Luận án tiến sĩ về thiết kế và mô phỏng mạch tích hợp quang băng rộng cho đa chế độ

Luận án tiến sĩ toán học phân tích nghiên cứu tính toán và thiết kế mạch tích hợp quang băng rộng chuyển đổi và tách ghép mode design, xây dựng cơ sở lý luận, kiểm chứng thực

Chuyên ngành

Telecommunications Engineering

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

doctoral dissertation

2020

117
0
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

DECLARATION OF AUTHORSHIP

Acknowledgment

INTRODUCTION

1. CHAPTER 1: SOI WAVEGUIDE STRUCTURE, ANALYSIS AND FABRICATION

1.1. Shapes and functions of silicon-on-insulator waveguide

1.2. Optical waveguide analysis and simulation methods

1.2.1. Effective index method

1.2.2. Finite difference method

1.2.3. Beam propagation method

1.2.4. Finite difference beam propagation method

1.3. Silicon-on-insulator waveguide fabrication

1.3.1. Separation by implanted oxygen (SIMOX)

1.3.2. Bond and Etch-back SOI (BESOI)

1.3.3. Silicon Epitaxial Growth

1.3.4. Fabrication of surface etched features

1.4. Silicon-on-insulator waveguide structure used for MDM functionality

1.5. Asymmetric Y-junction waveguide. MODE DIVISION MULTIPLEXER BASED ON ASYMMETRIC DIRECTIONAL COUPLER

2. Two mode division (De)multiplexer based on an MZI asymmetric silicon waveguide

2.1. Design and structural optimization

2.2. Simulation and performance analysis

2.3. Cascaded N x N general interference MMI analysis

3. Three-mode division (De)multiplexer based on a trident coupler and two cascaded 3×3 MMI silicon waveguides

3.1. Design and structural optimization

3.2. Simulation and performance analysis

4. MODE DIVISION MULTIPLEXER BASED ON TILT BRANCHED BUS STRUCTURE SILICON WAVEGUIDE

4.1. Three-mode multiplexed device based on tilt branched bus structure using silicon waveguide

4.2. Simulation and performance analysis

4.3. Four-mode multiplexed device based on tilt branched bus structure using silicon waveguide

4.4. Simulation and performance analysis

4.5. Proposal of experimental diagram

4.6. Conclusion

DISSERTATION CONCLUSION AND FUTURE WORKS

PUBLICATIONS DURING PHD COURSE

UNDER REVIEW PAPER

PUBLICATIONS BEFORE PHD COURSE

REFERENCE

Tóm tắt

I. Cấu trúc và phân tích mạch quang

Nghiên cứu về mạch tích hợp quang băng rộng cho đa chế độ bắt đầu với việc phân tích cấu trúc của mạch quang. Cấu trúc mạch quang silicon trên cách điện (SOI) được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng quang học hiện đại. Các phương pháp phân tích như phương pháp chỉ số hiệu quả, phương pháp sai phân và phương pháp lan truyền chùm sáng được áp dụng để tối ưu hóa thiết kế. Việc sử dụng các phương pháp này giúp xác định các thông số quan trọng như độ suy giảm và hiệu suất truyền dẫn của mạch quang. Đặc biệt, việc chế tạo các cấu trúc mạch quang như Y-junction và các cấu trúc phức tạp khác là rất quan trọng để đạt được hiệu suất tối ưu cho các ứng dụng đa chế độ. Theo nghiên cứu, các cấu trúc này không chỉ cải thiện khả năng truyền dẫn mà còn giảm thiểu tổn thất quang học, từ đó nâng cao hiệu quả của hệ thống truyền thông quang.

1.1. Phân tích và mô phỏng mạch quang

Phân tích và mô phỏng là bước quan trọng trong thiết kế mạch tích hợp quang. Các phương pháp như phương pháp sai phân và phương pháp lan truyền chùm sáng được sử dụng để mô phỏng hành vi của mạch quang trong các điều kiện khác nhau. Kết quả từ các mô phỏng này cho thấy sự ảnh hưởng của các yếu tố như kích thước và hình dạng của mạch quang đến hiệu suất tổng thể. Việc tối ưu hóa các thông số này không chỉ giúp cải thiện độ tin cậy mà còn tăng cường khả năng xử lý tín hiệu quang. Các nghiên cứu trước đây đã chỉ ra rằng việc áp dụng các phương pháp mô phỏng tiên tiến có thể dẫn đến những cải tiến đáng kể trong thiết kế mạch quang băng rộng.

