CHƯƠNG 1: BỘ NGHỊCH LƯU ĐA BẬC VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU KHIỂN 1. BỘ NGHỊCH LƯU ĐA BẬC VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU KHIỂN Bộ nghịch lưu áp là các bộ chuyển đổi cho phép cung cấp và điều khiển điện áp xoay chiều ở ngõ ra. Nguồn cấp cho bộ nghịch lưu có thể là các nguồn một chiều như acquy, pin, hay các nguồn xoay chiều được chỉnh lưu thành nguồn 1 chiều. Các linh kiện cấu thành nên bộ nghịch lưu là các khóa bán dẫn có khả năng điều khiển như transistor (BJT, MOSFET, IGBT) hay ở phạm vi công suất lớn là GTO, SCR, IGCT kết hợp với bộ điều khiển chuyển mạch.
Bộ nghịch lưu có cấu hình cơ bản là dạng cầu H chứa 4 khóa bán dẫn với các diode mắc đối song. Tuy nhiên, nhược điểm mà bộ nghịch lưu 2 bậc mắc phải là sự tồn tại của trạng thái zero của tổng điện thế từ các pha đến tâm nguồn DC. Do đó, Bộ nghịch lưu áp đa bậc ra đời để giải quyết được những nhược điểm mà bộ nghịch lưu 2 bậc mắc phải và thường được sử dụng cho các ứng dụng điện áp cao và công suất lớn. Bên cạnh đó, khi công suất của bộ nghịch lưu áp tăng lên, điện áp đặt lên các linh kiện giảm xuống nên công suất tổn hao do quá trình đóng ngắt của linh kiện cũng giảm theo.
Với cùng tần số đóng cắt, các thành phần hài bậc cao của điện áp ra giảm nhỏ hơn so với trường hợp bộ nghịch lưu áp hai bậc [2]. Từ những ưu điểm trên, các bộ nghịch lưu đa bậc được sử dụng ngày càng nhiều và đóng vai trò quan trọng với sự có mặt trong các động cơ công nghiệp, hệ thống chuyển dòng linh hoạt (FACTS), các hệ thống truyền động trong nhà máy,… và đặc biệt trong bối cảnh hiện nay khi nguồn năng lượng tái tạo ngày càng được chú trọng phát triển thì việc ứng dụng các bộ nghịch lưu này để chuyển đổi điện áp từ các trang trại điện gió, điện mặt trời, các mô hình điện mặt trời mái nhà. lên lưới là không thể tránh khỏi. Mô hình một bộ nghịch lưu đa bậc thường có 3 dạng: - Nối diode (diode-clamp) - Nối tụ (flying-capacity) - Ghép tầng các bộ nghịch lưu với nguồn DC độc lập.
LUẬN VĂN THẠC SĨ HVTH: Nguyễn Thanh Hằng GVHD: PGS.TS Phan Quốc Dũng Trang 2 1.1 Bộ nghịch lưu đa bậc nối diode Cấu hình các bộ nghịch lưu đa bậc được biểu diễn như sau: Hình 1.1: Cấu trúc bộ nghịch lưu đa bậc dạng nối diode Bộ biến đổi nối diode m bậc gồm m-1 tụ phía DC và có thể tổng hợp được m bậc điện áp ngõ ra. Điện áp nguồn 1 chiều tổng là Vdc, điện áp trên mỗi tụ phái đầu vào là Vdc/m, điện áp đặt trên mỗi linh kiện cũng tương ứng với điện áp trên mỗi tụ là Vdc/3, thông qua các diode mắc đối song. Bộ nghịch lưu đa bậc nguồn áp nối diode có các ưu điểm là: - Khi số bậc đủ lớn, hài bậc cao sẽ đủ thấp để không cần sử dụng bộ lọc. - Hiệu suất cao vì các khóa bán dẫn có thể được điều khiển ở tần số đóng ngắt cơ bản.
