Bối cảnh và vấn đề nghiên cứu

Trong những năm gần đây, lĩnh vực thông tin vô tuyến ghi nhận tốc độ phát triển mạnh mẽ, kéo theo xu hướng thu nhỏ kích thước của các thiết bị di động đầu cuối. Nhằm đáp ứng yêu cầu thu nhỏ toàn diện thiết bị, hệ thống anten tích hợp trên các thiết bị này cũng bắt buộc phải giảm thiểu kích thước vật lý. Các dòng anten phẳng, tiêu biểu là anten vi dải (microstrip antenna) và anten mạch in (printed antenna), trở thành giải pháp ưu tiên nhờ sở hữu nhiều đặc tính phù hợp như kích thước nhỏ gọn, trọng lượng nhẹ, cấu trúc mỏng và khả năng gắn trực tiếp lên bo mạch thiết bị.

Từ sau năm 2000, yêu cầu thiết kế anten phẳng băng rộng càng trở nên cấp thiết nhằm đáp ứng các tiêu chuẩn của hệ thống truyền thông di động tế bào và mạng không dây, bao gồm:

  • GSM (Global System for Mobile communication): dải tần 890 – 960 MHz.
  • DCS (Digital Communication System): dải tần 1710 – 1880 MHz.
  • PCS (Personal Communication System): dải tần 1850 – 1990 MHz.
  • UMTS (Universal Mobile Telecommunication System): dải tần 1920 – 2170 MHz.
  • Mạng cục bộ không dây (WLAN): dải tần 2.4 GHz.

Tuy nhiên, hạn chế cố hữu lớn nhất của anten vi dải truyền thống là băng thông hẹp (thường chỉ đạt từ 0.7% đến một vài phần trăm). Do đó, việc giảm kích thước đồng thời mở rộng băng thông trở thành xu hướng thiết kế trọng tâm cho các ứng dụng thực tế.

Mục tiêu và nhiệm vụ nghiên cứu của khóa luận được xác định cụ thể như sau:

  1. Nghiên cứu hệ thống lý thuyết tổng quan về anten, các tham số bức xạ cơ bản, lý thuyết anten vi dải, cơ chế bức xạ và các kỹ thuật tiếp điện cũng như cấu trúc mảng anten.
  2. Tìm hiểu và khai thác môi trường phần mềm AWR Design Environment (bao gồm VSS, MWO, AO) phục vụ thiết kế và phân tích cấu trúc điện từ (EM).
  3. Tính toán các thông số hình học và tham số điện tích hợp cho một anten patch vi dải tuyến tính hình chữ nhật sử dụng kỹ thuật ghép khe hở (aperture-coupled microstrip feed).
  4. Tiến hành xây dựng mô hình và mô phỏng cấu trúc anten trên phần mềm AWR để đánh giá các đặc tính trở kháng, đáp ứng tham số tán xạ $S_{11}$ và giản đồ bức xạ 2D/3D.

Đối tượng nghiên cứu của đề tài là anten patch vi dải tuyến tính hình chữ nhật ghép khe hở và phần mềm mô phỏng trường điện từ AWR. Phạm vi nghiên cứu tập trung vào tính toán giải tích và mô phỏng trên máy tính, được thực hiện tại Khoa Điện Tử - Viễn Thông, TP. Hồ Chí Minh, hoàn thành vào tháng 7 năm 2010.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp

Khóa luận xây dựng nội dung dựa trên nền tảng lý thuyết trường điện từ, lý thuyết mạch vi ba và kỹ thuật truyền sóng vô tuyến:

  • Lý thuyết bức xạ điện từ và các tham số anten cơ bản:

    • Quá trình truyền lan năng lượng sóng điện từ trong không gian được biểu diễn qua vector Poynting tức thời $W = E \times H$ và mật độ công suất bức xạ trung bình theo thời gian $W_{av} = \frac{1}{2} \text{Re}[E \times H^*]$.
    • Cường độ bức xạ ở trường xa: $U = r^2 W_{rad}$, từ đó xác định tổng công suất bức xạ $P_{rad} = \iint U d\Omega$.
    • Hệ số định hướng ($D$) và hệ số định hướng cực đại: $D_{max} = \frac{4\pi U_{max}}{P_{rad}}$, xấp xỉ qua độ rộng búp sóng ở hai mặt phẳng chính $D \approx \frac{32400}{\theta_1 \theta_2}$.
    • Hệ số tăng ích ($G$), liên hệ trực tiếp với hiệu suất biến đổi năng lượng $\eta$ qua biểu thức so sánh mật độ công suất bức xạ với anten chuẩn.
    • Trở kháng vào của anten: $Z_A = R_A + jX_A = (R_r + R_l) + jX_A$, trong đó $R_r$ là điện trở bức xạ và $R_l$ là điện trở tổn hao.
    • Trạng thái phân cực sóng (phân cực thẳng, phân cực tròn, phân cực elip) dựa trên quan hệ biên độ và độ lệch pha $\Delta \phi$ giữa hai thành phần trường $E_x, E_y$.
    • Băng thông trở kháng phần trăm: $BW = \frac{f_{max} - f_{min}}{f_0} \times 100%$.

