MỞ ĐẦU: - Đối với các thiết bị số , khã năng chứa đựng được dữ liệu là một nhu câu quan trọng. Chẳng hạn trong máy tính , các con số cần thiết cho phép toán phải được lưu trữ ngay trong máy tính. Còn trong các thiết bị điều khiển số thì lệnh điều khiển phải được lưu trữ để thực hiện dẫn theo một trình tự nào đó. Vì vậy bộ nhớ là một thành phần không thể thiếu được của các thiết bị số.
Thông thường thông tin hay dữ liệu được tạo thành từ một đơn vị cơ bần gọi là từ( word ). Một từ có chiều dài nhất định tùy theo loại máy, chẳng hạn là 16bit, 3 bit, 64bit. Từ là thành phần thông tin cơ bản nhất. các bộ nhớ của thiết bị thường chỉ truyền đi hay nhận vào nguyên một từ hay nhiều từ chứ không nhận vài bit của từ.
tuy nhiên vì từ được tạo thành từ nhiễu bit nên đơn vị cơ bản của bộ nhớ chính là đơn vị nhớ lưu trữ được một bit. Khi so sánh các bộ nhớ , người ta thường lưu ý đến các thông số kỹ thuậ + Dung lượng( capacity ); Dung lung hay dung lượng nhớ là khối thông tin hay dữ liệu có thể lưu trữ được trong bộ nhớ , để xác định được dung lượng ta thường dùng đơn vị là số bít hoa t kiobi hoặc m gabit. Dụng lượng liên quan trực tiếp đến giá thành của bộ nhớ. / bít, Giá thành này được đánh giá theo tiều chuẩn : chí phí + Thời gian thầm nhập (access tine) | thot gran may Con go là thời tan truy xuất của bộ nhớ, nị là thông số quan trọng của bộ nhớ , nềụ nó kéo dải thị lam giám khả năng làm việc của thiết bị CÁC LOẠI BỘ NHỚ THONG DUNG: 1- Bộ nhớ ROM (read only memory ): Là bộ nhớ chỉ đọc , là mớt dang của bộ nhớ bản dẫn mà nộ được thiết Kế giữ cho dữ liệu không thay đổi.
Bình thường khi hoạt động dữ liệu mới Không thể viết vào ROM nhưng nó có thể đọc được. ROM duive sử dụng dùng để lưu trữ dữ liệu và thông tin , nó không làm thay đối dữ liệu trong suốt quá trình hoạt động của hệ thống. ROM chủ yếu thực hiện chức năng đọc là chính. GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN : TRẤN MINH CHÁNH ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 22 - So đồ của bộ nhớ ROM được biểu diễn như hình vẽ sau : -_.
Sơ đồ tổ chức ma trận nhớ theo loại chọn tuyến tính : Ma trận nhớ ˆ Xo Ao ——>| Đệm FE———————| 1 1 0 1 Địa bội AI1-. Chỉ FT | 1 0 0 1 vào 0 1 1 0 ———> Am- | —— >§ Xm | 0 0 0 | Flow chon mach L —»| bem dir lieu — tb to %D3 ŸD4 + Đệm địa chí ngộ vào và đệm dữ liệu ra là để tương hợp đặc tinh của mạch bén trong và các mạch bên ngoài RÓÁ, + Cúc đường địa chỉ vào Áo + Am—T biểu thị m bit, qua mạch giải mã m sang 2”, Xo. Xm 1 là đường từ (mach giải mã một trong m hằng). GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN : TRẦN MINH CHÁNH ĐỒ ÁNTỐT NGHIỆP Trang 23 ~ Sơ đồ tổ chức ma trận nhớ theo loại chọn trùng phùng : Cấu tạo cơ bản của ROM.
