CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU BiVO4 1. Giới thiệu về vật liệu BiVO4 Bismuth vanadat là hợp chất vô cơ có công thức BiVO 4. Nó là một chất rắn màu vàng sáng. Nó được nghiên cứu rộng rãi như là chất xúc tác quang ánh sáng khả kiến với độ rộng vùng cấm hẹp nhỏ hơn 2,4 eV [2].
Cụ thể hơn, bismuth vanadat là một oxit kim loại hỗn hợp. Nó xuất hiện tự nhiên dưới dạng khoáng chất quý hiếm pucherite, clinobisvanite và dreyerite. Bismuth vanadat là chất xúc tác có đặc tính ổn định và trung tính của nó trong nước mà giá trị pH không thay đổi, phù hợp cho nhiều ứng dụng môi trường, được coi là trong những vật liệu thay thế cho vạt liệu xúc tác quang truyền thống titan oxit. Ngày nay oxit kim loại hỗn hợp này đã được sử sử để phân hủy các chất gây ô nhiễm và tách nước để tạo hydrogen [3].
Bột Bistmut vanadat (BiVO4) 1. Cấu trúc tinh thể BiVO4 có ba dạng cấu trúc đó là: scheelit đơn tà, scheelite tứ giác và zircon tứ giác như thể hiện trong Hình 1. Trong đó BiVO 4 có cấu trúc schellit đơn tà (m- 5 BiVO4) có hiệu xuất quang xúc tác tốt nhất trong vùng ánh sáng khả kiến. Lý do là bởi cấu trúc điện tử riêng biệt của nó mang cấu trúc tinh thể bất đối xứng.
Trên thực tế, cấu trúc tinh thể đơn tà BiVO4 rất gần với cấu trúc zircon tứ giác [4]. (a) Sơ đồ biểu diễn cấu trúc scheelite đơn tà, (b) Sơ đồ biểu diễn cấu trúc scheelite tứ giác Sơ đồ biểu diễn cấu trúc zircon tứ giác [4] Trong cấu trúc ô đơn vị cơ sở đơn tà BiVO 4 gồm một tứ diện VO4 và một khối đa diện BiO8. Bốn nguyên tử O bao quanh vị trí V và tám nguyên tử O bao quanh vị trí Bi. Tứ diện VO4 kết nối với BiO8 bằng cách chia sẻ một nguyên tử O ở đỉnh.
Các nguyên tử Bi và V được sắp xếp luân phiên dọc theo trục tinh thể, làm cho monoclinic BiVO 4 thể hiện các đặc tính của cấu trúc phân lớp [5]. Cấu trúc zircon tứ giác có thể được hình thành bằng cách tổng hợp ở nhiệt độ thấp, ở nhiệt độ cao hơn thu được cấu trúc đơn tà. Cấu trúc tứ giác scheelite có thể chuyển thành cấu trúc đơn tà khi nung nóng trên 225oC, nhưng cấu trúc tetragonal không thể chuyển đổi thành cấu trúc monoclinic bằng cách xử lý cơ học. 6 BiVO4 cấu trúc đơn tà được quan tâm nghiên cứu rộng rãi với các đặc điểm và tính chất vật lý được trình bày ở Bảng 1.2 như sau: Bảng 1.
Bảng độ dài liên kết Bi-O và V-O của BiVO4 dạng cấu trúc đơn tà Cấu trúc tinh thể Độ dài liên kết (Å) Bi-O V-O 2,354 × 2 1,69 × 2 Đơn tà 2,372 × 2 1,77 × 2 2,628 × 2 1,72 × 2 Bảng 1. Bảng tính chất vật lý và thông số cấu trúc của dạng đơn tà BiVO4 Công thức BiVO4 Bismuth orthovanadate, bismuth Danh pháp vanadate Màu sắc Vàng tươi, mịn Khối lượng phân tử (g/mol) 323,92 Nhiệt độ nóng chảy (oC) 934 Nhiệt độ sôi (oC) 1997 Không hòa tan trong nước nhưng tan Độ hòa tan trong nước mạnh trong axit Khả năng cháy Không dễ cháy Độ ổn định Ổn định trong điều kiên thường Tỉ trọng (g/cm3) 6,98 Năng lượng vùng cấm (eV) 2,4 (m-BiVO4); 2,9 (t-BiVO4) 7 a = 5,195; b = 11,701; c = 5,092; Tham số ô mạng cơ sở (Å) β = 90,38 1.2 Cấu trúc vùng năng lượng của BiVO4 Các nghiên cứu về lý thuyết và thực nghiệm đối với cấu trúc điện tử BiVO4 chỉ ra rằng nó là chất bán dẫn có chuyển dời vùng cấm gián tiếp với giá trị khe năng lượng cỡ 2,42 eV (đối với cấu trúc đơn tà). Vùng dẫn (CB) được hình thành từ các lai hóa orbital V 3d với orbital O 2p và orbital Bi 6p. Vùng hóa trị (VB) bao gồm sự lai hóa orbital O 2p với một phần đóng góp nhỏ từ quỹ đạo Bi 6s (Hình 1.
