Bối cảnh và vấn đề nghiên cứu

Trong bối cảnh công nghiệp hóa và hiện đại hóa, nhu cầu nâng cao năng suất sản xuất tại các nhà máy luôn phải gắn liền với bài toán tối ưu hóa và tiết kiệm năng lượng điện. Động cơ điện là thiết bị truyền động chiếm tỷ trọng tiêu thụ điện năng rất lớn trong các hệ thống công nghiệp. Do đó, việc ứng dụng các bộ biến tần bán dẫn để điều khiển tốc độ và mô-men động cơ một cách tối ưu, linh hoạt đóng vai trò then chốt trong kỹ thuật điều khiển tự động và điện tử công suất.

Tuy nhiên, việc thiết kế và chế tạo một bộ biến tần hoàn chỉnh đòi hỏi sự kết hợp phức tạp giữa việc tính toán các mạch công suất cao áp, thiết kế mạch điều khiển logic, giải quyết bài toán tản nhiệt, chống nhiễu điện từ và tích hợp các cơ chế bảo vệ sự cố nghiêm ngặt. Đề tài "Thiết kế mạch công suất biến tần dùng module IGBT STK5C4U332J-E" do sinh viên Lê Hải Nhân (Khoa Công nghệ Điện, Trường Đại học Công nghiệp TP.HCM) thực hiện dưới sự hướng dẫn của giảng viên Phạm Quốc Khanh nhằm hiện thực hóa giải pháp phần cứng mạch lực biến tần ứng dụng công nghệ vi mạch công suất thông minh (Intelligent Power Module - IPM).

Mục tiêu và nhiệm vụ nghiên cứu của đề tài gồm các nội dung chính:

  1. Nghiên cứu cấu trúc và nguyên lý vận hành của linh kiện khóa bán dẫn IGBT và module công suất thông minh STK5C4U332J-E của hãng ON Semiconductor.
  2. Tính toán các thông số kỹ thuật điện, xác định giá trị định mức cho các phần tử bảo vệ quá dòng, ngắn mạch, thấp áp và mạch lọc.
  3. Thiết kế sơ đồ nguyên lý (Schematic) hoàn chỉnh cho khối công suất biến tần ba pha.
  4. Thiết kế mạch in (PCB) 2 lớp, xử lý bài toán phân bố nhiệt, chống sụt áp và chống nhiễu đường tín hiệu trên phần mềm Altium Designer.
  5. Xuất các tệp tin sản xuất chuyên dụng phục vụ việc gia công chế tạo board mạch thực tế.

Đối tượng nghiên cứu của đồ án là khối mạch lực nghịch lưu 3 pha sử dụng module IGBT STK5C4U332J-E trong cấu trúc biến tần điều khiển động cơ. Phạm vi nghiên cứu tập trung vào khâu tính toán, thiết kế mô phỏng và xây dựng hồ sơ thiết kế chế tạo phần cứng board mạch công suất tại TP. Hồ Chí Minh năm 2018.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp

Cơ sở lý thuyết

Nghiên cứu được xây dựng trên nền tảng lý thuyết điện tử công suất hiện đại, tập trung vào các nội dung:

  • Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Linh kiện bán dẫn công suất 3 cực kết hợp giữa tốc độ đóng cắt cao của transistor hiệu ứng trường MOSFET và khả năng dẫn dòng tải lớn với sụt áp thuận thấp của transistor lưỡng cực BJT. Cấu trúc gồm 4 lớp bán dẫn p-n-p-n với cực điều khiển cách ly điện áp, giúp dòng điều khiển cổng yêu cầu cực nhỏ.
  • Vùng làm việc an toàn (Safe Operating Area - SOA) và hiện tượng khóa trễ (Tail Current): Hiện tượng tích lũy điện tích ở vùng bazơ của cấu trúc p-n-p bên trong IGBT làm kéo dài thời gian tắt, đòi hỏi kỹ thuật khóa mềm (soft turn-off) để tránh quá áp đánh thủng tiếp giáp C-E do tốc độ biến thiên dòng điện $di/dt$ quá lớn.
  • Cấu trúc biến tần gián tiếp nguồn áp: Bao gồm bộ chỉnh lưu AC-DC (cầu diode), khâu lọc trung gian DC-Link bằng tụ điện công suất lớn để làm phẳng điện áp, và khối nghịch lưu 3 pha sử dụng 6 van IGBT đóng ngắt theo giải thuật điều chế độ rộng xung (PWM) để tạo ra điện áp xoay chiều có biên độ và tần số biến đổi.