Dữ liệu Dữ liệu ra địa chỉ wy Diéu khién ém ngo ra Do D7 Dữ liệu ngõ ra GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN : TRẦN MINH CHÁNH Đô ÁN TỐT NGHIỆP Trang 24 ệ - Dua sẽ sơ đỗ tổ chức thì ma trận nhớ là thành phẩn trung tâm của ROM. - Cách tổ chức chọn theo kiểu tuyến tính thì ma trận nhớ gồm nhiều hàng , mỗi hàng là một từ , mỗi từ gồm nhiễu bit. Do vậy phân giải mã địa chỉ, chỉ có giải mã hàng là loại giải mã chọn một trong m hang. Ví dụ: Ngõ địa chỉ gồm 4 đường thì giải mã hàng sẽ chọn] trong 16 đường.
Với cách tổ chức như vậy chỉ phù hợp với số bit địa chỉ ít. Khi số bit địa chỉ tăng ( trên 8 bit ) thì cách chọn ô nhớ như vậy gặp nhiều khó khăn. Lúc bấy giờ cách tổ chức ma trận nhớ theo kiểu trùng phùng. khắc phục được nhược điểm trên nên được hữu dụng.
_ Cách tổ chức chọn theo kiểu trùng phùng : Với cách tổ chức này thì mã số địa chỉ được phân thành hai phân là mã số địa chỉ hàng (x ) và mã số địa chỉ cột (y) .Mã số địa chỉ hàng (X) được giãi mã để chọn đường từ vào giải mã hàng. Và mã địa chỉ (Y) được giãi mã để chọn đường từ (Y) giải mã cột. Ô nhớ được chọn khi hàng và cột tương ứng của ô nhớ cùng lên cao ở mức 1. Cách tổ chức ô nhớ và chon địa chỉ ô nhớ như vậy được gọi là cách tổ chức ô nhớ tho chọn trùng phùng.
Trong trường hợp này. mỗi ô nhớ nơi giáo nhau của hàng và cột có thế có Í ngăn nhớ , 4 ngăn nhớ hay 8 ngần nhớ tùy thuộc vào loại ROM Ibit, 4bit hày 8 bịt. Nghĩa là khí Tô nhớ được chọn sẽ Xuất ta ngõ rả | bit, abu hay & bit Dữ liệu song song Ngân nhấ ROM có thể là một Diode, Transisuar lưỡng cực (BẾT) hay Transistor (CMONS Đếm ngõ ra của RÓM thường là đệm ngỏ ra 3 trạng thái vá các chân CE (chip Baable ) cho phep chon mach kittie dong ở mức CÓ ) sẽ cho phép JC hoạt đóng y chan OF C output enable ) 1a chin dieu khiển 3 trạng thái, khi tác dong 6 m c (0 Jsẽ cho phép xuất dữ liệu ra, tuy theo công tyhe chế tạo mà cho ra các loại ROM khác nhau, ví loại dụ nhữ ROM lưỡng cue, ROM mos, va cing thy theo yêu cầu sử dụng mã có nhiều ROM khác nhàn được sản xuật nha sản xuất + ROM : là loại ROM cô định , loại này dữ liệu lưu trữ trong các ô nhớ được xóa đặt sắn và đã nạp trong quá trình sắn xuất. và dữ liệu này không thể thay đổi được hay được.
cả các tế 4+ PROM : ( progtamnable ROM ): Có cấu tạo giống ROM chỉ khác ở chỗ. Tất nghệ chế tạo bào nhớ đều có Diode hay transistor lưỡng cực hay tùy theo công các bit có giá trị 1 ( tức là + Phần tứ bán dẫn được nối với cầu chì tích hợp. Khi chưa nạp , có biên độ và độ cầu chì còn nguyên ) .Khi muốn đổi bit 1 sang bít 0, phải áp 1 xung điện đường bit tương ứng rộng xung thích hợp ( cho biết bổi hãng sản xuất). Giữa đường từ và được lập trình để làm đứt cầu chì.
