Mở đầu; Chương 2: Mô hình xung sét tiêu chuẩn; Chương 3: Xây dựng mô hình MOV hạ thế; Chương 4: Thiết bị bảo vệ quá áp do sét trên đường nguồn hạ áp Chương 5: Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu quả bảo vệ chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp; Chương 6: Kết luận và hướng nghiên cứu phát triển. Tài liệu tham khảo PGS.Quyền Huy Ánh 5 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ C Chương 2 MÔ H HÌNH X XUNG S SÉT TIÊ ÊU CH HUẨN 2. Xungg dòng Khi thiết kế và lựaa chọn thiếết bị chốngg sét trên đđường nguồồn hạ áp cầần quan tâm m đếến các thônng số chínnh là dạng xung sét vvà cường đđộ xung séét. xung sét dòòng tiêu chhuẩn là dạnng xung 8/20µs tươngg ứng với xung sét ccảm ứng vàà dạng xunng ơng ứng vớ 100/350µs tươ ới xung sét đánh trực tiếp vào đư ường dây.
Các d dạng xung dòng tiêu u chuẩn a. Dạngg xung dòngg 8/20µs Dạng xuung 8/20µss thường làà xung sét cảm ứng do sét đánnh vào đườ ờng dây trêên khhông cách vvị trí công trình một khoảng cáách xa (Hìnnh 2.1) hoặặc do sét đáánh vào mộột vậật gần đườnng dây trênn không (H Hình 2.2) hhoặc do sự gia tăng điiện thế đất do sét đánnh vàào vị trí gầnn công trìnhh. Sét đánh vàào đường dâây Hình 2. Sét đánh giián tiếp cảm m trên không ở vị trí cách h xa công trìình.
ứng vào công ttrình. Dạng xuung dòng 88/20µs đượ ợc trình bàyy ở Hình 2.Quyềền Huy Ánh PG 6 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Dạng xunng 8/20µs Hình 22. Dạng xxung dòng 8/20µs 8 b. Dạng xung dòngg 10/350µss Các thiết bị chốngg sét lan truuyền trên đđường nguồn hạ áp đđược thiết kkế và lắp đặt ở những nơii có khả năăng bị sét đđánh thẳngg, đặc biệt là với nhữ ững tòa nhàà có trang bị b kiim chống ssét trực tiếpp.
Tiêu chuuẩn IEC 611643-11 vàà 61643-11 yêu cầu pphải sử dụnng thhiết bị cắt séét và có khhả năng chịịu được cácc dòng xunng lan truyềền dạng 10//350µs đượ ợc tạo ra dòng ssét đánh xuuống (Hìnhh 2.5), cchịu được ccác dòng xuung điện vớ ới ường độ rấtt cao. Séét đánh trực kkiếp vào kim m thu sét Hình 2. Sét đánh trự ực tiếp vào đư ường dây trên đỉnh cônng trình. trênn không lân cận c công trìnnh.Quyềền Huy Ánh PG 7 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Dạng xuung dòng 100/350µs trìình bày ở Hình H 2.
Dạng xunng 10/350µs Hình 2. Dạng xxung dòng 10/350µs. Cường độ xung sét Đối với thiết bị chhống sét trrên đường nguồn phảải chịu đượ ợc cường đđộ xung lớ ớn nhhất trong khhu vực. Thheo tiêu chhuẩn NFC 117-102/19995 (Tiêu chhuẩn chốngg sét an toààn Quuốc gia Phháp); tiêu chhuẩn chốngg sét AS17768 (Tiêu chuẩn c chốnng sét Quốcc gia Úc); và v CVN 98888: 2013 (Tiiêu chuẩn bảo vệ chhống sét) thhì cường đđộ xung lớ TC ớn nhất từnng thhuộc vị trí đđặt thiết bị chống sét (Cat) là looại đường nnguồn với biên độ dòòng xung sét A – 300kA, chi tiết trìnnh bày ở Bảng 2.