II. Thiết kế và tối ưu hóa mạch phân chia chế độ

Thiết kế mạch quang băng rộng cho đa chế độ yêu cầu sự chú ý đặc biệt đến các yếu tố như cấu trúc và hiệu suất. Các thiết kế như bộ phân chia chế độ dựa trên coupler hướng không đối xứng và MMI (Multimode Interference) đã được nghiên cứu và tối ưu hóa. Các kết quả cho thấy rằng việc sử dụng cấu trúc MMI có thể cải thiện đáng kể hiệu suất của mạch quang. Đặc biệt, các thiết kế này cho phép giảm thiểu độ suy giảm và crosstalk, từ đó nâng cao khả năng truyền dẫn của hệ thống. Việc tối ưu hóa cấu trúc và các thông số thiết kế là rất quan trọng để đạt được hiệu suất tối ưu cho các ứng dụng trong lĩnh vực viễn thông.

2.1. Phân tích hiệu suất của mạch phân chia chế độ

Phân tích hiệu suất của các mạch quang phân chia chế độ cho thấy sự cần thiết phải tối ưu hóa các thông số thiết kế. Các yếu tố như độ dài, chiều rộng và góc phân nhánh của mạch quang ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất truyền dẫn. Kết quả từ các mô phỏng cho thấy rằng việc điều chỉnh các thông số này có thể dẫn đến sự cải thiện đáng kể trong độ suy giảm và crosstalk. Các nghiên cứu đã chỉ ra rằng việc áp dụng các phương pháp tối ưu hóa có thể giúp đạt được hiệu suất cao hơn cho các ứng dụng đa chế độ trong hệ thống viễn thông.

III. Ứng dụng thực tiễn của mạch tích hợp quang

Các mạch tích hợp quang băng rộng cho đa chế độ có nhiều ứng dụng thực tiễn trong lĩnh vực viễn thông. Chúng được sử dụng trong các hệ thống FTTH (Fiber to the Home) để cung cấp dịch vụ internet tốc độ cao. Các bộ chia quang và (de)multiplexer là những thành phần thiết yếu trong các mạng FTTH, giúp phân chia và kết hợp các tín hiệu quang. Việc sử dụng mạch quang tích hợp không chỉ giúp giảm chi phí mà còn nâng cao hiệu suất của hệ thống. Các nghiên cứu cho thấy rằng việc áp dụng công nghệ PLC (Planar Lightwave Circuits) có thể cải thiện đáng kể khả năng xử lý tín hiệu quang trong các ứng dụng thực tiễn.

3.1. Tương lai của công nghệ mạch quang

Tương lai của công nghệ mạch tích hợp quang băng rộng cho đa chế độ hứa hẹn sẽ mang lại nhiều cải tiến đáng kể. Sự phát triển của công nghệ PLC và các phương pháp chế tạo tiên tiến sẽ mở ra nhiều cơ hội mới cho việc tối ưu hóa hiệu suất và giảm chi phí sản xuất. Các nghiên cứu hiện tại đang tập trung vào việc phát triển các cấu trúc mạch quang mới với khả năng xử lý tín hiệu tốt hơn và độ tin cậy cao hơn. Điều này sẽ giúp đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về băng thông trong các ứng dụng viễn thông hiện đại.

25/01/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

MINISTRY OF EDUCATION AND TRAINING HANOI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY -----------0---------- TRAN TUAN ANH DESIGN AND SIMULATION OF WIDEBAND PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS FOR MULTI-MODE (DE)MULTIPLEXING AND CONVERSION DOCTORAL DISSERTATION IN TELECOMMUNICATIONS ENGINEERING HANOI – 2020 luan an MINISTRY OF EDUCATION AND TRAINING HANOI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY -----------0---------- TRAN TUAN ANH DESIGN AND SIMULATION OF WIDEBAND PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS FOR MULTI-MODE (DE)MULTIPLEXING AND CONVERSION Major: Telecommunications Engineering Code: 9520208 DOCTORAL DISSERTATION IN TELECOMMUNICATIONS ENGINEERING SUPERVISORS: PROF. TRAN DUC HAN DR. TRUONG CAO DUNG HANOI – 2020 luan an DECLARATION OF AUTHORSHIP I, Tran Tuan Anh, declare that this dissertation entitled, "Design and simulation of wideband photonic integrated circuits for multi-mode (de)multiplexing and conversion", and the work presented in it is my own. I confirm that: - This work was done wholly or mainly while in candidature for a Ph.

research degree at Hanoi University of Science and Technology. - Where any part of this dissertation has previously been submitted for a degree or any other qualification at Hanoi University of Science and Technology or any other institution, this has been clearly stated. - Where I have consulted the published work of others, this is always clearly attributed. -Where I have quoted from the work of others, the source is always given.