Cầu chì đứt rồi không thể nối lại được do đó PROM chỉ một lần mà thôi. GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN : TRAN MINH CHÁNH ĐỒ ÁNTỐT NGHIỆP Trang 25 + EPROM ( Erasable PROM ) PROM chỉ thảo chương một lần vì cầu chì đứt không thể nối lại được từ bên ngoài. Nên khi nạp chương trình sai hay muốn đổi chương trình thì phải dùng một PROM mới. Do đó người ta chế tạo PROM xóa được gọi là EPROM .EPROM có thể nạp chương trình Và xóa được , nạp chương trình lại được.
- Khi EPROM chưa nạp chương trình thì các bit có giá trị 0 hay là Itùy theo EPROM. Khi nạp chương trình các bit sẽ mang giá trị 0 và 1 tương ứng. Khi xóa là làm cho các bit trong ô nhớ trở lại trạng thái 0 hoặc 1 như khi chưa nạp chương trình .Để xóa dữ liệu trong EPROM , dùng tỉa cực tím có độ dài sóng khoảng 2500A° và cường độ ánh sáng trong khoảng 20 phút, còn nếu để EPROM dưới ánh sáng mặt trời khoảng một tuần lễ chương trình. ghi trong EPROM có thể bị xóa.
Vì vậy sau khi nạp chương tinh cho EPROM phải dán kín cửa sổ trên vỏ EPROM bằng vật liệu cản quang để chắn tia cực tím từ ánh sáng mặt trời đến huỳnh quang có thể phá hủy thông tin ( dù chậm ). + EEPROM (Electrically ~ erasable - PROM ): EPROM khắc phục được nhược điểm của PROM , nhưng sự nạp xóa chưa được thuận tiện như phải tháo gỡ EPROM ra khỏi mạch để xóa rồi nạp chương trình lại được. Khi cần xóa hay thay đổi 1 từ cũng không thế nạp chồng lên từ đó được mà phải xóa hết và nạp lại từ đầu. Khi nạp và xóa phẩt cần điện thế cao hay nguồn tia cức tím, Điều mong muôn t mm sao có thể xóa hoặc nạp EPROM ngày trong mạch điện hiện hữu của nó.
Sau đó EÍPROM tá đời để khấc phục nhược điểm trên ,chúng có thể xóa bằng tín hiệu điện chủ trừng bít hoặc cho cá bộ nhớ cũng một lúc, «©- Giản đồ thời gian làm việc khi đọc dữ liệu từ ô nhớ ra của ROM như sáu: 0 s | | t ACC ° Ì | Hi - I | HHH] | Vong do¢cha ROM GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN : TRẦN MINH CHÁNH ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 26 + Tạ : Thời gian thâm nhập của địa chỉ ( Address access time ) là thời gian từ khi địa chỉ ổn định ở ngõ vào cho đến khi dữ liệu ra ổn định còn gọi là thời gian trì hoãn giữa địa chỉ vào và đữ liệu ra. + Tạsc : Thời gian thâm nhập của mạch chọn ( chip select access time )là thời gian chọn ( chip ) được đặt ở mức thích hợp cho đến khi dữ liệu ổn định ( Giả sử dữ liệu từ ô nhớ đã được chốt vào đệm ngõ ra ) .Còn gọi là thời gian trì hoãn giữa chọn ( chip )và dữ liệu ra ( chip select to output delay ). + Tra : Thời gian giữ của địa chỉ ( Address hold time )là thời gian khi ngưng địa chỉ ( tức là bắt đầu đổi sang địa chỉ mới ) đến khi hết dữ liệu ra có giá trị gọi là thời gian trì hoãn địa chỉ đến dữ liệu ra ( Address to output delay ) + Tucs : Thời gian giữ của mạch ( chip select hold tỉme ) là thời gian từ khi chọn mạch ngưng đến khi hết dữ liệu ra có giá trị còn gọi là thời gian trì hoãn chọn mạch đến địa chỉ ra (chip select to output delay ). + Tre : Thdi gian vòng đọc ( Read cycle time ) là thời gian ngấn nhất mà địa chí phải tổn tại trước khi đổi sang địa chỉ mới, thời gian này lớn hơn thời gián thâm nhập địa chỉ .