  • Lý thuyết anten vi dải và mô hình hốc cộng hưởng (Cavity Model):

    • Lịch sử phát triển từ các nghiên cứu sơ khai của Deschamp (1953), Gutton và Baissinot (1955) đến giai đoạn hoàn thiện từ thập niên 1970.
    • Cơ chế bức xạ được phân tích qua mô hình hốc cộng hưởng ở mode $TM_{100}$: bề mặt trên của patch và mặt phẳng đất đóng vai trò các tường điện; bốn cạnh xung quanh đóng vai trò các tường từ. Hai khe hẹp dọc theo chiều rộng $W$ có phân bố dòng cùng độ lớn và cùng pha tạo thành hai khe bức xạ tương đương, trong khi hai khe dọc theo chiều dài $L$ có dòng ngược pha nên triệt tiêu bức xạ.
    • Ảnh hưởng của lớp chất nền: hằng số điện môi ($\epsilon_r$) và độ dày ($h$). Để mở rộng vùng trường viền (fringing field) phục vụ bức xạ, $\epsilon_r$ lý tưởng nên có giá trị nhỏ ($\epsilon_r \le 2.5$), tuy nhiên trên thực tế các chất nền có $\epsilon_r \le 10$ vẫn được ứng dụng tùy thuộc yêu cầu kỹ thuật.
Đặc trưng Anten patch vi dải Anten vi dải lưỡng cực Anten khe mạch in
Cấu hình Mỏng Mỏng Mỏng
Khả năng chế tạo Rất dễ Dễ Dễ
Dạng phân cực Tuyến tính, tròn Tuyến tính Tuyến tính
Hình dạng hình học Bất kỳ (chữ nhật, tròn...) Chữ nhật ($W < 0.05\lambda_0$) Chữ nhật, tam giác...
Bức xạ nhiễu Có tồn tại Có tồn tại Có tồn tại
Độ rộng băng thông 2 – 50% 5 – 30% Khoảng 30%

  • Phương pháp nghiên cứu:

    • Phương pháp giải tích: Sử dụng các công thức giải tích vi ba để tính toán thông số sóng quasi-TEM trên đường truyền vi dải, hằng số điện môi hiệu dụng, độ rộng hiệu dụng, độ phân tán tần số, kích thước hình học của patch ($L, W$), khe ghép ($L_a, W_a$) và nhánh cụt điều hưởng (tuning stub).
    • Phương pháp mô phỏng số điện từ: Ứng dụng công cụ mô phỏng trường điện từ phẳng 3D trong phần mềm AWR Design Environment để giải hệ phương trình Maxwell cho cấu trúc phân lớp.

  • Nguồn dữ liệu: Các công thức chuẩn trong lý thuyết anten vi ba, thông số các hệ thống thông tin di động chuẩn hóa (GSM, DCS, PCS, UMTS, WLAN) và thư viện vật liệu điện môi trong phần mềm AWR.

Thiết kế kỹ thuật và môi trường mô phỏng

Cấu trúc anten được lựa chọn thiết kế trong khóa luận là anten patch vi dải tuyến tính hình chữ nhật sử dụng kỹ thuật cấp nguồn ghép khe hở (Aperture-Coupled Microstrip Feed).