- Phương pháp điều khiển đơn giản cho hệ thống kết nối dạng đối song. Tuy nhiên, có thể nhận thấy rằng với cấu hình này, khi yêu cầu số bậc điện áp càng cao (m càng lớn) sẽ dẫn đến khó khăn khi thiết kế hệ thống trên thực tế, do số lượng diode tỉ lệ bình phương với m. Bên cạnh đó, khó điều khiển lượng công suất tịch cực cho các bộ biến đổi đơn.2 Bộ nghịch lưu đa bậc nối tụ Cấu hình cơ bản của một bộ nghịch lưu áp đa bậc dạng nối tụ như sau: LUẬN VĂN THẠC SĨ HVTH: Nguyễn Thanh Hằng GVHD: PGS.TS Phan Quốc Dũng Trang 3 Hình 1.2: Cấu trúc bộ nghịch lưu đa bậc dạng nối tụ Các mức điện áp xác định trong bộ biến đổi đa bậc nối tụ tương tự như trường hợp nối diode. Điện áp pha của bộ biến dổi có m bậc gồm cả bậc làm chuẩn.
Phía đầu vào cần m-1 tụ cho bộ biến đổi có m bậc điện áp ngõ ra. Với cấu hình nối tụ: - Khi số lượng tụ tích điện lớn sẽ có khả năng duy trì trong khoảng thời gian nhất định khi mất điện. - Cung cấp nhiều tổ hợp đóng cắt dự phòng để có thể duy trì việc cân bằng các bậc điện áp khác nhau. - Khi số bậc đủ cao, thành phần hài đủ nhỏ để loại bỏ các bộ lọc.
- Có thể điều khiển lượng công suất tích cực hoặc phản kháng, giúp cho bộ nghịch lưu áp này có thể sử dụng cho ứng dụng HVDC. Tuy nhiên, cần một lượng lớn các tụ điện dẫn đến sự cồng kềnh và tốn kém của hệ thống. Bên cạnh đó việc điều khiển bộ nghịch lưu này tương đối phức tạp với tần số và tổn thất đóng cắt cao khi truyền tải công suất thực.3 Bộ nghịch lưu đa bậc dạng module ghép tầng Dạng module ghép tầng với nguồn DC độc lập được biểu diễn như sau: LUẬN VĂN THẠC SĨ HVTH: Nguyễn Thanh Hằng GVHD: PGS.TS Phan Quốc Dũng Trang 4 Hình 1.3: Cấu trúc bộ nghịch lưu đa bậc dạng module ghép tầng với nguồn DC độc lập Mỗi module là các bộ nghịch lưu cầu 1 pha (H-bridge) được cấp nguồn độc lập. Các module này được ghép nối tiếp với nhau, có nhiệm vụ tổng hợp giá trị điện áp mong muốn từ các nguồn DC độc lập như battery hay pin mặt trời.
Điện áp phía đầu ra được tổng hợp từ tất cả các module để tạo thành nhiều bậc điện áp. Khi số lượng các module này đủ lớn, sự chênh lệch điện áp giữa các bậc sẽ nhỏ lại, nghĩa là sóng điện áp đầu ra sẽ mịn hơn và tổng độ méo dạng sóng hài bậc cao sẽ được giảm thiểu từ đó có thể giảm lược việc sử dụng các bộ lọc sóng hài. Ưu điểm của bộ nghịch lưu này là tận dụng được các nguồn độc lập và tránh được việc sử dụng quá nhiều diode hay tụ cân bằng áp nên sẽ giúp thu nhỏ kích thước, và cũng như tránh được vấn đề mất cân bằng điện áp tụ so với trường hợp sử dụng dạng nối tụ. Tuy nhiên, chi phí để đầu tư cho các nguồn DC độc lập này cũng là một vấn đề đáng quan tâm, nhưng khi nguồn năng lượng tái tạo đang phát triển mạnh như hiện nay thì việc sử dụng bộ nghịch lưu đa bậc ghép tầng với nguồn độc lập lại cho thấy khả năng ứng dụng cao.
Do đó, trong báo cáo này lựa chọn sử dụng cấu hình dạng module ghép tầng để kiểm chứng các phương pháp điều khiển tối ưu. LUẬN VĂN THẠC SĨ HVTH: Nguyễn Thanh Hằng GVHD: PGS.TS Phan Quốc Dũng Trang 5 Về mặt điện áp, mỗi module tạo ra 3 giá trị điện áp khác nhau: -Vdc,0, Vdc nhờ vào việc điều khiển 4 khóa công suất S1, S2, S3, S4. - Vout = Vdc, S1 và S4 đóng - Vout = 0, S1 và S2 hoặc S3 và S4 đóng - Vout = -Vdc, S2 và S3 đóng. (Chú ý S1=~S3, S2=~S4) Số bậc của điện áp ngõ ra bằng 2*m+1 với m là số module được ghép nối tiếp.