khhông vượt qquá 200kA B Bảng 2.1: Ph ường độ xun hân loại cư nhất theo vịị trí lắp đặtt. ng sét lớn n Vị trí lắp đđặt thiết bị Loại đường dâyy ng độ xung Cườn Dạng xung chốn ng sét Cat C – khhả năng cao Đườngg điện cao thhế 70kA 8/200µs Caat C Đườngg nguồn tổngg 20kA 8/200µs Caat B Đường nguồn nhánnh 3kA 8/200µs Caat A Đường nguồn n thiết bị 2200kA 0,5µs/100kHz Đối với trường hợ ợp MOV làà phần tử chống c sét lan truyền đường ngguồn. Số lầần xuung sét củaa MOV có thể chịu đư ược mà không bị hỏnng, phụ thuuộc vào cườ ờng độ xunng séét (Bảng 2.Quyềền Huy Ánh PG 8 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ B Bảng 2.2: Q ữa cường độ xung sét vvà tuổi thọ của MOV. Quan hệ giữ Cường độộ xung sét ccủa MOV vvới dạng ung sét mà tthiết bị thuộc Cat Số lần xu sóng 88/20µs C ccó khả năngg chịu đượcc 20kkA 1 40kkA 5 80kkA 25 120kkA 60 160kkA 1200 200kkA 1900 2.
MÔ HÌN NH MÁY PHÁT XU UNG DÒN NG ơng trình d 2. Phươ dòng xung Các xung dòng khôông chu kỳỳ là những ddạng xung cơ bản rất cần thiết cho việc thử ử m cách điệnn của các thhiết bị điệnn. ngghiệm các tthiết bị bảoo vệ quá ápp cũng như thử nghiệm Dạạng sóng của c các xunng này đượcc trình bàyy ở Hình 2. Dạng sóng s xungg dòng tiêu u chuẩn.
Phươngg trình mô ttả xung dònng tiêu chuuẩn có dạngg: i (t ) I (e at e bt ) (2.1) Xung dòòng tiêu chuuẩn gồm 2 thành phầnn Ie-at và Iee-bt (Hình 2.Quyềền Huy Ánh PG 9 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Hình h 2. Dạngg sóng xun ng của hai thành phầần. ng gồm tổn ức (2.1) cóó thể xác định Các giá trị của I, aa, và b tronng biểu thứ đ đối vớ ới từng dạnng xuung dòng chuẩn c từ cáác giá trị: giá trị đỉnh I1 của xungg dòng, thờ ời gian đạt đỉnh t1, thờ ời giian đạt ½ ggiá trị đỉnh t2 thông qua q các đườ ờng cong cchuẩn trìnhh bày ở Hìnnh 2. Quan hệ giữaa tỷ số b/a và tỷ số t2/t1.Quyềền Huy Ánh PG 110 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Curve Fittinng Toolboxx trong Mattlab tìm được phươngg trình quann Sử dụngg công cụ C hệệ giữa b/a ((x) và t2 /t1 (y).
Quan hệệ giữa tỷ số b/a và tỷỷ số at1. Curve Fittinng Toolboxx trong Mattlab tìm được phươngg trình quann Sử dụngg công cụ C hệệ giữa b/a ((x) và at1 (yy). Qu uan hệ giữa tỷ số b/aa và tỷ số I1/I.Quyềền Huy Ánh PG 111 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Curve Fittinng Toolboxx trong Mattlab tìm được phươngg trình quann Sử dụngg công cụ C hệệ giữa b/a ((x) và I1/ I (y).4) Các biếnn đầu vào làà t1, t2 và I hay U (tùyy theo nguồồn phát xunng dòng hooặc xung ápp). ớc thực hiệnn: từ thông số (t2/t1) vvà biểu thứcc 1.2 sẽ tìm Các bướ m được giá trị (b/a), tiếếp tục thay giá trị nàyy vào các phhương trìnhh (2.
Sau ccùng sẽ tìm m được các giiá trị cần tìm m là a, và bb. Mô hìình máy ph hát xung d dòng tiêu cchuẩn tron ng Matlab Thực hiệện mô hìnhh máy phát xung dòngg tiêu chuẩnn trong MA ATLAB, cóó được sơ đđồ khhối trình bàày ở Hình 22. Mô hìình máy phát xung d dòng tiêu cchuẩn.Quyềền Huy Ánh PG 112 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Tiến hànnh nhóm cáác khối vàoo một khốii con Subsyystem, dùnng Edit Massk xây dựnng khhối này thàành nguồn phát xungg hoàn chỉnnh có biên độ và dạnng sóng được nhập bở ởi nggười sử dụnng như Hìnnh 2.13, sauu đó chép vvào thư viện My Libraary. Biểu u tượng củaa mô hình h nguồn ph hát xung dòòng tiêu ch huẩn.