Phương pháp nghiên cứu

  • Phương pháp phân tích lý thuyết và tra cứu tài liệu kỹ thuật: Khảo sát thông số từ datasheet và application note (tài liệu AND9390-D) của hãng sản xuất ON Semiconductor đối với linh kiện IPM STK5C4U332J-E.
  • Phương pháp tính toán thiết kế kỹ thuật: Tính toán giải tích giá trị điện trở Sun (Shunt resistor) giám sát dòng điện, xác định hằng số thời gian mạch lọc RC chống tác động nhầm, tính toán công suất tiêu tán và lựa chọn tụ lọc DC-Link.
  • Phương pháp thiết kế hỗ trợ máy tính (CAD/EDA): Sử dụng phần mềm chuyên dụng Altium Designer 18 để tạo thư viện linh kiện (Schematic & Footprint PCB), thiết kế sơ đồ nguyên lý mạch, định tuyến mạch in 2 lớp, mô phỏng không gian 3D và xuất tệp tin chế tạo chuẩn CAM (CAMtastic).

Nội dung chính theo từng chương

CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU ĐỀ TÀI

Chương 1 trình bày tổng quan về bối cảnh thực tiễn của công cuộc hiện đại hóa sản xuất công nghiệp tại Việt Nam. Tác giả nhấn mạnh vai trò của biến tần trong việc tối ưu hóa hiệu suất vận hành của động cơ điện và tiết kiệm năng lượng. Nội dung xác định rõ tính cấp thiết, phương hướng tiếp cận đề tài dựa trên datasheet của nhà sản xuất, đồng thời nêu rõ ý nghĩa thực tiễn của việc thiết kế thành công board mạch lực làm nền tảng phối hợp cùng vi điều khiển để hoàn thiện một bộ biến tần động cơ hoàn chỉnh.

CHƯƠNG 2: GIỚI THIỆU MODULE IGBT STK5C4U332J-E

Chương 2 phân tích chuyên sâu về lý thuyết linh kiện bán dẫn và cấu trúc bên trong module STK5C4U332J-E:

  • Khái niệm và đặc tính IGBT: Phân tích đặc tính đóng cắt, vùng làm việc an toàn SOA, ảnh hưởng của điện áp cổng $U_{ge}$ đến khả năng tự khóa và ngăn ngừa hiện tượng chốt dòng (latch-up).
  • Thông số kỹ thuật định mức của STK5C4U332J-E:
Thông số Ký hiệu Giá trị định mức Đơn vị Ghi chú
Điện áp nguồn cấp cực đại $V_{PN}$ 500 V Ổn định tối ưu: 100 – 450V
Điện áp đánh thủng Collector-Emitter $V_{CES}$ 600 V Mức cực đại
Dòng điện Collector liên tục $I_C$ 3 A Mỗi nhánh IGBT
Giới hạn nhiệt độ mối nối $T_J$ -40 đến +125 °C Phạm vi hoạt động
Nguồn cấp điều khiển $V_{DD}$ < 20 V Mức danh định khuyến nghị: 15V
Mức logic điều khiển đầu vào $V_{in}$ 3.3 / 5 V Tương thích trực tiếp vi điều khiển
  • Các chức năng bảo vệ tích hợp trong module:
    • Bảo vệ quá dòng (OCP - Over Current Protection): Sử dụng điện trở shunt bên ngoài kết hợp mạng lọc RC nối với chân ITRIP. Điện áp ngõ vào ITRIP được so sánh với ngưỡng tham chiếu nội $0.49\text{V}$ (typ). Hằng số thời gian bộ lọc RC được định lượng trong khoảng $1.5,\mu\text{s} - 2,\mu\text{s}$ để triệt tiêu nhiễu chuyển mạch mà vẫn đảm bảo nhỏ hơn vùng an toàn ngắn mạch SCSOA.
    • Bảo vệ ngắn mạch (Short-Circuit Protection): Cảm nhận điện áp trên chân CSC; khi vượt ngưỡng $V_{SC(ref)} = 0.5\text{V}$, module lập tức phát tín hiệu báo lỗi (FAULT kéo xuống mức thấp) và khóa toàn bộ 6 van IGBT.
    • Bảo vệ thấp áp nguồn cấp (UVLO - Under Voltage Lockout): Ngăn ngừa tình trạng IGBT hoạt động khi điện áp cổng không đủ gây tăng điện trở dẫn và quá nhiệt.
Mức điện áp $V_{DD}$ Trạng thái hoạt động của IGBT và mạch điều khiển
$< 12.5\text{V}$ Mạch điều khiển không khởi động (kích hoạt chế độ khóa UVLO).
$12.5\text{V} - 13.5\text{V}$ IGBT có thể hoạt động nhưng dẫn truyền kém, tăng tổn hao chuyển mạch.
$13.5\text{V} - 16.5\text{V}$ Vùng làm việc tối ưu và ổn định nhất của thiết bị.
$16.5\text{V} - 20.0\text{V}$ Tốc độ đóng ngắt nhanh, dòng bão hòa cao làm gia tăng nguy cơ ngắn mạch.
$> 20.0\text{V}$ Vượt giới hạn cách điện, mạch điều khiển nội bộ bị phá hủy hoàn toàn.

