Chương 1. TỔNG QUAN VỀ HỆ THỐNG DẪN CHÙM POSITRON CHẬM VÀ PHẦN MỀM SIMION 1. Positron Năm 1928, Paul Dirac công bố bài báo với nhan đề “Lý thuyết lượng tử của electron”. Trong bài báo này giới thiệu phương trình Dirac nói lên mối lên hệ của cơ học lượng tử, hiệu ứng tương đối tính và spin để giải thích hiệu ứng Zeeman.
Trong bài báo này dự đoán sự tồn tại phản hạt của electron – sau này gọi là positron và dẫn đến khái niệm phản vật chất [14]. Hình ảnh quỹ đạo của positron khi đi qua buồng mây Wilson được Anderson công bố vào năm 1933 - bằng chứng đầu tiên chứng tỏ sự tồn tại của positron [15]. Một năm sau đó, cả Dmitri Skobeltsyn và Chung – Yao Chao quan sát được hạt giống với electron nhưng có điện tích ngược dấu [5]. Vào năm 1933, Carl David Anderson công bố hình ảnh kiểm chứng về sự tồn tại của positron khi cho tia vũ trụ đi qua buồng mây Wilson (hình 1.
Và khám phá này đã được giải Nobel Vật lí vào năm 1936. Ở điều kiện ổn định trong chân không, positron có cùng khối lượng (510,9989461(13) keV/c2) và spin (1/2) với electron nhưng có điện tích (1,60216565(35)×10-19 C) và mô-men từ (9284,764×10-27 J/T) trái dấu với electron [16]. Luan van 6 Khi một positron và một electron có động năng thấp và spin ngược nhau gặp nhau sẽ xảy ra hiện tượng hủy cặp biến đổi thành các hạt photon. Thông thường, sự hủy cặp giữa một positron nhiệt và một electron trong vật chất sẽ tạo thành hai photon (chiếm khoảng 99,7%) [6].
Do sự bảo toàn về năng lượng và động lượng, mỗi photon có năng lượng 511 keV (bằng năng lượng nghỉ của mỗi hạt) và phát ra theo hai hướng ngược nhau [17]. Bằng cách ghi nhận và phân tích photon này, chúng ta có thể thu được thông tin từ quá trình hủy. Các kỹ thuật ứng dụng chùm positron được thực hiện đầu tiên vào những năm 1960 và được phát triển mạnh mẽ. Dạng Makhovian độ sâu thâm nhập của một chùm positron trong silic đơn tinh thể [6], trong đó z độ sâu trung bình của positron đi vào silic Mặt khác, độ sâu trung bình của các positron khi thâm nhập vào vật chất tăng theo động năng ban đầu của nó và có dạng Makhovian [18].
Ví dụ sự phụ thuộc của độ sâu thâm nhập theo động năng của positron vào đơn tinh thể silic được thể hiện như hình 1. Hệ thống dẫn chùm positron chậm tạo ra các chùm positron đơn năng, có cường độ cao để nghiên cứu các đặc tính vật liệu theo chiều sâu, đặc biệt với năng lượng của positron chậm phù hợp có thể nghiên cứu vật liệu ở lớp bề mặt hoặc các vật liệu có dạng màng mỏng. Ngày nay, hệ thống dẫn chùm positron chậm được phát triển, ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau như y học, sinh học, vật lý, vật liệu, hóa học và thiên văn [5]. Hệ thống dẫn chùm positron chậm Hình 1.
Sơ đồ nguyên lý chung của hệ thống dẫn chùm positron chậm Một hệ thống dẫn chùm positron chậm về cơ bản gồm có các thành phần chính sau: nguồn phát positron, bộ làm chậm, bộ lọc năng lượng, bộ vận chuyển chùm positron từ bộ làm chậm đến bia mẫu và ít nhất một đầu dò. Sơ đồ nguyên lý chung của hệ thống dẫn chùm positron chậm được thể hiện như hình 1. Sau khi phát ra từ nguồn, các positron đi vào bộ làm chậm để tăng cường độ chùm positron chậm đơn năng. Tiếp đó, chùm positron được tiền gia tốc đi tới bộ lọc để loại bỏ các positron nhanh.
