CHƯƠNG 1 KHÁI QUÁT VỀ PMT MÀNG MỎNG THẾ HỆ MỚI DỰA TRÊN LỚP HẤP THỤ CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) 1.1 Lịch sử phát triển Hiện nay, năng lượng đang là vấn đề thời sự của mọi quốc gia. Từ trước tới nay, con người vẫn sử dụng nguồn năng lượng sẵn có nguồn gốc từ các hóa thạch như: than đá, dầu mỏ, khí tự nhiên. Những nguồn năng lượng này đang có nguy cơ cạn kiệt và có khả năng không đủ đáp ứng nhu cầu năng lượng của con người. Bên cạnh đó, ở cuối thế kỉ 21, sự nóng lên toàn cầu làm tăng nhiệt độ trung bình của khí quyển trái đất lên 1,4 oC – 5,8 oC.
Việc hướng tới một dạng năng lượng sạch, với một ít hoặc không có sự phát xạ sẽ là một trong những thử thách lớn của thế kỷ XXI. Một sự nỗ lực đầy hứa hẹn là sự ứng dụng hiệu ứng quang điện để tận dụng một lượng lớn năng lượng mà trái đất nhận được mỗi giây từ mặt trời[12]. Hội nghị năng lượng mới toàn cầu tại Born năm 2004 đã khẳng định quyết tâm của thế giới thay thế 20 % năng lượng điện truyền thống bằng nguồn năng lượng mới trong đó có điện mặt trời vào năm 2020. Trong khi một vài công nghệ đã được ứng dụng để thu được hiệu suất cao hơn thì thành công tốt nhất là màng mỏng từ tế bào năng lượng mặt trời.
Thiết bị đó được chế tạo bởi công nghệ lắng đọng không tốn kém dựa trên những chất nền không đắt. Vì vậy, chúng có tiềm năng để trở thành nguồn năng lượng có sức cạnh tranh về mặt kinh tế trong thập kỷ sau. PMT thế hệ mới dựa trên lớp hấp thụ CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) đã đạt được hiệu quả cao nhất trong tất cả những màng mỏng tế bào năng lượng mặt trời. Hiệu suất chuyển đổi năng lượng pin mặt trời kỷ lục cho đến nay là 19,9 %.
Pin mặt trời ngày nay Công nghiệp quang điện đã trở thành một sản phẩm thương mại trị giá hàng tỷ đô la, sản phẩm quang điện đã vượt qua 1GW trong thời gian đầu năm 2004 và 5 người ta hy vọng nó sẽ vượt qua 3GW vào năm 2010. Thị trường đã tăng với tốc độ kép trong vài năm gần đây (20% – 40% mỗi năm). Giá cả được đưa ra trong phạm vi đô la trên một Watt peak ($/Wp) và vẫn tiếp tục giảm, xấp xỉ với đường cong nghiên cứu là 80% [11]. Đường cong nghiên cứu là hình chỉ ra dưới đây.
Khi sản lượng tăng lên đến 100 % thì giá thành chỉ tương đương giá nhiên liêu hóa thạch. Chúng ta hi vọng điều này sẽ xảy ra trong khoảng 15 năm nữa. Công nghệ Silicon tinh thể quang điện là cơ sở cho PMT nhưng giá cả nguyên vật liệu đắt hơn rất nhiều. Như vậy, các PMT màng mỏng sẽ trở thành ứng cử viên nhiều hứa hẹn hơn cho nền sản xuất PMT với số lượng lớn.
Hình 1: Quá trình phát triển của pin mặt trời Các PMT loại màng mỏng CIGS có lợi thế đáng kể về giá cả bởi vì các đường cong nghiên cứu bắt đầu từ một mức thấp hơn so với công nghệ Silic. Các màng mỏng được chế tạo với chi phí sản phẩm về căn bản là thấp hơn. Sự thành công về thương mại của PMT rất quan trọng bởi vì nó thúc đẩy sự phát triển trong tương lai. Sự thành công đó lại phụ thuộc chủ yếu vào sự khuyến khích của chính phủ như: giảm giá thuế, trợ cấp lắp đặt.
