Luận văn: Mô hình hóa và mô phỏng chống sét van trên lưới điện phân phối

Tải luận văn nghiên cứu chuyên sâu về mô hình hóa và mô phỏng chống sét van. Phân tích đáp ứng thiết bị trên lưới điện phân phối bằng Matlab.

Chuyên ngành

Kỹ Thuật Điện

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận văn thạc sĩ

2014

116
1
0

Phí lưu trữ

35 Point

Tóm tắt

I. Khái Niệm Cơ Bản Về Chống Sét Van MOV

Chống sét van MOV (Metal Oxide Varistor) là thiết bị bảo vệ quan trọng trong hệ thống lưới điện phân phối. Thiết bị này được sử dụng để bảo vệ các thiết bị điện khỏi những xung áp cao do sét đánh gây ra. Mô hình hóa và mô phỏng chống sét van giúp các kỹ sư hiểu rõ hơn về hoạt động của thiết bị này. Biến trở ZnO trong chống sét van có đặc tính phi tuyến, cho phép nó chuyển đổi nhanh chóng từ trạng thái cách điện sang trạng thái dẫn điện. Sự hiểu biết sâu sắc về nguyên lý làm việc chống sét van là nền tảng để thiết kế hệ thống bảo vệ hiệu quả. Công nghệ mô phỏng Matlab-Simulink cho phép các nhà nghiên cứu phân tích chi tiết các đáp ứng của thiết bị chống sét trong các điều kiện khác nhau. Việc này giúp tối ưu hóa hiệu năng bảo vệ lưới điện.

1.1. Cấu Trúc và Đặc Tính Kỹ Thuật

Cấu trúc chống sét van MOV bao gồm các tinh thể ZnO được nén ép trong một vỏ ceramic. Đặc tính V-I phi tuyến của biến trở ZnO là yếu tố chính quyết định khả năng bảo vệ. Khi điện áp vượt ngưỡng cho phép, điện trở của van giảm đột ngột, tạo đường dẫn cho dòng xung áp. Năng lượng tiêu tán của chống sét van phải được tính toán chính xác để tránh quá tải. Thời gian đáp ứng nanogiây của thiết bị chống sét là ưu điểm vượt trội so với các công nghệ truyền thống.

1.2. Nguyên Lý Hoạt Động và Chức Năng Bảo Vệ

Nguyên lý hoạt động chống sét van dựa trên tính chất phi tuyến của vật liệu ZnO. Khi xảy ra sét đánh lưới điện, điện áp xung cao được truyền đến chống sét van. Lúc này, điện trở chống sét thay đổi từ giá trị cao (hàng MΩ) xuống giá trị thấp (hàng Ω). Quá trình này giới hạn điện áp quá mức để bảo vệ các thiết bị đầu cuối. Công suất tiêu tán trung bình được tính dựa trên tần số và biên độ xung.

II. Các Mô Hình Toán Học và Công Cụ Mô Phỏng

Mô hình hóa chống sét van đòi hỏi phải chuyển đổi những đặc tính vật lý phức tạp thành các phương trình toán học. Có nhiều mô hình chống sét van được đề xuất bởi các tổ chức quốc tế như IEEE và các nhà khoa học như Schmidt và Mardira. Mô hình điện trở phi tuyến là dạng cơ bản nhất, trong khi mô hình kết hợp điện cảm phi tuyến giúp cải thiện độ chính xác. Công cụ Matlab-Simulink là phần mềm tiêu chuẩn để mô phỏng chống sét van trong ngành điện. Ý nghĩa của mô hình mô phỏng nằm ở khả năng dự đoán hành vi của thiết bị chống sét trong các tình huống thực tế. Sử dụng phần mềm Matlab, các nhà nghiên cứu có thể kiểm tra mô hình chống sét mà không cần thực hiện thí nghiệm tốn kém.

2.1. Các Mô Hình Chống Sét Van Phổ Biến

Mô hình điện trở phi tuyến mô tả chống sét van như một điện trở có đặc tính V-I phi tuyến đơn giản. Mô hình kết hợp điện cảm thêm các yếu tố cảm kháng để tính đến thời gian đáp ứng. Mô hình IEEE dùng hàm mũ để mô tả đặc tính van chống sét. Mỗi mô hình chống sét có ưu và nhược điểm riêng, phù hợp với các ứng dụng khác nhau.

