Nghiên Cứu Tính Chất Truyền Dẫn Điện Của Một Số Cấu Trúc Nano Graphene

Chuyên khảo kỹ thuật phân tích Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano graphene, đánh giá các khía cạnh quan trọng, đề xuất hướng nghiên cứu tiếp theo.

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận Án Tiến Sỹ

2020

136
3
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CẢM ƠN

LỜI CAM ĐOAN

DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT

1. CHƯƠNG 1: CÁC TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA GRAPHENE

1.1. Cấu trúc tinh thể và cấu trúc vùng của graphene

1.2. Hiện tượng chui ngầm Klein

1.3. Hiệu ứng Hall lượng tử dị thường

1.4. Chuyển tiếp lưỡng cực graphene

1.5. Chấm lượng tử graphene

1.6. Giam cầm hạt tải trong graphene sử dụng từ trường

2. CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP TÍNH TOÁN

2.1. Phương pháp ma trận truyền qua

2.2. Phương pháp tính dòng, độ dẫn, shot noise và hệ số Fano

3. CHƯƠNG 3: CHUYỂN TIẾP N-P-N GRAPHENE VỚI RÀO THẾ DẠNG GAUSS

3.1. Mô hình chuyển tiếp n-p-n

3.2. Hiệu ứng chui ngầm Klein và hiệu ứng giao thoa

3.3. Dòng và shot noise

4. CHƯƠNG 4: CHẤM LƯỢNG TỬ GRAPHENE HÌNH TRÒN TẠO BỞI THẾ TĨNH ĐIỆN

4.1. Phương pháp T-ma trận cho chấm lượng tử graphene hình tròn

4.2. Các trạng thái liên kết

4.3. Các trạng thái giả liên kết

4.4. Mật độ trạng thái

4.5. Tiết diện tán xạ

4.6. Chấm lượng tử graphene hình tròn với thế xuyên tâm hình thang

4.7. Chấm lượng tử graphene hình tròn với thế xuyên tâm bất kỳ

4.8. Phương pháp tính LDOS từ các hàm sóng chuẩn hóa

4.9. So sánh với thực nghiệm

4.10. Thời gian giam cầm hạt tải

4.11. Chấm lượng tử graphene hình tròn với thế Lorentz

4.12. Chấm lượng tử graphene hình tròn trong từ trường

4.12.1. Dạng của hàm sóng

4.12.2. Biểu thức T-ma trận

MỞ ĐẦU

KẾT LUẬN CHUNG

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng Quan Nghiên Cứu Tính Chất Điện Cấu Trúc Nano Graphene

Graphene, một lớp đơn nguyên tử carbon sắp xếp theo cấu trúc mạng lục giác, đã thu hút sự chú ý lớn trong nhiều lĩnh vực nhờ các tính chất điện đặc biệt. Nghiên cứu về tính chất điện graphene mở ra tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong công nghệ điện tử, cảm biến và lưu trữ năng lượng. Bài viết này sẽ đi sâu vào các khía cạnh khác nhau của truyền dẫn điện graphene, từ cấu trúc cơ bản đến các ứng dụng tiềm năng. Graphene nổi bật với độ linh động điện tử cao, độ dẫn nhiệt tốt và tính chất cơ học vượt trội, làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các thiết bị nano điện tử. Các nghiên cứu gần đây tập trung vào việc điều chỉnh tính chất điện graphene thông qua biến tính hóa học, tạo cấu trúc nano và áp dụng các trường điện từ bên ngoài.

1.1. Cấu Trúc và Tính Chất Vật Lý Cơ Bản của Graphene

Graphene là một mạng tinh thể hai chiều gồm các nguyên tử carbon liên kết với nhau bằng liên kết cộng hóa trị sp2, tạo thành một cấu trúc tổ ong hoàn hảo. Cấu trúc này mang lại cho graphene độ bền cơ học cao và khả năng dẫn điện tuyệt vời. Các electron trong graphene di chuyển gần như không có điện trở, cho phép truyền tải điện hiệu quả. Theo Wallace (1947), cấu trúc vùng năng lượng và hành vi của các electron năng lượng thấp đã được tính toán chi tiết, đặt nền móng cho các nghiên cứu sau này về tính chất vật lý graphene. Sự hiểu biết sâu sắc về cấu trúc và tính chất vật lý cơ bản là rất quan trọng để khai thác tối đa tiềm năng của graphene trong các ứng dụng khác nhau.