Hiện nay, các PMT thế hệ mới loại màng mỏng CIGS chiếm dưới 10 % thị phần hàng hóa của pin quang điện. Toàn bộ sản phẩm điện từ mặt trời vẫn không đáng kể so với lượng năng lượng mà 6 thế giới yêu cầu. Vì vậy, hướng nghiên cứu mới về pin mặt trời thế hệ mới loại màng mỏng là rất cấp thiết và có tính khả thi. PMT đến năm 2050 Đối mặt với tình trạng công nghiệp hóa và sự tăng dân số thế giới liên tục, loài người phải đương đầu với những thách thức về yêu cầu năng lượng.
Từ năm 2000 đến năm 2050, yêu cầu năng lượng trung bình sẽ tăng từ 13 TW (2000) đến khoảng 30 TW. Năng lượng của chúng ta tập trung chủ yếu vào năng lượng của nhiên liệu hóa thạch. Nhân tố thúc đẩy các năng lượng tái tạo sẽ làm tăng sự sản xuất khí gây hiệu ứng nhà kính, đặc biệt là khí CO 2 tích tụ trong khí quyển của chúng ta. Từ cuối thế kỉ XIX, nồng độ CO2 tăng từ khoảng 280 phần triệu (ppm) đến 360 ppm [16].
Nồng độ CO 2 tăng từ 450 đến 550 ppm được dự đoán sẽ gây ra sự thay đổi thời tiết. Với tốc độ tiêu thụ năng lượng hóa thạch hiện nay và nhu cầu sử dụng năng lượng toàn cầu tăng, chúng ta sẽ phải đối mặt với nguồn nhiên liệu hóa thạch cạn kiệt và nồng độ CO2 tăng đến 750 ppm vào năm 2050, gấp 3 lần nồng độ hiện nay [9]. Trong viễn cảnh này, Trái đất có thể trở thành một nơi ít có cơ hội sống. Vấn đề ở đây là con nguời phải làm gì để tận dụng được các nguồn năng lượng sạch đáp ứng được yêu cầu của xã hội và bảo vệ mội trường sống.
Như vậy, năng lượng mặt trời là ứng cử viên tốt nhất có thể ngăn chặn các thảm hoạ khí hậu .2 Những thách thức đặt ra Việc phát triển loại pin mặt trời màng mỏng CIGS đang có những vướng mắc cần các nhà khoa học tiếp tục nghiên cứu tháo gỡ. Vấn đề lớn nhất hiện nay là các đặc trưng về hiệu năng hoạt động (dòng cực đại, thế cực đại, hiệu suất biến đổi năng lượng, hệ số lấp đầy) của loại pin này chưa cao khi sản xuất ở qui mô lớn và còn chưa ổn định, tức là phụ thuộc rất nhiều yếu tố như thành phần, cấu trúc, công nghệ chế tạo. Để giải quyết bài toán này, trước hết các nhà khoa học phải chế tạo được các lớp riêng rẽ của cấu trúc pin với phẩm chất mong muốn, phải hiểu được mối liên quan giữa điều kiện chế tạo với tính chất vật liệu, giữa các tính chất của các lớp riêng rẽ với hiệu năng hoạt động của toàn bộ cấu trúc. Trong lĩnh vực này, 7 ngoài các nghiên cứu thực nghiệm như chế tạo mẫu bằng các phương pháp khác nhau, đo đạc các đặc tính vật liệu, phương pháp mô phỏng cũng là một công cụ hữu hiệu [11-12].
Ở bài toán mô phỏng, các nhà nghiên cứu chú ý khảo sát ảnh hưởng các tham số đặc trưng của vật liệu lên hiệu năng làm việc của pin thông qua các mô hình vi mô về cơ chế hoạt động. Một loạt các hướng nghiên cứu khác cũng được các nhà khoa học tiến hành như giảm chiều dầy các lớp [6-7], tăng cường độ bền cơ học của pin, nâng cao năng suất chế tạo, giảm giá thành và đảm bảo an toàn môi trường trong chế tạo [4-15]. Trên thế giới có một số trung tâm nghiên cứu mạnh về pin mặt trời màng mỏng CIGS, điển hình là NREL (Mỹ), Đại học Tổng hợp Colorado (Mỹ), Đại học Tổng hợp Uppsala (Thụy Điển) với kinh phí rất lớn, khoảng 10 đến 20 triệu đô la cho một dự án. Tại các trung tâm này, các nhà khoa học bắt đầu nghiên cứu xây dựng các dây chuyền sản xuất, bên cạnh đó vẫn đang tiếp tục các nghiên cứu cơ bản theo các hướng đã nêu ở trên.