Hình ảnh dưới đây mô tả về nguyên lý hoạt động của một module dạng H-bridge cơ bản: Hình 1.4: Nguyên lý hoạt động của 1 module H-bridge ở 2 mức điện áp Vdc và -Vdc Về phương pháp điều khiển, người ta cần tìm ra các phương pháp điều khiển các khóa bán dẫn để đảm bảo tạo được điện áp đầu ra như mong muốn nhưng yêu cầu là thành phần hài bậc cao thấp, giảm số lần đóng cắt, chuyển mạch an toàn, tránh chế độ điện áp chung và có thể điều khiển bằng vi xử lý. Có các phương pháp điều khiển điều biến độ rộng xung thường áp dụng: - Điều biến độ rộng xung trên cơ sở sóng mang (Carrier-Based PWM Method- PD, POD, APOD). - Điều biến độ rộng xung trên cơ sở sóng mang tam giác theo nguyên lý dịch pha (Phase-shifted triangle carriers-PS). - Điều biến độ rộng xung sử dụng vector không gian điện áp tổng (Space- Vector PWM) - Điều biến độ rộng xung tối ưu hay nhiều bước (multistep).
Trong bài này áp dụng phương pháp điều khiển PWM tối ưu, ứng dụng các giải thuật metaheuristic để tìm ra giá trị góc đóng cắt phù hợp. Ví dụ sau minh họa LUẬN VĂN THẠC SĨ HVTH: Nguyễn Thanh Hằng GVHD: PGS.TS Phan Quốc Dũng Trang 6 về gía trị góc đóng cắt cho bộ nghịch lưu 11 bậc với tỉ số điêu biên thay đổi từ 0.2 đến 1 với bước nhảy bằng 0.5: Phương pháp điều khiển PWM tối ưu [7] Trong đó, điện áp hình sin đầu ra được tổng hợp từ 5 thành phần điện áp của các module ghép nối tiếp với nhau Tỉ số điều biên ma là tỉ số giữa thành phần điện áp ngõ ra trên thành phần điện áp ngõ vào. Trong trường hợp này, mỗi mô dun được cấp nguồn DC độc lập và ghép tầng với nhau, do đó, điện áp ngõ vào Vin = 5Vdc. Khi tỉ số điều biên là ma =1 thì điện áp ngõ ra đạt biên độ là 5Vdc.
Với bộ nghịch lưu 3 pha, thành phần hài bậc 3*n (n=1,2,3.) tự triệt tiêu , các thành phần hài bậc cao được biểu diễn là tổng hợp các thành phần (5 ), (7 ), (11 ), (13 ) …. Để tìm ra thành phần hài này, tiến hành phân tích Fourier thành phần điện áp đầu ra ta có: ( )=∑ , ,. (2) LUẬN VĂN THẠC SĨ HVTH: Nguyễn Thanh Hằng GVHD: PGS.TS Phan Quốc Dũng Trang 7 Hệ số méo dạng toàn phần THD được xác định như sau: (%) = ∑ ( ) ∗ 100 (3) ( ) Với là biên độ của thành phần cơ bản, là biên độ của hài bậc n và có giá trị phụ thuộc vào góc kích khóa bán dẫn: = ∑ ( )=0 à = ∑ ( )=0 (4) Với n = 6k±1(k = 1,2,3,. Để giảm thiểu THD ở tín hiệu điện áp ngõ ra, hàm mục tiêu F(θ) = ( , ,.
< < cho n bậc sóng hài phải được tối thiểu với điều kiện ràng buộc của SHE. Về mặt toán học ta có các điều kiện sau: ( )+ ( ) + ⋯+ ( )=5 ⎧ ⎪ (5 ) + (5 ) + ⋯ + (5 ) = 0 (7 ) + (7 ) + ⋯ + (7 ) = 0 (5) ⎨ … ⎪ ⎩ ( )+ ( )+⋯+ ( )=0 = Các phương pháp điều khiển cụ thể sẽ được trình bày kỹ hơn trong các phần sau.