Luận văn thạc sĩ: Nghiên cứu cấu trúc spin điện tử nano ứng dụng trong chip sinh học

Trường đại học

Đại Học Quốc Gia Hà Nội

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

luận án

2013

141
0
0

Phí lưu trữ

30 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN CHÍP SINH HỌC DỰA TRÊN CÁC HIỆU ỨNG ĐIỆN TỪ

1.1. Nguyên lý chung của chíp sinh học

1.2. Các loại cảm biến dựa trên hiệu ứng từ

1.3. Cảm biến từ điện trở dị hướng

1.4. Cảm biến từ trở khổng lồ (GMR)

1.5. Cảm biến cấu trúc van-spin (SV)

1.6. Cảm biến dựa trên hiệu ứng Hall thường

1.7. Cảm biến dựa trên hiệu ứng từ điện trở xuyên hầm (TMR)

1.8. Cảm biến dựa trên hiệu ứng Hall phẳng (PHE)

1.9. So sánh và nhận xét

1.10. Lựa chọn vật liệu chế tạo cảm biến Hall phẳng

2. CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM

2.1. Chế tạo màng mỏng bằng phương pháp phún xạ ca-tốt

2.2. Thiết bị phún xạ ATC-2000FC

2.3. Quy trình chế tạo mẫu màng mỏng có hiệu ứng Hall phẳng

2.4. Các cấu trúc màng nghiên cứu

2.5. Khảo sát tính chất điện từ của vật liệu cảm biến

2.6. Đo đường cong từ trễ bằng hệ đo từ kế mẫu rung

2.7. Đo hiệu ứng từ-điện trở

2.8. Đo hiệu ứng Hall phẳng

2.9. Phương pháp thực nghiệm chế tạo linh kiện

2.10. Thiết bị quang khắc MJB4

2.11. Quy trình quang khắc chế tạo cảm biến Hall phẳng

3. CHƯƠNG 3: NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT VẬT LÝ CỦA VẬT LIỆU CẢM BIẾN

3.1. Tính chất vật lý của màng NiFe/Cu/NiFe

3.2. Quá trình từ hóa của màng NiFe/Cu/NiFe

3.3. Hiệu ứng từ-điện trở của màng NiFe/Cu/NiFe

3.4. Hiệu ứng Hall phẳng của màng NiFe/Cu/NiFe

3.5. Tính chất vật lý của màng hai lớp NiFe/IrMn

3.6. Cấu trúc tinh thể của màng hai lớp NiFe/IrMn

3.7. Quá trình từ hóa của màng hai lớp NiFe/IrMn

3.8. Hiệu ứng từ điện trở của màng hai lớp NiFe/IrMn

3.9. Hiệu ứng Hall phẳng của màng cấu trúc hai lớp NiFe/IrMn

3.10. Nghiên cứu vật liệu có cấu trúc van-spin

3.11. Nghiên cứu cấu trúc van-spin với lớp sắt từ bị ghim CoFe

3.12. Nghiên cứu cấu trúc van-spin với lớp ghim NiFe và CoFe

3.13. Nghiên cứu cấu trúc van-spin với lớp sắt từ tự do NiFe có chiều dày thay đổi (NiFe(t f)/Cu/NiFe/IrMn)

3.14. Nghiên cứu cấu trúc van-spin với chiều dày lớp Cu thay đổi

3.15. Lựa chọn cấu trúc van-spin tối ưu cho độ nhạy của cảm biến PHE

4. CHƯƠNG 4: THIẾT KẾ, CHẾ TẠO CẢM BIẾN VÀ THỬ NGHIỆM

4.1. Phát hiện hạt từ

4.2. Thiết kế cảm biến

4.3. Phương pháp thực nghiệm khảo sát hoạt động của cảm biến

4.4. Khảo sát đặc trưng của cảm biến Hall phẳng

4.5. Cảm biến dựa trên cấu trúc hai lớp NiFe/IrMn

4.6. Cảm biến cấu trúc ba lớp NiFe(5)/Cu(1,2)/NiFe(2) nm

4.7. Cảm biến cấu trúc van-spin NiFe(26)/Cu(1,2)/NiFe(1)/IrMn(15) nm

4.8. Thử nghiệm phát hiện hạt từ của cảm biến Hall phẳng

4.9. Phương pháp thực nghiệm sử dụng cảm biến phát hiện hạt từ

4.10. Phát hiện hạt từ của cảm biến cấu trúc hai lớp NiFe(20)/IrMn(15) nm

4.11. Khảo sát hạt từ với cảm biến van-spin

KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN

TÀI LIỆU THAM KHẢO

PHỤ LỤC