  • Bảo vệ chống trùng dẫn (Cross-conduction prevention): Tích hợp mạch logic ngăn chặn tín hiệu kích hoạt đồng thời hai IGBT trên cùng một pha.

  • Cảm biến nhiệt độ bề mặt: Tích hợp nhiệt điện trở (Thermistor) bên trong gói module giúp giám sát nhiệt độ và điều kiện tản nhiệt trực tiếp.

  • Tính toán điện trở Shunt ($R_{shunt}$): Dựa trên các thông số thiết kế: $V_{SC(min)} = 0.45\text{V}$, $V_{SC(typ)} = 0.55\text{V}$, dòng tải hiệu dụng lớn nhất $I_{RMS} = 2\text{A}{rms}$, dòng tải đỉnh $I{C(max)} = 3\text{A}$, chỉ số thiết kế $MI = 0.9$, điện áp nguồn $V_{bus} = 300\text{V}$, hệ số giảm tải nhiệt độ ở $100^\circ\text{C}$ là $70%$. Tác giả tính toán xác định giá trị $R_{shunt} = 25,\text{m}\Omega$ và công suất tiêu tán danh định của điện trở shunt phải đạt từ $1\text{W}$ trở lên.

CHƯƠNG 3: ỨNG DỤNG TRONG BIẾN TẦN

Chương 3 khái quát tổng quan cấu trúc của các hệ thống biến tần công nghiệp trên thị trường:

  • Khảo sát các dòng biến tần thực tế của các hãng: Siemens, Schneider, Panasonic, Mitsubishi, Micno.
  • Phân tích chi tiết cấu tạo khối công suất:
    • Khâu chỉnh lưu AC-DC 1 pha và 3 pha dùng cầu diode.
    • Khâu lọc điện áp một chiều DC-Link bằng hệ thống tụ điện hóa để duy trì điện áp DC phẳng ổn định.
    • Khâu nghịch lưu 3 pha sử dụng cấu trúc 6 van IGBT biến đổi nguồn DC thành nguồn xoay chiều 3 pha đối xứng thông qua điều chế độ rộng xung PWM.
    • Lựa chọn diode zener ghim áp và xác định dung lượng tụ điện lọc thích hợp cho mạch nguồn.

CHƯƠNG 4: THIẾT KẾ MẠCH TRÊN PHẦN MỀM ALTIUM DESIGNER

Chương 4 là phần trọng tâm về triển khai kỹ thuật phần cứng:

  • Giới thiệu môi trường thiết kế Altium Designer 18.
  • Xây dựng thư viện linh kiện riêng cho module STK5C4U332J-E (bao gồm sơ đồ chân nguyên lý Schematic và bản vẽ chân cắm chân thực Footprint PCB).
  • Thiết kế sơ đồ nguyên lý tổng quát gồm 3 khối chức năng chính: Khối nguồn công suất và tải; Khối tiếp nhận 6 kênh tín hiệu điều khiển đóng ngắt PWM từ vi điều khiển; Khối mạch bảo vệ ngắn mạch, quá dòng, thấp áp và đường tín hiệu báo lỗi FAULT.
  • Xuất bảng danh mục linh kiện (Bill of Materials - BOM).
  • Xây dựng các quy tắc thiết kế và định tuyến mạch in PCB 2 lớp:
    • Định tuyến đường dây nguồn công suất $V_{bus}$ (0 - 300V) với độ rộng vệt đồng $> 7\text{mm}$.
    • Định tuyến các đường tín hiệu điều khiển PWM với độ rộng từ 10 mil đến 15 mil.
    • Áp dụng các giải pháp chống sụt áp và chống nhiễu: Bố trí các lỗ via nối song song giữa lớp mặt trên (Top Layer) và mặt dưới (Bottom Layer); bố trí tụ lọc dập xung snubber nằm sát chân số 38 ($V_{bus}$) của IPM; lắp mạch lọc RC ($R = 100,\Omega, C = 1,\text{nF}$) trên từng đường tín hiệu đầu vào; bố trí tụ lọc nguồn $330,\mu\text{F}/450\text{V}$ ngay tại đầu vào mạch lực.
  • Thiết kế và kiểm tra mô hình 3D toàn diện nhằm tránh va chạm cơ khí khi lắp ráp tản nhiệt.
  • Xuất bộ tệp tin phục vụ chế tạo thực tế bao gồm file khoan lỗ (CAMtastic1.Cam) và file các lớp mạch in (CAMtastic2.Cam).