2.2. Matlab Simulink Trong Mô Phỏng

Matlab-Simulink cung cấp thư viện khối xây dựng cho mô phỏng chống sét van. Công cụ này cho phép kết nối các mô hình toán học với mô hình mạch điện. Đặc tính phi tuyến của ZnO varistor được hiện thực hóa qua các hàm lookup table hoặc phương trình đa thức. Phần mềm Matlab hỗ trợ phân tích tần sốtính toán năng lượng tiêu tán hiệu quả.

III. Quá Trình Mô Hình Hóa Chống Sét Van MOV

Mô hình hóa chống sét van dạng MOV phụ thuộc tần số là bước quan trọng trong nghiên cứu bảo vệ lưới điện. Mục đích mô phỏng là xác định thông số mô hình từ dữ liệu kỹ thuật của nhà sản xuất. Phương pháp xác định thông số bao gồm việc phân tích đặc tính V-I và các tham số động học. Mô hình đề nghị kết hợp các yếu tố điện trở phi tuyến với điện cảm phụ thuộc tần số. Xây dựng mô hình trong Matlab yêu cầu khai báo các hộp thoại thông sốnguyên lý làm việc mô hình. Việc đánh giá mô hình thông qua so sánh đáp ứng mô phỏng với dữ liệu thực nghiệm là bước kiểm chứng quan trọng cuối cùng.

3.1. Phương Pháp Xây Dựng Mô Hình

Phương pháp xây dựng mô hình bắt đầu từ phân tích đặc tính V-I của biến trở ZnO. Mô hình toán được xây dựng dựa trên phương trình phi tuyến mô tả quan hệ dòng-điện áp. Thông số mô hình được trích xuất từ biểu đồ kỹ thuật hoặc phương trình thực nghiệm. Xây dựng mô hình trong Matlab sử dụng khối Nonlinear Resistor hoặc custom MATLAB function.

3.2. Xây Dựng Mô Hình Nguồn Phát Xung

Nguồn phát xung mô phỏng sét đánh được mô hình hóa theo dạng xung không chu kỳ. Dạng sóng xung tuân theo tiêu chuẩn IEEE 1313 với thời gian tăng và hạ. Quan hệ các thông số thời gian giữa front timetail time ảnh hưởng đến năng lượng xung tiêu tán. Mô hình toán nguồn xung được thực thi thông qua khối Function Generator hoặc S-function trong Matlab.

IV. Ứng Dụng Mô Phỏng Trên Lưới Điện Phân Phối

Mô phỏng chống sét van trên hệ thống lưới điện phân phối cho phép đánh giá khả năng bảo vệ của các thiết bị từ các hãng sản xuất khác nhau. Mô phỏng chống sét van của hãng ELPRO, GE Tranquell, Siemens, Cooper và Ohio-Brass giúp so sánh hiệu năng của từng sản phẩm. Mô hình thực nghiệm được xây dựng dựa trên thực trạng lưới điện thực tế, bao gồm đường dây phân phối, máy biến áptải điện. Nguyên tắc hoạt động của hệ thống bảo vệ được kiểm chứng qua các kịch bản sét đánh cách nguồn ở các khoảng cách khác nhau. Đánh giá đáp ứng mô hình so sánh điện áp tại điểm sét đánh với và không có chống sét van. Các kết quả này hỗ trợ lựa chọn vị trí lắp đặtthông số định mức của thiết bị chống sét phù hợp.

4.1. Mô Phỏng Các Kịch Bản Sét Đánh

Kịch bản sét đánh cố định vị trí giúp đánh giá khả năng bảo vệ của chống sét van tại các điểm khác nhau trên lưới. Sét đánh cách nguồn 15km, 10km, 1km cho phép quan sát sự thay đổi hình dạng xung khi truyền dẫn. Sét đánh ngoài phạm vi bảo vệ của chống sét kiểm chứng giới hạn bảo vệđiều kiện quá tải. Sét đánh về phía tảiphía nguồntác động khác nhau đến thành phần mạng điện.

