Chương I GIỚI THIỆU VỀ ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT I. DIODE CÔNG SUẤT: I. 1 Cấu tạo: - + P - + N Anốt q P N d - 0 Katốt Hình 1. Cấu tạo của diode.
Ký hiệu của diode. Diode công suất là linh kiện bán dẫn có hai cực, được cấu tạo bởi một lớp bán dẫn N và một lớp bán dẫn P ghép lại. Silic là một nguyên tố hóa học thuộc nhóm IV trong bảng hệ thống tuần hoàn. Silic có 4 điện tử thuộc lớp ngoài cùng trong cấu trúc nguyên tử.
Nếu ta kết hợp thêm vào một nguyên tố thuộc nhóm V mà lớp ngoài cùng có 5 điện tử thì 4 điện tử của nguyên tố này tham gia liên kết với 4 điện tử tự do của Silic và xuất hiện một điện tử tự do. Trong cấu trúc tinh thể, các điện tử tự do làm tăng tính dẫn điện. Do điện tử có điện tích âm nên chất này được gọi là chất bán dẫn loại N (negative), có nghĩa là âm. Nếu thêm vào Silic một nguyên tố thuộc nhóm III mà có 3 nguyên tử thuộc nhóm ngoài cùng thì xuất hiện một lổ trống trong cấu trúc tinh thể.
Lỗ trống này có thể nhận 1 điện tử, tạo nên điện tích dương và làm tăng tính dẫn điện. Chất này được gọi là chất bán dẫn loại P (positive), có nghĩa là dương. Trong chất bán dẫn loại N điện tử là hạt mang điện đa số, lỗ trống là thiểu số. Với chất bán dẫn loại P thì ngược lại.
Ở giữa hai lớp bán dẫn là mặt ghép PN. Tại đây xảy ra hiện tượng khuếch tán. Các lỗ trống của bán dẫn loại P tràn sang N là nơi có ít lỗ trống. Các điện tử của bán dẫn loại N chạy sang P là nơi có ít điện tử.
Kết quả tại mặt tiếp giáp phía P nghèo đi về diện tích dương và giàu lên về điện tích âm. Còn phía bán dẫn loại N thì ngược lại nên gọi là vùng điện tích không gian dương. Trong vùng chuyển tiếp (-) hình thành một điện trường nội tại. Ký hiệu là Ei và có chiều từ N sang P hay còn gọi là barie điện thế (khoảng từ 0,6V đến 0,7V đối với vật liệu là Silic).
Điện trường này ngăn cản sự di chuyển của các điện tích đa số và làm dễ dàng cho sự di chuyển của các điện tích thiểu số (điện tử của vùng P và lổ trống của vùng N). Sự di chuyển của các điện tích thiểu số hình thành nên dòng điện ngược hay dòng điện rò. 2 Nguyên lý hoạt động: Ei Ei P N P N U U + - - + (a) (b) Hình 1. Sự phân cực thuận diode.
Sự phân cực ngược diode. Khi đặt diode công suất dưới điện áp nguồn U có cực tính như hình vẽ, chiều của điện trường ngoài ngược chiều với điện trường nội Ei. Thông thường U > Ei thì có dòng điện chạy trong mạch, tạo nên điện áp rơi trên diode khoảng 0,7V khi dòng điện là định mức. Vậy sự phân cực thuận hạ thấp barie điện thế.
Ta nói mặt ghép PN được phân cực thuận. Khi đổi chiều cực tính điện áp đặt vào diode, điện trường ngoài sẽ tác động cùng chiều với điện trường nội tại Ei. Điện trường tổng hợp cản trở sự di chuyển của các điện tích đa số. Các điện tử của vùng N di chuyển thẳng về cực dương nguồn U làm cho điện thế vùng N vốn đã cao lại càng cao hơn so với vùng P.