Vấn đề thứ hai đặt ra là độ bền lâu dài của thiết bị. Câu hỏi đặt ra là tại sao một số mô đun giữ được chất lượng bền vững trong khi một số khác thì không? Để trả lời câu hỏi này, chúng ta cần hiểu biết tốt hơn về cơ chế suy giảm ở từng linh kiện, từng bộ phận cũng như trong cả mô đun hoàn chỉnh. Ví dụ, việc thấm hơi nước qua vỏ bọc cũng làm suy giảm chất lượng. Vì vậy, việc cải tiến hàng rào màng mỏng với hơi nước sẽ nâng cao độ bền khi hoạt động.
Nhiều nghiên cứu đã được tiến hành để điểu chỉnh và khảo sát chất lượng của các mô đun CIGS ở ngoài môi trường. Cho tới ngày nay, mức độ hiểu biết về các nguyên nhân làm suy giảm chất lượng là không phù hợp và thiếu đồng bộ giữa các nghiên cứu thiết bị và mô đun. Tình hình nghiên cứu và sử dụng PMT tại Viêt Nam đã được thể hiện khá đầy đủ tại Hội thảo quốc tế về “Điện mặt trời công nghiệp từ sản xuất chế tạo đến khai thác hiệu quả” tổ chức tại thành phố Hồ Chí Minh vào tháng 9 năm 2008 [1]. Tại Việt Nam, nghiên cứu PMT đã từng được bắt đầu từ khá sớm trên đối tượng PMT silic.
Việc sử dụng PMT còn ở mức độ hạn chế. Thời gian gần đây, qui mô sử 8 dụng PMT đang được phát triển nhanh chóng nhưng vẫn trên cơ sở loại pin silic thường được nhập từ nước ngoài dưới dạng bán thành phẩm hoặc thành phẩm. Trước nhu cầu lớn về PMT, đặc biệt nhu cầu phục vụ các vùng sâu, vùng xa, hải đảo, tầu đánh cá, gần đây nhất, một số nhà máy sản xuất mô đun PMT loại silic đã được khởi công xây dựng tại Việt Nam với dây chuyền công nghệ hoàn toàn được nhập khẩu. Một số công ty trong nước cũng đã cho ra mắt các sản phẩm phục vụ ngành điện mặt trời như các thiết bị lưu điện, thiết bị chuyển đổi điện ăcqui thành điện lưới.
Như vậy điện mặt trời có nhu cầu và tiềm năng rất lớn ở nước ta. Các thông tin trên cũng cho thấy PMT thế hệ mới trên cơ sở màng mỏng CIGS là lĩnh vực mới ở Việt Nam.3 Cấu trúc cơ bản và các tham số đặc trưng 1.1 Cấu trúc cơ bản của PMT PMT thế hệ mới dựa trên lớp hấp thụ CIGS chế tạo dựa trên thuỷ tinh hoặc chất nền không chỉ sử dụng công nghệ lắng đọng. Cấu trúc của pin được mô tả bằng hình vẽ dưới đây: Lưới Al Hình 2: Cấu trúc cơ bản của pin mặt trời với lớp hấp thụ CIGS Lớp đầu tiên là lớp dẫn điện trong suốt ZnO, lớp này hệ số phản xạ càng thấp thì hiệu năng của pin càng cao. Do vậy, việc tạo lớp chống phản xạ bề mặt là rất cần thiết.
Trên thực tế, chúng ta thường sử dụng MgF2. 9 Lớp thứ hai là lớp đệm CdS với độ dày khoảng (50 nm). Phần lớn các photon có bước sóng ngắn bị hấp thụ trong lớp này. Lớp thứ ba là lớp hấp thụ CIGS với độ dày khoảng 1000 nm – 3000 nm, hệ số hấp thụ lớn khoảng 105cm-1.
Phần lớn ánh sáng chiếu tới bị hấp thụ trong lớp này. Lớp dẫn điện đế là Al. Cuối cùng, lớp đế là Mo [14].