4.2. Đánh Giá Hiệu Năng Bảo Vệ

Đánh giá mô hình dựa trên so sánh điện áp sóng tới với điện áp bảo vệ của chống sét van. Năng lượng tiêu tán được tính từ tích phân công suất tức thời trong quá trình xung. Số lần xung chịu được của thiết bị chống sét phải đảm bảo độ tin cậy dài hạn của hệ thống. Phối hợp cách điện giữa các thiết bị bảo vệ là yếu tố quan trọng.

22/12/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1 CẤU TẠO, NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC VÀ CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA CHỐNG SÉT VAN MOV 1.1 Cấu tạo MOV (Metal Oxide Varistor) là thiết bị phi tuyến, phụ thuộc vào điện áp mà hành vi về điện giống như hai diode đấu ngược lại (back –to –back). Với đặc tính đối xứng, đặc tính vùng đánh thủng (về điện) rất dốc cho phép MOV có tính năng khử xung quá độ đột biến hoàn hảo (hình 1. Trong điều kiện bình thường biến trở là thành phần có trở kháng cao gần như hở mạch. Khi xuất hiện xung đột biến quá áp cao, MOV sẽ nhanh chóng trở thành đường dẫn trở kháng thấp để triệt xung đột biến.

Phần lớn năng lượng xung quá độ được hấp thu bởi MOV cho nên các thành phần trong mạch được bảo vệ tránh hư hại.1 Cấu trúc của biến trở và đặc tính V-I Thành phần cơ bản của biến trở là ZnO với thêm một lượng nhỏ bismuth, cobalt, manganses và các ôxít kim loại khác. Cấu trúc của biến trở bao gồm một ma trận hạt dẫn ZnO nối qua biên hạt cho đặc tính tiếp giáp P-N của chất bán dẫn. Các biên này là nguyên nhân làm cho biến trở không dẫn ở điện áp thấp và là nguồn dẫn phi tuyến khi điện áp cao. MOV được chế tạo từ ZnO.

Mỗi một hạt ZnO của ceramic hoạt động như tiếp giáp bán dẫn tại vùng biên của các hạt. Các biên hạt ZnO có thể quan sát được qua hình ảnh vi cấu trúc của ceramic như hình 1. Hành vi phi tuyến về điện xảy ra tại biên tiếp giáp của các hạt bán dẫn ZnO, biến trở có thể xem như là một thiết bị nhiều tiếp giáp tạo ra từ nhiều liên kết nối nối tiếp và song song của biên hạt. 5 Hành vi của thiết bị có thể phân tích chi tiết từ vi cấu trúc của ceramic, kích thước hạt và phân bố kích thước hạt đóng vai trò chính trong hành vi về điện.2 Vi cấu trúc của ceramic Hỗn hợp rắn ôxýt kẽm với ôxýt kim loại khác dưới điều kiện đặc biệt tạo nên ceramic đa tinh thể, điện trở của chất này phụ thuộc vào điện áp.

Hiện tượng này gọi là hiệu ứng biến trở. Bản thân hạt ôxýt kẽm dẫn điện rất tốt (đường kính hạt khoảng 15 –100m), trong khi ôxýt kim loại khác bao bên ngoài có điện trở rất cao. Chỉ tại các điểm ôxýt kẽm gặp nhau tạo nên “vi biến trở”, tựa như hai diode zener đối xứng, với mức bảo vệ khoảng 3,5V. Chúng có thể nối nối tiếp hoặc song song (hình 1.1); việc nối nối tiếp hoặc song song các vi biến trở làm cho MOV có khả năng tải được dòng điện cao hơn so với các chất bán dẫn, hấp thu nhiệt tốt và có khả năng chịu được dòng xung đột biến cao.

MOV được chế tạo từ việc hình thành và tạo hạt ZnO dạng bột vào trong các thành phần ceramic. Các hạt ZnO có kích thước trung bình là d, bề dày biến trở là D, ở hai bề mặt khối MOV được áp chặt bằng hai phiến kim loại phẳng. Hai phiến kim loại này lại được hàn chắc chắn với hai chân nối ra ngoài (hình 1.3 Vi cấu trúc của MOV Điện áp của MOV được xác định bởi bề dày của MOV và kích thước của hạt ZnO. Một đặc tính cơ bản của biến trở ZnO là điện áp rơi qua biên tiếp giáp giữa các hạt ZnO gần như là hằng số, và khoảng từ (2-3,5)V.