1.2. Ưu Điểm Vượt Trội của Graphene So Với Vật Liệu Truyền Thống

So với các vật liệu bán dẫn truyền thống như silicon, graphene có độ linh động điện tử cao hơn nhiều, cho phép các thiết bị điện tử hoạt động nhanh hơn và hiệu quả hơn. Ngoài ra, graphene có thể chịu được dòng điện lớn hơn mà không bị nóng chảy, làm cho nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao. Khả năng điều chỉnh tính chất điện graphene thông qua các phương pháp khác nhau cũng là một ưu điểm lớn so với các vật liệu khác. Điều này mở ra khả năng thiết kế các thiết bị điện tử linh hoạt và tùy biến cao.

II. Thách Thức Nghiên Cứu Truyền Dẫn Điện Cấu Trúc Nano Graphene

Mặc dù graphene có nhiều ưu điểm, nhưng vẫn còn một số thách thức trong việc ứng dụng nó vào thực tế. Một trong những thách thức lớn nhất là việc kiểm soát chính xác tính chất điện graphene trong quá trình sản xuất. Các khuyết tật cấu trúc, tạp chất và các yếu tố môi trường có thể ảnh hưởng đáng kể đến độ dẫn điện graphene. Ngoài ra, việc tạo ra các cấu trúc nano graphene với kích thước và hình dạng chính xác cũng là một thách thức kỹ thuật. Các nghiên cứu hiện tại đang tập trung vào việc giải quyết những thách thức này để mở đường cho các ứng dụng graphene trong tương lai.

2.1. Ảnh Hưởng của Khuyết Tật Cấu Trúc Đến Tính Chất Điện Graphene

Các khuyết tật cấu trúc, chẳng hạn như các lỗ trống, các cạnh không hoàn hảo và các liên kết không đều, có thể làm giảm độ dẫn điện graphene và ảnh hưởng đến các tính chất điện khác. Các khuyết tật này có thể làm tán xạ các electron, làm giảm độ linh động của chúng và làm tăng điện trở. Do đó, việc kiểm soát và giảm thiểu các khuyết tật cấu trúc là rất quan trọng để cải thiện tính chất điện graphene. Các phương pháp như ủ nhiệt, xử lý hóa học và chiếu xạ ion có thể được sử dụng để sửa chữa hoặc loại bỏ các khuyết tật này.

2.2. Vấn Đề Ổn Định và Độ Tin Cậy của Thiết Bị Graphene

Các thiết bị graphene có thể bị ảnh hưởng bởi các yếu tố môi trường như độ ẩm, nhiệt độ và ánh sáng, dẫn đến sự suy giảm hiệu suất và độ tin cậy. Graphene cũng có thể bị oxy hóa hoặc bị ăn mòn trong một số môi trường nhất định, làm thay đổi tính chất điện của nó. Do đó, việc bảo vệ graphene khỏi các yếu tố môi trường và cải thiện độ ổn định của nó là rất quan trọng để đảm bảo hoạt động lâu dài và đáng tin cậy của các thiết bị graphene. Các phương pháp như phủ lớp bảo vệ, biến tính bề mặt và sử dụng các vật liệu đóng gói phù hợp có thể được sử dụng để giải quyết vấn đề này.

III. Phương Pháp Nghiên Cứu Tính Chất Điện Cấu Trúc Nano Graphene

Nghiên cứu tính chất điện graphene đòi hỏi sự kết hợp của các phương pháp lý thuyết và thực nghiệm. Các phương pháp lý thuyết, chẳng hạn như tính toán mật độ hàm (DFT) và phương pháp gần đúng liên kết chặt chẽ (tight-binding), có thể được sử dụng để mô phỏng tính chất điện của các cấu trúc nano graphene và dự đoán hành vi của chúng. Các phương pháp thực nghiệm, chẳng hạn như đo điện trở bốn điểm, quang phổ Raman và hiển vi lực nguyên tử (AFM), có thể được sử dụng để đo tính chất điện của graphene và xác nhận các kết quả lý thuyết. Sự kết hợp của cả hai phương pháp này cho phép các nhà nghiên cứu hiểu rõ hơn về truyền dẫn điện graphene và phát triển các ứng dụng mới.