Sử dụngg Mask Edittor để tạo biến b yêu cầầu nhập vàoo cho mô hình h nguồn phát xung dòòng tiêu chuuẩn (Hình 2. Giao diệện khai báoo các thông số máy p phát xung dòng. Mô ph hỏng xungg dòng tiêu u chuẩn Sơ đồ mô m phỏng ngguồn phát xxung dòng tiêu chuẩnn trình bày ở Hình 2.Quyềền Huy Ánh PG 113 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Hình 2. Sơ đồ m mô phỏng n nguồn xun ng dòng tiêu chuẩn.
Nhập các thông số cho nguồnn xung dòngg như Hìnhh 2. Giao diệện nhập cáác thông sốố nguồn xu ung dòng. Thực hiệnn mô phỏngg dạng xunng dòng 8/220µs với biêên độ 40kA A, kết quả ttrình bày ở Hìình 2.Quyềền Huy Ánh PG 114 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ H Hình 2. Dạng xun ng dòng 40kA 8/20µss.
Thực hiệện mô phỏnng dạng xuung dòng 8//20µs với bbiên độ 20kkA, kết quảả trình bày ở Hìình 2. Dạng xungg dòng 200kA 8/20µss.Quyềền Huy Ánh PG 115 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Thực hiệện mô phỏnng với xungg dòng 8/20µs với biêên độ 5kA,, kết quả trìình bày ở Hìình 2. Dạng xun ng dòng 5k kA 8/20µs. Thực hiệện mô phỏnng dạng xuung dòng 8//20µs với bbiên độ 3kA A, kết quả ttrình bày ở Hìình 2.Quyềền Huy Ánh PG 116 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ H Hình 2.
Dạng xun ng dòng 3k kA 8/20µs.Quyềền Huy Ánh PG 117 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ C Chương 3 XÂY DỰNG MÔ HÌÌNH M Ạ THẾ MOV HẠ 3. Cấu trú úc của mô hình MOV V hạ thế Mô hìnhh MOV hạ thế được xxây dựng ddựa trên cơ ơ sở mô hìnnh MOV của c Manfreed Hoolzer và W Willi Zapskyy. Biến trở MOV đượ ợc thay thế bởi phần tử ử điện trở pphi tuyến ccó đặc tính V-I, tụ điệện Cpp mắc songg song với nó, cùng vvới một điệện trở song song Rp. T Tất cả các phần tử nàày đư ược nối tiếpp với một điện đ cảm Ls L và điện trrở Rs (Hìnhh 3.
Sơ đồ m mạch tươngg đương củaa mô hình MOV. M Điện trở ở Rs của môô hình có ggiá trị cực nhỏ n khoảngg 100n được đ thêm vvào để ngăăn nggừa việc nốối tiếp một mô hình nguồn n v một điệện cảm hayy một nguồồn dòngg lý tưởng với dòòng khác trrong Matlabb. Điện cảm m nối tiếp Ls gồm điệện cảm tronng của ZnO O và điện ccảm dây nốối của MOV V. Giiá trị điện ccảm dây nốối của MO mm, còn điện cảm troong của ZnO OV vào khooảng 1nH/m cóó giá trị rất nhỏ nên có thể đượcc bỏ qua.
G Giá trị điện cảm Ls nàyy được choo đối với cáác loại MOV chhuẩn. Tụ điện Cp chính làà điện dungg của MOV V, giá trị nàày có trongg catalogue của nhà sảản xuuất.Quyềền Huy Ánh PG 118 Luan van Đề tài ngghiên cứu khhoa học T20117-62TĐ Điện trở Rp là điệnn trở miền tiếp giáp giữa các hhạt ZnO cóó giá trị rấất lớn, bằnng 1000M. Phần tử điện trở phhi tuyến cóó đặc tính V V-I được m mô phỏng bbởi một ngguồn áp điềều một hàm của dòng điệnn I (V=f(I)). khhiển V là m logV = b1 + b2 log( I) + b33e-log (I) + bb4elog (I) với I > 0 (3.1) V 10 b1b 2 log I b 3e log I b 4 e log I (3.2) Ứng vớii mỗi loại M MOV hạ thhế chuẩn, các thông số b1, b2, b3, b4 đư ược xác địnnh ựa trên đặcc tính V-I của dự c MOV ứ ứng với độộ sai số TO OL của điệnn áp MOV V là 0%.
Tùùy vàào từng loạại MOV, độộ sai số điệện áp ngưỡ ỡng TOL chuẩn có thhể thay đổi từ 10% đếến 200%, một ví dụ được trrình bày ở H Hình 3. Đặc tín nh V-I của MOV có saai số TOL 10%.