Vì thế vùng chuyển tiếp lại càng rộng ra, không có dòng điện chạy qua mặt ghép PN. Ta nói mặt ghép PN bị phân cực ngược. Nếu tiếp tục tăng U, các điện tích được gia tốc, gây nên sự va chạm dây chuyền làm barie điện thế bị đánh thủng. Đặc tính volt-ampe của diode công suất được biểu diễn gần đúng bằng biểu thức sau: I = IS [ exp (eU/kT) – 1 ] ( 1.
1 ) Trong đó: - IS : Dòng điện rò, khoảng vài chục mA - e = 1,59.10- 23 : Hằng số Bolzmann - T = 273 + t0 : Nhiệt độ tuyệt đối (0 K) - t0 : Nhiệt độ của môi trường (0 C) - U : Điện áp đặt trên diode (V) I 1 UZ U U 2 Hình 1. 3 Đặc tính volt-ampe của diode. Đặc tính volt-ampe của diode gồm có hai nhánh: 1. Nhánh thuận 2.
Nhánh ngược Khi diode được phân cực thuận dưới điện áp U thì barie điện thế Ei giảm xuống gần bằng 0. Tăng U, lúc đầu dòng I tăng từ từ cho đến khi U lớn hơn khoảng 0,1V thì I tăng một cách nhanh chóng, đường đặc tính có dạng hàm mũ. Tương tự, khi phân cực ngược cho diode, tăng U, dòng điện ngược cũng tăng từ từ. Khi U lớn hơn khoảng 0,1V dòng điện ngược dừng lại ở giá trị vài chục mA và được ký hiệu là IS.
Dòng IS là do sự di chuyển của các điện tích thiểu số tạo nên. Nếu tiếp tục tăng U thì các điện tích thiểu số di chuyển càng dễ dàng hơn, tốc độ di chuyển tỉ lệ thuận với điện trường tổng hợp, động năng của chúng tăng lên. Khi U = UZ thì sự va chạm giữa các điện tích thiểu số di chuyển với tốc độ cao sẽ bẻ gảy được các liên kết nguyên tử Silic trong vùng chuyển tiếp và xuất hiện những điện tử tự do mới. Rồi những điện tích tự do mới này chịu sự tăng tốc của điện trường tổng hợp lại tiếp tục bắn phá các nguyên tử Silic.
Kết quả tạo một phản ứng dây chuyền làm cho dòng điện ngược tăng lên ào ạt và sẽ phá hỏng diode. Do đó, để bảo vệ diode người ta chỉ cho chúng hoạt động với giá trị điện áp: U = (0,7 0,8)UZ. Khi diode hoạt động, dòng điện chạy qua diode làm cho diode phát nóng, chủ yếu ở tại vùng chuyển tiếp. Đối với diode loại Silic, nhiệt độ mặt ghép cho phép là 2000C.
Vượt quá nhiệt độ này diode có thể bị phá hỏng. Do đó, để làm mát diode, ta dùng quạt gió để làm mát, cánh tản nhiệt hay cho nước hoặc dầu biến thế chảy qua cánh tản nhiệt với tốc độ lớn hay nhỏ tùy theo dòng điện. Các thông số kỹ thuật cơ bản để chọn diode là: - Dòng điện định mức Iđm (A) - Điện áp ngược cực đại Ungmax ( V ) - Điện áp rơi trên diode U ( V ) I. 3 Ứng dụng: Ứng dụng chủ yếu của diode công suất là chỉnh lưu dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều cung cấp cho tải.
Các bộ chỉnh lưu của diode được chia thành hai nhóm chính: - Chỉnh lưu bán kỳ hay còn gọi là chỉnh lưu nửa sóng. - Chỉnh lưu toàn kỳ hay còn gọi là chỉnh lưu toàn sóng. TRANSISTOR CÔNG SUẤT: II. 1 Cấu tạo: Transistor là linh kiện bán dẫn gồm 3 lớp: PNP hay NPN.
C P B N P C B E E (a) (b) Về mặt vật lý,Hình transistor gồm 3 phần: 1. 4 Transistor phần phát, phần nền và phần thu. PNP: Vùng nền (B) rất mỏng. Cấu tạo Transistor công suất có cấu trúc và ký hiệu như sau: b).