- With the exception of such quotations, this dissertation is entirely my own work. - I have acknowledged all main sources of help. Where the dissertation is based on work done by myself jointly with others, I have made exactly what was done by others and what I have contributed myself. Hanoi, October, 2020 Postgraduate Student Tran Tuan Anh SUPERVISORS SUPERVISOR 1 SUPERVISOR 2 i luan an Acknowledgment First and foremost, I would like to thank my supervisor Prof.

Tran Duc Han for his support and advice throughout my research time in Hanoi University of Science and Technology (HUST). His encouragement and full support led me to every success of my study. I have been able to learn a lot from him about being a good teacher and researcher. I would like to express my gratitude to my supervisor, Dr.

Truong Cao Dung, for guiding and motivating me since I was an undergraduate student at HUST. He has given me the very first guidance until I finished my doctoral dissertation. I special thanks to Prof. Vu Van Yem for his constant help during my study postgraduate courses and sincere advices for my future career.

I am also thankful to my research team, Ms. Nguyen Thi Hang Duy, Mr. Ta Duy Hai, Ms. Tran Thi Thanh Thuy and Mr.

Hoang Do Khoi Nguyen in Posts and Telecommunications Institute of Technology. They gave me a lot of help during my last two years. Finally, I would like to express my grateful thanks to my parents, Mr. Tran Quoc Hung and Mrs Tran Thi Huong, and my uncle, Mr.

Tran Quoc Dung, for their support and encouragement. TRAN TUAN ANH ii luan an Table of Contents INTRODUCTION ________________________________________________________ 1 CHAPTER 1. SOI WAVEGUIDE STRUCTURE, ANALYSIS AND FABRICATION __ 8 1.1 Shapes and functions of silicon-on-insulator waveguide ___________________________8 1.2 Optical waveguide analysis and simulation methods ____________________________12 1.2 Effective index method ___________________________________________ 15 1.3 Finite difference method __________________________________________ 17 1.4 Beam propagation method _________________________________________ 18 1.5 Finite difference beam propagation method ___________________________ 19 1.3 Silicon-on-insulator waveguide fabrication ____________________________________21 1.1 Separation by implanted oxygen (SIMOX) ____________________________ 21 1.2 Bond and Etch-back SOI (BESOI) __________________________________ 23 1.4 Silicon Epitaxial Growth __________________________________________ 25 1.5 Fabrication of surface etched features ________________________________ 25 1.4 Silicon-on-insulator waveguide structure used for MDM functionality _____________28 1.3 Asymmetric Y-junction waveguide. MODE DIVISION MULTIPLEXER BASED ON ASYMMETRIC DIRECTIONAL COUPLER _______________________________________________ 44 2.1 Two mode division (De)multiplexer based on an MZI asymmetric silicon waveguide _45 2.1 Design and structural optimization __________________________________ 45 2.2 Simulation and performance analysis ________________________________ 49 2.1 Cascaded N x N general interference MMI analysis _____________________________54 3.2 Three-mode division (De)multiplexer based on a trident coupler and two cascaded 3×3 MMI silicon waveguides _______________________________________________________56 3.1 Design and structural optimization __________________________________ 56 3.2 Simulation and performance analysis ________________________________ 64 3.