Thiết kế và triển khai

Kiến trúc phần cứng mạch công suất biến tần

Kiến trúc board mạch công suất được phân chia rõ ràng thành hai phân vùng công suất cao áp và điều khiển tín hiệu nhỏ nhằm đảm bảo độ ổn định cao:

[Nguồn cấp AC / DC Bus (0-300V)] 
[Tụ lọc chính 330uF/450V & Tụ Snubber] 
[Ngõ ra 3 pha U, V, W cấp cho Động cơ]

Quy chuẩn thiết kế mạch in (PCB Layout Rules)

Để đảm bảo mạch lực biến tần vận hành an toàn ở dải điện áp DC lên tới 300V - 450V và dòng đỉnh 3A, quy trình thiết kế mạch in trên phần mềm Altium Designer tuân thủ nghiêm ngặt các quy tắc kỹ thuật sau:

  1. Phân tách và cách ly đường mạch: Tuyệt đối không chạy đường dây nguồn công suất $V_{bus}$ đi vòng quanh board mạch hoặc đi gần các đường tín hiệu logic để tránh hiện tượng cảm ứng điện từ gây nhiễu loạn tín hiệu điều khiển PWM.
  2. Kích thước đường mạch (Trace Width):
    • Đường mạch động lực $V_{bus}$, đường xả động cơ $U, V, W$: Độ rộng đường đồng được thiết kế lớn hơn $7\text{mm}$, đảm bảo mật độ dòng điện cho phép và giảm thiểu nhiệt lượng phát sinh trên vệt đồng.
    • Đường mạch tín hiệu điều khiển logic: Sử dụng kích thước tiêu chuẩn $10,\text{mil} - 15,\text{mil}$, giúp tối ưu hóa không gian board mạch và giảm dung sai ký sinh.
  3. Kỹ thuật chống sụt áp và chia tải: Bố trí ma trận các lỗ xuyên lớp (via) phân bố đều dọc theo các đường công suất giữa hai lớp Top Layer và Bottom Layer. Giải pháp này giúp chia sẻ dòng tải trên cả hai mặt đồng, giảm điện trở tương đương của đường mạch và ngăn ngừa hiện tượng sụt áp cục bộ khi động cơ khởi động hoặc mang tải nặng.
  4. Kỹ thuật chống nhiễu và dập xung điện áp:
    • Bố trí tụ lọc phân kỳ snubber ở cự ly cực ngắn nối trực tiếp vào chân nguồn 38 ($V_{bus}$) của module STK5C4U332J-E nhằm triệt tiêu các xung gai điện áp sinh ra trong quá trình đóng cắt IGBT tốc độ cao.
    • Sử dụng tụ hóa dung lượng $330,\mu\text{F}$ với điện áp đánh thủng $450\text{V}$ đặt ngay sau đầu vào nguồn cấp và trước chân $V_{bus}$ để ổn định năng lượng DC-Link.
    • Tích hợp bộ lọc thông thấp RC ($R = 100,\Omega, C = 1,\text{nF}$) trên mỗi đường tín hiệu PWM đầu vào để loại bỏ các xung nhiễu tần số cao.
  5. Đóng gói dữ liệu gia công: Thay vì cung cấp trực tiếp file thiết kế nguyên lý Schematic hoặc file layout PCB gốc nhằm đảm bảo tính bảo mật và bản quyền thiết kế, hồ sơ gia công được đóng gói và xuất thành hai tệp tin chuẩn CAM:
    • CAMtastic1.Cam: Tệp tin dữ liệu khoan lỗ chuẩn NC Drill.
    • CAMtastic2.Cam: Tệp tin dữ liệu quang học Gerber chứa thông tin các lớp đồng, lớp phủ hàn (solder mask) và lớp in chữ (silkscreen). Các thông số thiết kế được đối chiếu trực tiếp với tiêu chuẩn công nghệ chế tạo board mạch in tại các cơ sở gia công mạch in chuyên nghiệp ở Việt Nam.