Chùm positron còn lại được gia tốc đến năng lượng mong muốn trước khi tương tác với mẫu. Quá trình dẫn chùm positron được diễn ra trong một môi trường chân không cao với từ trường đều được tạo ra từ các cuộn solenoid và các cặp cuộn Helmholtz. Tiếp theo, chúng tôi trình bày về cấu tạo và nguyên lý của các thành phần chính trong hệ thống dẫn chùm positron chậm. Nguồn phát positron Bảng 1.
Dữ liệu của một số đồng vị phóng xạ thường dùng để tạo positron trong thiết bị dẫn chùm positron chậm [19] Năng lượng cực đại Tỉ lệ phát positron Nguồn Chu kì bán rã (keV) (%) 22 Na 545,5 2,6 năm 89,84 58 Co 475,2 70,82 ngày 14,96 64 Cu 652,5 12,7 giờ 17,86 Bộ phận đầu tiên của một hệ thống dẫn chùm positron chậm chính là nguồn phát positron. Ở các phòng thí nghiệm nhỏ thường sử dụng đồng vị phóng xạ để làm nguồn phát positron, các đồng vị thường được sử dụng là 22Na, 58Co và 64Cu (xem bảng 1. 64Cu có chu kỳ bán rã 12,7 giờ được sản xuất ở các lò phản ứng nghiên cứu bằng phản ứng hạt nhân 63Cu(n,γ)64Cu [5], [20]. Đồng vị 58Co có chu kỳ bán rã dài hơn của Cu cho nên hoạt độ và cường độ của chùm có thể coi không đổi trong thời gian đo lường.58Co có chu kỳ bán rã dài hơn của Cu và được sản xuất bằng cách chiếu nơ-tron nhanh vào 58Ni [21], [22].
Tuy nhiên, ở các hệ thống dẫn chùm positron chậm nhỏ thì nguồn đồng vị 22Na được sử dụng phổ biến nhất. Nguồn 22Na có nhiều ưu điểm so với các nguồn đồng vị khác như tỉ lệ phát positron cao (89,84%), chu kỳ bán rã đủ dài để không phải thay nguồn thường xuyên. Mặt khác, nguồn 22Na dùng cho hệ PB cũng được Viện nghiên cứu iThemba LABS - Nam Phi sản xuất thương mại theo thiết kế của Trường Đại học Martin Luther - Đức [23] (hình 1. Bản vẽ thiết kế và hình ảnh thực tế của nguồn 22Na dùng trong hệ PB tại iThemba LABS [23] Luan van 9 Ở các cơ sở có hệ PB quy mô lớn, nguồn phát positron được tạo ra dựa trên máy gia tốc tuyến tính LINAC [24], [25], [26] và lò phản ứng hạt nhân [27], [28] để cung cấp các tia gam-ma năng lượng cao cho hiện tượng tạo cặp sinh ra positron.
Bộ làm chậm positron Các positron được phát ra từ các nguồn nêu ở phần trước đều có phổ năng lượng liên tục, rộng và phát ra gần như đẳng hướng. Bộ làm chậm sử dụng trong hệ PB với mục đích tạo ra chùm positron đơn năng với động năng thấp, cường độ lớn và góc phát nhỏ. Khi positron đi vào một vật liệu có thể bị hủy, nhiệt hóa và khuếch tán thông qua các cơ chế tán xạ. Với một số bề mặt vật liệu kim loại, một tỉ lệ nhỏ các hạt positron khuếch tán tới bề mặt của vật liệu sẽ được phát ra khỏi bề mặt gần như theo hướng vuông góc với bề mặt vật liệu với một năng lượng xác định tuỳ thuộc vào bản chất của vật liệu sử dụng [5].