3.1. Mô Phỏng Tính Chất Điện Graphene Bằng Phương Pháp DFT

Tính toán mật độ hàm (DFT) là một phương pháp lý thuyết mạnh mẽ có thể được sử dụng để mô phỏng tính chất điện của các cấu trúc nano graphene với độ chính xác cao. DFT cho phép các nhà nghiên cứu tính toán cấu trúc điện tử, mật độ trạng thái và các tính chất điện khác của graphene. Các kết quả DFT có thể được sử dụng để dự đoán hành vi của graphene trong các thiết bị điện tử và để thiết kế các vật liệu graphene mới với các tính chất mong muốn.

3.2. Đo Đạc Thực Nghiệm Độ Dẫn Điện và Điện Trở Graphene

Đo điện trở bốn điểm là một phương pháp thực nghiệm phổ biến được sử dụng để đo độ dẫn điện graphene và điện trở. Phương pháp này sử dụng bốn điện cực để loại bỏ ảnh hưởng của điện trở tiếp xúc và cho phép đo chính xác tính chất điện của graphene. Quang phổ Raman và hiển vi lực nguyên tử (AFM) cũng có thể được sử dụng để xác định các đặc tính cấu trúc và điện của graphene.

3.3. Phương Pháp Ma Trận Truyền Qua T matrix Trong Nghiên Cứu Graphene

Phương pháp ma trận truyền qua (T-matrix) là một phương pháp hiệu quả để nghiên cứu các tính chất truyền dẫn điện của các cấu trúc nano dựa trên graphene, đặc biệt là các chấm lượng tử graphene. Phương pháp này cho phép tính toán các đặc trưng truyền dẫn như xác suất truyền qua, độ dẫn điện, dòng điện và shot noise. Theo luận án, phương pháp T-matrix có thể được sử dụng để xác định năng lượng và độ rộng mức của các trạng thái giả liên kết của electron trong chấm lượng tử graphene.

IV. Ứng Dụng Tiềm Năng của Cấu Trúc Nano Graphene Trong Điện Tử

Với tính chất điện vượt trội, graphene có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong công nghệ điện tử. Graphene có thể được sử dụng để tạo ra các transistor nhanh hơn, hiệu quả hơn và linh hoạt hơn so với các transistor silicon truyền thống. Graphene cũng có thể được sử dụng để tạo ra các cảm biến nhạy hơn, các tế bào năng lượng mặt trời hiệu quả hơn và các thiết bị lưu trữ năng lượng mật độ cao hơn. Các nghiên cứu hiện tại đang tập trung vào việc phát triển các ứng dụng graphene trong các lĩnh vực này.

4.1. Transistor Graphene Hiệu Suất Cao và Tiết Kiệm Năng Lượng

Transistor graphene có thể hoạt động nhanh hơn và tiêu thụ ít năng lượng hơn so với transistor silicon truyền thống. Điều này là do độ linh động điện tử cao của graphene, cho phép các electron di chuyển nhanh hơn qua kênh transistor. Transistor graphene cũng có thể được làm mỏng hơn và linh hoạt hơn so với transistor silicon, mở ra khả năng tạo ra các thiết bị điện tử dẻo và có thể uốn cong.

4.2. Cảm Biến Graphene Độ Nhạy Cao và Khả Năng Phát Hiện Nhanh

Graphene có thể được sử dụng để tạo ra các cảm biến có độ nhạy cao và khả năng phát hiện nhanh các chất hóa học, sinh học và vật lý. Điều này là do tính chất điện của graphene thay đổi khi nó tương tác với các chất khác. Cảm biến graphene có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng, chẳng hạn như giám sát môi trường, chẩn đoán y tế và an ninh.