Kết quả và đóng góp

Kết quả đạt được

Đề tài đã hoàn thành đầy đủ các mục tiêu thiết kế phần cứng theo phiếu giao đề tài:

  1. Tính toán chính xác hệ thống thông số kỹ thuật: Xác lập đầy đủ các ngưỡng bảo vệ của module IPM STK5C4U332J-E, tính toán thành công giá trị điện trở shunt $R_{shunt} = 25,\text{m}\Omega$ với công suất chịu tải danh định $\ge 1\text{W}$, thiết lập hằng số thời gian mạch lọc OCP trong dải an toàn $1.5,\mu\text{s} - 2,\mu\text{s}$.
  2. Xây dựng bộ thư viện và sơ đồ nguyên lý hoàn chỉnh: Thiết kế chính xác thư viện linh kiện STK5C4U332J-E trên Altium Designer và hoàn thiện sơ đồ nguyên lý tổng quát cho toàn bộ board công suất biến tần 3 pha.
  3. Hiện thực hóa bản vẽ mạch in PCB 2 lớp: Bố trí linh kiện hợp lý, định tuyến vệt đồng công suất lớn $>7\text{mm}$, xử lý chống sụt áp bằng via xuyên lớp, tối ưu hóa đường truyền tín hiệu 10-15 mil và hoàn thiện mô hình không gian 3D tương thích cơ khí.
  4. Xuất bộ tệp tin gia công công nghiệp: Tạo lập thành công 2 file CAMtastic1.Cam (file khoan) và CAMtastic2.Cam (file mạch in) phù hợp với quy chuẩn công nghệ của các nhà xưởng gia công PCB tại Việt Nam.

Đóng góp của đề tài

Đề tài đã ứng dụng thành công dòng vi mạch công suất thông minh IPM STK5C4U332J-E tích hợp đầy đủ mạch lái cổng và các cơ chế bảo vệ nội bộ, giúp tinh giản tối đa kích thước phần cứng của biến tần so với việc sử dụng các khóa IGBT rời truyền thống. Thiết kế phần cứng đạt độ tin cậy cao, có khả năng kết nối trực tiếp với các dòng vi điều khiển hiện đại mà không cần bổ sung tầng cách ly quang phức tạp cho 6 chân tín hiệu PWM.

Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp

  • Hạn chế: Đề tài chỉ tập trung chuyên sâu vào việc tính toán, thiết kế và xuất file gia công phần cứng cho khối mạch lực công suất biến tần; chưa tích hợp khối vi điều khiển phát xung PWM trực tiếp trên cùng một board mạch và chưa tiến hành đo đạc thực nghiệm dạng sóng đầu ra trên tải động cơ thực tế trong nội dung báo cáo.
  • Hướng nghiên cứu tiếp:
    • Đặt gia công board mạch in thực tế từ bộ file CAMtastic đã xuất và tiến hành hàn lắp linh kiện.
    • Thiết kế khối mạch điều khiển trung tâm (sử dụng Vi điều khiển / DSP) tích hợp giải thuật điều chế vector không gian (SVPWM) hoặc SPWM.
    • Kết nối hoàn chỉnh hai khối, thử nghiệm đóng cắt với nguồn điện áp thực tế và đo kiểm dạng sóng điện áp, dòng điện đầu ra cấp cho động cơ không đồng bộ 3 pha.

Giá trị tham khảo

Tài liệu khóa luận tốt nghiệp này mang lại giá trị tham khảo thực tiễn cao cho:

  • Sinh viên và học viên: Thuộc các chuyên ngành Kỹ thuật Điện, Kỹ thuật Điều khiển và Tự động hóa, Điện tử Công suất làm tài liệu học tập, tham khảo phương pháp tính toán mạch bảo vệ cho module IGBT/IPM.
  • Kỹ sư thiết kế phần cứng: Có thể tham khảo trực tiếp các quy chuẩn bố trí linh kiện, định tuyến đường mạch công suất cao áp, kỹ thuật dập xung nhiễu bằng tụ snubber và phương pháp xuất file Gerber (CAMtastic) đạt chuẩn sản xuất công nghiệp trên phần mềm Altium Designer.