Các trạng thái V 3d trên CB được chia thành bộ ba 3dxy 3dyz và 3dzy do hiệu ứng trường tinh thể tứ diện. Mặt khác, lý thuyết tính toán DFT xác định sự lai hóa bổ sung các quỹ đạo Bi 6p và Bi 6s để tạo ra cấu trúc đơn tà. Sự bất đối xứng trong cấu trúc đơn tà BiVO 4 rất thuận lợi cho việc vận chuyển lỗ trống điều này hết sức quan trọng đối với phản ứng oxy hóa nước. Lý thuyết tính toán đã xác nhận rằng BiVO 4 đơn tà có khối lượng hiệu dụng của lỗ trống bé hơn so với các oxit kim loại thông thường khác [7].
Ta biết rằng, lỗ trống thúc đẩy phản ứng oxy hóa, đặc tính này sẽ giúp các lỗ trống dễ dàng di chuyển đến các vị trí bề mặt hoạt động của vật liệu. Do đó, BiVO 4 cấu trúc đơn tà là một ứng cử viên quang xúc tác tiềm năng cho quá trình oxy hóa nước. Tuy nhiên, vì vị trí đáy vùng dẫn của BiVO4 thấp hơn một chút so với mức khử hydro nên quá trình này sự không thể tự phát diễn ra. Do đó phản ứng tách nước không thể tự xảy ra, muốn phản ứng xảy ra ta phải cung cấp thêm cho hệ một phần năng lượng.
Cấu trúc vùng năng lượng được tính toán của BiVO4 cấu trúc đơn tà [6] Bởi vì tiềm năng vượt trội của BiVO4, nhiều nghiên cứu sâu, rộng đã được tiến hành trên vật liệu này, bao gồm cả nó dưới dạng chất xúc tác quang dạng bột và điện cực. Ở dạng điện cực, BiVO4 được sử dụng làm anôt quang trong các hệ thống quang điện hóa (PEC).3 cho thấy giá trị mật độ dòng quang (Jph) tại điện thế 1,23 V ( so với RHE) dưới mức kích thích đèn có cường độ 1 SUN, của các điện cực quang oxit kim loại khác nhau BiVO 4, TiO2, Fe2O3 và WO3. Như đã thấy trong hình, BiVO 4 hiện đang hiển thị hiệu quả tốt nhất cho quá trình oxy hóa nước trong số các chất oxit kim loại. BiVO4 đã trở nên không thể thiếu và không thể thay thế được đối với hệ thống tách nước theo sơ đồ năng lượng kiểu chữ Z.
Mật độ dòng quang tại điện thế 1,23 V ( so với RHE) dưới mức kích thích đèn có cường độ 1 SUN, của các điện cực quang oxit kim loại khác nhau BiVO4, TiO2, Fe2O3 và WO3[8] 1. Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất tách nước của BiVO4 1. Sự tái hợp cặp quang điện tích Cho đến nay BiVO4 vẫn chưa đạt được hiệu suất quang chuyển đổi như trong lý thuyết. Yếu tố hạn chế nhất đối với hiệu suất của BiVO 4 là sự tái hợp nhanh của các cặp lỗ trống - điện tử quang sinh.
Như thể hiện trong hình 1.6, sự hấp thụ năng lượng ánh sáng tạo ra các lỗ trống và electron trong phần lớn chất xúc tác quang. Đối với BiVO4, độ dài hấp thụ Lα=1/α0 có thể đạt được bằng cách khớp hàm sau: (1.1) với phổ hấp thụ đo được của BiVO4. Chúng ta có thể tính độ dài hấp thụ Lα của khoảng ∼ 1,2 µm đối với E g = 2,52 eV. Ở đây kB, T và hν là hằng số Boltzmann, nhiệt độ, và năng lượng của photon tương ứng.