4.3. Ứng Dụng Graphene Trong Pin và Siêu Tụ Điện

Graphene có thể được sử dụng để cải thiện hiệu suất của pin và siêu tụ điện. Graphene có thể được sử dụng làm vật liệu điện cực để tăng diện tích bề mặt và cải thiện khả năng lưu trữ điện tích. Graphene cũng có thể được sử dụng làm chất dẫn điện để giảm điện trở trong và cải thiện tốc độ sạc/xả.

V. Kết Luận và Hướng Nghiên Cứu Tương Lai về Graphene

Nghiên cứu về tính chất điện graphene đã đạt được những tiến bộ đáng kể trong những năm gần đây, nhưng vẫn còn nhiều câu hỏi chưa được trả lời và nhiều thách thức cần vượt qua. Các nghiên cứu trong tương lai sẽ tập trung vào việc cải thiện tính chất điện graphene, phát triển các phương pháp sản xuất graphene quy mô lớn và khám phá các ứng dụng mới của graphene trong công nghệ điện tử và các lĩnh vực khác. Graphene hứa hẹn sẽ đóng một vai trò quan trọng trong tương lai của công nghệ nano.

5.1. Phát Triển Vật Liệu Graphene Biến Tính Với Tính Năng Tùy Chỉnh

Biến tính hóa học và vật lý có thể được sử dụng để điều chỉnh tính chất điện graphene và tạo ra các vật liệu graphene với các tính năng tùy chỉnh. Các phương pháp biến tính bao gồm doping, functionalization và tạo cấu trúc nano. Các vật liệu graphene biến tính có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng, chẳng hạn như transistor, cảm biến và tế bào năng lượng mặt trời.

5.2. Nghiên Cứu Chuyển Tiếp Lưỡng Cực Graphene và Chấm Lượng Tử

Nghiên cứu về chuyển tiếp lưỡng cực graphene và chấm lượng tử graphene là rất quan trọng để phát triển các thiết bị điện tử nano dựa trên graphene. Các nghiên cứu hiện tại đang tập trung vào việc hiểu rõ hơn về cơ chế truyền dẫn điện trong các cấu trúc này và phát triển các phương pháp để kiểm soát tính chất điện của chúng. Theo luận án, việc sử dụng mô hình rào thế dạng Gauss để nghiên cứu chuyển tiếp lưỡng cực graphene có thể mô tả chính xác hơn thế chuyển tiếp trong các cấu trúc thực tế.

06/06/2025
Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano graphene

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1 Các tính chất điện tử của graphene 1.1 Cấu trúc tinh thể và cấu trúc vùng của graphene Graphene là một lớp đơn nguyên tử carbon trong đó các nguyên tử carbon nằm ở các nút của một mạng tổ ong 2 chiều [14] (Hình 1. Cấu trúc mạng Hình 1.1: Cấu trúc mạng tổ ong 2 chiều của graphene. Mạng tổ ong có thể coi là gồm 2 mạng lục giác (xanh và đỏ) lồng vào nhau. của graphene quyết định tính chất điện tử có một không hai của nó.

Nguyên tử carbon có 6 điện tử bao gồm 2 điện tử lớp 1s và 4 điện tử lớp 2s và 2p. Trong graphene, sự lai hóa giữa các quỹ đạo 2s và 2p tạo thành ba quỹ đạo lai hóa sp2 có hình dạng các giọt nước hướng ra ngoài và nằm trong cùng 7 Hình 1.2: Các quỹ đạo của nguyên tử carbon trong graphene [1]. Các quỹ đạo lai hóa sp2 nằm trong mặt phẳng tạo nên các liên kết σ. Các quỹ đạo pz vuông góc với mặt phẳng tạo nên liên kết π.

một mặt phẳng (Hình 1. Sự kết hợp giữa các quỹ đạo sp2 của các nguyên tử carbon lân cận tạo nên liên kết σ với độ dài liên kết a0 ≈ 1. Ba điện tử lớp ngoài nằm ở các quỹ đạo sp2 và tham gia các liên kết σ. Điện tử còn lại nằm trên quỹ đạo pz vuông góc với mặt phẳng mạng, tham gia liên kết hoá trị với các quỹ đạo pz của các nguyên tử carbon lân cận hình thành nên vùng π.