Câu hỏi thường gặp

1. Module IPM STK5C4U332J-E có những thông số định mức điện áp và dòng điện cơ bản nào?
Module có điện áp thu - phát cực đại $V_{CES} = 600\text{V}$, điện áp nguồn cấp $V_{PN}$ tối đa $500\text{V}$ (hoạt động ổn định tối ưu ở dải $100\text{V} - 450\text{V}$), dòng điện Collector liên tục mỗi IGBT $I_C = 3\text{A}$ và dải nhiệt độ mối nối $T_J$ từ $-40^\circ\text{C}$ đến $+125^\circ\text{C}$.

2. Dải điện áp nguồn nuôi $V_{DD}$ hoạt động an toàn của module là bao nhiêu và điều gì xảy ra nếu $V_{DD} < 12.5\text{V}$ hoặc $> 20\text{V}$?
Điện áp hoạt động khuyến nghị tốt nhất là $15\text{V}$ (vùng ổn định $13.5\text{V} - 16.5\text{V}$). Nếu $V_{DD} < 12.5\text{V}$, mạch bảo vệ khóa điện áp thấp (UVLO) sẽ kích hoạt và mạch điều khiển không khởi động. Nếu $V_{DD} > 20\text{V}$, mạch điều khiển nội bộ bên trong module sẽ bị đánh thủng và phá hủy.

3. Mạch bảo vệ quá dòng (OCP) hoạt động theo nguyên lý nào và yêu cầu hằng số thời gian bộ lọc RC là bao nhiêu?
Chức năng OCP hoạt động bằng cách đo điện áp trên điện trở shunt bên ngoài đưa về chân ITRIP và so sánh với điện áp tham chiếu nội $0.49\text{V}$. Khi điện áp vượt ngưỡng, chân FAULT bị kéo xuống mức thấp và toàn bộ IGBT bị ngắt. Mạng lọc RC trên chân ITRIP phải có hằng số thời gian $\tau$ từ $1.5,\mu\text{s}$ đến $2,\mu\text{s}$ để loại bỏ nhiễu chuyển mạch bình thường mà không vượt quá vùng an toàn ngắn mạch SCSOA.

4. Tại sao trên board mạch công suất cần dùng đường dây rộng $> 7\text{mm}$ và bố trí nhiều via nối giữa hai lớp mặt?
Đường dây nguồn $V_{bus}$ (0 - 300V) mang dòng điện lớn nên cần độ rộng $> 7\text{mm}$ để chịu tải và giảm nhiệt lượng. Việc đục các lỗ via xuyên lớp giữa Top Layer và Bottom Layer giúp chia đều mật độ dòng điện qua cả hai mặt đồng, tránh hiện tượng quá tải cục bộ trên một lớp và ngăn ngừa sụt áp trên đường dây.

5. Hai tệp tin CAMtastic1.Cam và CAMtastic2.Cam có vai trò gì trong sản xuất mạch in?
Đây là các tệp tin dữ liệu chuẩn gia công được xuất từ Altium Designer (CAMtastic1.Cam là file dữ liệu khoan lỗ và CAMtastic2.Cam là file các lớp mạch in Gerber). Việc gửi các file CAM này thay vì gửi file thiết kế gốc .SchDoc và .PcbDoc giúp bảo mật bản quyền thiết kế sơ đồ nguyên lý và tránh sai lệch thông số kỹ thuật khi đưa vào dây chuyền sản xuất tại các nhà xưởng PCB.

Kết luận

Báo cáo tốt nghiệp của sinh viên Lê Hải Nhân đã hoàn thành trọn vẹn nhiệm vụ tính toán và thiết kế phần cứng board mạch công suất biến tần 3 pha sử dụng vi mạch công suất thông minh STK5C4U332J-E. Tác giả đã làm chủ quy trình thiết kế trên Altium Designer 18 từ khâu tạo thư viện linh kiện, thiết kế sơ đồ nguyên lý, định tuyến mạch in chống nhiễu - chống sụt áp đến xuất các tệp tin CAMtastic đạt chuẩn công nghệ gia công thực tế tại Việt Nam. Công trình là tài liệu tham khảo kỹ thuật có giá trị cho việc nghiên cứu, phát triển các hệ thống truyền động biến tần công suất nhỏ và vừa.