Mối liên hệ này được xác định như sau: Điện áp biến trở : VN = (3,5)n (1.1) Và bề dày của biến trở: D = (n+1)d  (VN d)/3,5 (1.2) Trong đó: n là số tiếp giáp trung bình giữa các hạt ZnO. d là kích thước trung bình của hạt. VN là điện áp rơi trên MOV khi MOV chuyển hoàn toàn từ vùng dòng rò tuyến tính sang vùng không tuyến tính cao, tại điểm trên đường đặc tính V- I với dòng điện 1mA (hình 1. Biên tiếp giáp hạt ZnO của vi cấu trúc là rất phức tạp.

Chúng gồm 3 vùng cấu trúc (hình 1.4): Vùng I: biên có độ dày khoảng (100-1000 nm) và đây là lớp giàu bột Bi2O3. Vùng II: biên có độ mỏng khoảng (1-100 nm) và đây là lớp giàu bột Bi2O3. Vùng III: biên này có đặc tính là tiếp xúc trực tiếp với các hạt ZnO. Ngoài ra Bi, Co và một lượng các ion ôxy cũng tìm thấy xen giữa biên này với độ dày vài nanomet.4 Sơ đồ cấu trúc của lớp biên tiếp giáp biến trở ZnO 1.2 Tính năng hoạt động của biến trở ZnO Biến trở ZnO là rất phức tạp, nhiều thành phần, hành vi về điện các ôxýt ceramic đa tinh thể tùy vào vi cấu trúc của thiết bị này và chi tiết quá trình xảy ra tại các biên tiếp giáp hạt ZnO.

Thành phần chính của biến trở là ZnO chiếm 90% hoặc hơn nữa, còn lại là các ôxít kim loại khác. Một hỗn hợp tiêu biểu như sau: 97mol- %ZnO, 1mol-% Sb2O3, 0,5mol-% mỗi Bi2O3, CoO, MnO, và Cr2O3. Quá trình chế tạo biến trở ZnO theo tiêu chuẩn kỹ thuật ceramic. Các thành phần được trộn thành hỗn hợp và xay thành bột.

Hỗn hợp bột được làm khô và nén thành hình dạng mong muốn. Sau đó các viên được vón cục ở nhiệt độ cao, cụ thể là từ 1000-14000C. Hai phiến kim loại thường là bằng bạc tiếp xúc với các hạt được vón cục bên ngoài làm điện cực và được hàn chắc chắn với hai chân nối ra ngoài, thiết bị được đóng gói bằng vật liệu trùng hợp. Sản phẩm hoàn thành sau cùng được kiểm tra đáp ứng các tính năng yêu cầu kỹ thuật.

Quá trình được diễn tả theo lưu đồ hình 1. Một vài giá trị tiêu biểu về kích thước của biến trở ôxýt kim loại được cho như sau: Điện áp biến trở d ( m) n (hạt) Điện trường Bề dày của MOV (VRMS) V/mm tại 1mA (mm) 150 20 75 150 1,5 25 80 12 39 1,0 8 Đường kính đĩa danh định: Đường kính đĩa danh định -mm 3 5 7 10 14 20 32 34 40 62 9 Lưu đồ chế tạo chống sét van MOV Hình 1.5 Lưu đồ chế tạo biến trở ZnO 10 Hình 1.6 Chống sét van trung thế của Cooper Hình 1.7 Mặt cắt cấu tạo của chống sét van Vì cấu trúc biến trở ôxýt kim loại đa tinh thể tự nhiên nên hoạt động vật lý của biến trở là phức tạp hơn chất bán dẫn thông thường. Giải thích nguyên lý hoạt động của biến trở ZnO dựa trên sự hiểu biết về hiện tượng điện xảy ra ở vùng biên 11 tiếp giáp của các hạt ôxýt kẽm, một vài lý thuyết ban đầu đã giải thích dựa trên cơ sở của hiện tượng xuyên hầm. Tuy nhiên, tốt hơn là có thể diễn tả bằng sự sắp xếp các diode bán dẫn nối nối tiếp –song song (hình 1.