Vùng π chỉ lấp đầy một nửa do mỗi orbital pz chỉ có một electron dư [1]. Mạng tổ ong của graphene không phải là mạng Bravais, nhưng có thể xem mạng này gồm hai mạng Bravais lục giác lồng vào nhau (nhiều tài liệu coi là hai mạng tam giác nhưng theo định nghĩa mạng Bravais thì đây là mạng lục giác với đối xứng điểm D6 ). Nói cách khác, ta có thể coi mạng graphene là mạng Bravais lục giác với hai nguyên tử A và B trong một ô cơ sở (Hình 1. Các véc-tơ của ô cơ sở mạng graphene có thể viết như sau: a √ a √ a1 = ( 3, 1) và a2 = ( 3, −1) , 2 2 √ trong đó a = a0 3 ≈ 2.46 Å là độ dài của các véc-tơ a1 và a2.

Các véc-tơ ô cơ sở của mạng đảo tạo với nhau một góc 120◦ là: 2π  1  2π  1  b1 = √ ,1 và b2 = √ , −1. a 3 a 3 Vùng Brillouin thứ nhất trong không gian xung lượng có hình lục giác với 8 Hình 1.3: (a) Cấu trúc ô cơ sở của mạng Bravais trong graphene. (b) Các vector ô cơ sở của mạng đảo và vùng Brillouin thứ nhất trong mạng đảo. các điểm đặc trưng Γ, M , K và K ′ như mô tả trên Hình 1.

K và K ′ là hai điểm không tương đương, các đỉnh còn lại của hình lục giác có thể thu được nhờ tịnh tiến hai điểm này một vector mạng đảo. Ta có thể nghiên cứu cấu trúc vùng của graphene nhờ gần đúng liên kết chặt (tight binding) [14]. Hệ thức tán sắc ở gần đúng bậc thấp của điện tử trong mạng graphene có dạng [24]: q √ E(k) = ±t 4 cos(πkx a 3) cos(πky a) + 4 cos2 (πky a) + 1 , (1.1) trong đó E là năng lượng của điện tử, k là vectơ sóng với các thành phần kx và ky trong mặt phẳng graphene, t là năng lượng bước nhảy của điện tử giữa các nguyên tử lân cận gần nhất (t ≈ 2. Cấu trúc vùng năng lượng cho bởi công thức (1.1) được biểu diễn trên Hình 1.

Dấu trừ ở đầu vế bên phải của công thức (1.1) tương ứng với vùng năng lượng bên dưới, gọi là vùng π , còn dấu cộng tương ứng với vùng bên trên, gọi là vùng π ∗. Các vùng π và π ∗ còn gọi là các vùng năng lượng liên kết và không liên kết (anti-bonding). Có thể thấy rằng hai vùng này bị suy biến tại các điểm K và K ′. Các điểm này được gọi là các điểm Dirac.

Ở nhiệt độ 0 K, vùng π bị lấp đầy trong khi vùng π ∗ là trống, và năng lượng Fermi EF = 0. Đặt k = K + q, trong đó K là véc-tơ xung lượng tại 9 Hình 1.4: (a) Cấu trúc vùng năng lượng của graphene dọc theo quỹ đạo Γ → K → M → √ K ′ với ky = kx / 3. điểm K hoặc K ′ và q là xung lượng tương đối so với xung lượng tại điểm Dirac. Nhờ khai triển Taylor của biểu thức năng lượng E(k) xung quanh điểm Dirac với giả thiết |q| ≪ K ta nhận được: E(q) ≈ ±~vF |q|, (1.2) với vF = 3ta0 /2~ là vận tốc Fermi.