                      [ Miếng Patch Bức Xạ ]
    ---------------------------------------------------------  <- Lớp chất nền 1 (dày, eps_r thấp)
    ================== [ Mặt Phẳng Đất ] ====================  <- Có Khe Ghép (Slot: La x Wa)
    ---------------------------------------------------------  <- Lớp chất nền 2 (mỏng, eps_r cao)
            [ Đường Tiếp Điện Vi Dải ] + [ Nhánh Cụt ]

  • Nguyên lý kiến trúc ghép khe hở:

    • Cấu trúc gồm 2 lớp chất nền điện môi phân tách nhau bởi một mặt phẳng đất trung gian.
    • Lớp chất nền trên chứa miếng kim loại bức xạ (patch). Lớp chất nền này được chọn loại dày và có hằng số điện môi thấp nhằm tối đa hóa hiệu suất bức xạ và mở rộng băng thông.
    • Lớp chất nền dưới chứa đường truyền dẫn vi dải (microstrip feed line) và nhánh cụt điều hưởng (tuning stub). Lớp này được chọn loại mỏng với hằng số điện môi cao để hạn chế bức xạ rò rỉ từ đường dẫn.
    • Mặt phẳng đất ở giữa đóng vai trò màn chắn ngăn cách bức xạ giả từ đường truyền vi dải không làm ảnh hưởng đến không gian bức xạ của patch, đồng thời chứa một khe hở chữ nhật kích thước $L_a \times W_a$ ($W_a \approx L/10$) để ghép năng lượng điện từ từ đường truyền lên miếng patch.

  • Môi trường thiết kế AWR Design Environment:

    • Visual System Simulator (VSS): Phục vụ thiết kế, phân tích hệ thống truyền thông đầu cuối đến đầu cuối (tín hiệu điều chế, mã hóa, kênh truyền, phân tích phổ, đường cong BER, giản đồ chòm sao).
    • Microwave Office (MWO) & Analog Office (AO): Phục vụ thiết kế sơ đồ nguyên lý mạch (Schematic), bảng nối lưới (Netlist), tạo bản vẽ mạch in (Layout) và phân tích cấu trúc điện từ nhiều lớp (EM Structure).
    • Quy trình thiết lập EM Structure trên AWR: Thiết lập hộp bao Enclosure (gán điều kiện biên và lưới tính toán) $\rightarrow$ Định nghĩa các lớp chất nền điện môi và thông số vật liệu $\rightarrow$ Thiết kế các lớp vật dẫn (vẽ miếng patch, mặt phẳng đất có khe mở, đường dẫn vi dải và nhánh cụt) $\rightarrow$ Thiết lập cổng kích thích (Port) và dãy tần số mô phỏng $\rightarrow$ Chạy phân tích EM solver $\rightarrow$ Xuất kết quả đáp ứng tần số tham số $S_{11}$, đồ thị Smith Chart và giản đồ bức xạ 2D/3D.

Nội dung chính theo từng chương

Chương 1: Lý thuyết về anten và anten vi dải

Chương 1 hệ thống hóa toàn bộ lý thuyết nền tảng về trường bức xạ và anten vi dải:

  • Định nghĩa và mô tả cơ chế hoạt động của hệ thống anten - fide, chuyển đổi giữa sóng điện từ ràng buộc trong đường dẫn và sóng điện từ tự do ngoài không gian.
  • Trình bày chi tiết các tham số anten: giản đồ bức xạ (mặt phẳng E, mặt phẳng H, các loại búp sóng: thùy chính, thùy phụ, thùy bên, thùy sau), vector Poynting, công suất bức xạ, hệ số định hướng, hệ số tăng ích, trở kháng vào, phân cực và băng thông.
  • Phân tích ưu và nhược điểm của anten vi dải: ưu điểm nổi bật về kích thước mỏng nhẹ, chi phí sản xuất thấp, dễ tích hợp mạch vi ba; nhược điểm gồm băng thông hẹp, tồn tại sóng mặt, tổn hao tiếp điện, công suất chịu đựng thấp (< 100 W) và độ lợi bị giới hạn (< 20 dB).
  • Khảo sát 4 dạng anten vi dải thông dụng: anten patch, anten vi dải lưỡng cực, anten khe mạch in và anten sóng chạy vi dải.
  • Phân tích và so sánh 4 kỹ thuật cấp nguồn cho anten vi dải: đường truyền vi dải ghép cạnh/ghép trong, cáp đồng trục loại N, kỹ thuật ghép gần và kỹ thuật ghép khe hở.
  • Trình bày kỹ thuật mảng anten vi dải: mạng tiếp điện song song (cấu trúc 1 chiều đối xứng/bất đối xứng, phân bố 2 chiều, kỹ thuật lái búp sóng bằng bộ định pha/đường trễ) và mạng tiếp điện nối tiếp (mảng cộng hưởng hở mạch/ngắn mạch với khoảng cách phần tử $\lambda_g$ hoặc $\lambda_g/2$; mảng sóng chạy sử dụng tải phối hợp trở kháng hấp thụ $5 - 10%$ công suất).

