CHƯƠNG 1. Xu hướng phát triển hiện nay của nghịch lưu nguồn áp. Trong các ứng dụng về công suất, nghịch lưu nguồn áp đang chiếm lĩnh vị trí rất quan trọng. Điện áp ra của bộ nghịch lưu được chia thành các mức xếp tầng, số lượng mức càng tăng thì càng gần hình sin [6].
Các ứng dụng của nghịch lưu nguồn áp Hình 1.1 thể hiện các ứng dụng rộng rãi của nghịch lưu nguồn áp hiện nay, ví dụ như trong hệ thống nguồn năng lượng phân tán, hệ thống sạc cho xe điện, hệ thống truyền động động cơ, các bộ tích trữ năng lượng. Trong đó, ứng dụng của nghịch lưu nguồn áp trong hệ thống năng lượng phân tán và hệ thống sạc cho xe điện đang được tập trung phát triển mạnh mẽ. Lợi ích của các bộ biến đổi điện tử công suất này bao gồm tăng hiệu suất, chi phí thấp hơn và giảm kích thước hệ thống [11], [13], [15]. Để có tác dụng nối lưới hay cấp cho phụ tải xoay chiều, các nguồn phân tán phải được chuyển đổi sang AC.
Do đó, nghịch lưu nguồn áp được sử dụng để chuyển đổi nguồn DC sang nguồn AC. Các bộ nghịch lưu phải đảm bảo điều khiển được dòng công suất theo 2 chiều, đồng thời cũng chứa các chức năng bảo vệ giám sát việc kết nối lưới điện với nguồn phân tán và có thể cách ly nếu xảy ra sự cố. Hệ thống nguồn phân tán có thể được cấu trúc thành một số cấu hình hoạt động. Mỗi cấu hình có các bộ biến đổi điện tử công suất cơ bản kết nối hệ thống với lưới điện chung như trong Hình 1.
Xe điện hiện đang là xu thế phát triển trong ngành công nghiệp ô tô và rất có thể sẽ thay thế xe xăng trong một vài năm tới. Do vậy, việc nghiên cứu các cấu trúc để thiết kế các bộ sạc cho xe điện đã và đang được triển khai rất mạnh mẽ trong các trung tâm nghiên cứu, các phòng thí nghiệm về điện tử công suất. Có nhiều hệ thống sạc trong đó phổ biến nhất là hệ thống On-board Charger (OBC) như trong Hình 1.3 với các ưu điểm như: thời gian sạc nhanh, nguồn điện AC phổ biến, khả năng tản nhiệt tốt, an toàn, nhẹ và nhỏ vì bộ sạc nằm trên xe [43]. Cấu hình bộ biến đổi công suất cho hệ thống nguồn phân tán Trong hệ thống này có bộ PFC (Power Factor Correction).
Bộ này thường sử dụng cấu trúc nghịch lưu ba pha ba dây như một cầu chỉnh lưu điện áp lưới để tích trữ năng lượng lên tụ một chiều (DC-link), từ đó phát công suất cho các mạch DC/DC ở đằng sau để biến đổi về các mức điện áp mong muốn trước khi sạc cho các thiết bị tích trữ năng lượng (pin, ắc quy…). Hay cũng có thể đóng vai trò là bộ nghịch lưu, truyền công suất theo hướng ngược lại từ phía DC về lưới (V2G) [43]. Hệ thống On-board Charger (OBC) sử dụng bộ nghịch lưu nguồn áp Từ các phân tích ở trên, luận án đã lựa chọn đối tượng nghiên cứu là nghịch lưu nguồn áp hoạt động trong chế độ nối lưới và độc lập ứng dụng trong hệ thống nguồn phân tán. 2 Hiện nay, các bộ nghịch lưu nguồn áp hai mức đang được dùng phổ biến cho những ứng dụng công suất nhỏ, điện áp DC thấp (< 700V).