Điểm khác biệt của graphene so với các vật liệu thông thường đó là ở lân cận các điểm K hoặc K ′ , năng lượng phụ thuộc tuyến tính vào xung lượng, chuyển động của các điện tử tuân theo phương trình Dirac. Các đặc trưng này của tinh thể graphene khiến nó có các tính chất điện tử khác biệt so với các vật liệu thông thường. Vận tốc của điện tử trong graphene bằng vận tốc Fermi và không phụ thuộc vào năng lượng và xung lượng. Trong graphene, vận tốc Fermi vào khoảng 106 m/s tức là khoảng 300 1 c với c là vận tốc ánh sáng.2 Tính chirality Như đã trình bày ở mục trên, cấu trúc mạng của graphene gồm hai mạng con A và B là các mạng lục giác tương đương lồng vào nhau.

Sự tồn tại của hai mạng con này dẫn tới tính chirality trong động học của hạt tải trong graphene, theo đó hai nhánh tuyến tính của hệ thức tán sắc của graphene gần các điểm Dirac trở nên độc lập với nhau (Hình 1. Điều này cho thấy, ngoài các chỉ số lượng tử spin và quỹ đạo, các hạt tải trong graphene còn có một chỉ số khác, đó là số lượng tử giả spin. Theo ngôn ngữ lượng tử hoá lần E h = −1 h = +1 0 q Hình 1.5: Hệ thức tán sắc tuyến tính của graphene cho 2 thành phần spinor tại lân cận điểm Dirac. thứ nhất, các hạt tải trong graphene tuân theo phương trình Dirac hai chiều có dạng: ~vF σ · ∇Ψ(r) = EΨ(r) , (1.3) 11   0 1 trong đó σ = (σx , σy ) là véc-tơ 2 chiều gồm các ma trận Pauli σx =   1 0   0 −i và σy =  .

Trong không gian xung lượng, hàm sóng của các hạt i 0 tải lân cận các điểm Dirac K và K ′ có dạng:     −iθq /2 iθq /2 1 e 1 e ΨK (q) = √  , ΨK ′ (q) = √  , (1.4) 2 ±eiθq /2 2 ±e−iθq /2   trong đó dấu ± tương ứng với vùng dẫn và vùng hoá trị và θq = arctan qx qy là góc trong không gian xung lượng. Hai thành phần trên và dưới của hàm sóng tại lân cận các điểm K và K ′ trong công thức (1.4) liên quan tới xác suất tìm thấy hạt ở một trong hai mạng con tương ứng. Số hạng σ = (σx , σy ) được gọi là giả spin. Nó xuất hiện khi tính tới sự đóng góp của hai mạng con A và B trong cấu trúc của mạng graphene.

Do vậy, hàm sóng trong (1.4) được gọi là các giả spinor. Đối với các hạt không có khối lượng, tính chirality được đặc trưng bởi một đại lượng gọi là helicity. Đại lượng này cho biết mối liên hệ giữa hướng của các giả spin và xung lượng của electron. Cụ thể hơn, helicity cho ta hình chiếu của toán tử spin theo hướng của xung lượng.

Toán tử helicity được cho bởi q ĥ = σ · .5) |q| Từ định nghĩa của ĥ, ta thấy ΨK (r) và ΨK ′ (r) cũng là hàm riêng của ĥ: ĥΨK (r) = ±ΨK (r) , (1.6) với hai trị riêng là h = −1 và h = +1. Phương trình đối với ΨK ′ (r) cũng tương tự. Như vậy, có thể thấy các giả spin hoặc song song hoặc đối song với xung lượng ở lân cận điểm K. Các electron có helicity dương còn lỗ trống có helicity âm.

Tính helicity thể hiện sự đối xứng giữa electron và lỗ trống. 12 Tính chirality của hạt tải trong graphene mang tới cho vật liệu này nhiều tính chất đặc biệt. Hiệu ứng chui ngầm Klein và hiệu ứng Hall lượng tử là hai hiện tượng nổi bật bắt nguồn từ tính chất này của hạt tải. Chúng tôi sẽ lần lượt trình bày về hai hiệu ứng này.3 Hiện tượng chui ngầm Klein Chui ngầm Klein là một hiện tượng khác thường của điện động lực học lượng tử.