Những vật liệu có tính chất như vậy được sử dụng để chế tạo bộ làm chậm cho các hệ PB. Hình ảnh thực tế của một bộ làm chậm W(110) đơn tinh thể dưới dạng lưới đã được tháo rời ra khỏi bộ nguồn [23] Vật liệu được sử dụng phổ biến nhất là Volfram (W) đơn tinh thể vì có nhiều ưu điểm như có cấu trúc ổn định, nhiệt độ nóng chảy cao, chi phí thấp, hiệu suất làm chậm cao hơn so với các kim loại khác [5]. Bộ làm chậm dùng W thường được gia công dưới dạng màng hoặc dạng lưới và được chế tạo đi liền với bộ nguồn của hệ thống PB (hình 1. Hiệu suất làm chậm không chỉ phụ thuộc vào bề dày của màng vật liệu mà còn phụ thuộc vào các tính chất bề mặt của vật liệu.
Các màng hoặc lưới làm chậm bằng vật liệu kim loại này thường được nung đến nhiệt độ gần 80% nhiệt độ nóng chảy của vật liệu trong điều kiện độ chân không nhỏ hơn 10 -6 Pa để loại bỏ Luan van 10 các sai hỏng bên trong cũng như trên bề mặt của vật liệu, qua đó làm tăng hiệu suất làm chậm [5]. Phân bố năng lượng của positron từ nguồn 22Na sau khi qua bộ làm chậm [5] Với bộ làm chậm dùng W (110) có bề dày khoảng 2 µm thì hiệu suất làm chậm khoảng 10-4, các positron được làm chậm khi thoát ra gần như vuông góc với bề mặt W và có năng lượng khoảng 3 eV [29]. Phần lớn các positron phát ra từ nguồn có năng lượng cao sẽ truyền qua bộ làm chậm. Như vậy, sau quá trình làm chậm sẽ có một đỉnh đơn năng đóng góp vào phổ năng lượng của nguồn phát.
Ví dụ như trong hình 1.6 thể hiện phổ năng lượng của chùm positron sau khi qua bộ làm chậm với đỉnh đơn năng khoảng 3 eV đóng góp vào phổ liên tục của nguồn 22Na. Ngoài các vật liệu kim loại, bộ làm chậm sử dụng khí hiếm rắn như Ne, Ar, Kr, Xe… được dùng cho hệ PB cũng được quan tâm nghiên cứu. Với bộ làm chậm sử dụng khí hiếm thì hiệu suất làm chậm cao hơn (khoảng 10-2) nhưng quá trình chế tạo các vật liệu này lại rất phức tạp, tốn kém, khó khăn trong quá trình duy trì vận hành và bảo trì. Ngoài ra, bộ làm chậm cho hệ PB có thể các chất bán dẫn nhiều lớp (như GaN, SiC.
Bộ lọc positron Hiện nay hiệu suất làm chậm của các vật liệu đã biết là tương đối thấp (khoảng 10-2 đến 10-5), do đó trong chùm positron qua bộ làm chậm ngoài các positron đơn năng được làm chậm thì có một lượng rất lớn các positron mang năng lượng cao, liên tục phát ra từ nguồn. Vì vậy, hệ thống dẫn chùm positron chậm cần một bộ lọc để loại bỏ các positron nhanh này. Hiện nay, có hai phương pháp chính sử dụng để lọc positron đó là bộ lọc ExB và bộ lọc dùng từ trường uốn cong. a) Bộ lọc ExB vz Hình 1.
Nguyên lý thiết kế và hình ảnh thực tế của bộ lọc ExB [30] Nguyên lý cơ bản của bộ lọc này là sử dụng trường tĩnh điện được tạo ra bởi hai bản điện cực (dạng phẳng hoặc dạng cong) đặt cách đều trục chùm tia và kết hợp với một từ trường đều có hướng dọc theo hướng bay của chùm tia tới (hình 1. Với hệ thống chùm positron chậm thông thường, từ trường đều B có hướng dọc theo chuyển động của chùm hạt (theo phương Oz như trên hình 1.7) trong khi đó điện trường E tạo bởi hai bản điện cực có hướng vuông góc với từ trường B. Dưới tác dụng của lực Lorentz, các hạt positron bị lệch theo phương thẳng đứng (phương Oy) với một vận tốc vy có độ lớn không đổi theo công thức (1.1) B Các hạt positron khi di chuyển bên trong bộ lọc sẽ bị lệch hướng bay theo phương thẳng đứng (phương Oy) với một độ lệch d thoả mãn công thức (1.