Cường HVTH: Nguyễn Tấn Phát Luận văn Thạc Sĩ 11 Thiết kế và Chế tạo TR module DC block DC block DC feed DC feed VD >0 VG <0 Hình 2.1: Mạch phân cực cho FET transistor Phương pháp phân cực dùng nguồn đôi (V- / Gnd / V+) với cực S của FET được nối vào Gnd cho độ ổn định và độ lợi công suất lớn sẽ được sử dụng để phân cực và thiết kế mạch khuếch đại: Điện áp phân cực DC được đưa vào ở cực G và cực D của transistor và được cách ly với tín hiệu cao tần nhờ các khối DC feed (RF block). Tín hiệu cao tần có công suất nhỏ được đưa vào cực G của transistor, tín hiệu cao tần sau khi khuếch đại được lấy ra ở cực D của transistor. Tín hiệu cao tần này được loại bỏ thành phần DC nhờ các khối DC block.
Khối DC block làm nhiệm vụ lọc bỏ tín hiệu DC ở ngõ vào/ra của mạch khuếch đại và thường được chế tạo từ các tụ điện có điện dung lớn. Khối DC feed (RF block) được sử dụng với hai mục đích: cung cấp điện áp DC giúp phân cực cho transistor và cách ly thành phần RF, không để các tín hiệu tần số cao rò rỉ qua các mạch phân cực (làm giảm độ lợi, công suất ngõ ra mạch thiết kế). Linh kiện này phải có trở kháng rất nhỏ ở tần số thấp (DC) và trở kháng vô cùng lớn để xem như hở mạch ở tần số thiết kế. Có 2 cách phổ biến để thực tế phần tử này: ● Dùng cuộn dây L: ở tần số thấp, cuộn dây lý tưởng có trở kháng rất bé và xem như bằng 0 với nguồn DC, tại tần số cao, cuộn dây có trở kháng bằng j L và nếu chọn L đủ lớn, j L sẽ rất lớn và có thể xem như hở mạch ở tần số cao.
Phương pháp này được sử dụng phổ biến với các mạch khuếch đại làm việc ở tần số thấp; tuy nhiên, ở tần số cao, việc chế tạo các cuộn dây có hệ số phẩm chất cao là rất khó, bên cạnh đó, hệ số tự cảm L của cuộn dây thực tế cũng tỉ lệ nghịch với hệ số phẩm chất và tần số. Việc sử dụng các cuộn dây làm RF block ở tần số cao không mang lại nhiều hiệu quả. ● Dùng đường dây truyền sóng có độ dài / 4 : dựa vào mối quan hệ giữa trở kháng vào và trở kháng ra của đường dây truyền sóng microstripline: Zin Z02 / Z L với Z 0 là trở kháng đặc tính của đường microstripline. Như vậy, nếu microstripline GVHD: TS.