Trong cơ học cổ điển, nếu một hạt tải đi tới rào thế có độ cao lớn hơn năng lượng của hạt tải thì hạt tải đó sẽ không đi qua được rào thế. Trong cơ học lượng tử, hạt tải phi tương đối tính có thể vượt qua vùng cấm cổ điển nhờ cơ chế chui ngầm lượng tử (quantum tunneling). Tuy nhiên, xác suất chui ngầm của hạt phi tương đối tính giảm theo hàm mũ của độ rộng và chiều cao của bờ thế. Năm 1929, khi áp dụng phương trình Dirac vào bài toán tán xạ của điện tử trên bờ thế, Klein phát hiện ra rằng xác suất chui ngầm tiến tới bằng 1 khi độ cao bờ thế tiến tới vô hạn [25].

Lý do là phương trình Dirac cho phép tồn tại cả trạng thái có năng lượng dương (hạt) và trạng thái có năng lượng âm (phản hạt). Trong khi bờ thế có năng lượng dương đẩy hạt thì nó lại hút phản hạt (và ngược lại). Với một bờ thế bất kỳ, trạng thái của hạt ở ngoài bờ thế có thể kết nối với một trạng thái của phản hạt ở trong bờ thế. Bờ thế càng cao thì xác suất để kết nối hai trạng thái này càng tăng.

Khi bờ thế cao vô hạn, sự truyền qua là hoàn toàn. Điều này xảy ra với tất cả các hạt tương đối tính có khối lượng. Đối với hạt tương đối tính không có khối lượng, khi hạt tải tới bờ thế với góc vuông, xác suất chui ngầm luôn bằng 1, không phụ thuộc vào chiều cao và hình dạng của bờ thế. Hiện tượng này được gọi là nghịch lý Klein hoặc hiện tượng chui ngầm Klein.

Năm 2006, các tác giả Cheianov và Falko [26] khi nghiên cứu về sự truyền qua trong chuyển tiếp p-n graphene đã phát hiện ra rằng, xác suất 13 Hình 1.6: Xác suất chui ngầm của hạt tải qua bờ thế vuông có độ rộng 100 nm phụ thuộc vào góc tới φ cho graphene đơn lớp. Độ cao rào thế V0 là 200 meV (đường đỏ) và 285 meV (đường xanh) [2].

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Tài liệu "Nghiên Cứu Tính Chất Truyền Dẫn Điện Của Cấu Trúc Nano Graphene" cung cấp cái nhìn sâu sắc về khả năng dẫn điện của graphene, một vật liệu nano nổi bật với nhiều ứng dụng trong công nghệ điện tử và vật liệu. Nghiên cứu này không chỉ làm rõ các yếu tố ảnh hưởng đến tính chất dẫn điện của graphene mà còn chỉ ra tiềm năng ứng dụng của nó trong các thiết bị điện tử tiên tiến. Độc giả sẽ được trang bị kiến thức về cách thức mà cấu trúc nano có thể cải thiện hiệu suất của các linh kiện điện tử, từ đó mở ra hướng đi mới cho nghiên cứu và phát triển trong lĩnh vực vật liệu.

Để mở rộng thêm kiến thức, bạn có thể tham khảo các tài liệu liên quan như Luận văn thạc sĩ hóa học nghiên cứu khả năng hấp thụ tetracycline và ciprofloxacin trên bề mặt graphene oxide bằng phương pháp hóa học tính toán, nơi nghiên cứu khả năng hấp thụ của graphene trong các ứng dụng y tế. Bên cạnh đó, Luận văn tổng hợp và nghiên cứu tính chất quang của vật liệu nano lai fe3o4 ag chế tạo bằng phương pháp điện hóa cũng sẽ cung cấp thêm thông tin về các vật liệu nano lai và ứng dụng của chúng trong công nghệ quang học. Cuối cùng, Luận văn thạc sĩ kỹ thuật vật liệu tổng hợp vật liệu nano molybdenum disulfide mos2 bằng phương pháp hóa học sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về các vật liệu nano khác và cách chúng có thể tương tác với graphene trong các ứng dụng công nghệ cao. Những tài liệu này sẽ là cơ hội tuyệt vời để bạn khám phá sâu hơn về lĩnh vực vật liệu nano và ứng dụng của chúng.