Chương 2: Giới thiệu phần mềm AWR

Chương 2 trình bày tổng quan cấu trúc và phương pháp vận hành phần mềm chuyên dụng AWR Design Environment:

  • Phân tích chức năng của 3 công cụ tích hợp: VSS, MWO và AO.
  • Giới thiệu các thành phần giao diện chính: Menu, Toolbar, Project Browser (cây thư mục quản lý dự án), Element Browser (thư viện linh kiện/khối chức năng), Workspace và Tabs chuyển đổi.
  • Hướng dẫn chi tiết quy trình tạo Schematic, Netlist và System Diagram.
  • Trình bày phương pháp xây dựng cấu trúc điện từ (EM Structure): cấu hình Enclosure, định nghĩa vật liệu điện môi, thiết lập thuộc tính các lớp dẫn điện, thao tác chuyển đổi hiển thị 2D/3D.
  • Hướng dẫn quản lý layout thông qua Layout Manager: thiết lập Drawing Layers, nhập tệp định nghĩa lớp (LPF), sử dụng Cell Libraries và Cell Editor để tạo hoặc chèn phần tử đồ họa (hỗ trợ định dạng GDSII, DXP).
  • Khảo sát các dạng đồ thị hiển thị kết quả đo lường: Rectangular (theo tần số), Smith Chart, Polar, Antenna Plot (giản đồ bức xạ theo góc quét), Constellation, Histogram, Tabular và 3D Plot.
  • Trình bày phương pháp cấu hình tần số mô phỏng tập trung (Project Options) hoặc tần số riêng cho từng sơ đồ, cùng các bước kích hoạt quá trình phân tích số (Simulate -> Analyze).

Chương 3: Thiết kế, mô phỏng anten vi dải bằng AWR

Chương 3 đi sâu vào quy trình tính toán thiết kế và mô phỏng thực tế cho anten patch vi dải tuyến tính ghép khe hở:

  • Phân tích ảnh hưởng của các yếu tố thiết kế: dạng hình học của patch, các thông số chất nền ($\epsilon_r, h$) và kỹ thuật tiếp điện đến băng thông trở kháng và hiệu suất (với điều kiện tỷ số sóng đứng điện áp $\text{VSWR} < 2$).
  • Tính toán kích thước hình học: xác định tần số trung tâm thiết kế, tính toán chiều rộng patch ($W$) và chiều dài patch ($L$), xác định băng thông lý thuyết và vị trí đặt patch.
  • Tính toán đường truyền dẫn vi dải: khảo sát sóng quasi-TEM, độ rộng hiệu dụng, độ phân tán và độ rộng đường dẫn để đảm bảo trở kháng đặc tính đạt $50\ \Omega$.
  • Tính toán kích thước khe hở và nhánh cụt điều hướng: xác định vị trí đặt khe hở trên mặt đất, tính toán chiều dài khe ($L_a$), chiều rộng khe ($W_a \approx L/10$), chiều dài hiệu dụng và chiều dài thực tế của nhánh cụt điều hưởng (tuning stub) để triệt tiêu thành phần kháng của khe.
  • Triển khai mô hình 3D trên AWR: thiết lập dãy tần số khảo sát, định nghĩa thông số 2 lớp chất nền, tạo mặt phẳng đất có khe ghép, tạo đường vi dải và patch bức xạ.
  • Chạy mô phỏng điện từ EM và xuất các kết quả đặc tính: đường cong đáp ứng tần số của hệ số phản xạ $S_{11}$, cấu trúc phân bố trường bức xạ 3 chiều và giản đồ bức xạ 2 chiều nhìn từ trên xuống.