MODE DIVISION MULTIPLEXER BASED ON TILT BRANCHED BUS STRUCTURE SILICON WAVEGUIDE.1 Three-mode multiplexed device based on tilt branched bus structure using silicon waveguide __________________________________________________________________70 4.1 Design and structural optimization __________________________________ 70 4.2 Simulation and performance analysis ________________________________ 74 iii luan an 4.2 Four-mode multiplexed device based on tilt branched bus structure using silicon waveguide __________________________________________________________________78 4.1 Design and structural optimization __________________________________ 78 4.2 Simulation and performance analysis ________________________________ 83 4.3 Proposal of experimental diagram ___________________________________ 85 4.3 Conclusion _______________________________________________________________89 DISSERTATION CONCLUSION AND FUTURE WORKS _____________________ 92 PUBLICATIONS DURING PHD COURSE __________________________________ 94 UNDER REVIEW PAPER ________________________________________________ 94 PUBLICATIONS BEFORE PHD COURSE __________________________________ 94 REFERENCE __________________________________________________________ 95 iv luan an Abbreviation ADC Asymmetric Directional Coupler AON All Optical Network BESOI Bond and Etch-back SOI BER Bit Error Rate BPM Beam Propagation Method CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor Cr.T Cross talk CMP Chemical Mechanical Polishing CVD Chemical Vapor Deposition CWDM Coarse Wavelength Division Multiplexing DC Directional Coupler DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing DUT Device Under Test DUV Deep Ultra Violet EBL Electron Beam Lithography EDFA Erbium Doped Fiber Amplifier EIM Effective Index Method EME Eigenmode Expansion EMS Eigenvalue Mode Solver FD-BPM Finite Difference Beam Propagation Method FDM Finite Difference Method FDTD Finite Difference Time Domain FFT-BPM Fast Fourier Transform Beam Propagation Method FTTH Fiber to the Home GI General Interference I.L Insertion Loss v luan an LER Line Edge Roughness MDM Mode Division Multiplexing MMI Multimode Interference MPA Mode Propagation Analysis MZI Mach-Zehnder Interferometer OEICs Opto-electronic Integrated Circuits ONU Optical Network Unit OOK On-off Keying Signals PDM Polarization Division Multiplexing PECVD Plasma-enhanced chemical vapor deposition PICs Planar Integrated Circuits PMMA Polymethyl Methacrylate PLCs Planar Lightwave Circuits PON Passive Optical Network RI Restricted Interference SI Symmetric Interference SDM Spatial Mode Division Multiplexing SIMOX Separation by Implanted Oxygen SOI Silicon on Insulator TBC Transparent Boundary Condition TE Transverse Electric TEM Transverse Electromagnetic TM Transverse Magnetic WDM Wavelength Division Multiplexing XPM Cross Phase Modulation vi luan an List of Tables Table 1.1 Summary of different MMI types’ properties .1 Comparison of our proposed designs based on ADC with others designs having similar structure.1 Comparison of our proposed designs based on MMI with others designs having similar structure.1 Comparison of our proposed designs based on branch bus structure with others designs having similar structure. 90 vii luan an List of Figures Fig 1. Set up initial parameters of SOI waveguide and simulation method in RSoft 4 Fig 2. Pathway monitoring power at each output port of a design .1 Schematic of non-planar optical waveguides.

High index is indicated by darker color.2 Schematic of SOI waveguide .3 Schematic of SOI Rib waveguide .1 Scheme of the effective index method for solving the propagation constant of a step-index channel waveguide. Starting from a 2D waveguide, the problem is split into two step-index planar waveguides .2 The cross-section of the waveguide is made discrete with a rectangular grid of points which have identical spacing.3 Comparison between FD-BPM (left) and FFT-BPM (right) simulation. FD-BPM under TBC gives better simulation result as the simulated wave is smoother .4 Comparison between FD-BPM simulation time depending on computed step of grid size 0.05μm (a) verse grid size 0.1 Variation of the oxygen profile during the SIMOX process. (a) Low-dose; (b) high-dose (peak is at the stoichiometric limit for SiO2); and (c) after implantation and annealing at 1300oC for several hours .2 The bond and etch-back process to form BESOI: (a) oxidation; (b) bonding; and (c) thinning.

(b) A second wafer is bonded to the first as in the BESOI process. (c) Thermal processing splits the implanted wafer at a point consistent with the range of the hydrogen ions .4 (a) Schematic of a silicon rib waveguide. (b) Electron micrograph of a silicon rib waveguide. Reproduced by permission of Intel Corporation .5 Schematic of a confined AC-generated plasma suitable for silicon processing.