Ưu điểm của nghịch lưu hai mức có thể kể đến là: đã được kiểm chứng thực tế, tổn thất dẫn thấp, số lượng linh kiện ít, nguyên tắc hoạt động đơn giản. Sơ đồ cấu trúc nghịch lưu nguồn áp ba pha hai mức được thể hiện như Hình 1. Cấu trúc nghịch lưu nguồn áp ba pha hai mức Tuy nhiên, xu hướng hiện nay của các ứng dụng hạ áp đó là yêu cầu công suất lớn hơn, điện áp DC cao đến hơn 900V, tần số chuyển mạch cao đến 50 kHz thì nghịch lưu nguồn áp hai mức trở nên kém hiệu quả. Lúc này, nghịch lưu hai mức đã bộc lộ những nhược điểm như: chất lượng điện áp ra còn thấp, tốc độ biến thiên du/dt lớn, độ méo sóng hài (THD) cao, điện áp trên van lớn, tổn thất chuyển mạch cao.
Để có thể khắc phục được những hạn chế này của nghịch lưu hai mức thì cần phải có nghịch lưu ba mức [44]. So với các bộ nghịch lưu hai mức thì bộ nghịch lưu ba mức giảm đáng kể tổn thất trong quá trình đóng cắt van, đảm bảo tốt chất lượng thành phần sóng hài của điện áp ra dẫn đến việc thiết kế bộ lọc đầu ra của bộ biến đổi không phức tạp như bộ biến đổi hai mức. Ngoài ưu thế về chất lượng điện áp, nghịch lưu ba mức phân nhỏ các bước nhảy điện áp ra phía xoay chiều, nhờ đó giảm được tốc độ tăng điện áp du/dt trên tải, các van bán dẫn chỉ phải đóng cắt ở mức điện áp thấp, tần số đóng cắt của các van mạch lực thấp trong khi vẫn đảm bảo tần số cao của quá trình điều chế điện áp ra. Với những lý do trên, bộ nghịch lưu ba mức được coi như một giải pháp hiệu quả cho các ứng dụng công suất lớn và điện áp cao trong lĩnh vực hạ áp [45], [46].
Các cấu trúc nghịch lưu nguồn áp ba mức 1. Cấu trúc nghịch lưu dạng điốt kẹp (NPC) Nghịch lưu dạng điốt kẹp (NPC) là cấu trúc nghịch lưu ba mức điển hình. Vì có hai tụ điện mắc nối tiếp nên có thêm một mức điện áp được thêm vào là Vdc/2 ngoài hai mức điện áp 0 và Vdc, thực hiện bằng cách kích mở các van bán dẫn nối điểm giữa của mạch DC (hay là điểm nối các tụ điện) với tải hoặc nối các điểm này vào các pha thông qua các điốt. Có thể nhận thấy rằng khi các van bán dẫn tại các điểm kẹp tương 3 ứng được kích mở thì điểm này được nối vào đầu ra, điện áp trong pha đó là điện áp của dãy tụ điện tương ứng [19], [20].5 là sơ đồ cấu trúc bộ nghịch lưu NPC ba pha.
Nó tạo ra 3 mức điện áp pha là: Vdc/2, 0, -Vdc/2. Cấu trúc bộ nghịch lưu ba mức NPC Có thể tóm lược một số ưu nhược điểm của cấu hình này như sau: Ưu điểm: Cần thiết số lượng nhỏ các tụ, tất cả các pha sử dụng chung một nguồn DC. Giảm được kích thước khi thiết kế khâu lọc mà chất lượng sóng hài vẫn đảm bảo Các van chỉ phải đóng cắt ở tần số thấp do đó hiệu suất bộ biến đổi cao. Nhược điểm: Việc cân bằng điện áp trên tụ khó khăn vì đòi hỏi cần phải theo dõi và điều khiển chính xác mức điện áp trên tụ, điều này dẫn đến các tụ một chiều hay vượt quá ngưỡng nạp hay ngưỡng xả, có thể gây ra quá áp trên một hay nhiều linh kiện đóng cắt Số lượng điốt cần thiết lớn dẫn đến kích thước của hệ thống tăng lên.