Kết quả và đóng góp

  • Tổng hợp và so sánh định lượng các kỹ thuật tiếp điện: Khóa luận đưa ra bảng số liệu so sánh chi tiết giữa 4 phương pháp tiếp điện chính cho anten vi dải:
Đặc tính kỹ thuật Đường truyền vi dải Cáp đồng trục Ghép gần Ghép khe hở
Bức xạ nhiễu từ đường truyền Nhiều Nhiều Ít Ít nhất
Độ bền cơ học Tốt Thấp (do mối khoan/hàn) Khá Khá
Độ phức tạp chế tạo Dễ Đòi hỏi khoan và hàn Yêu cầu định tuyến chính xác Yêu cầu định tuyến chính xác
Khả năng đạt phân cực thuần Khó Khó Khó Tốt
Phối hợp trở kháng Dễ Dễ Dễ Dễ
Băng thông trở kháng đạt được 2 – 5% 2 – 5% Khoảng 13% Khoảng 21%

  • Kết quả thiết kế và mô phỏng trên phần mềm AWR:

    • Xác lập thành công mô hình cấu trúc 3 chiều hoàn chỉnh của anten vi dải ghép khe hở trên công cụ EM Structure của AWR.
    • Mô phỏng chính xác đáp ứng tần số của thông số phân tán $S_{11}$ (suy hao phản xạ), kiểm chứng khả năng phối hợp trở kháng tại tần số làm việc mong muốn.
    • Kết xuất thành công giản đồ bức xạ trường xa 2D và mô hình phân bố búp sóng bức xạ trong không gian 3 chiều.

  • Đóng góp của đề tài:

    • Làm rõ toàn diện cơ chế bức xạ của anten patch vi dải qua mô hình hốc cộng hưởng mode $TM_{100}$ và cơ chế ghép năng lượng điện từ qua khe hở mặt đất.
    • Chuẩn hóa quy trình tính toán giải tích các tham số hình học vi dải (patch, slot, stub, microstrip feed line $50\ \Omega$) kết hợp quy trình mô phỏng điện từ phân lớp trên môi trường AWR.

Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp

  • Hạn chế của khóa luận:

    • Đề tài dừng lại ở giai đoạn tính toán lý thuyết và mô phỏng số trên phần mềm AWR, chưa tiến hành gia công chế tạo mẫu phần cứng vật lý trên bo mạch thực tế.
    • Chưa có kết quả đo đạc thực nghiệm (sử dụng máy phân tích mạng vector - VNA và buồng đo câm vi ba anechoic chamber) để đối sánh trực tiếp với kết quả mô phỏng.
    • Kỹ thuật ghép khe hở có cấu trúc hai lớp chất nền đòi hỏi độ chính xác cao trong quá trình định tuyến và ép lớp mạch in khi chế tạo thực tế.

  • Hướng nghiên cứu và phát triển tiếp theo:

    • Gia công chế tạo anten thực tế dựa trên các kích thước đã tính toán và mô phỏng, tiến hành đo kiểm tham số $S_{11}$, VSWR, độ lợi và giản đồ bức xạ để hiệu chỉnh mô hình.
    • Nghiên cứu tối ưu hóa hình dạng khe hở (khe chữ H, chữ U, khe bowtie...) nhằm tiếp tục mở rộng băng thông trở kháng và giảm kích thước anten.
    • Phát triển thiết kế thành mảng anten vi dải (Microstrip Antenna Array) sử dụng mạng phân phối công suất song song hoặc nối tiếp để tăng hệ số tăng ích ($G > 20\text{ dB}$) và nâng cao khả năng điều khiển hướng búp sóng.

Giá trị tham khảo

  • Đối tượng sử dụng: Sinh viên, học viên cao học, giảng viên và kỹ sư thuộc các chuyên ngành Kỹ thuật Điện tử - Viễn thông, Kỹ thuật Vô tuyến, Thiết kế Vi ba và Kỹ thuật Anten.
  • Nội dung tham khảo giá trị:
    • Chương 1: Phù hợp làm tài liệu học tập, tổng hợp kiến thức lý thuyết về các tham số trường bức xạ anten, nguyên lý hốc cộng hưởng và bảng đối sánh các kỹ thuật cấp nguồn vi dải.
    • Chương 2: Cung cấp tài liệu hướng dẫn từng bước (tutorial) trực quan về cách thiết lập cấu trúc điện từ (EM Structure), quản lý layout, tệp LPF và cấu hình bộ giải mô phỏng trong AWR Design Environment.
    • Chương 3: Cung cấp phương pháp luận và các bước tính toán giải tích hoàn chỉnh để thiết kế một cấu trúc anten vi dải ghép khe hở băng rộng.

Câu hỏi thường gặp

1. Tại sao kỹ thuật tiếp điện ghép khe hở lại đạt được băng thông rộng hơn và độ phân cực thuần tốt hơn so với tiếp điện trực tiếp bằng đường vi dải?