Ký hiệu IC C C B C UCE IB N B UBE E P E B N C IE B Hình(1. 2 Nguyên lý hoạt động: Hình 1. 5 Transistor NPN: Ea). Ký hiệu N pP Emite p N Colecto E C IE Base IC IE - + - + Hình 1.
7 Sơ RđồE phân cực transistor. UEE UCC RC Điện thế UEE phân cực thuận mối nối B - E (PN) là nguyên nhân làm cho vùng phát (E) phóng điện tử vào vùng P (cực B). Hầu hết các điện tử (electron) sau khi qua vùng B rồi qua tiếp mối nối thứ hai phía bên phải hướng tới vùng N (cực thu), khoảng 1 electron được giữ lại ở vùng B. Các lỗ trống vùng nền di chuyển vào vùng phát.
Mối nối B - E ở chế độ phân cực thuận như một diode, có điện kháng nhỏ và điện áp rơi trên nó nhỏ thì mối nối B - C được phân cực ngược bởi điện áp. Bản chất mối nối B - C này giống như một diode phân cực ngược và điện kháng mối nối B - C rất lớn. Dòng điện đo được trong vùng phát gọi là dòng phát IE. Dòng điện đo được trong mạch cực C (số lượng điện tích qua đường biên CC trong một đơn vị thời gian là dòng cực thu IC).
Dòng IC gồm hai thành phần: - Thành phần thứ nhất (thành phần chính) là tỉ lệ của hạt electron ở cực phát tới cực thu. Tỉ lệ này phụ thuộc duy nhất vào cấu trúc của transistor và là hằng số được tính trước đối với từng transistor riêng biệt. Hằng số đã được định nghĩa là . Vậy thành phần chính của dòng IC là IE.
Thông thường = 0,9 0,999. - Thành phần thứ hai là dòng qua mối nối B - C ở chế độ phân cực ngược lại khi IE = 0. Dòng này gọi là dòng ICBO – nó rất nhỏ. - Vậy dòng qua cực thu: IC = IE + ICBO.
* Các thông số của transistor công suất: - IC: Dòng colectơ mà transistor chịu được. - UCEsat: Điện áp UCE khi transistor dẫn bão hòa. - UCEO: Điện áp UCE khi mạch badơ để hở, IB = 0. - UCEX: Điện áp UCE khi badơ bị khóa bởi điện áp âm, IB < 0.
- ton: Thời gian cần thiết để UCE từ giá trị điện áp nguồn U giảm xuống UCESat 0. - tf: Thời gian cần thiết để iC từ giá trị IC giảm xuống 0. - tS: Thời gian cần thiết để UCE từ giá trị UCESat tăng đến giá trị điện áp nguồn U. - P: Công suất tiêu tán bên trong transistor.
Công suất tiêu tán bên trong transistor được tính theo công thức: P = UBE. - Khi transistor ở trạng thái mở: IB = 0, IC = 0 nên P = 0. - Khi transistor ở trạng thái đóng: UCE = UCESat. Trong thực tế transistor công suất thường được cho làm việc ở chế độ khóa: IB = 0, IC = 0, transistor được coi như hở mạch.
Nhưng với dòng điện gốc ở trạng thái có giá trị bão hòa, thì transistor trở về trạng thái đóng hoàn toàn. Transistor là một linh kiện phụ thuộc nên cần phối hợp dòng điện gốc và dòng điện góp. Ở trạng thái bão hòa để duy trì khả năng điều khiển và để tránh điện tích ở cực gốc quá lớn, dòng điện gốc ban đầu phải cao để chuyển sang trạng thái dẫn nhanh chóng. Ở chế độ khóa dòng điện gốc phải giảm cùng qui luật như dòng điện góp để tránh hiện tượng chọc thủng thứ cấp.
IC a IC b IC UCE UCE ( a )dẫn và trạng thái bị khóa (b) Hình 1.