Cấu trúc cơ bản của khối biến trở ZnO là kết quả tạo hạt ZnO. Trong suốt quá trình xử lý, sự biến đổi các thành phần hoá học làm cho vi cấu trúc vùng gần biên tiếp giáp hạt ZnO có điện trở suất rất cao ( = 1010-1012 cm) và bên trong hạt tính dẫn điện rất cao (=0,1-10cm). Điện trở suất giảm mạnh từ biên đến hạt với khoảng cách khoảng 50 đến 100nm, vùng này được biết như là vùng hẹp. Vì vậy, tại một biên hạt có sự tồn tại vùng hẹp cả hai phía đến các hạt kế cận.

Hoạt động của biến trở chính là do sự có mặt của vùng hẹp này. Bởi vì vùng này thiếu hụt các điện tử tự do, cho nên hình thành vùng hẹp (vùng nghèo) điện tích không gian trong hạt ôxít kẽm tại miền gần các biên tiếp giáp của các hạt. Điều này giống như ở tiếp giáp p-n của diode bán dẫn và điện dung của lớp tiếp giáp này phụ thuộc vào điện áp đặt vào tiếp giáp theo biểu thức: 1 2 (V b  V ) 2  (1.3) C q  sN Trong đó: Vb: điện thế rào V: điện áp đặt vào q: điện tích điện tử s: hằng số điện môi của chất bán dẫn N: mật độ hạt dẫn. Từ mối liên hệ này, mật độ hạt dẫn của ZnO, N được xác định khoảng 2x1017/cm3.

Ở các vùng hẹp các hạt dẫn trôi tự do và đây là nguyên nhân gây ra dòng điện rò. Dòng rò được gây ra do các hạt dẫn trôi tự do qua điện trường rào thấp và được kích hoạt bởi nhiệt độ ít nhất là trên 25oC.8 chỉ ra sơ đồ năng lượng của ZnO-biên tiếp giáp-ZnO. Điện áp phân cực thuận VL phía bên trái của hạt, điện áp phân cực ngược VR phía bên phải của hạt. Độ rộng vùng nghèo là XL và XR, với độ lớn điện thế rào tương ứng là L và R.

Điện thế phân cực tại gốc là o. Khi điện áp phân cực gia tăng, L giảm và R tăng, dẫn đến điện thế rào thấp hơn và sự dẫn điện gia tăng. Sơ đồ năng lượng tiếp giáp ZnO –biên –ZnO Độ lớn điện thế rào L của biến trở là một hàm theo điện áp (hình 1. Sự giảm nhanh của điện thế rào ở điện áp cao tương ứng với lúc bắt đầu vùng dẫn phi tuyến.

Cơ chế vận chuyển của vùng phi tuyến là rất phức tạp và vẫn còn tiếp tục nghiên cứu. Ở vùng dẫn cao, giá trị điện trở giới hạn tùy thuộc vào tính dẫn điện của các hạt bán dẫn ZnO, ở vùng dẫn này mật độ hạt dẫn khoảng từ 1017-1018/cm3. Điện trở suất của ZnO có giá trị dưới 0,3cm.9 Quan hệ điện thế rào với điện áp đặt vào 1.3 Đặc tính V-I Đặc tính V-I của MOV như hình 1.10, đặc tính V-I được biểu diễn bằng phương trình dạng hàm mũ (1.4) Trong đó: I là dòng qua biến trở V điện áp đặt lên biến trở 13 K hệ số phụ thuộc vào loại biến trở  là hệ số phi tuyến Nguyên lý bảo vệ của biến trở thể hiện qua điện áp phụ thuộc giá trị điện trở: 1 1-  R = V/I = V/ KV = V (1.5) suy ra: LogI = logK + logV (1.6) 1 LogR = log( ) + (1-)logV (1.7) K Theo đề nghị của Manfred Holzer và Willi Zapsky, xấp xỉ hoá đặc tính V/I của biến trở được quan hệ giữa điện áp và dòng điện theo phương trình: log V = B1 + B2 log( I) + B3· e -log ( I) + B4 e log ( I) với I>0 (1.10 Đặc tính V-I của MOV 1.4 Thời gian đáp ứng Hoạt động của biến trở tùy thuộc vào cơ chế dẫn điện giống như các thiết bị bán dẫn khác. Sự dẫn điện xảy ra rất nhanh với thời gian trễ tính bằng nano giây.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