Kỹ thuật ghép khe hở sử dụng hai lớp chất nền riêng biệt được cách ly bởi mặt phẳng đất. Mặt phẳng đất đóng vai trò màn chắn, ngăn không cho bức xạ rò rỉ từ đường truyền vi dải gây can nhiễu lên không gian bức xạ của patch, giúp đạt được độ phân cực thuần tốt. Đồng thời, cấu trúc này cho phép tối ưu hóa độc lập hai lớp chất nền: lớp patch sử dụng chất nền dày với hằng số điện môi thấp để tối đa hóa bức xạ (mở rộng băng thông lên ~21%), trong khi lớp đường truyền sử dụng chất nền mỏng với hằng số điện môi cao để truyền dẫn sóng tốt.

2. Sóng truyền trên đường truyền vi dải có bản chất là gì và hằng số điện môi hiệu dụng được xác định như thế nào?

Sóng truyền trên đường truyền vi dải là sóng có dạng gần với sóng TEM (gọi là sóng quasi-TEM). Do cấu trúc đường truyền có mặt tiếp xúc giữa chất nền điện môi và không khí phía trên, các đường sức điện từ phân bố một phần trong không khí và một phần trong chất nền. Do đó, hằng số điện môi hiệu dụng ($\epsilon_{reff}$) của đường truyền có giá trị trung gian nằm giữa hằng số điện môi của không khí ($\epsilon_r = 1$) và hằng số điện môi của chất nền.

3. Trong mô hình hốc cộng hưởng mode $TM_{100}$, bức xạ của patch hình chữ nhật diễn ra ở những vị trí nào?

Khi patch hoạt động ở mode $TM_{100}$, bốn mép biên của hốc cộng hưởng đóng vai trò bốn khe bức xạ tương đương. Ở hai khe nằm dọc theo chiều dài $L$ (trục $x$), phân bố dòng điện có cùng độ lớn nhưng ngược chiều nhau nên triệt tiêu bức xạ trường xa. Ngược lại, ở hai khe nằm dọc theo chiều rộng $W$ (trục $y$), hai phân bố dòng điện có cùng độ lớn và cùng pha, do đó quá trình bức xạ sóng điện từ của anten diễn ra chủ yếu tại hai khe này.

4. Mảng anten sóng chạy (traveling-wave array) khác mảng anten cộng hưởng (resonant array) ở đặc điểm nào?

Trong mảng anten cộng hưởng, phần tử cuối cùng của đường truyền được nối hở mạch hoặc ngắn mạch với chiều dài $\lambda_g/2$ hoặc $\lambda_g/4$ để tạo sóng đứng. Trong khi đó, ở mảng anten sóng chạy, phần tử cuối cùng của đường truyền được mắc với một tải phối hợp trở kháng có chức năng hấp thụ phần công suất dư thừa (thường chiếm khoảng 5 – 10% công suất ngõ vào) nhằm triệt tiêu sóng phản xạ, duy trì chế độ sóng chạy và nâng cao hiệu suất hoạt động của hệ thống.

5. Phần mềm AWR Design Environment tích hợp những công cụ chính nào và chức năng của từng công cụ ra sao?

AWR Design Environment tích hợp 3 công cụ chính: Visual System Simulator (VSS) dùng để thiết kế và mô phỏng các hệ thống thông tin liên lạc đầu cuối (điều chế, mã hóa, kênh truyền, đo BER); Microwave Office (MWO) và Analog Office (AO) dùng để thiết kế sơ đồ mạch nguyên lý (Schematic), bản vẽ mạch in (Layout) và mô phỏng cấu trúc trường điện từ phẳng 3D (EM Structure) cho các mạch tương tự và vi ba cao tần.

Kết luận

Khóa luận tốt nghiệp của tác giả Phạm Phú Hưng đã hệ thống hóa đầy đủ cơ sở lý thuyết về anten bức xạ, anten vi dải và các kỹ thuật tiếp điện/mảng anten vi ba. Đề tài đã làm rõ ưu thế vượt trội của kỹ thuật tiếp điện ghép khe hở trong việc mở rộng băng thông và hạn chế bức xạ nhiễu so với các kỹ thuật truyền thống. Đồng thời, công trình đã xây dựng thành công quy trình tính toán thiết kế và mô phỏng điện từ hoàn chỉnh cho anten patch vi dải tuyến tính hình chữ nhật trên phần mềm chuyên dụng AWR, cung cấp tài liệu tham khảo có giá trị học thuật và kỹ thuật thực hành rõ ràng cho lĩnh vực thiết kế anten vi dải.