Mặt khác, tiếp xúc giữa chất xúc tác quang bán dẫn (BiVO 4) và chất điện phân (nước) ở một mức độ nào đó tương tự như lớp tiếp giáp p-n. Ở trạng thái cân bằng, có sự hình thành lớp điện tích không gian (SCL) và lớp Helmholtz do sự trao đổi electron giữa chất bán dẫn và các ion trong chất điện phân. Sự thay đổi cấu trúc điện tử cục bộ gần chất bán dẫn bề mặt cũng xảy ra do hiệu ứng lớp điện tích không gian này. Đối với chất bán dẫn loại n, sự biến đổi bề mặt sẽ dẫn đến hiện tượng uốn cong lên trên.
Độ dày của SCL có thể được ước tính gần đúng sử dụng phương trình sau: (1.2) trong đó và o lần lượt là hằng số điện môi của BiVO 4 và chân không. Vbi là thế năng tích hợp, ND là mật độ điện tích hiệu dụng và e là điện tích nguyên tố. Giả định V bi bằng 0,5 và ND khoảng ∼ 1015 hat.cm−3, WSCL được tính là 500 nm. Điều đó có nghĩa là 10 các lỗ trống quang sinh được tạo ra với số lượng lớn chỉ di chuyển bằng cách khuếch tán qua mạng hạt BVO lên tới SCL nơi tồn tại điện trường.
Dòng quang điện lỗ trống jp được cho bởi: (1.3) trong đó µh là độ linh động của lỗ, p là mật độ lỗ trống và E là điện trường có trong SCL. Phương trình này chứng tỏ rằng khi quá trình khuếch tán chiếm ưu thế về số lượng lớn, thì dẫn đến hiệu suất giảm. Theo tính toán chiều dài khuếch tán lỗ trống trong BiVO4 là 70 nm, ngắn hơn đáng kể hơn WO 3 (150-500 nm). Trong SCL, cả sự khuếch tán và sự trôi đều xảy ra, điều này có thể làm giảm sự tái hợp bề mặt nên không làm giảm cho hiệu suất BiVO4.
Hơn nữa, nếu trong tinh thể tồn tại các trạng thái khiếm khuyết như khuyết oxy (Ovac) thì cũng tăng cường cho phản ứng oxy hóa nước. Nhờ những khiếm khuyết này, các chất tích điện âm, ví dụ, Các nhóm OH - có thể được hấp phụ trên bề mặt, mang lại hiệu suất cao [9]. Nghiên cứu cũng chứng minh rằng liên kết V được hình thành trên bề mặt BiVO4 do Ovac cải thiện dịch chuyển lỗ trống cho quá trình oxy hóa nước. BiVO 4 là hợp chất ba lớp, vùng cấm tương đối rộng, và tổng hợp nói chung bằng con đường hóa học; do đó, nó được kỳ vọng sẽ có nhiều khiếm khuyết.
Hơn thế nữa, BiVO 4 đơn tà thường liên kết với các hạt có kích thước siêu nhỏ (1-2 µm), dẫn đến tăng tái hợp ở biên giữa các hạt và bên trong hạt. Mọi bằng chứng chứng thực sự tốc độ tái hợp hạt mang điện trong BiVO4 là rất cao. Sơ đồ minh họa động lực học hạt mang điện trong BiVO4 [9] 1. Độ dẫn điện Khi nghiên cứu sự vận chuyển điện tích của BiVO 4 người ta đã chỉ ra rằng tổng độ dẫn điện của vật liệu này thấp hơn đáng kể so với bismuth oxit (Bi2O3).
Kết quả còn đưa ra khi bị kích thích bằng nhiệt quá trình không thể mô tả độ dẫn điện của BiVO 4. Sau đó, các nhà nghiên cứu đã chứng minh rằng cơ chế dẫn nhảy Polaron quyết định việc vận chuyển hạt mang điện trong BiVO4 trong đó các electron được giữ lại tại mức năng lượng kích hoạt đặc trưng ∼ 0,3 eV bên dưới đáy vùng dẫn (Hình 1.