The processed wafer in placed on the lower, grounded electrode .1 Directional coupler consisting of slab optical waveguide .2 Periodic exchange of power between waveguide 1 and 2 .3 Simulation of periodic exchange of power between waveguide 1 and 2 using BPM .4 Power transfer ratio verse phase mismatch parameter ∆𝛽𝐿𝑜 .5 The schematic configuration of MMI waveguide .6 Two-dimensional representation of a MMI waveguide .7 Power distribution of GI-MMI with 𝐿 = 3𝐿𝜋 (left), 𝐿 = 3𝐿𝜋/2 (middle), 𝐿 = 3𝐿𝜋/3 (right) using FD-BPM simulation. 38 viii luan an Fig 1.8 Power distribution of 2x2 PI-MMI, input access waveguide is at ±𝑊/6 with 𝐿 = 𝐿𝜋/2 (left), 𝐿 = 𝐿𝜋 (right) using FD-BPM simulation.9 Power distribution of SI-MMI showing 1-to-3-way splitting (left) and 1- to-1 imaging (right) having same length and different width using FD-BPM simulation.10 Oscillating field pass through boundary between two isotropic media .11 Schematic structure of tilt branch bus waveguide .1 Schematic of the mode synthesizer based silicon waveguide.2 BPM simulation for the height of waveguides of the asymmetric directional .3 BPM simulation for power ratio as a function of the waveguide height.4 Transmission characteristic of on dependence of the coupling length of the asymmetric directional coupler by BPM simulation. Electric field patterns for the mode (de)MUXer.6 Wavelength response of the mode DMUXer in the C-band.7 1-nm-wavelength spectrum in the side of mode multiplexer.8 Crosstalk of the modes in the structure for MUXer and deMUXer devices as a function of the etched depth tolerance: H=h1=500 nm.9 Sidewall roughness loss calculation for two modes and two polarization states of the waveguide in two cases: a) σ = 2 nm, Lcor = 50 µm and b) σ = 0.1 Schematic of cascade NxN GI MMI used for switching optical signal….1 Proposed schematic of a three mode (de)multiplexer based on a trident coupler and two multimode interference couplers on the platform of silicon on insulator waveguides.2 Schematic diagram and transmittance properties of the trident coupler: a) schematic diagram and b) BPM simulation for transmittance properties of the trident coupler as a function of the length of the sinusoidal .3 BPM simulation for the phase angle Φ is a function of the central width of the phase shifter.4 Electric field patterns of the proposed three - mode (de)MUXer for: fundamental mode (a), first-order mode (b), second-order mode (c), and total of three modes (d).5 Performances dependence on the wavelength of the proposed three mode- (de)MUXer: (a) insertion loss and (b) crosstalk.6 Influence of branching angles of the trident coupler on optical performances of the proposed (de)MUXer: a) insertion loss, and b) crosstalk.7 Fabrication tolerances of the proposed (de)MUXer: a) length tolerance of the second MMI coupler LMMI2, and b) width tolerance of the input width W0.8 Insertion loss and crosstalk in the proposed structure for three mode - (de)MUXer device as functions of the etched depth tolerance. 1 The proposed design of the three-mode channel separation device.

71 ix luan an Fig 4.2 Dependence of effective index of the main bus waveguide on variation of the main waveguide width Wm at the height h of 220 nm .3 The results of transmission characteristic of proposed device at the first tilted waveguide as a function of the width Wa (nm), which passively affects the mode selective coupling coefficients.4 The results of transmission characteristic of proposed device at the second tilted waveguide as a function of the width Wa (nm), which passively affects the mode selective coupling coefficients.5 Simulated electric field patterns for the proposed three mode (de)multiplexer for: fundamental mode (a), first-order mode (b), second-order mode (c).6 The characteristic optical performance of the device depends on the wavelength, showing the I.T of each three mode outputs.7 Variation of optical transmission performance of the proposed waveguide depended on width tolerance ΔW (nm).8 Variation of optical transmission performance of the proposed waveguide depended on height tolerance Δh (nm).

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Luận án tiến sĩ mang tiêu đề "Luận án tiến sĩ về thiết kế và mô phỏng mạch tích hợp quang băng rộng cho đa chế độ" của tác giả Trần Tuấn Anh, dưới sự hướng dẫn của các giáo sư Trần Đức Hàn và Trương Cao Dũng, được thực hiện tại Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội vào năm 2020. Bài luận án này tập trung vào nghiên cứu và thiết kế các mạch tích hợp quang băng rộng, một lĩnh vực quan trọng trong kỹ thuật viễn thông, nhằm cải thiện hiệu suất và khả năng truyền tải dữ liệu qua các hệ thống quang học.

Bài viết không chỉ cung cấp cái nhìn sâu sắc về các phương pháp thiết kế mạch tích hợp mà còn mở ra hướng đi mới cho các nghiên cứu tiếp theo trong lĩnh vực viễn thông. Đặc biệt, những kiến thức và kỹ thuật được trình bày trong luận án có thể áp dụng cho việc phát triển các hệ thống truyền thông hiện đại, từ đó nâng cao chất lượng dịch vụ và hiệu quả truyền tải thông tin.

Nếu bạn quan tâm đến các nghiên cứu liên quan trong lĩnh vực viễn thông, bạn có thể tham khảo thêm bài viết "Luận án tiến sĩ về hiện tượng vận chuyển điện tử trong cấu trúc nano bán dẫn với algangan và pentagraphene", nơi khám phá các hiện tượng điện tử trong vật liệu nano, hoặc "Luận văn thạc sĩ về thiết kế bộ tổng hợp tần số trong hệ thống GPS", một nghiên cứu về thiết kế hệ thống viễn thông. Cả hai tài liệu này đều liên quan đến các khía cạnh kỹ thuật trong lĩnh vực viễn thông, giúp bạn mở rộng kiến thức và hiểu biết về các công nghệ tiên tiến hiện nay.