Nhìn chung, bộ nghịch lưu NPC là giải pháp tốt cho các ứng dụng công suất lớn, điện áp cao. Tuy nhiên, cấu trúc này có số lượng điốt lớn, mạch phức tạp, do đó làm cho hệ thống cồng kềnh hơn [22]. Cấu trúc nghịch lưu hình T ba pha Cấu trúc nghịch lưu hình T ba pha được phát triển từ cấu trúc nghịch lưu nguồn áp ba pha hai mức. Cấu trúc nghịch lưu này được cấu thành từ 6 van IGBT mắc kiểu thông thường và 6 van IBGT mắc kiểu E chung tạo thành 3 nhánh chữ T như Hình 1.
4 SA1 SB1 SC1 C1 SA4 SA3 SB4 SB3 C2 SA2 SB2 SC2 SC4 SC3 Hình 1. Cấu trúc nghịch lưu hình T ba pha Nguyên lý hoạt động của bộ biến đổi là dựa vào 2 tụ DC để chia điện áp đầu vào thành 2 thành phần điện áp 𝑉 /2 và tạo nên điểm trung tính DC. Điều chỉnh đóng cắt hợp lý các van bán dẫn sẽ cho ra điện áp pha đầu ra có dạng 3 mức: −𝑉 /2, 0, +𝑉 /2. Nghịch lưu hình T về cơ bản kết hợp được các ưu điểm của bộ nghịch lưu hai mức như tổn thất dẫn thấp, số lượng linh kiện ít, gọn nhẹ và nguyên tắc hoạt động đơn giản với những ưu điểm của bộ nghịch lưu NPC ba mức như như tổn thất chuyển mạch thấp và chất lượng điện áp đầu ra vượt trội.
Do đó, nghịch lưu hình T được coi là một giải pháp thay thế cho nghịch lưu NPC ba mức [22], [24]. Nhưng có vấn đề với nghịch lưu hình T, đó là việc xác định cấu hình chuyển mạch AC hai chiều với các van bán dẫn công suất sẵn có. Các chuyển mạch AC phải có khả năng chặn ngược khi chúng được tích hợp trong hệ thống. Hiện nay, van IGBT và MOSFET được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống công suất.
Tuy nhiên, trong quá trình chuyển mạch, những van công suất này có khả năng chặn ngược chưa cao. Để khắc phục tình trạng này, hai giải pháp khác nhau của cấu hình chuyển mạch AC được thể hiện như trong Hình 1. IGBT Diode RB-IGBT (a) (b) Hình 1. Chuyển mạch AC sử dụng van IGBT+điốt (a) và RB-IGBT (b) 5 Hình 1.7(a) cho thấy giải pháp thông thường là "IGBT+điốt ".
Một điốt được mắc nối tiếp với IGBT thành khối chặn ngược. Phương pháp này có thể áp dụng rộng rãi cho các van IGBT thông thường có sẵn trên thị trường. Tuy nhiên, việc đó dẫn đến là sụt áp trên van khi dẫn cao hơn do có thêm lớp tiếp giáp P-N. Số lượng van bán dẫn tối thiểu cho một chuyển mạch AC là 4 van (2 IGBT và 2 điốt).
Cấu trúc bán dẫn của van IGBT thông thường được thể hiện như trong Hình 1. Giải pháp sử dụng RB-IGBT (IGBT chặn ngược) đã được đề xuất áp dụng như trong Hình 1.7(b) để đạt hiệu suất cao hơn. Cấu trúc bán dẫn của van RB-IGBT như trong Hình 1. Như vậy, sẽ có một lớp tiếp giáp PN, tương ứng với một điốt đã được tích hợp sẵn bên trong van RB-IGBT.
Như vậy, RB-IGBT có khả năng chặn ngược, điốt chặn ngược là không cần thiết nữa. Do đó, sụt áp trên van khi dẫn sẽ thấp hơn do giảm số lượng lớp tiếp giáp PN từ hai về một. Số lượng van RB IGBT tối thiểu để định hình chuyển mạch hai chiều AC là 2 van [47]. Cấu trúc bán dẫn của van IGBT thông thường (a) và RB-IGBT (b) Theo [47], sụt áp trên van khi dẫn của RB-IGBT giảm khoảng 30% so với IGBT thông thường + điốt và được thể hiện như trong Hình 1.